磁測(cè)量裝置及其制造方法、氣室以及氣室的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及磁測(cè)量裝置及其制造方法、氣室以及氣室的制造方法。本發(fā)明提供小型且使用壽命長(zhǎng)的能夠穩(wěn)定地制造的氣室以及具備氣室的磁測(cè)量裝置、氣室以及磁測(cè)量裝置的制造方法。磁測(cè)量裝置(100)的特征在于，具備：壁(11)，其構(gòu)成室部(12)；開(kāi)口部(18)，其在壁(11)的一部分開(kāi)口；封閉材料(30)，其封閉開(kāi)口部(18)；涂層(32)，其在室部(12)的內(nèi)側(cè)覆蓋封閉材料(30)；以及堿金屬氣體(13)，其被封入室部(12)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
磁測(cè)量裝置及其制造方法、氣室以及氣室的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及磁測(cè)量裝置、磁測(cè)量裝置的制造方法、氣室以及氣室的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]公知一種光栗浦式的磁測(cè)量裝置，其向封入有堿金屬氣體的氣室照射直線偏振光，根據(jù)偏振光面的旋轉(zhuǎn)角測(cè)定磁場(chǎng)(例如參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。專(zhuān)利文獻(xiàn)I公開(kāi)了一種氣室的結(jié)構(gòu)，其將封入有堿金屬的安瓿收納于室內(nèi)而封閉室，通過(guò)向安瓿照射激光，從而在安瓿的玻璃管形成貫通孔，使安瓿內(nèi)的堿金屬蒸發(fā)，使該蒸氣(氣體)充滿于室內(nèi)部。
[0003]根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)I的記載，室通過(guò)使用低熔點(diǎn)玻璃等的封閉材料接合由玻璃構(gòu)成的外殼(容器)以及蓋體(蓋部)而形成。為了對(duì)室的內(nèi)壁提高非緩和特性，通過(guò)將由鏈?zhǔn)斤柡蜔N(石蠟等)構(gòu)成的涂層材料從流路流入室內(nèi)形成涂層。而且，在使堿金屬的蒸氣(氣體)在室內(nèi)擴(kuò)散后，利用低熔點(diǎn)玻璃等的封閉材料封閉涂層材料的流路。
[0004]專(zhuān)利文獻(xiàn)I:日本特開(kāi)2012-183290號(hào)公報(bào)
[0005]然而，堿金屬的反應(yīng)性高，低熔點(diǎn)玻璃通常耐化學(xué)品性低。因此，若使氣室內(nèi)充滿堿金屬的氣體，則存在堿金屬與低熔點(diǎn)玻璃產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的情況。若堿金屬與低熔點(diǎn)玻璃產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，則因堿金屬的化學(xué)變化，氣室內(nèi)的堿金屬的氣體減少，并且因伴隨著封閉材料(低熔點(diǎn)玻璃)的化學(xué)變化的封閉的劣化，堿金屬的氣體向氣室外漏出。其結(jié)果是存在如下課題:存在導(dǎo)致氣室以及磁測(cè)量裝置的制造成品率的降低的擔(dān)憂、因氣室的壽命的降低無(wú)法長(zhǎng)期維持磁測(cè)量裝置的靈敏度的擔(dān)憂。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分完成的，能夠作為以下方式或者應(yīng)用例而實(shí)現(xiàn)。
[0007][應(yīng)用例I]本應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的特征在于，具備:壁，其構(gòu)成封閉容器；第一孔，其在上述壁的一部分開(kāi)口；封閉材料，其封閉上述第一孔;鏈?zhǔn)斤柡蜔N，其在上述封閉容器的內(nèi)側(cè)覆蓋上述封閉材料;以及堿金屬氣體，其被封入上述封閉容器。
[0008]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，在磁測(cè)量裝置中，利用封閉材料封閉在構(gòu)成封閉容器的壁的一部分開(kāi)口的第一孔，在封閉容器的內(nèi)側(cè)利用鏈?zhǔn)斤柡蜔N覆蓋封閉材料。因此，由于被封入封閉容器的堿金屬氣體與封閉材料不接觸，所以能夠抑制反應(yīng)性高的堿金屬與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)。由此，由于能夠抑制由堿金屬的化學(xué)變化所引起的堿金屬氣體的減少、由伴隨著封閉材料的化學(xué)變化的封閉的劣化所引起的堿金屬氣體的漏出，所以能夠長(zhǎng)期維持磁測(cè)量裝置的靈敏度。
[0009][應(yīng)用例2]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置中，優(yōu)選還具備覆蓋上述第一孔的蓋，上述封閉材料被配置為在上述蓋與上述壁之間包圍上述第一孔。
[0010]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，由于利用蓋堵塞第一孔，蓋與封閉容器的壁經(jīng)由封閉材料被固定，所以與僅使用封閉材料封閉第一孔的情況相比，能夠更加穩(wěn)固地封閉封閉容器。另夕卜，由于封閉材料在蓋與壁之間即在封閉容器的外部以包圍第一孔的方式被配置，所以與僅使用封閉材料封閉第一孔的情況相比，能夠進(jìn)一步加長(zhǎng)封閉材料與堿金屬氣體的距離。由此，能夠更加有效地抑制堿金屬與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)。
[0011][應(yīng)用例3]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置中，優(yōu)選上述封閉容器具備第一室以及經(jīng)由第二孔與上述第一室連接的第二室，上述第一孔被形成于上述第二室的上述壁。
[0012]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，封閉容器具備經(jīng)由第二孔而連接的第一室與第二室，第一孔被形成于第二室的壁。因此，在加熱封閉容器使鏈?zhǔn)斤柡蜔N成為氣體并且在第一室與第二室的內(nèi)側(cè)析出時(shí)，若第二室側(cè)的溫度比第一室側(cè)的溫度低，則能夠使在設(shè)置有第一孔的第二室側(cè)析出的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的量比第一室側(cè)多。由此，由于能夠進(jìn)一步增加覆蓋封閉第一孔的封閉材料的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的量，所以能夠更加可靠地抑制堿金屬與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)。
[0013][應(yīng)用例4]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置中，優(yōu)選上述第一孔被形成于上述第二室的位于與上述第一室相反一側(cè)的上述壁。
[0014]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，第一孔被形成于第二室的與第一室相反一側(cè)的壁，S卩，被形成于構(gòu)成第二室的壁中的位于從第一室離開(kāi)的位置的壁。因此，若第二室側(cè)的溫度比第一室側(cè)的溫度低，則能夠進(jìn)一步使在設(shè)置有第一孔的位置析出的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的量比第一室側(cè)多。
[0015][應(yīng)用例5]本應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法的特征在于，包括:形成由壁構(gòu)成并具有在上述壁的一部分開(kāi)口的第一孔且配置有密封了堿金屬原子材料的安瓿(Ampoule)與鏈?zhǔn)斤柡蜔N的容器的形成工序;使用封閉材料封閉上述第一孔的封閉工序;將使用上述封閉材料密閉的上述容器加熱至第一溫度的加熱工序；以及將使用上述封閉材料密閉的上述容器冷卻至低于上述第一溫度的第二溫度的冷卻工序。
[0016]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，利用形成工序形成由壁構(gòu)成并配置有鏈?zhǔn)斤柡蜔N的容器，利用封閉工序使用封閉材料封閉在壁的一部分開(kāi)口的第一孔從而密閉容器。然后，利用加熱工序?qū)⒚荛]的容器加熱至第一溫度，因此能夠在容器內(nèi)使鏈?zhǔn)斤柡蜔N氣化。然后，利用冷卻工序?qū)⑷萜骼鋮s至低于第一溫度的第二溫度，因此能夠在容器內(nèi)使氣化的鏈?zhǔn)斤柡蜔N析出覆蓋封閉材料來(lái)保護(hù)封閉材料。因此，由于能夠抑制伴隨著封閉材料的化學(xué)變化等的封閉的劣化，所以能夠制造能夠長(zhǎng)期維持靈敏度的磁測(cè)量裝置。
[0017][應(yīng)用例6]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法中，優(yōu)選還包括在上述冷卻工序之后破壞上述安瓿的工序。
