一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法
【專利摘要】公開了一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法，包括：通過所述光譜儀采集黑體處于N個(gè)溫度值下的測(cè)試數(shù)據(jù)；其中，在第i溫度值Ti下所述黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)為S1,i，i＝1,…N，N為大于1的整數(shù)；將聚丙烯薄膜包覆在所述黑體表面，以構(gòu)成第二測(cè)試體；并且，在黑體處于N個(gè)溫度值時(shí)，通過所述光譜儀采集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)；其中，在第i溫度值下第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)為S2,i；根據(jù)N個(gè)溫度值下黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)、以及第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)所述光譜儀的光譜位置進(jìn)行定標(biāo)。本發(fā)明的方法，通過選用聚丙烯材料對(duì)長(zhǎng)波紅外光譜儀進(jìn)行定標(biāo)，具有單次定標(biāo)精度高、定標(biāo)材料穩(wěn)定性好、定標(biāo)成本低等優(yōu)點(diǎn)。而且，通過采集多個(gè)溫度下的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行定標(biāo)，進(jìn)一步提高了定標(biāo)精度。
【專利說明】
一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及光譜定標(biāo)領(lǐng)域，尤其涉及一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 光譜設(shè)備的定標(biāo)是光譜設(shè)備定量化應(yīng)用的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，其主要包括光譜定標(biāo)和 輻射定標(biāo)。其中，光譜定標(biāo)是指測(cè)量光譜儀隨入射波波長(zhǎng)變化的響應(yīng)，其主要目的是確定探 測(cè)器不同光譜通道中心波長(zhǎng)的位置以及光譜分辨率的大小。光譜定標(biāo)是保證光譜儀真實(shí)有 效的獲得地物目標(biāo)光譜的首要工作，是光譜儀定量化應(yīng)用的關(guān)鍵。
[0003] 利用物質(zhì)特征譜線對(duì)光譜儀進(jìn)行定標(biāo)是一種方便快捷的光譜定標(biāo)方法。作為光譜 定標(biāo)的材料，首先應(yīng)具有尖銳且較強(qiáng)烈的吸收峰，以避免定標(biāo)材料的吸收峰被其他物質(zhì)的 光譜所掩蓋，進(jìn)而便于確定光譜位置。其次，定標(biāo)材料應(yīng)具備穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，以在較高溫 度、濕度、強(qiáng)光照射等惡劣條件下也能保持穩(wěn)定，從而滿足各種應(yīng)用條件下的定標(biāo)需求。
[0004] 鑒于此，本發(fā)明提出了一種對(duì)長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法，以滿足長(zhǎng)波紅外 光譜儀的定標(biāo)需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提出了一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法，以實(shí)現(xiàn)定標(biāo)需求。進(jìn)一步的， 本發(fā)明的定標(biāo)方法簡(jiǎn)單、定標(biāo)成本低，尤其適用于缺少定標(biāo)設(shè)備、或不便進(jìn)行多光源定標(biāo)的 外場(chǎng)環(huán)境儀器標(biāo)定工作中。
[0006] 本發(fā)明的長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法，包括:S1、通過所述光譜儀采集黑體處 于N個(gè)溫度值下的測(cè)試數(shù)據(jù);其中，在第i溫度值T,下所述黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)為S 1;1，i = l，~N， N為大于1的整數(shù)；
[0007] S2、將聚丙烯薄膜包覆在所述黑體表面，以構(gòu)成第二測(cè)試體;并且，在黑體處于N個(gè) 溫度值時(shí)，通過所述光譜儀采集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù);其中，在第i溫度值下第二測(cè)試體 的測(cè)試數(shù)據(jù)為S 2,1;
[0008] S3、根據(jù)N個(gè)溫度值下黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)、以及第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)所述光譜儀 的光譜位置進(jìn)行定標(biāo)。
[0009] 優(yōu)選的，所述光譜儀為干涉型長(zhǎng)波紅外光譜儀，所述測(cè)試數(shù)據(jù)具體為干涉數(shù)據(jù)。
