一種電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于過(guò)電壓限制器測(cè)試領(lǐng)域，涉及一種電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在交直流電力系統(tǒng)中，對(duì)于限制過(guò)電壓的保護(hù)電器（如：避雷器、限壓器、電阻器 等），由于保護(hù)水平和吸收能量的要求，需要多柱電阻片柱并聯(lián)，才能滿足系統(tǒng)的要求。對(duì)于 多柱并聯(lián)電阻片柱，其電流分布特性是十分關(guān)鍵的技術(shù)性能。在交直流避雷器和串聯(lián)補(bǔ)償 裝置的標(biāo)準(zhǔn)中（GB11032、GB/T22389、GB/T25083、GB/T6115.2、GB/T25309)，都規(guī)定了 多柱并聯(lián)電阻片的電流分布不均勻系數(shù)的要求，一般規(guī)定多柱并聯(lián)電阻片的電流分布不均 勻系數(shù)不大于1. 1。由于保護(hù)電器的電阻片并聯(lián)柱數(shù)多達(dá)上百柱和試驗(yàn)設(shè)備的容量，對(duì)其電 流分布無(wú)法整體同時(shí)測(cè)量，且在產(chǎn)品生產(chǎn)制造中需要測(cè)量準(zhǔn)確、測(cè)量方法簡(jiǎn)單、操作方便及 高效率，因此需要一種新的方法達(dá)到上述要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，提供了一種電阻片柱并聯(lián)電流分布 測(cè)試方法，該方法能夠準(zhǔn)確測(cè)量電阻片柱并聯(lián)電流分布。
[0004] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，包括以下步 驟：
[0005] 1)將電阻片配成Μ柱電阻片柱；
[0006] 2)在步驟1)得到的Μ柱電阻片柱中隨機(jī)抽取Ν柱電阻片柱，然后將抽取的Ν柱電 阻片柱組成待測(cè)電阻片柱組；
[0007] 3)在預(yù)設(shè)沖擊電流波形及幅值下，分別測(cè)量通過(guò)待測(cè)電阻片柱組中各電阻片柱的 電流值，再選取測(cè)量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱；
[0008] 4)在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的 電流值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測(cè)電阻片柱組；
[0009] 5)重復(fù)步驟3)及4)，直至Μ柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測(cè)量得的 最大電流值1_及最小電流值I_，然后根據(jù)最后一次測(cè)量得到的最大電流值1_及最小電 流值1_得多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_，然后根據(jù)多柱并聯(lián)電阻 片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_得電阻片柱并聯(lián)電流分布。
[0010] 多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_的表達(dá)式為：
[0011] β max= I max/lmin0
[0012] 步驟1)中的電阻片為金屬氧化物電阻片。
[0013] 所述沖擊電流的幅值為475A-525A。
[0014] 所述沖擊電流波形為30/60μs操作沖擊波形。
[0015] 本發(fā)明具有以下有益效果：
[0016] 本發(fā)明所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法在操作時(shí)，先將電阻片配置成Μ 柱電阻片柱，然后通過(guò)連續(xù)隨機(jī)抽取的方法獲取各次測(cè)量的待測(cè)電阻片柱組，再在預(yù)設(shè)沖 擊電流波形及幅值下，測(cè)量得到最后一次測(cè)量的最大電流值及最小電流值，然后再根據(jù)測(cè) 量得到的最大電流值及最小電流值得到多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù) ，用戶即可根據(jù)所述多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)準(zhǔn)確獲知電 阻片柱并聯(lián)電流分布，操作方便，試驗(yàn)效率高，特別適用于電阻片柱數(shù)較多的情況，并且滿 足現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品制造要求。
【具體實(shí)施方式】
[0017] 下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述，以下是對(duì)本發(fā)明的解釋而不 是限定。
[0018] 本發(fā)明所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法包括以下步驟：
[0019] 1)將電阻片配成Μ柱電阻片柱；
[0020] 2)在步驟1)得到的Μ柱電阻片柱中隨機(jī)抽取Ν柱電阻片柱，然后將抽取的Ν柱電 阻片柱組成待測(cè)電阻片柱組；
[0021] 3)在預(yù)設(shè)沖擊電流波形及幅值下，分別測(cè)量通過(guò)待測(cè)電阻片柱組中各電阻片柱的 電流值，再選取測(cè)量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱；
[0022] 4)在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的 電流值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測(cè)電阻片柱組；