[0018]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，由于在冷卻工序之后破壞安瓿，所以安瓿內(nèi)的堿金屬原子材料在容器內(nèi)被放出且氣化，向容器內(nèi)填充堿金屬氣體。這里，由于封閉材料被鏈?zhǔn)斤柡蜔N覆蓋，所以不與堿金屬氣體接觸，因此能夠抑制反應(yīng)性高的堿金屬與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)。由此，由于能夠抑制由堿金屬的化學(xué)變化引起的堿金屬氣體的減少、由伴隨著封閉材料的化學(xué)變化的封閉的劣化引起的堿金屬氣體的漏出，所以能夠穩(wěn)定地制造能夠長(zhǎng)期維持靈敏度的磁測(cè)量裝置。
[0019][應(yīng)用例7]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法中，優(yōu)選上述第一溫度高于上述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)，上述第二溫度低于上述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)。
[0020]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，由于利用加熱工序加熱至高于鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)的第一溫度，所以能夠在容器內(nèi)使鏈?zhǔn)斤柡蜔N氣化。而且，由于利用冷卻工序冷卻至低于鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)的第二溫度，所以能夠使氣化的鏈?zhǔn)斤柡蜔N在封閉材料的表面析出而覆蓋封閉材料。
[0021][應(yīng)用例8]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法中，優(yōu)選在上述冷卻工序中，存在上述容器的上述第一孔所處的部位的溫度低于其他部位的溫度的期間。
[0022]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，由于在冷卻工序中，存在第一孔所處的部位的溫度低于其他部位的溫度的期間，所以與其他部位相比，在第一孔的周邊，鏈?zhǔn)斤柡蜔N更易于析出。因此，與覆蓋其他部位的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的膜厚相比，能夠更加增厚覆蓋被封閉材料封閉的第一孔的周邊的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的膜厚。由此，能夠有效地抑制堿金屬與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)。
[0023][應(yīng)用例9]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法中，優(yōu)選在上述冷卻工序中，上述容器的上述第一孔所處的部位比其他部位先達(dá)到上述第二溫度。
[0024]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，由于在冷卻工序中，第一孔所處的部位比其他部位先達(dá)到第二溫度，所以在第一孔的周邊，比其他部位先開(kāi)始鏈?zhǔn)斤柡蜔N的析出。因此，在被封閉材料封閉的第一孔的周邊，與其他部位相比，能夠更加增加析出的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的量從而增厚膜厚。
[0025][應(yīng)用例10]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法中，優(yōu)選上述容器由上述壁構(gòu)成并且是具有在上述壁的一部分開(kāi)口的上述第一孔的封閉容器，上述形成工序包括:從上述第一孔在上述容器內(nèi)配置上述安瓿與上述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的工序；以及經(jīng)由上述第一孔從上述容器內(nèi)排氣的工序。
[0026]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，在形成工序中，從在壁的一部分開(kāi)口的第一孔在容器內(nèi)配置安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N，經(jīng)由第一孔從容器內(nèi)排氣。然后，利用封閉工序使用封閉材料封閉第一孔，因此能夠在封入有安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N的狀態(tài)下密封容器。
[0027][應(yīng)用例11]在上述應(yīng)用例的磁測(cè)量裝置的制造方法中，優(yōu)選上述容器包括由上述壁構(gòu)成并具有上述第一孔的凹狀的容器主體以及被配置于上述容器主體的上側(cè)的上蓋，上述形成工序包括:在上述容器主體內(nèi)配置上述安瓿與上述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的工序;在上述容器主體的上側(cè)固定上述上蓋而使上述容器成為封閉容器的工序；以及經(jīng)由上述第一孔從上述容器內(nèi)排氣的工序。
[0028]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，在形成工序中，在凹狀的容器主體內(nèi)配置安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N，在容器主體的上側(cè)固定上蓋而成為封閉容器，經(jīng)由第一孔從容器內(nèi)排氣。然后，由于利用封閉工序使用封閉材料封閉第一孔，所以能夠在封入有安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N的狀態(tài)下密封容器。
[0029][應(yīng)用例12]本應(yīng)用例的氣室的特征在于，具備:壁，其構(gòu)成封閉容器;第一孔，其在上述壁的一部分開(kāi)口；封閉材料，其封閉上述第一孔;鏈?zhǔn)斤柡蜔N，其在上述封閉容器的內(nèi)側(cè)覆蓋上述封閉材料;以及堿金屬氣體，其被封入上述封閉容器。
[0030]根據(jù)本應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)，在構(gòu)成封閉容器的壁的一部分開(kāi)口的第一孔被封閉材料封閉，在封閉容器的內(nèi)側(cè)，封閉材料被鏈?zhǔn)斤柡蜔N覆蓋。因此，由于封閉材料不與堿金屬氣體接觸，所以能夠抑制反應(yīng)性高的堿金屬氣體與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)。由此，由于能夠抑制由堿金屬的化學(xué)變化所引起的堿金屬氣體的減少、由伴隨著封閉材料的化學(xué)變化的封閉的劣化所引起的堿金屬氣體的漏出，所以能夠提高氣室的壽命。其結(jié)果是，能夠長(zhǎng)期維持具備氣室的磁測(cè)量裝置的靈敏度。
[0031][應(yīng)用例13]本應(yīng)用例的氣室的制造方法的特征在于，包括:形成由壁構(gòu)成并具有在上述壁的一部分開(kāi)口的第一孔且配置有密封了堿金屬原子材料的安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N的容器的形成工序;使用封閉材料封閉上述第一孔的封閉工序;將使用上述封閉材料密閉的上述容器加熱至第一溫度的加熱工序；以及將使用上述封閉材料密閉的上述容器冷卻至低于上述第一溫度的第二溫度的冷卻工序。
[0032]根據(jù)本應(yīng)用例的制造方法，在形成由壁構(gòu)成并配置有鏈?zhǔn)斤柡蜔N的容器并且使用封閉材料封閉在壁的一部分開(kāi)口的第一孔從而密閉容器后，利用加熱工序?qū)⑷萜骷訜嶂恋谝粶囟?，因此能夠在容器?nèi)使鏈?zhǔn)斤柡蜔N氣化。然后，利用冷卻工序?qū)⑷萜骼鋮s至低于第一溫度的第二溫度，因此能夠使氣化的鏈?zhǔn)斤柡蜔N析出來(lái)覆蓋封閉材料。由此，由于能夠抑制堿金屬與封閉材料的化學(xué)反應(yīng)，所以能夠穩(wěn)定地制造使用壽命長(zhǎng)的氣室。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1是表示第I實(shí)施方式的磁測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0034]圖2是表示第I實(shí)施方式的氣室以及安瓿的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0035]圖3是表示第I實(shí)施方式的氣室的開(kāi)口部的周邊結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
[0036]圖4是對(duì)第I實(shí)施方式的氣室的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0037]圖5是對(duì)第I實(shí)施方式的氣室的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0038]圖6是對(duì)第I實(shí)施方式的加熱工序以及冷卻工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0039]圖7是表示第I實(shí)施方式的冷卻工序中的溫度變化的一個(gè)例子的圖。