[0010] 優(yōu)選的，步驟S3包括:S31、對(duì)N個(gè)溫度值下黑體的干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，以獲 取N個(gè)溫度值下黑體的光譜數(shù)據(jù);對(duì)N個(gè)溫度值下第二測(cè)試體的干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換， 以獲取N個(gè)溫度值下第二測(cè)試體的光譜數(shù)據(jù);其中，在第i溫度下黑體的光譜數(shù)據(jù)為L(zhǎng) 1;1、在 第i溫度下第二測(cè)試體的光譜數(shù)據(jù)為L(zhǎng)2, i;
[0011] S32、在每一溫度值下，對(duì)第二測(cè)試體以及黑體的光譜數(shù)據(jù)取差值，以獲取聚丙烯 薄膜的特征吸收峰的位置曲線，并且，根據(jù)所述位置曲線確定每一特征吸收峰的位置坐標(biāo)； 其中，在第i溫度下第j個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)為，j = 1，2，3;
[0012] S33、對(duì)于每一特征吸收峰，計(jì)算其在N個(gè)溫度下的位置坐標(biāo)的平均值r.; J *
[0014] S34、根據(jù)5對(duì)所述光譜儀的光譜位置進(jìn)行定標(biāo)。
[0015] 優(yōu)選的，步驟S34包括:根據(jù)第一個(gè)特征吸收峰的參考光譜位置vl，0、以及第一、二 個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)的平均值gg ,確定第二個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置;根據(jù) 第一個(gè)特征吸收峰的參考光譜位置vl ,〇、以及第一、三個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)的平均值 0、#|，確定第三個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置。
[0016] 優(yōu)選的，根據(jù)公式2確定第二、三個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置；
[0018] 式中，Vk為第k個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置，k為2或3。
[0019] 優(yōu)選的，溫度值Ti滿足：
[0020] 30°C 彡 Ti 彡 100°C。
[0021] 優(yōu)選的，所述黑體的輻射面尺寸為8cm X 8cm，發(fā)射率為0 · 96，最高溫度為100 °C 〇
[0022] 優(yōu)選的，ν=3，Τι = 60。，Τ2 = 70。，T3 = 80。。
[0023] 在本發(fā)明的技術(shù)方案中，長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法主要包括:通過所述光 譜儀采集黑體處于N個(gè)溫度值下的測(cè)試數(shù)據(jù);將聚丙烯薄膜包覆在所述黑體表面，以構(gòu)成第 二測(cè)試體;并且，在黑體處于N個(gè)溫度值時(shí)，通過所述光譜儀采集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù);根 據(jù)N個(gè)溫度值下黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)、以及第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)所述光譜儀的光譜位置進(jìn) 行定標(biāo)。本發(fā)明的方法，通過選用聚丙烯材料對(duì)長(zhǎng)波紅外光譜儀進(jìn)行定標(biāo)，具有單次定標(biāo)精 度高、定標(biāo)材料穩(wěn)定性好、定標(biāo)成本低等優(yōu)點(diǎn)。而且，通過采集多個(gè)溫度下的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行 定標(biāo)，進(jìn)一步提尚了定標(biāo)精度。
【附圖說明】
[0024] 通過以下參照附圖而提供的【具體實(shí)施方式】部分，本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)將變得更加 容易理解，在附圖中：
[0025] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例中的長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法流程圖；
[0026]圖2是實(shí)施例中60°C時(shí)聚丙烯薄膜的特征吸收峰的位置曲線；
[0027]圖3是實(shí)施例中70°C時(shí)聚丙烯薄膜的特征吸收峰的位置曲線；
[0028]圖4是實(shí)施例中80°C時(shí)聚丙烯薄膜的特征吸收峰的位置曲線。
【具體實(shí)施方式】
[0029] 下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)描述。對(duì)示例性實(shí)施方式的描 述僅僅是出于示范目的，而絕不是對(duì)本發(fā)明及其應(yīng)用或用法的限制。
[0030] 針對(duì)長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)需求，本發(fā)明提供了一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的定標(biāo) 方法。本發(fā)明的定標(biāo)方法具有單次定標(biāo)精度高、定標(biāo)材料穩(wěn)定性好、定標(biāo)成本低等優(yōu)點(diǎn)。本 發(fā)明的定標(biāo)方法尤其適用于缺少定標(biāo)設(shè)備、或不便進(jìn)行多光源定標(biāo)的外場(chǎng)環(huán)境儀器標(biāo)定工 作中。
