一種新型晶體性能檢測電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]發(fā)明屬于元件測試技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種新型晶體性能檢測電路，適用于測試晶體性能的情況。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中是不可缺少的元器件之一，晶體由于其固有頻率穩(wěn)定，通常用作電路系統(tǒng)中的時鐘產(chǎn)生器，給系統(tǒng)提供穩(wěn)定可靠的時鐘源。
[0003]而通常，電子元器件被焊接或者進(jìn)行實驗之前，需要檢查其好壞。檢測晶體元器件好壞的時候，通常使用專用的高頻示波器檢測，但是示波器價格昂貴，而且攜帶不方便，所以存在著成本高和檢測效率低的問題。
[0004]本發(fā)明，目的在于設(shè)計一種新型的晶體檢測電路，專用于晶體好壞的檢測，檢測速度快，設(shè)備成本低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于設(shè)計一種新型晶體性能檢測電路，用于檢測晶體是否能正常工作。
[0006]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種新型晶體性能檢測電路，由待測晶體、第一三極管、第二三極管、第一二極管、第二二極管、燈泡、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容組成；其中第一電容與第二電容串聯(lián)然后與待測晶體并聯(lián)；第一三極管的基極與待測晶體連接，其集電極與電源正極連接；第二三極管的發(fā)射極與電源地連接，其集電極與燈泡連接。
[0007]上述的一種新型晶體性能檢測電路，其特征在于待測晶體、第一三極管與第一電容、第二電容、第一電阻、第二電阻構(gòu)成非調(diào)諧式考畢茲振蕩電路，其可以根據(jù)被測晶體的頻率在很寬的范圍內(nèi)變化。
[0008]上述的一種新型晶體性能檢測電路，其特征在于第一二極管、第二二極管與第四電容構(gòu)成半波整流、高通濾波電路，用于將振蕩電路產(chǎn)生的交流信號變?yōu)橹绷麟妷盒盘枴?br>[0009]上述的一種新型晶體性能檢測電路，其特征在于電壓信號為第二三極管提供直流偏置電壓，該信號決定第二三極管的導(dǎo)通狀態(tài)，從而控制燈泡的發(fā)光狀態(tài)。
[0010]本發(fā)明電路，由兩只晶體管構(gòu)成的晶體性能測試電路，可以檢測晶體能否振蕩。
[0011]本發(fā)明的工作原理是:若待測晶體正常，當(dāng)閉合開關(guān)后，電路就會以晶體標(biāo)定的頻率振蕩。在第二電阻的兩端就可以獲得數(shù)伏的電壓信號，該信號經(jīng)第一二極管、第二二極管和第三電容、第四電容倍壓整流濾波，該峰一峰電壓在第二三極管的基極產(chǎn)生正向直流偏壓，驅(qū)動第二三極管使燈泡發(fā)光。
【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合設(shè)計圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明:
圖1是本發(fā)明一種新型晶體性能檢測電路； 圖1中:x、待測晶體；VT1、第一三極管；VT2、第二三極管；VD1、第一二極管；VD2、第二二極管；D、燈泡；C1、第一電容；C2、第二電容；C3、第三電容；C4、第四電容；R1、第一電阻；R2、第二電阻；R3、第三電阻；SA1、開關(guān)。
【具體實施方式】
[0013]實施例1:
如圖1所示是本發(fā)明一種新型晶體性能檢測電路，包括:待測晶體X、第一三極管VT1、第二三極管VT2、第一二極管VD1、第二二極管VD2、燈泡D、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、第四電容C4組成；其中第一電容Cl與第二電容C2串聯(lián)然后與待測晶體X并聯(lián)；第一三極管VTl的基極與待測晶體X連接，其集電極與電源正極連接；第一三極管VTl的發(fā)射極與電源地連接，其集電極與燈泡D連接。