[0040]圖8是對(duì)第2實(shí)施方式的加熱工序以及冷卻工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0041 ]圖9是表示第2實(shí)施方式的冷卻工序中的溫度變化的一個(gè)例子的圖。
[0042]圖10是對(duì)第3實(shí)施方式的形成工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0043]圖11是對(duì)第4實(shí)施方式的形成工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0044]圖12是表示變形例I的氣室的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0045]圖13是表示變形例2的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
[0046]圖14是對(duì)變形例2的原子振蕩器的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0047]圖15是表示作為比較例的氣室的蓋部的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0048]以下，參照附圖對(duì)將本發(fā)明具體化的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。將使用的附圖以說(shuō)明的部分成為能夠識(shí)別的狀態(tài)的方式適當(dāng)?shù)胤糯?、縮小或者夸張表示。另外，除說(shuō)明所需要的構(gòu)成要素以外，存在省略圖示的情況。
[0049](第丨實(shí)施方式)
[°°50] <磁測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)>
[0051]參照?qǐng)D1對(duì)第I實(shí)施方式的磁測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖1是表示第I實(shí)施方式的磁測(cè)量裝置的結(jié)構(gòu)的框圖。第I實(shí)施方式的磁測(cè)量裝置100為使用非線性光學(xué)旋轉(zhuǎn)(Nonlinear Magneto-Optical Rotat1n:NM0R)的磁測(cè)量裝置。磁測(cè)量裝置100例如用于測(cè)定來(lái)自心臟的磁場(chǎng)(心磁)、來(lái)自腦的磁場(chǎng)(腦磁)等的由生物體產(chǎn)生的微小磁場(chǎng)的生物體狀態(tài)測(cè)定裝置(心磁計(jì)或者腦磁計(jì)等)。磁測(cè)量裝置100也能夠用于金屬探測(cè)器等。
[0052]如圖1所示，磁測(cè)量裝置100具備光源1、光纖2、連接器3、偏振光板4、氣室10、偏振光分離器5、光檢測(cè)器(Photo Detector:PD)6、光檢測(cè)器7、信號(hào)處理電路8與顯示裝置9。在氣室10內(nèi)封入有堿金屬氣體(氣體狀態(tài)的堿金屬)。作為堿金屬，例如能夠使用銫(Cs)、銣(Rb)、鉀(K)、鈉(Na)等。以下，以使用銫作為堿金屬的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0053]光源I為輸出與銫的吸收線對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)(例如與Dl線相當(dāng)?shù)?94nm)的激光束的裝置，例如為可調(diào)諧激光器。從光源I輸出的激光束是連續(xù)具有恒定的光量的所謂的CW(Continuous Wave:連續(xù)波)光。
[0054]偏振光板4是使激光束向特定方向偏振而成為直線偏振光的元件。光纖2是將由光源I輸出的激光束引導(dǎo)至氣室10側(cè)的部件。光纖2例如使用僅傳播基本模式的單模的光纖。連接器3是用于將光纖2連接于偏振光板4的部件。連接器3為旋入式，將光纖2連接于偏振光板4。
[0055]氣室10是在內(nèi)部具有空隙的箱(室)，在該空隙封入有堿金屬(在該例中為銫)的氣體。氣室1的結(jié)構(gòu)將在后文敘述。
[0050]偏振光分離器5是將入射的激光束分離為相互正交的2個(gè)偏振光成分的光束的元件。偏振光分離器5例如為渥拉斯頓棱鏡或者偏振分束器。光檢測(cè)器6以及光檢測(cè)器7為對(duì)激光束的波長(zhǎng)具有靈敏度的檢測(cè)器，向信號(hào)處理電路8輸出與入射光的光量對(duì)應(yīng)的電流。若光檢測(cè)器6以及光檢測(cè)器7本身產(chǎn)生磁場(chǎng)，則可能會(huì)影響測(cè)定，因此優(yōu)選由非磁性的材料構(gòu)成。光檢測(cè)器6以及光檢測(cè)器7從氣室10觀察時(shí)被配置于與偏振光分離器5相同一側(cè)(下游側(cè))。
[0057]在沿著激光束的路徑對(duì)磁測(cè)量裝置100中的各部分的配置進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，光源I位于激光束的路徑的最上游，以下，從上游側(cè)按照光纖2、連接器3、偏振光板4、氣室10、偏振光分離器5以及光檢測(cè)器6、7的順序配置。
[0058]沿著激光束的前進(jìn)，對(duì)磁測(cè)量裝置100中的各部分的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。從光源I輸出的激光束被光纖2引導(dǎo)而到達(dá)偏振光板4。到達(dá)偏振光板4的激光束成為偏振度更高的直線偏振光。透過(guò)氣室1的激光束激發(fā)(光栗激勵(lì))被封入氣室1的堿金屬原子。此時(shí)，激光束受到與磁場(chǎng)的強(qiáng)度對(duì)應(yīng)的偏振光面旋轉(zhuǎn)作用使偏振光面旋轉(zhuǎn)。透過(guò)氣室10的激光束利用偏振光分離器5被分離為2個(gè)偏振光成分的光束。2個(gè)偏振光成分的光束的光量通過(guò)光檢測(cè)器6以及光檢測(cè)器7被測(cè)量(探測(cè))。
[0059]信號(hào)處理電路8分別接收由光檢測(cè)器6以及光檢測(cè)器7測(cè)量的表不光束的光量的信號(hào)。信號(hào)處理電路8基于接收到的各信號(hào)測(cè)量激光束的偏振光面的旋轉(zhuǎn)角。偏振光面的旋轉(zhuǎn)角利用基于激光束的傳播方向的磁場(chǎng)的強(qiáng)度的函數(shù)被表示(例如參照D.Budker等5名、“原子的共鳴非線性磁光學(xué)旋轉(zhuǎn)效果”、Rev.Mod.Phys.雜志、美國(guó)、美國(guó)物理學(xué)會(huì)、2002年10月、第74卷、第4號(hào)、p.1153 —1201的公式(2)。公式(2)雖然涉及線性光學(xué)旋轉(zhuǎn)但在NMOR的情況下也能夠使用幾乎相同的公式)。信號(hào)處理電路8根據(jù)偏振光面的旋轉(zhuǎn)角測(cè)定激光束的傳播方向的磁場(chǎng)的強(qiáng)度。顯示裝置9顯示利用信號(hào)處理電路8測(cè)定的磁場(chǎng)的強(qiáng)度。
[0060]接下來(lái)，參照?qǐng)D2對(duì)第I實(shí)施方式的氣室與氣室所使用的安瓿進(jìn)行說(shuō)明。圖2是表示第I實(shí)施方式的氣室以及安瓿的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要剖視圖。詳細(xì)而言，圖2的(a)是氣室的簡(jiǎn)要剖視圖，圖2的(b)是安瓿的簡(jiǎn)要剖視圖，圖2的(c)是沿著圖2的(b)的B-B’線的簡(jiǎn)要剖視圖。
[0061 ] <氣室的結(jié)構(gòu)>
[0062]圖2的(a)表示第I實(shí)施方式的氣室10的簡(jiǎn)要剖面。在圖2的(a)中，將氣室10的高度方向作為Z軸，將上側(cè)作為+Z方向。將與Z軸交叉的方向即氣室10的長(zhǎng)度方向作為X軸，將圖2的(a)中的右側(cè)作為+X方向。而且，將與Z軸以及X軸交叉的方向即氣室10的寬度方向作為Y軸，將從圖2的(a)的紙面的近前朝內(nèi)一側(cè)作為+Y方向。
[0063]如圖2的(a)所示，第I實(shí)施方式的氣室10由作為封閉容器的室部12與蓋部19構(gòu)成。室部12是由利用石英玻璃形成的多個(gè)壁11構(gòu)成的在內(nèi)部具有空隙的箱(室)。蓋部19利用石英玻璃形成為板狀。這樣，優(yōu)選室部12與蓋部19由相同材料構(gòu)成。在室部12與蓋部19之間配置有后述封閉材料30。若室部12與蓋部19為相同材料，則雙方的熱膨脹系數(shù)也當(dāng)然相同，因此能夠抑制由室部12與蓋部19的熱膨脹系數(shù)的不同引起的封閉材料30的破裂。
[0064]構(gòu)成室部12的各壁11的厚度例如為1.5mm左右。室部12具有作為第一室的主室14與作為第二室的IC存室16來(lái)作為內(nèi)部的空隙。經(jīng)由作為第二孔的連通孔15連通主室14與貝士存室16。連通孔15的內(nèi)徑例如為0.4mm?Imm的程度。