[0031] 下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1為本發(fā)明實(shí) 施例中的長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法流程圖。從圖1可見，所述方法包括：
[0032] 步驟S1、通過所述光譜儀采集黑體處于N個(gè)溫度值下的測(cè)試數(shù)據(jù);其中，在第i溫度 值!^下所述黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)為51, 1，1 = 1，一1^為大于1的整數(shù)。在本發(fā)明實(shí)施例中，所用的 長(zhǎng)波紅外光譜儀的波長(zhǎng)范圍為8-11μπι。
[0033] 在步驟S1中，我們首先啟動(dòng)待定標(biāo)的長(zhǎng)波紅外光譜儀，并對(duì)所述光譜儀進(jìn)行初始 化設(shè)置。比如，設(shè)置光譜分辨率、設(shè)置積分時(shí)間等。然后，通過該光譜儀對(duì)處于不同溫度值下 的黑體進(jìn)行測(cè)試，以獲取測(cè)試數(shù)據(jù)。具體的，我們可以將待測(cè)黑體升溫至第一溫度值，待黑 體溫度穩(wěn)定后，通過該光譜儀采集測(cè)試數(shù)據(jù)。然后，我們將待測(cè)黑體升溫至第二溫度，待黑 體溫度穩(wěn)定后，通過該光譜儀采集測(cè)試數(shù)據(jù)。以此類推，我們將待測(cè)黑體升溫至第Ν溫度，待 黑體溫度穩(wěn)定后，通過該光譜儀采集測(cè)試數(shù)據(jù)。在具體實(shí)施時(shí)，N、Tj^取值可根據(jù)實(shí)際需求 進(jìn)行確定。較佳的，溫度值Ti滿足:30 °C < Ti< 100 °C。
[0034] 步驟S2、將聚丙烯薄膜包覆在所述黑體表面，以構(gòu)成第二測(cè)試體;并且，在黑體處 于N個(gè)溫度值時(shí)，通過所述光譜儀采集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù);其中，在第i溫度值下第二測(cè) 試體的測(cè)試數(shù)據(jù)為& ;1。
[0035]在本實(shí)施例中，我們選用聚丙烯材料進(jìn)行光譜定標(biāo)。聚丙烯材料由于存在[CH2CH (CH3)]n化學(xué)鍵，因此其存在三個(gè)較強(qiáng)的特征吸收峰。并且，聚丙烯材料的性能穩(wěn)定，不易受 高溫、強(qiáng)光等惡劣條件的影響。有鑒于此，本發(fā)明選用聚丙烯材料對(duì)長(zhǎng)波紅外光譜儀進(jìn)行光 譜定標(biāo)。
[0036] 具體地，在步驟S2中，當(dāng)黑體處于第一溫度時(shí)，我們將聚丙烯薄膜包覆在黑體表 面，并通過該光譜儀采集其在該溫度下的測(cè)試數(shù)據(jù)。當(dāng)黑體處于第二溫度時(shí)，我們將聚丙烯 薄膜包覆在黑體表面，并通過該光譜儀采集其在該溫度下的測(cè)試數(shù)據(jù)。以此類推，當(dāng)黑體處 于第N溫度時(shí)，我們將聚丙烯薄膜包覆在黑體表面，并通過該光譜儀采集其在該溫度下的測(cè) 試數(shù)據(jù)。
[0037] 在具體實(shí)施時(shí)，步驟S1、S2的順序可以進(jìn)行調(diào)整。比如，在第一溫度下，我們可以先 采集黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)，再采集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)?；蛘?，在第一溫度下，我們可以先采 集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)，再采集黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)。
[0038] 步驟S3、根據(jù)N個(gè)溫度值下黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)、以及第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)所述光 譜儀的光譜位置進(jìn)行定標(biāo)。其中，根據(jù)長(zhǎng)波紅外光譜儀的類型不同，步驟S3的【具體實(shí)施方式】 也不同。下面我們以干涉型長(zhǎng)波紅外光譜儀為例，對(duì)步驟S3進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0039]干涉型光譜儀，又稱傅里葉變換式光譜儀，其定標(biāo)原理如下：在干涉型光譜儀中， 系統(tǒng)直接采集的是干涉數(shù)據(jù)，或稱為干涉圖。若在干涉圖中包含η個(gè)波數(shù)成分:V1、vwn，則 經(jīng)過傅里葉變換后，在頻域空間與波數(shù)成分對(duì)應(yīng)的位置為: Χι、χ2、···χη。由于干涉光程差是 線性變化的，所以傅里葉變換后的波數(shù)成分的位置也是線性分布的，并具有如下比例關(guān)系：
[0041]由公式3可見，在光譜標(biāo)定中，如果已知波數(shù)的零點(diǎn)位置，則僅需要已知其中一條 波長(zhǎng)(波數(shù))的譜線位置，即可根據(jù)公式3確定其他波長(zhǎng)(波數(shù))的位置。如果確定了兩條譜線 的位置，則不需要已知波數(shù)的零點(diǎn)也能標(biāo)定其他波數(shù)的位置。
[0042] 在本實(shí)施例中，當(dāng)所述光譜儀為干涉型長(zhǎng)波紅外光譜儀，步驟S3包括：