[0023] 5)重復(fù)步驟3)及4)，直至Μ柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測(cè)量得的 最大電流值1_及最小電流值I_，然后根據(jù)最后一次測(cè)量得到的最大電流值1_及最小電 流值1_得多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_，然后根據(jù)多柱并聯(lián)電阻 片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_得電阻片柱并聯(lián)電流分布。
[0024]多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_的表達(dá)式為：
[0025] β_=Ι_/Ι_。
[0026] 步驟1)中的電阻片為金屬氧化物電阻片。
[0027] 所述沖擊電流的幅值為475Α-525Α。
[0028] 所述沖擊電流波形為30/60μs操作沖擊波形。
[0029] 實(shí)施例一
[0030] 電阻片柱并聯(lián)數(shù)為48柱，并聯(lián)電阻片柱的電流分布不均勻系數(shù)不大于1. 05,通過(guò) 本發(fā)明測(cè)試的過(guò)程為：
[0031] 1)將48柱電阻片柱隨機(jī)抽取8柱電阻片柱組成待測(cè)電阻片柱組；
[0032] 2)在30/60μs操作沖擊波形和500±25Α電流下，測(cè)量電阻片柱組的電流分布，選 出電流值最大的電阻片柱和電流值最小的電阻片柱，保留電流值最大的電阻片柱和電流值 最小的電阻片柱，補(bǔ)充未測(cè)量的電阻片柱，組成新的待測(cè)電阻片柱組，重復(fù)上述步驟，得最 后一次測(cè)量得的最大電流值1_及最小電流值I_，各電阻片柱的測(cè)量結(jié)果如表1所示：
[0033] 表 1
[0034]
[0036] 5)計(jì)算多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_，其中
[0037] β_=I_/1_= 511. 32/487. 68 = 1. 048
[0038] 則本發(fā)明測(cè)量的48柱電阻片柱電流分布不均勻最大系數(shù)為1. 048,滿足并聯(lián)電阻 片柱的電流分布不均勻系數(shù)不大于1. 05的要求。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟： 1) 將電阻片配成Μ柱電阻片柱； 2) 在步驟1)得到的Μ柱電阻片柱中隨機(jī)抽取Ν柱電阻片柱，然后將抽取的Ν柱電阻片 柱組成待測(cè)電阻片柱組； 3) 在預(yù)設(shè)沖擊電流波形及幅值下，分別測(cè)量通過(guò)待測(cè)電阻片柱組中各電阻片柱的電流 值，再選取測(cè)量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱； 4) 在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的電流 值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測(cè)電阻片柱組； 5) 重復(fù)步驟3)及4)，直至Μ柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測(cè)量得的最大 電流值1_及最小電流值I_，然后根據(jù)最后一次測(cè)量得到的最大電流值1_及最小電流值 1_得多柱并聯(lián)電阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_，然后根據(jù)多柱并聯(lián)電阻片柱 組的最大電流分布不均勻系數(shù)β_得電阻片柱并聯(lián)電流分布。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，其特征在于，多柱并聯(lián)電 阻片柱組的最大電流分布不均勻系數(shù)的表達(dá)式為： 艮max I maxZlmin03. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，其特征在于，步驟1)中的 電阻片為金屬氧化物電阻片。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，其特征在于，所述沖擊電 流的幅值為475A-525A。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，其特征在于，所述沖擊電 流波形為30/60μs操作沖擊波形。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種電阻片柱并聯(lián)電流分布測(cè)試方法，包括：1)將電阻片配成M柱電阻片柱；2)隨機(jī)抽取N柱電阻片柱，構(gòu)建待測(cè)電阻片柱組；3)在預(yù)設(shè)沖擊電流波形及幅值下，分別測(cè)量通過(guò)待測(cè)電阻片柱組中各電阻片柱的電流值，再選取測(cè)量得到的電流值最大的電阻片柱及電流值最小的電阻片柱；4)在剩余電阻片柱中選取k柱電阻片柱，將選取的k柱電阻片柱、步驟3)得到的電流值最大的電阻片組及電阻值最小的電阻片柱組成新的待測(cè)電阻片柱組；重復(fù)步驟3)及4)，直至M柱電阻片柱全部選取完成為止，得最后一次測(cè)量得的最大電流值及最小電流值，得電阻片柱并聯(lián)電流分布。本發(fā)明能夠準(zhǔn)確測(cè)量電阻片柱并聯(lián)電流分布。
【IPC分類(lèi)】G01R19/10
【公開(kāi)號(hào)】CN105425018
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201511029845
【發(fā)明人】何計(jì)謀, 謝清云, 祝嘉喜, 張宏濤
【申請(qǐng)人】中國(guó)西電電氣股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年12月31日