[0065]在構(gòu)成室部12(主室14以及貯存室16)的各壁11的內(nèi)表面形成有用于提高非緩和特性的涂層32。涂層32覆蓋主室14以及貯存室16的壁11的內(nèi)表面與蓋部19的內(nèi)表面。涂層32由石蠟等鏈?zhǔn)斤柡蜔N形成。作為石蠟的一個(gè)例子，例如能夠使用利用化學(xué)式(CH3(CH2)48CH3)表不的五十燒。
[0066]在室部12的貯存室16的壁11的一部分設(shè)置有作為第一孔的開(kāi)口部18。開(kāi)口部18被設(shè)置于貯存室16中的與主室14相反一側(cè)的前端部。換言之，開(kāi)口部18在X軸方向被設(shè)置于最遠(yuǎn)離主室14的位置。開(kāi)口部18被蓋部19覆蓋。
[0067]在設(shè)置有開(kāi)口部18的室部12的壁11的外表面與蓋部19之間配置有封閉材料30。開(kāi)口部18經(jīng)由封閉材料30被蓋部19封閉，由此，室部12被密封。作為封閉材料30的材料，例如能夠使用低熔點(diǎn)玻璃料。蓋部19的周邊(圖2的(a)所示的A部)結(jié)構(gòu)將在后文詳述。
[0068]另外，如本實(shí)施方式那樣利用蓋部19與封閉材料30封閉開(kāi)口部18的方法與單獨(dú)利用封閉材料30埋入封閉開(kāi)口部18的方法(后述的變形例I)相比，能夠使封閉材料30較薄，因此能夠抑制由封閉材料30的熱膨脹系數(shù)與室部12、蓋部19的熱膨脹系數(shù)不同所引起的封閉材料30的破裂。
[0069]并且，如本實(shí)施方式那樣，在具有蓋部19的結(jié)構(gòu)中，封閉材料30被配置于蓋部19與開(kāi)口部18周邊(周?chē)?的壁11之間，即被配置于室部12(貯存室16)的外部，因此能夠使封閉材料30進(jìn)一步遠(yuǎn)離堿金屬氣體13。另外，由于在封閉材料30的外側(cè)配置有蓋部19從而堵塞開(kāi)口部18，所以能夠更加穩(wěn)固地封閉室部12。因此，如本實(shí)施方式那樣具有蓋部19的結(jié)構(gòu)能夠更加可靠地抑制喊金屬與封閉材料30的化學(xué)反應(yīng)，因此能夠進(jìn)一步提尚氣室10的壽命。
[0070]在室部12的主室14以及貯存室16內(nèi)封入有堿金屬氣體13。在室部12的主室14以及貯存室16內(nèi)，除堿金屬氣體13之外，也可以存在稀有氣體等惰性氣體。在貯存室16配置有安瓿20。堿金屬氣體13是安瓿20內(nèi)的堿金屬固體24(參照?qǐng)D2的(b))蒸發(fā)(氣化)的氣體。
[0071]<安瓿的結(jié)構(gòu)>
[0072]圖2的(b)表示安瓿20的X-Z剖面。如圖2的(b)所示，安瓿20由中空狀的玻璃管22構(gòu)成。玻璃管22由硼硅酸玻璃形成。
[0073]玻璃管22沿著一個(gè)方向(在圖2的(b)中為X軸)延伸，其兩端部被熔敷。由此，內(nèi)部為中空狀的玻璃管22被密封。此外，玻璃管22的兩端部的形狀并不限定于圖2的(b)所示的圓形，也可以為接近平面的形狀、一部分尖的形狀等。
[0074]在玻璃管22的中空部填充有堿金屬固體(粒狀、粉末狀的堿金屬原子材料)24。作為堿金屬固體24，如上所述，除銫之外，還能夠使用銣、鉀、鈉。圖2的(b)表示密封有安瓿20(玻璃管22)的狀態(tài)。由于堿金屬反應(yīng)性高，所以在制造安瓿20的階段，成為在內(nèi)部填充有堿金屬固體24并且玻璃管22被密封的狀態(tài)。
[0075]在圖2的(a)所示的氣室10完成的階段，被配置于氣室10內(nèi)的安瓿20成為在玻璃管22形成有貫通孔21從而密封被破壞的狀態(tài)。由此，安瓿20內(nèi)的堿金屬固體24蒸發(fā)流出至氣室10內(nèi)，室部12的主室14以及貯存室16內(nèi)被堿金屬氣體13充滿。此外，以堿金屬固體24易于從安瓶20內(nèi)蒸發(fā)流出的方式，在安瓶20的上表面與室部12的內(nèi)表面之間設(shè)置有例如1.5mm程度的縫隙。
[0076]圖2的(C)表示安瓿20的Y-Z剖面。如圖2的(C)所示，玻璃管22的Y-Z剖面形狀例如為大致圓形，但也可以為其他形狀。玻璃管22的外徑Φ為0.2πιπι<Φ<1.2mm。玻璃管22的壁厚t為0..5mm，優(yōu)選大致為外徑Φ的20%的程度。若玻璃管22的壁厚t不足0.1mm,則玻璃管22容易破損，若玻璃管22的壁厚t超過(guò)0.5mm，則在玻璃管22形成貫通孔21的深度方向的加工變得困難。
[0077]<開(kāi)口部的周邊結(jié)構(gòu)>
[0078]接下來(lái)，對(duì)開(kāi)口部18的周邊結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖3是表示第I實(shí)施方式的氣室的開(kāi)口部的周邊結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。詳細(xì)而言，圖3的(a)是放大了圖2的(a)中的A部的剖視圖，相當(dāng)于圖3的(a)的沿著D-D’線的剖視圖。圖3的(b)是從圖3的(a)中的側(cè)方(一X方向)正視觀察的圖。圖15是表示作為比較例的氣室的蓋部的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。
[0079]如圖3的(a)所示，在設(shè)置有開(kāi)口部18的室部12(貯存室16)的壁11的外表面與蓋部19之間配置有封閉材料30。如圖3的(b)所示，開(kāi)口部18在從一 X方向觀察的正視觀察下大致為圓形。蓋部19在正視觀察下大致為矩形。封閉材料30以包圍開(kāi)口部18的方式被配置為環(huán)狀。封閉材料30的內(nèi)徑大于開(kāi)口部18的外徑，封閉材料30的外徑小于蓋部19的外形。在被配置為環(huán)狀的封閉材料30的內(nèi)側(cè)配置有涂層32(涂層材料32a)。
[0080]如圖3的(a)所示，涂層32(涂層材料32a)以從室部12 (貯存室16側(cè))的壁11的內(nèi)表面進(jìn)入壁11的外表面與蓋部19之間的方式被配置，覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面(在圖3的(a)中利用C部表示)。涂層32具有提高上述室部12的非緩和特性的功能，并且具有以封閉材料30不與堿金屬氣體13接觸的方式抑制反應(yīng)性高的堿金屬與封閉材料30的化學(xué)反應(yīng)的功會(huì)K。
[0081]假設(shè)在如在圖15中作為比較例表示的氣室60那樣涂層32僅被配置于室部12的壁11的內(nèi)表面而不覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面的情況下，由于堿金屬氣體13(堿金屬)與封閉材料30的材料(低熔點(diǎn)玻璃料)接觸，所以存在雙方發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的擔(dān)憂。
[0082]若堿金屬氣體13(堿金屬)與封閉材料30的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，則因堿金屬的化學(xué)變化，室部12內(nèi)的堿金屬氣體13減少，并且因伴隨著封閉材料30的化學(xué)變化的封閉的劣化，堿金屬氣體13向室部12外漏出。其結(jié)果是，存在導(dǎo)致氣室60以及具備氣室60的磁測(cè)量裝置100的制造成品率的降低的擔(dān)憂、因氣室60的壽命降低無(wú)法長(zhǎng)期維持磁測(cè)量裝置100的靈敏度的擔(dān)憂。
[0083]與此相對(duì)，在第I實(shí)施方式的氣室10中，如圖3的(a)所示，通過(guò)使用涂層32覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面，能夠從被封入室部12的內(nèi)部的堿金屬氣體13保護(hù)封閉材料30 ο因此，由于封閉材料30不與堿金屬氣體13接觸，所以能夠抑制堿金屬與封閉材料30的化學(xué)反應(yīng)。由此，由于能夠抑制由堿金屬的化學(xué)變化而引起的堿金屬氣體13的減少、由伴隨著封閉材料30的化學(xué)變化的封閉的劣化而引起的堿金屬氣體13的漏出，所以能夠長(zhǎng)期維持具備氣室10的磁測(cè)量裝置100的靈敏度。
[0084]在圖3的(a)中，若將封閉材料30的X軸方向的厚度作為T(mén)I，則優(yōu)選為3μπι<TI< 20μm，更加優(yōu)選為Τ1 = 5μπι?6μπι。若封閉材料30的厚度Tl為3μπι以上，則能夠在室部12的壁11的外表面與蓋部19之間且在正視觀察下呈環(huán)狀形狀的各部分大致均勻地配置，因此能夠良好地粘合室部12與蓋部19。另一方面，若封閉材料30的厚度Tl為20μπι以下，則即使伴隨著溫度變化的石英玻璃(室部12以及蓋部19)與低熔點(diǎn)玻璃料(封閉材料30)的熱膨脹有差別，也能夠抑制封閉材料30的破損(破裂等)。
[0085]若將圖3的(a)的C部中的涂層32的X軸方向的厚度作為Τ2，則優(yōu)選厚度Τ2為ΙΟΟμπι以上，更加優(yōu)選為Imm以上。通過(guò)使涂層32的厚度Τ2為比封閉材料30的厚度Tl厚的ΙΟΟμπι以上，能夠使用涂層32可靠地覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面從堿金屬氣體13保護(hù)封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面。另外，由于涂層32的厚度Τ2越厚越能夠加長(zhǎng)從堿金屬氣體13至封閉材料30的距離，所以能夠有效地抑制在涂層32內(nèi)堿金屬氣體13的金屬原子(銫等)向封閉材料30側(cè)擴(kuò)散。