[0043] 步驟S31、對(duì)N個(gè)溫度值下黑體的干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，以獲取N個(gè)溫度值下黑 體的光譜數(shù)據(jù);對(duì)N個(gè)溫度值下第二測(cè)試體的干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，以獲取N個(gè)溫度值 下第二測(cè)試體的光譜數(shù)據(jù);其中，在第i溫度下黑體的光譜數(shù)據(jù)為L(zhǎng) 1;1、在第i溫度下第二測(cè) 試體的光譜數(shù)據(jù)為L(zhǎng)2>1。
[0044] 步驟S32、在每一溫度值下，對(duì)第二測(cè)試體以及黑體的光譜數(shù)據(jù)取差值，以獲取聚 丙烯薄膜的特征吸收峰的位置曲線，并且，根據(jù)所述位置曲線確定每一特征吸收峰的位置 坐標(biāo);其中，在第i溫度下第j個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)為ru，j = 1，2，3。 _5]娜33、對(duì)于每-特征吸收峰，計(jì)算細(xì)個(gè)溫度下的位置坐標(biāo)的平均值&
則步驟S34、樹雄臓光譜儀的光譜位置進(jìn)行定標(biāo)。
[0048]具體地，步驟S34包括:根據(jù)第一個(gè)特征吸收峰的參考光譜位置Vl,o、以及第一、二 個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)的平均值&、5 ,確定第二個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置;根據(jù) 第一個(gè)特征吸收峰的參考光譜位置VI,0、以及第一、三個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)的平均值 q，確定第三個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置。其中，確定第二、三個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定 光譜位置所用的公式2如下：
[0050] 式中，Vk為第k個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置，k為2或3。
[0051] 在本實(shí)施例中，我們具體選用了聚丙烯材料薄膜對(duì)干涉型長(zhǎng)波紅外光譜儀進(jìn)行光 譜定標(biāo)。通過分別測(cè)量多組溫度下的黑體、以及將聚丙烯薄膜包覆在黑體上構(gòu)成的第二測(cè) 試體的干涉數(shù)據(jù)，并且對(duì)干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，得到了多組溫度下黑體及第二測(cè)試體 的光譜數(shù)據(jù)，然后，通過對(duì)同一溫度下第二測(cè)試體及黑體的光譜數(shù)據(jù)求差值，獲得了聚丙烯 薄膜的特征吸收峰的位置坐標(biāo)，并通過光譜定標(biāo)原理計(jì)算特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置。進(jìn) 一步的，將標(biāo)定光譜位置與聚丙烯材料的標(biāo)準(zhǔn)譜線，即參考譜線位置進(jìn)行比較，以實(shí)現(xiàn)光譜 位置定標(biāo)以及定標(biāo)精度的確定。本實(shí)施例具有單次定標(biāo)精度高、定標(biāo)材料穩(wěn)定性好、定標(biāo)成 本低等優(yōu)點(diǎn)。而且，通過采集多個(gè)溫度下的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行定標(biāo)，進(jìn)一步提高了定標(biāo)精度。 [0052]為了對(duì)以上干涉型長(zhǎng)波紅外光譜儀的定標(biāo)過程進(jìn)行更進(jìn)一步的說明，下面給出一 個(gè)更為具體的實(shí)施例。
[0053]在該具體實(shí)施例中，待定標(biāo)的干涉型長(zhǎng)波紅外光譜儀的波長(zhǎng)范圍為8~Ι?μL?，最高 光譜分辨率為0.25CHT1，并且選用輻射面尺寸為8cmX 8cm、最高溫度為100°C、發(fā)射率為0.96 的面源黑體。
[0054]在該具體實(shí)施例中，我們?cè)?0 °C、70 °C、80 °C的溫度值下分別對(duì)黑體、包覆薄膜聚 丙烯薄膜的黑體進(jìn)行了干涉數(shù)據(jù)測(cè)量。并且，通過對(duì)干涉數(shù)據(jù)進(jìn)行快速傅里葉變換，得到了 6〇°c、7〇°c、8(rc下的光譜數(shù)據(jù)。然后，通過對(duì)包覆薄膜聚丙烯薄膜的黑體、以及黑體的光譜 數(shù)據(jù)求差值，獲得了聚丙烯薄膜的特征吸收峰的位置曲線，如圖2、3、4所示。在圖2、3、4中， 橫坐標(biāo)是采樣坐標(biāo)，縱坐標(biāo)是強(qiáng)度。通過對(duì)圖2-4所示的三組溫度下的特征吸收峰的位置坐 標(biāo)取平均，我們得到了三個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)均值，分別為378、388、453。
