一體式壓力傳感器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及傳感器領(lǐng)域，具體地，涉及一種一體式壓力傳感器。
【背景技術(shù)】
[0002]壓力傳感器包括電阻式、電容式、變磁阻式、壓阻式、壓電式、壓磁式、電動(dòng)式等。由于壓阻式壓力傳感器具有靈敏度高、分辨率高等特點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。產(chǎn)品普遍采用將壓電芯片封裝在由隔離膜片、管座、殼體等組成的密封腔體內(nèi)，組成壓力敏感芯體。壓力變送器的廠家在購(gòu)得該類壓力傳感器后，要經(jīng)過(guò)二次設(shè)計(jì)、封裝，用O型圈密封或經(jīng)焊接完成壓力傳感器與接嘴的密封連接，形成壓力變送器探頭，其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、裝配環(huán)節(jié)多、且生產(chǎn)成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明為了解決上述技術(shù)問(wèn)題提供一種一體式壓力傳感器，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、裝配環(huán)節(jié)少且成本低。
[0004]本發(fā)明解決上述問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:
一體式壓力傳感器，包括基體、引壓接嘴、設(shè)置在基體和引壓接嘴之間的隔離膜片，所述的基體上設(shè)置有凹槽，所述的凹槽內(nèi)設(shè)置有壓力芯片，所述的壓力芯片固定在管座上，為了減小溫度漂移的影響，所述的壓力芯片和凹槽的槽壁之間設(shè)置有填充環(huán)；所述的管座密封在凹槽的槽口上，所述的基體、引壓接嘴和隔離膜片為一體結(jié)構(gòu)，所述的管座上設(shè)置有引線孔，所述的凹槽內(nèi)填充有壓力傳導(dǎo)物質(zhì)。
[0005]本發(fā)明在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上做了改進(jìn)，將基體、引壓接嘴和隔離膜片設(shè)置為一體結(jié)構(gòu)，三者一體成型，在封裝時(shí)，裝配步驟減小，減小了人力成本和生產(chǎn)成本。壓力芯片的引線直接從引線孔內(nèi)引出，與后續(xù)的信號(hào)處理電路相連。壓力芯片通過(guò)隔離膜片與被測(cè)介質(zhì)隔離，壓力傳導(dǎo)物質(zhì)傳遞壓力。
[0006]作為優(yōu)選，所述的隔離膜片上設(shè)置有波紋。
[0007]進(jìn)一步的，為了盡量減少壓力傳遞過(guò)程中的壓力損失，所述的波紋為正弦波波紋。
[0008]作為優(yōu)選，為了進(jìn)一步的提高密封性能，增強(qiáng)對(duì)數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性，所述的引線孔內(nèi)設(shè)置有密封層。
[0009]作為優(yōu)選，為了提高該壓力傳感器的適用范圍，所述的壓力芯片為單晶硅壓力芯片。
[0010]作為優(yōu)選，為了提高壓力傳導(dǎo)物質(zhì)對(duì)數(shù)據(jù)傳導(dǎo)的準(zhǔn)確性，所述的壓力傳導(dǎo)物質(zhì)為硅油。
[0011]綜上，本發(fā)明的有益效果是:
1、本發(fā)明的基體、引壓接嘴和隔離膜片采用一體結(jié)構(gòu)，不需要二次設(shè)計(jì)，其封裝程序減小，減小了人力成本和生產(chǎn)成本。
[0012]2、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，易于制作。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]附圖中標(biāo)記及相應(yīng)的零部件名稱:1、基體；2、引壓接嘴；3、隔離膜片；4、壓力芯片；5、管座；6、填充環(huán)；7、引線孔。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0016]實(shí)施例1:
如圖1所示的一種一體式壓力傳感器，包括基體1、引壓接嘴2、設(shè)置在基體I和引壓接嘴2之間的隔離膜片3，所述的基體I上設(shè)置有凹槽，所述的凹槽內(nèi)設(shè)置有壓力芯片4，所述的壓力芯片4固定在管座5上，所述的壓力芯片4和凹槽的槽壁之間設(shè)置有填充環(huán)6，所述的管座5密封在凹槽的槽口上，所述的基體1、引壓接嘴2和隔離膜片3為一體結(jié)構(gòu)，所述的管座5上設(shè)置有引線孔7，所述的凹槽內(nèi)填充有壓力傳導(dǎo)物質(zhì)。本實(shí)施例對(duì)壓力的檢測(cè)原理與現(xiàn)有技術(shù)相同。