[0086]此外，被配置于構(gòu)成室部12(主室14以及貯存室16)的壁11的內(nèi)表面的涂層32的厚度例如為10nm以下的程度即可。因此，在第I實(shí)施方式中，相對(duì)于被配置于構(gòu)成室部12的壁11的內(nèi)表面的涂層32的厚度，被配置于圖3的(a)的C部的涂層32的厚度Τ2被設(shè)定得非常厚。
[0087]<氣室的制造方法>
[0088]接下來(lái)，參照?qǐng)D4?圖7對(duì)第I實(shí)施方式的氣室的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。第I實(shí)施方式的氣室的制造方法包括形成工序、封閉工序、加熱工序與冷卻工序。圖4以及圖5是對(duì)第I實(shí)施方式的氣室的制造方法進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖6是對(duì)第I實(shí)施方式的加熱工序以及冷卻工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。圖7是表示第I實(shí)施方式的冷卻工序中的溫度變化的一個(gè)例子的圖。
[0089]圖4的(a)、(b)、(C)表示形成工序。在形成工序中，首先形成圖4的(a)所示的室部
12。雖然省略圖示，但例如切斷由石英玻璃構(gòu)成的玻璃板來(lái)準(zhǔn)備與構(gòu)成室部12的壁11對(duì)應(yīng)的多個(gè)玻璃板部件。然后，組裝這些玻璃板部件，利用粘合劑或者熔敷接合玻璃板部件彼此形成具有主室14與貯存室16的室部12。在形成的室部12中的貯存室16的與主室14相反一側(cè)的壁11的一部分形成開(kāi)口部18。在該階段，開(kāi)口部18被敞開(kāi)。
[0090]接下來(lái)，在構(gòu)成室部12(主室14以及貯存室16)的各壁11的內(nèi)表面形成涂層32。預(yù)先充分進(jìn)行室部12內(nèi)的脫氣，在室部12內(nèi)以及室部12的周?chē)h(huán)境中雜質(zhì)極少的狀態(tài)下，如圖4的(b)所示，在室部12內(nèi)配置作為涂層32的材料的涂層材料32a(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)。涂層材料32a例如使用探針等，從開(kāi)口部18配置于室部12內(nèi)的主室14以及貯存室16。除此之外，也可以使室部12內(nèi)成為真空，并且加熱涂層材料32a(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)在氣態(tài)或者液態(tài)的狀態(tài)下經(jīng)由開(kāi)口部18導(dǎo)入室部12。
[0091]然后，如圖4的(C)所示，利用臨時(shí)的蓋34堵塞開(kāi)□部18，將室部12與被配置于內(nèi)部的涂層材料32a—起加熱至第一溫度。第一溫度在將之后的加熱工序中詳述。通過(guò)加熱，涂層材料32a(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)溶解，在構(gòu)成室部12 (主室14以及貯存室16)的各壁11的內(nèi)表面形成有作為涂層材料32a(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的膜的涂層32。
[0092]接下來(lái)，如圖5的(a)所示，在內(nèi)表面形成有涂層32的室部12的貯存室16內(nèi)收納安瓿20。安瓿20從室部12的被設(shè)置于貯存室16側(cè)的開(kāi)口部18插入、并被配置于貯存室16內(nèi)。在該階段，如圖2的(b)所示，安瓿20成為在中空狀的玻璃管22的內(nèi)部填充密封有堿金屬固體24的狀態(tài)。
[0093]此外，安瓿20通過(guò)在接近真空的低壓環(huán)境下(理想為真空中)，在管狀的玻璃管22的中空部填充堿金屬固體24，并且分別熔敷密封玻璃管22的兩端部從而形成。由于作為堿金屬固體24使用的銫等堿金屬富有反應(yīng)性而無(wú)法在大氣中使用，所以在低壓環(huán)境下以密封于安瓿20內(nèi)的狀態(tài)被收納于室部12。
[0094]圖5的(b)是表示封閉工序的圖。充分進(jìn)行從圖5的(a)所示的室部12內(nèi)的排氣，在主室14以及貯存室16內(nèi)雜質(zhì)極少的狀態(tài)下，如圖5的(b)所示，封閉室部12。例如，在接近真空的低壓環(huán)境下(理想為真空中)或者在惰性氣體中，使用封閉材料30(低熔點(diǎn)玻璃料)利用蓋部19封閉室部12的開(kāi)口部18。由此，在內(nèi)部收納有安瓿20的狀態(tài)下密封室部12。
[0095]接下來(lái)，進(jìn)行對(duì)使用封閉材料30利用蓋部19密閉的室部12進(jìn)行加熱的加熱工序、與在加熱工序之后使室部12的溫度降低的冷卻工序。加熱工序的目的在于使涂層32的材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)再次溶解從而使室部12的內(nèi)表面的涂層32的膜厚均勻。而且，冷卻工序的目的在于使涂層32被固定于室部12的內(nèi)表面并且在圖3的(a)所示的C部析出涂層32的材料。
[0096]如圖6所示，在加熱工序以及冷卻工序中，將密封的室部12配置于具有主體201與門(mén)204的烘箱200的室內(nèi)202。室部12以主室14位于室內(nèi)202的里側(cè)(圖6的+X方向側(cè))并且貯存室16位于門(mén)204側(cè)(圖6的一X方向側(cè))的方式配置。
[0097]在加熱工序中，將配置有室部12的烘箱200的室內(nèi)202加熱至涂層32的材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的熔點(diǎn)以上且熱分解溫度以下的盡可能高的第一溫度。由于該第一溫度越高，氣態(tài)的每單位體積的鏈?zhǔn)斤柡蜔N的量越增加，所以在利用之后的冷卻工序冷卻至低于第一溫度的第二溫度以下時(shí)，在開(kāi)口部18的周邊析出大量的涂層32的材料，因此優(yōu)選。
[0098]在氧、水蒸氣微量的惰性環(huán)境中(例如在氮、氬環(huán)境中)，烴通常從300°C程度的溫度開(kāi)始熱分解。具體而言，對(duì)于鏈?zhǔn)斤柡蜔N而言，若在惰性環(huán)境的加熱處理時(shí)間為幾分鐘，則從400°C左右的溫度的熱分解變得顯著，但若為350°C程度的溫度，則幾乎無(wú)法發(fā)現(xiàn)熱分解。當(dāng)然，即使為350°C的溫度，若加熱處理時(shí)間變長(zhǎng)，則熱分解也能夠被發(fā)現(xiàn)。
[0099]在本實(shí)施方式中，在室部12單獨(dú)封入堿金屬氣體或者封入堿金屬氣體與惰性氣體的混合氣體，加熱處理時(shí)間從幾分鐘到幾小時(shí)的程度。由于堿金屬氣體幾乎不與石蠟進(jìn)行相互作用，所以對(duì)于石蠟來(lái)說(shuō)，作為惰性氣體發(fā)揮作用。因此，在惰性氣體中，加熱處理時(shí)間處于該程度的范圍，若使第一溫度為350°C以下，則鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熱分解在理論上幾乎不成問(wèn)題。
[0100]但是，鏈?zhǔn)斤柡蜔N具有分子量分布，因此鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熱分解開(kāi)始溫度也具有分布。因此，從考慮這種熱分解開(kāi)始溫度的分布從而穩(wěn)定地制造的視點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選第一溫度為250°C以下。在本實(shí)施方式的情況下，由于使用五十烷作為鏈?zhǔn)斤柡蜔N，所以優(yōu)選第一溫度為五十烷的熔點(diǎn)亦即91°C以上且350°C以下的盡可能高的溫度。在本實(shí)施方式中，使加熱處理中的第一溫度為200 °C。
[0101]這里，雖然五十烷的I個(gè)大氣壓下的沸點(diǎn)為575°C，但由于熔點(diǎn)具有壓力依賴性，所以lTorr(133Pa)程度的真空下的五十烷的沸點(diǎn)成為320°C程度，10mTorr(1.33Pa)程度的真空下的五十烷的沸點(diǎn)成為230°C程度。在本實(shí)施方式中，由于在lT0rr(133Pa)程度以下的減壓下實(shí)施了加熱處理，所以五十烷的沸點(diǎn)下降到320°C程度以下。因此，若第一溫度為200°C，則成為接近五十烷的沸點(diǎn)的溫度，能夠高效地在短時(shí)間結(jié)束加熱處理。
[0102]此外，形成先前所述的涂層32的工序(參照?qǐng)D4的(C))中的第一溫度也以上述加熱工序中的第一溫度為準(zhǔn)。
[0103]在接下來(lái)的冷卻工序中，使配置有室部12的烘箱200的室內(nèi)202降低至低于第一溫度的第二溫度。第二溫度為不足鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)的溫度即可。在本實(shí)施方式的情況下，由于使用五十烷作為鏈?zhǔn)斤柡蜔N，所以第二溫度不足91°C即可。