[0014]待測晶體X、第一三極管VTl與第一電容Cl、第二電容C2、第一電阻R1、第二電阻R2構(gòu)成非調(diào)諧式考畢茲振蕩電路，其可以根據(jù)被測晶體X的頻率在很寬的范圍內(nèi)變化。
[0015]本發(fā)明可以檢測晶體是否振蕩，如果適當(dāng)?shù)倪x擇第一三極管VTl與第一電容Cl、第二電容C2、第一電阻R1、第二電阻R2。則可以擴大測試晶體的頻率范圍，
實施例2:
如圖1所示是本發(fā)明一種新型晶體新能檢測電路，其第一二極管VD1、第二二極管VD2與第四電容C4構(gòu)成半波整流、高通濾波電路，用于將振蕩電路產(chǎn)生的交流信號變?yōu)橹绷麟妷盒盘枴ｋ妷盒盘枮榈诙龢O管VT2提供直流偏置電壓，該信號決定第二三極管VT2的導(dǎo)通狀態(tài)，從而控制燈泡D的發(fā)光狀態(tài)。
[0016]若待測晶體X正常，當(dāng)閉合開關(guān)SAl后，電路就會以晶體標(biāo)定的頻率振蕩。在第_.電阻R2的兩端就可以獲得數(shù)伏的電壓信號，該信號經(jīng)第一二極管VD1、第二二極管VD2和第三電容C3、第四電容C4倍壓整流濾波，該峰一峰電壓在第二三極管VT2的基極產(chǎn)生正向直流偏壓，驅(qū)動第二三極管VT2使燈泡D發(fā)光。
[0017]若待測晶體X不能正常工作，即不能振蕩是，則沒有信號通過第三電容C3，結(jié)果也沒有直流偏壓加至第二三極管VT2的基極，這時燈泡D不亮，以顯示待測晶體X是壞的。
[0018]以上實施例僅是對本發(fā)明的參考說明，并不構(gòu)成對本
【發(fā)明內(nèi)容】
的任何限制，顯然在本發(fā)明的思想下，可做出不同形式的結(jié)構(gòu)變更，但這些均在本發(fā)明的保護(hù)之列。
【主權(quán)項】
1.一種新型晶體性能檢測電路，其特征在于:主要由待測晶體(X)、第一三極管(VT1)、第二三極管(VT2)、第一二極管(VD1)、第二二極管(VD2)、燈泡(D)、第一電容(Cl)、第二電容(C2)、第三電容(C3)、第四電容(C4)組成；其中第一電容(Cl)與第二電容(C2)串聯(lián)然后與待測晶體(X)并聯(lián)；第一三極管(VTl)的基極與待測晶體(X)連接，其集電極與電源正極連接；第二三極管(VT2)的發(fā)射極與電源地連接，其集電極與燈泡(D)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型晶體性能檢測電路，其特征在于:所述待測晶體(X)、第一三極管(VTl)與第一電容(Cl)、第二電容(C2)、第一電阻(R1)、第二電阻(R2)構(gòu)成非調(diào)諧式考畢茲振蕩電路，其可以根據(jù)被測晶體(X)的頻率在很寬的范圍內(nèi)變化。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型晶體性能檢測電路，其特征在于:所述第一二極管(VD1)、第二二極管(VD2)與第四電容(C4)構(gòu)成半波整流、高通濾波電路，用于將振蕩電路產(chǎn)生的交流信號變?yōu)橹绷麟妷盒盘枴?br>【專利摘要】本發(fā)明一種新型晶體性能檢測電路，由待測晶體（X）、第一三極管（VT1）、第二三極管（VT2）、第一二極管（VD1）、第二二極管（VD2）、燈泡（D）、第一電容（C1）、第二電容（C2）、第三電容（C3）、第四電容（C4）組成；其中第一電容（C1）與第二電容（C2）串聯(lián)然后與待測晶體（X）并聯(lián)；第一三極管（VT1）的基極與待測晶體（X）連接，其集電極與電源正極連接；第二三極管（VT2）的發(fā)射極與電源地連接，其集電極與燈泡（D）連接。該檢測電路是由兩只晶體管構(gòu)成的晶體性能測試電路，可以檢測晶體能否振蕩。
【IPC分類】G01R31-00
【公開號】CN104655952
【申請?zhí)枴緾N201310600944
【發(fā)明人】巨杰
【申請人】西安思創(chuàng)達(dá)通訊科技有限責(zé)任公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2013年11月25日