[0017]實(shí)施例2:
如圖1所示的一種一體式壓力傳感器，本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上做了優(yōu)化，即所述的隔離膜片3上設(shè)置有波紋。
[0018]所述的波紋為正弦波波紋。采用正弦波波紋，可盡量減小壓力傳遞過(guò)程中的壓力損失。
[0019]實(shí)施例3:
如圖1所示的一種一體式壓力傳感器，本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上做了優(yōu)化，即所述的引線孔7內(nèi)設(shè)置有密封層。引線孔7用于將壓力芯片的引線引出，便于與后續(xù)的信號(hào)處理電路相連，但是，由于壓力傳導(dǎo)物質(zhì)的特性，采用引線孔7使得其密封性不強(qiáng)，在引線孔7內(nèi)設(shè)置密封層，增強(qiáng)一體式壓力傳感器的密封性能，提高數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。
[0020]為了提高該一體式壓力傳感器的適用范圍，所述的壓力芯片4為單晶硅壓力芯片。單晶硅壓力芯片的使用溫度范圍在40攝氏度-125攝氏度之間，其適用范圍廣。
[0021]所述的壓力傳導(dǎo)物質(zhì)為硅油。
[0022]如上所述，可較好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一體式壓力傳感器，其特征在于:包括基體(I)、引壓接嘴(2)、設(shè)置在基體(I)和引壓接嘴(2)之間的隔離膜片(3)，所述的基體(I)上設(shè)置有凹槽，所述的凹槽內(nèi)設(shè)置有壓力芯片(4)，所述的壓力芯片(4)固定在管座(5)上，所述的壓力芯片(4)和凹槽的槽壁之間設(shè)置有填充環(huán)(6)，所述的管座(5)密封在凹槽的槽口上，所述的基體(1)、引壓接嘴(2)和隔離膜片(3)為一體結(jié)構(gòu)，所述的管座(5)上設(shè)置有引線孔(7)，所述的凹槽內(nèi)填充有壓力傳導(dǎo)物質(zhì)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式壓力傳感器，其特征在于:所述的隔離膜片(3)上設(shè)置有波紋。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一體式壓力傳感器，其特征在于:所述的波紋為正弦波波紋。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式壓力傳感器，其特征在于:所述的引線孔(7)內(nèi)設(shè)置有密封層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式壓力傳感器，其特征在于:所述的壓力芯片(4)為單晶硅壓力芯片。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體式壓力傳感器，其特征在于:所述的壓力傳導(dǎo)物質(zhì)為硅油。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種一體式壓力傳感器，包括基體、引壓接嘴、設(shè)置在基體和引壓接嘴之間的隔離膜片，所述的基體上設(shè)置有凹槽，所述的凹槽內(nèi)設(shè)置有壓力芯片，所述的壓力芯片固定在管座上，為了減小溫度漂移的影響，所述的壓力芯片和凹槽的槽壁之間設(shè)置有填充環(huán)；所述的管座密封在凹槽的槽口上，所述的基體、引壓接嘴和隔離膜片為一體結(jié)構(gòu)，所述的管座上設(shè)置有引線孔，所述的凹槽內(nèi)填充有壓力傳導(dǎo)物質(zhì)，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、裝配環(huán)節(jié)少且成本低。
【IPC分類】G01L1/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105021322
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510400256
【發(fā)明人】郭健
【申請(qǐng)人】四川奇勝科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年11月4日
【申請(qǐng)日】2015年7月10日