[0104]一般，加熱工序中的烘箱200的室內(nèi)202的溫度具有與里側(cè)相比門(mén)204—側(cè)較低的趨勢(shì)，在冷卻工序中也是室內(nèi)202的溫度與里側(cè)相比門(mén)204—側(cè)容易降低。另外，貯存室16的Y-Z平面的剖面積小于主室14的Y-Z平面的剖面積。即，在室部12，位于門(mén)204側(cè)的貯存室16的剖面積小于位于室內(nèi)202的里側(cè)的主室14的Y-Z平面的剖面積。
[0105]因此，若使室內(nèi)202的溫度降低，則如圖7所示的例子那樣，與位于室內(nèi)202的里側(cè)的主室14的溫度相比，位于門(mén)204側(cè)的貯存室16的溫度先降低。另外，在貯存室16中，也是位于最靠門(mén)204側(cè)的前端部的蓋部19(開(kāi)口部18)的周邊的溫度與其他部位的溫度相比容易降低。
[0106]因此，在冷卻工序中，由于蓋部19(開(kāi)口部18)的周邊的溫度比其他部位的溫度先達(dá)到不足鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)的溫度，所以溶解的涂層32的材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)從蓋部19(開(kāi)口部18)的周邊開(kāi)始析出。其結(jié)果是，由于圖3的(a)所示的C部的涂層32的材料的析出量多于其他部位，所以能夠使涂層32進(jìn)入室部12的壁11的外表面與蓋部19之間從而以覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面的方式配置。
[0107]接下來(lái)，如圖5的(C)所示，在安瓿20(玻璃管22)形成貫通孔21。在該工序中，利用聚光透鏡42對(duì)脈沖激光40進(jìn)行聚光，從上側(cè)(+Z方向)開(kāi)始期間經(jīng)由室部12照射于安瓿20的玻璃管22ο由于激光的指向性、聚光性優(yōu)異，所以能夠容易地加工玻璃管22。通過(guò)照射脈沖激光40，從玻璃管22的上表面(表面)向深度方向(一Z方向)推進(jìn)加工。而且，若在玻璃管22形成貫通孔21，則安瓿20的中空部與貯存室16連通，安瓿20的密封被破壞。
[0108]通過(guò)在玻璃管22形成貫通孔21，從而安瓿20內(nèi)的堿金屬固體24(參照?qǐng)D2的(b))蒸發(fā)，成為堿金屬氣體13流出至貯存室16內(nèi)。流出至貯存室16內(nèi)的堿金屬氣體13通過(guò)連通孔15流入室部12的主室14并且擴(kuò)散。其結(jié)果是，如圖2的(a)所示，室部12的主室14內(nèi)被堿金屬氣體13充滿。利用以上工序能夠制造氣室10。
[0109]如以上所述，在第I實(shí)施方式中，通過(guò)利用冷卻工序使蓋部19(開(kāi)口部18)的周邊的溫度先于其他部位的溫度降低，使開(kāi)口部18周邊的涂層32的材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的析出量比其他部位多。而且，通過(guò)利用該涂層32覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面，抑制堿金屬(堿金屬氣體13)與封閉材料30的化學(xué)反應(yīng)。
[0110]因此，根據(jù)第I實(shí)施方式的氣室的結(jié)構(gòu)以及氣室的制造方法，能夠提高氣室1的制造成品率，使氣室10的壽命長(zhǎng)期化。另外，由于為保護(hù)封閉材料30使用用于提高室部12的非緩和特性的涂層32，所以不另外需要用于覆蓋封閉材料30的表面的材料、工序，因此不會(huì)使生產(chǎn)率降低或使生產(chǎn)成本上升，能夠穩(wěn)定地制造小型且使用壽命長(zhǎng)的氣室10。
[0111]第I實(shí)施方式的磁測(cè)量裝置的制造方法包括上述氣室的制造方法。因此能夠穩(wěn)定地制造可長(zhǎng)期維持靈敏度的磁測(cè)量裝置100。此外，制造第I實(shí)施方式的磁測(cè)量裝置100的工序在除制造氣室1的工序以外的工序中能夠使用公知的方法，因此省略其說(shuō)明。
[0112](第2實(shí)施方式)
[0113]在第2實(shí)施方式中，相對(duì)于第I實(shí)施方式，氣室的結(jié)構(gòu)相同，但氣室的制造方法一部分不同。更具體而言，在制造氣室的冷卻工序中，使用分隔板這一點(diǎn)不同。這里，對(duì)冷卻工序中的與第I實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
[0114]<氣室的制造方法>
[0115]圖8是對(duì)第2實(shí)施方式的氣室的制造方法的加熱工序以及冷卻工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。在第2實(shí)施方式的加熱工序以及冷卻工序中，如圖8所示，配置將烘箱200的室內(nèi)202劃分為里側(cè)(圖8的+X方向側(cè))的第一部分202a與門(mén)204側(cè)的第二部分202b的分隔板206這一點(diǎn)與第I實(shí)施方式不同。
[0116]分隔板206由板狀的部件構(gòu)成。分隔板206的目的在于，在加熱工序以及冷卻工序中，以抑制烘箱200的室內(nèi)202中的第一部分202a與第二部分202b之間的空氣的流動(dòng)的方式在兩者之間設(shè)置溫度差。因此，由于能夠抑制第一部分202a與第二部分202b之間的空氣的流動(dòng)即可，所以分隔板206的外徑可小于室內(nèi)202的內(nèi)徑。分隔板206的材料為可承受加熱工序中的高溫(350°C程度)的材料即可，并不限定。
[0117]在分隔板206，且在將室部12配置于室內(nèi)202時(shí)貯存室16位于的部分，設(shè)置有具有大于貯存室16的外徑的直徑貫通孔205。在加熱工序以及冷卻工序中，室部12以主室14位于與分隔板206相比更靠里側(cè)的第一部分202a并且貯存室16的前端側(cè)通過(guò)貫通孔205位于與分隔板206相比更靠門(mén)204側(cè)的第二部分202b的方式配置。
[0118]圖9是表示第2實(shí)施方式的冷卻工序中的溫度變化的一個(gè)例子的圖。如圖9所示的例子那樣，即使在加熱工序中，加熱烘箱200的室內(nèi)202，使位于里側(cè)的第一部分202a的主室14的溫度上升至200°C，位于門(mén)204側(cè)的第二部分202b的貯存室16的溫度也低于200°C。
[0119]在冷卻工序中，由于使室內(nèi)202的溫度從在第一部分202a與第二部分202b之間有溫度差的狀態(tài)降低，所以與第I實(shí)施方式相比，位于門(mén)204側(cè)的貯存室16的溫度比位于室內(nèi)202的里側(cè)的主室14的溫度更快降低。而且，貯存室16的前端側(cè)的蓋部19(開(kāi)口部18)的周邊的溫度更快達(dá)到不足鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)的溫度。
[0120]其結(jié)果是，由于圖3的(a)所示的C部的涂層32的材料的析出量更多，所以能夠更加可靠地以覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面的方式形成涂層32。
[0121](第3實(shí)施方式)
[0122]在第3實(shí)施方式中，相對(duì)于上述實(shí)施方式，氣室的結(jié)構(gòu)一部分不同，伴隨于此，氣室的制造方法中的形成工序不同。這里，對(duì)氣室的結(jié)構(gòu)以及形成工序中的與上述實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。圖10是對(duì)第3實(shí)施方式的形成工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0123]<氣室的結(jié)構(gòu)>
[0124]圖10的(C)表示第3實(shí)施方式的形成工序結(jié)束時(shí)的氣室10A。如圖10的(C)所示，第3實(shí)施方式的氣室1A由作為封閉容器的室部12A以及與上述實(shí)施方式相同的蓋部19(參照?qǐng)D2(a))構(gòu)成。室部12A包括凹狀的容器主體12a與被配置于容器主體12a的上側(cè)的上蓋12b。容器主體12a具有成為主室14的凹部與成為貯存室16的凹部。在容器主體12a的成為貯存室16的凹部的壁11的一部分設(shè)置有作為第一孔的開(kāi)口部18。
[0125]<氣室的制造方法>
[0126]在第3實(shí)施方式的氣室的形成工序中，如圖10的(a)所示，準(zhǔn)備與構(gòu)成室部12A(容器主體12a以及上蓋12)的壁11對(duì)應(yīng)的多個(gè)玻璃板部件。組裝這些玻璃板部件，利用粘合劑或者熔敷接合玻璃板部件彼此形成容器主體12a。而且，在成為主室14的凹部與成為貯存室16的凹部配置作為涂層32的材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的涂層材料32a。
[0127]接下來(lái)，如圖10的(b)所示，在成為貯存室16的凹部收納安瓿20。而且，利用粘合劑或者熔敷在容器主體12a的上側(cè)接合上蓋12b。由此，構(gòu)成具有主室14與貯存室16的室部12A。