[0055] 在該具體實(shí)施例中，根據(jù)光譜定標(biāo)原理，如果第378點(diǎn)在長(zhǎng)波紅外波段范圍內(nèi)對(duì)應(yīng) 的參考光譜位置為973CHT1，則由公式2可計(jì)算出第388點(diǎn)對(duì)應(yīng)的波數(shù)為（973/378) X 388 = 998cm-S第453點(diǎn)對(duì)應(yīng)的波數(shù)為(973/378) X453 = 1166cm-、在計(jì)算得到聚丙烯薄膜的特征 吸收峰的標(biāo)定光譜位置以后，我們將其與聚丙烯材料的標(biāo)準(zhǔn)譜線進(jìn)行對(duì)比，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)干涉 型長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜位置定標(biāo)。
[0056] 雖然參照示例性實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限 于文中詳細(xì)描述和示出的【具體實(shí)施方式】，在不偏離權(quán)利要求書限定的范圍的情況下，本領(lǐng) 域技術(shù)人員可以對(duì)所述示例性實(shí)施方式做出各種改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種長(zhǎng)波紅外光譜儀的光譜定標(biāo)方法，其特征在于，所述方法包括： 51、 通過所述光譜儀采集黑體處于N個(gè)溫度值下的測(cè)試數(shù)據(jù);其中，在第i溫度值Τι下所 述黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)為Sl,l，i = l，…N，N為大于l的整數(shù)； 52、 將聚丙締薄膜包覆在所述黑體表面，W構(gòu)成第二測(cè)試體;并且，在黑體處于Ν個(gè)溫度 值時(shí)，通過所述光譜儀采集第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù);其中，在第i溫度值下第二測(cè)試體的測(cè) 試數(shù)據(jù)為S2,i; 53、 根據(jù)N個(gè)溫度值下黑體的測(cè)試數(shù)據(jù)、W及第二測(cè)試體的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)所述光譜儀的光 譜位置進(jìn)行定標(biāo)。2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述光譜儀為干設(shè)型長(zhǎng)波紅外光譜儀，所述 測(cè)試數(shù)據(jù)具體為干設(shè)數(shù)據(jù)。3. 如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，步驟S3包括： 531、 對(duì)N個(gè)溫度值下黑體的干設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，W獲取N個(gè)溫度值下黑體的光譜 數(shù)據(jù);對(duì)N個(gè)溫度值下第二測(cè)試體的干設(shè)數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換，W獲取N個(gè)溫度值下第二測(cè) 試體的光譜數(shù)據(jù);其中，在第i溫度下黑體的光譜數(shù)據(jù)為b,i、在第i溫度下第二測(cè)試體的光 譜數(shù)據(jù)為L(zhǎng)2,i; 532、 在每一溫度值下，對(duì)第二測(cè)試體W及黑體的光譜數(shù)據(jù)取差值，W獲取聚丙締薄膜 的特征吸收峰的位置曲線，并且，根據(jù)所述位置曲線確定每一特征吸收峰的位置坐標(biāo)；其 中，在第i溫度下第j個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)為ri, J，j = 1，2，3; 533、 對(duì)于每-特征吸收峰，計(jì)算其御個(gè)溫度下的位置坐標(biāo)的平均的公式1 534、 根據(jù)Γ對(duì)所述光譜儀的光譜位置進(jìn)行定標(biāo)。 }4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟S34包括:根據(jù)第一個(gè)特征吸收峰的參考 光譜位置VI,o、W及第一、二個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)的平均值^，確定第二個(gè)特征 吸收峰的標(biāo)定光譜位置； 根據(jù)第一個(gè)特征吸收峰的參考光譜位置VI,o、W及第一、Ξ個(gè)特征吸收峰的位置坐標(biāo)的 平均值??、，確定第Ξ個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置。5. 如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，根據(jù)公式2確定第二、Ξ個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定 光譜位置；公式2 式中，Vk為第k個(gè)特征吸收峰的標(biāo)定光譜位置，k為2或3。6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，溫度值Τι滿足： 3(Tc《Ti《i〇(rc。7. 如權(quán)利要求1-6任一所述的方法，其特征在于，所述黑體的福射面尺寸為8cm X 8cm， 發(fā)射率為0.96，最高溫度為100°C。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，N=3，Τι = 60°，Τ2 = 70°，Τ3 = 80°。
【文檔編號(hào)】G01J3/42GK106092320SQ201610371363
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年5月30日
【發(fā)明人】陳艷, 王廣平, 王淑華, 徐文斌, 張亞洲
【申請(qǐng)人】北京環(huán)境特性研究所