[0128]接下來(lái)，與上述實(shí)施方式相同，使用臨時(shí)的蓋34(參照?qǐng)D4的(c))堵塞開(kāi)口部18，將室部12A與被配置于內(nèi)部的涂層材料32a—起加熱至第一溫度。由此，如圖10的(c)所示，在構(gòu)成室部12A(主室14以及貯存室16)的各壁11的內(nèi)表面形成作為涂層材料32a(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的膜的涂層32。
[0129]以下，與上述實(shí)施方式相同，充分進(jìn)行從室部12A內(nèi)的排氣，并且進(jìn)行圖5的(b)所示的封閉工序、圖6或者圖8所示的加熱工序以及冷卻工序與圖5的(c)所示的在安瓿20形成貫通孔21的工序。由此，能夠以覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面的方式制造具有配置有涂層32的室部12A的氣室10A。
[0130]在第3實(shí)施方式中，由于在凹狀的容器主體12a的上側(cè)被敞開(kāi)的狀態(tài)下配置涂層材料32a并且收納安瓿20，所以能夠容易地進(jìn)行涂層材料32a的配置與安瓿20的收納。另外，在第3實(shí)施方式中，與將上述實(shí)施方式的安瓿20從開(kāi)口部18插入的方法相比，能夠容易將安瓿20配置于貯存室16內(nèi)的所希望的位置。
[0131]此外，在圖10的(b)所示的容器主體12a的上側(cè)接合上蓋12b時(shí)的接合方法并不限定于粘合劑、熔敷，也可以在兩者之間配置封閉材料30進(jìn)行接合。在利用封閉材料30接合容器主體12a與上蓋12b的情況下，封閉材料30的表面也被形成于構(gòu)成室部12A的各壁11的內(nèi)表面的涂層32覆蓋。由此，能夠從堿金屬氣體13保護(hù)接合容器主體12a與上蓋12b的封閉材料30。
[0132](第4實(shí)施方式)
[0133]在第4實(shí)施方式中，相對(duì)于上述實(shí)施方式，氣室的結(jié)構(gòu)一部分不同，伴隨于此，氣室的制造方法中的形成工序不同。這里，對(duì)氣室的結(jié)構(gòu)以及形成工序中的與上述實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。圖11是對(duì)第4實(shí)施方式的形成工序進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0134]<氣室的結(jié)構(gòu)>
[0135]圖11的(c)表示第4實(shí)施方式的形成工序結(jié)束時(shí)的氣室10B。如圖11的(C)所示，第4實(shí)施方式的氣室1B不像上述實(shí)施方式那樣具有蓋部19，而是由包括不具有開(kāi)口部18的凹狀的容器主體12c與上蓋12b的作為封閉容器的室部12B構(gòu)成。
[0136]<氣室的制造方法>
[0137]在第4實(shí)施方式的氣室的形成工序中，如圖11的(a)所示，組裝并接合玻璃板部件，形成具有成為主室14的凹部與成為貯存室16的凹部的容器主體12c。而且，在成為主室14的凹部與成為貯存室16的凹部配置作為涂層32的材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的涂層材料32a。
[0138]接下來(lái)，如圖11的(b)所示，在成為貯存室16的凹部收納安瓿20。而且，在容器主體12c的上側(cè)配置封閉材料30(低熔點(diǎn)玻璃料)，在接近真空的低壓環(huán)境下或者在惰性氣體中，在容器主體12c的上側(cè)配置上蓋12b，利用封閉材料30接合兩者。由此，構(gòu)成室部12B。
[0139]接下來(lái)，在將室部12B與被配置于內(nèi)部的涂層材料32a—起加熱至第一溫度之后，使溫度降低至第二溫度。由此，如圖11的(c)所示，在構(gòu)成室部12B(主室14以及貯存室16)的各壁11的內(nèi)表面與封閉材料30的表面形成作為涂層材料32a(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)的膜的涂層32。
[0140]在將室部12B加熱至第一溫度之后使溫度降低至第二溫度時(shí)，優(yōu)選室部12B的上蓋12b側(cè)即配置有封閉材料30—側(cè)比其他部位先達(dá)到第二溫度。通過(guò)這樣，在配置有封閉材料30—側(cè)，涂層32的材料的析出量更多，因此能夠以覆蓋封閉材料30的內(nèi)側(cè)的表面的方式可靠地形成涂層32。
[0141]在第4實(shí)施方式中，與第3實(shí)施方式相同，能夠容易進(jìn)行涂層材料32a的配置與安瓿20的收納，能夠容易將安瓿20配置于貯存室16內(nèi)的所希望的位置。
[0142]上述實(shí)施方式都表示本發(fā)明的一個(gè)方式，在本發(fā)明的范圍內(nèi)能夠任意變形以及應(yīng)用。作為變形例，例如能夠考慮以下例子。
[0143](變形例I)
[0144]上述實(shí)施方式的氣室10具有覆蓋開(kāi)口部18的蓋部19，但能夠應(yīng)用本發(fā)明的氣室并不限定于這樣的結(jié)構(gòu)。圖12是表示變形例I的氣室的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)要剖視圖。圖12是開(kāi)口部18的周邊的放大剖視圖，與第I實(shí)施方式的圖3的(a)對(duì)應(yīng)。變形例I的氣室1C的開(kāi)□部18被封閉材料30封閉并且不具有蓋部19(參照?qǐng)D3的(a))這一點(diǎn)與第I實(shí)施方式不同。
[0145]如圖12所示，變形例I的氣室1C不具有蓋部19，開(kāi)口部18僅通過(guò)封閉材料30封閉。由于封閉材料30的貯存室16側(cè)的表面被形成于室部12的壁11的內(nèi)表面的涂層32(涂層材料32a)覆蓋，所以與上述實(shí)施方式相同，能夠抑制堿金屬與封閉材料30的化學(xué)反應(yīng)，能夠抑制由室部12內(nèi)的堿金屬氣體13的減少、封閉的劣化所引起的堿金屬氣體13向室部12外的漏出。
[0146]在變形例I的結(jié)構(gòu)中，由于不具有蓋部19，所以具有能夠利用簡(jiǎn)單的工序制造氣室的優(yōu)點(diǎn)。另外，在第I實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)中，應(yīng)用將蓋部19按壓于室部12并且進(jìn)行加熱的加熱加壓工序，但在本變形例中不需要加壓工序，因此能夠穩(wěn)定地制造氣室，提高成品率。
[0147](變形例2)
[0148]能夠應(yīng)用上述實(shí)施方式的氣室10的裝置并不限定于磁測(cè)量裝置100。氣室10例如也能夠應(yīng)用于原子鐘等的原子振蕩器。圖13是表示變形例2的原子振蕩器的結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)圖。另外，圖14是對(duì)變形例2的原子振蕩器的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0149]圖13所示的變形例2的原子振蕩器(量子干涉裝置)101是利用了量子干涉效果的原子振蕩器。如圖13所示，原子振蕩器101具備上述實(shí)施方式的氣室10(或者氣室10A、10B、1C中的任一個(gè))、光源71、光學(xué)部件72、73、74、75、光檢測(cè)部76、加熱器77、溫度傳感器78、磁場(chǎng)產(chǎn)生部79以及控制部80。
[0150]光源71射出與后述的頻率不同的兩種光(圖14的(a)所示的共振光LI以及共振光L2)，作為激發(fā)氣室10內(nèi)的堿金屬原子的激發(fā)光LL。光源71例如由垂直腔面發(fā)射激光(VCSEL)等的半導(dǎo)體激光等構(gòu)成。光學(xué)部件72、73、74、75分別被設(shè)置于光源71與氣室10之間的激發(fā)光LL的光路上，從光源71側(cè)向氣室10側(cè)按照光學(xué)部件72(透鏡)、光學(xué)部件73(偏振光板)、光學(xué)部件74(減光濾鏡)、光學(xué)部件75(λ/4波長(zhǎng)板)的順序被配置。
[0151]光檢測(cè)部76檢測(cè)透過(guò)氣室10內(nèi)的激發(fā)光LL(共振光L1、L2)的強(qiáng)度。光檢測(cè)部76例如由太陽(yáng)能電池、光電二極管等構(gòu)成，被連接于后述的控制部80的激發(fā)光控制部82。為了將氣室10內(nèi)的堿金屬維持為氣體狀(作為堿金屬氣體13)，加熱器77(加熱部)加熱氣室10。加熱器77(加熱部)例如由加熱電阻等構(gòu)成。
[0152]為了控制加熱器77的發(fā)熱量，溫度傳感器78檢測(cè)加熱器77或者氣室10的溫度。溫度傳感器78由熱敏電阻、熱電偶等公知的各種溫度傳感器構(gòu)成。磁場(chǎng)產(chǎn)生部79產(chǎn)生使氣室10內(nèi)的堿金屬的簡(jiǎn)并的多個(gè)能級(jí)塞曼分裂的磁場(chǎng)。通過(guò)塞曼分裂，能夠擴(kuò)大堿金屬的簡(jiǎn)并的不同能級(jí)間的間隙來(lái)提高分辨率。其結(jié)果是，能夠提高原子振蕩器101的振蕩頻率的精度。磁場(chǎng)產(chǎn)生部79例如由亥姆霍茲線圈、螺線管線圈等構(gòu)成。
[0153]控制部80具有:激發(fā)光控制部82，其控制光源71射出的激發(fā)光LL(共振光L1、L2)的頻率;溫度控制部81，其基于溫度傳感器78的檢測(cè)結(jié)果控制向加熱器77的通電；以及磁場(chǎng)控制部83，其以由磁場(chǎng)產(chǎn)生部79產(chǎn)生的磁場(chǎng)成為恒定的方式進(jìn)行控制?？刂撇?0例如被設(shè)置于被安裝于基板上的IC芯片。
[0154]對(duì)原子振蕩器101的原理簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。圖14的(a)是對(duì)原子振蕩器101的氣室10內(nèi)的堿金屬的能量狀態(tài)進(jìn)行說(shuō)明的圖，圖14的(b)是表示來(lái)自原子振蕩器101的光源71的兩種光的頻率差與在光檢測(cè)部76的檢測(cè)強(qiáng)度的關(guān)系的圖。如圖14的(a)所示，被封入氣室10內(nèi)的堿金屬(堿金屬氣體13)具有3級(jí)系統(tǒng)的能級(jí)，能夠得到能級(jí)不同的2個(gè)基底狀態(tài)(基底狀態(tài)S1、基底狀態(tài)S2)與激發(fā)狀態(tài)的3個(gè)狀態(tài)。這里，基底狀態(tài)SI是低于基底狀態(tài)S2的能量狀
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[0155]若對(duì)這樣的堿金屬氣體13照射頻率不同的兩種共振光L1、L2，則根據(jù)共振光LI的頻率ω I與共振光L2的頻率ω2的差(ω? — ω2)，使共振光L1、L2的堿金屬氣體13的光吸收率(透光率)變化。而且，當(dāng)共振光LI的頻率ω I與共振光L2的頻率ω 2的差(ω I — ω 2)和相當(dāng)于基底狀態(tài)SI與基底狀態(tài)S2的能量差的頻率一致時(shí)，從基底狀態(tài)S1、S2向激發(fā)狀態(tài)的激發(fā)分別停止。此時(shí)，共振光L1、L2任一個(gè)均未被堿金屬氣體13吸收而透過(guò)。將這樣的現(xiàn)象稱(chēng)為CPT現(xiàn)象或者電磁感應(yīng)透明現(xiàn)象(EIT:ElectromagneticalIy Induced Transparency)。
[0156]光源71朝向氣室10射出上述那樣的頻率不同的兩種光(共振光LI以及共振光L2)。這里，例如若固定共振光LI的頻率ω I使共振光L2的頻率ω 2變化，則當(dāng)共振光LI的頻率ω I與共振光L2的頻率ω 2的差(ω I— ω 2)和相當(dāng)于基底狀態(tài)SI與基底狀態(tài)S2的能量差的頻率ω0—致時(shí)，光檢測(cè)部76的檢測(cè)強(qiáng)度如圖14的(b)所示那樣急劇上升。將這種急劇的信號(hào)稱(chēng)為EIT信號(hào)。該EIT信號(hào)具有由堿金屬的種類(lèi)決定的固有值。因此，通過(guò)將這種EIT信號(hào)作為基準(zhǔn)使用，能夠?qū)崿F(xiàn)高精度的原子振蕩器101。
[0157]原子振蕩器101所使用的氣室10要求小型并且使用壽命長(zhǎng)，但根據(jù)上述實(shí)施方式的氣室的結(jié)構(gòu)及其制造方法，能夠穩(wěn)定地制造小型且使用壽命長(zhǎng)的氣室10，因此能夠優(yōu)選用于小型且精度高、使用壽命長(zhǎng)的原子振蕩器101。
[0158]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0159]10、1(^、108、100"氣室；11"壁；12、12厶、128丨室部(封閉容器)；12&、12(^"容器主體；12b...上蓋；13...堿金屬氣體；14...主室(第一室)；15…連通孔(第二孔)；價(jià)"|￡存室(第二室);18…開(kāi)口部(第一孔)；19…蓋部(蓋)；20…安瓶;24…堿金屬固體(堿金屬原子材料)；30…封閉材料;32...涂層(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)；32a...涂層材料(鏈?zhǔn)斤柡蜔N)；100…磁測(cè)量裝ο?-
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種磁測(cè)量裝置，其特征在于，具備: 壁，其構(gòu)成封閉容器； 第一孔，其在所述壁的一部分開(kāi)口 ； 封閉材料，其封閉所述第一孔； 鏈?zhǔn)斤柡蜔N，其在所述封閉容器的內(nèi)側(cè)覆蓋所述封閉材料；以及 堿金屬氣體，其被封入所述封閉容器。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁測(cè)量裝置，其特征在于， 還具備覆蓋所述第一孔的蓋， 所述封閉材料被配置為在所述蓋與所述壁之間包圍所述第一孔。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁測(cè)量裝置，其特征在于， 所述封閉容器具備第一室以及經(jīng)由第二孔與所述第一室連接的第二室， 所述第一孔被形成于所述第二室的所述壁。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁測(cè)量裝置，其特征在于， 所述第一孔被形成于所述第二室的位于與所述第一室相反一側(cè)的所述壁。5.一種磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于，包括: 形成由壁構(gòu)成并具有在所述壁的一部分開(kāi)口的第一孔且配置有密封了堿金屬原子材料的安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N的容器的形成工序； 使用封閉材料封閉所述第一孔的封閉工序； 將使用所述封閉材料密閉的所述容器加熱至第一溫度的加熱工序；以及 將使用所述封閉材料密閉的所述容器冷卻至低于所述第一溫度的第二溫度的冷卻工序。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于， 還包括在所述冷卻工序之后破壞所述安瓿的工序。7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于，所述第一溫度高于所述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)，所述第二溫度低于所述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的熔點(diǎn)。8.根據(jù)權(quán)利要求5?7中任一項(xiàng)所述的磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于， 在所述冷卻工序中，存在所述容器的所述第一孔所處的部位的溫度低于其他部位的溫度的期間。9.根據(jù)權(quán)利要求5?8中任一項(xiàng)所述的磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于， 在所述冷卻工序中，所述容器的所述第一孔所處的部位比其他部位先達(dá)到所述第二溫度。10.根據(jù)權(quán)利要求5?9中任一項(xiàng)所述的磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于， 所述容器由所述壁構(gòu)成并且是具有在所述壁的一部分開(kāi)口的所述第一孔的封閉容器， 所述形成工序包括: 從所述第一孔在所述容器內(nèi)配置所述安瓿與所述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的工序；以及 經(jīng)由所述第一孔從所述容器內(nèi)排氣的工序。11.根據(jù)權(quán)利要求5?9中任一項(xiàng)所述的磁測(cè)量裝置的制造方法，其特征在于， 所述容器包括由所述壁構(gòu)成并具有所述第一孔的凹狀的容器主體以及被配置于所述容器主體的上側(cè)的上蓋， 所述形成工序包括: 在所述容器主體內(nèi)配置所述安瓿與所述鏈?zhǔn)斤柡蜔N的工序； 在所述容器主體的上側(cè)固定所述上蓋而使所述容器成為封閉容器的工序；以及 經(jīng)由所述第一孔從所述容器內(nèi)排氣的工序。12.一種氣室，其特征在于，具備: 壁，其構(gòu)成封閉容器； 第一孔，其在所述壁的一部分開(kāi)口 ； 封閉材料，其封閉所述第一孔； 鏈?zhǔn)斤柡蜔N，其在所述封閉容器的內(nèi)側(cè)覆蓋所述封閉材料；以及 堿金屬氣體，其被封入所述封閉容器。13.一種氣室的制造方法，其特征在于，包括: 形成由壁構(gòu)成并具有在所述壁的一部分開(kāi)口的第一孔且配置有密封了堿金屬原子材料的安瓿與鏈?zhǔn)斤柡蜔N的容器的形成工序； 使用封閉材料封閉所述第一孔的封閉工序； 將使用所述封閉材料密閉的所述容器加熱至第一溫度的加熱工序；以及 將使用所述封閉材料密閉的所述容器冷卻至低于所述第一溫度的第二溫度的冷卻工序。
【文檔編號(hào)】G01R33/032GK106066459SQ201610250842
【公開(kāi)日】2016年11月2日
【申請(qǐng)日】2016年4月21日 公開(kāi)號(hào)201610250842.1, CN 106066459 A, CN 106066459A, CN 201610250842, CN-A-106066459, CN106066459 A, CN106066459A, CN201610250842, CN201610250842.1
【發(fā)明人】藤井永一, 長(zhǎng)坂公夫
【申請(qǐng)人】精工愛(ài)普生株式會(huì)社