本技術(shù)涉及引線(xiàn)框架檢驗(yàn)，具體涉及一種引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具。

背景技術(shù)：

1、引線(xiàn)框架是一種借助于鍵合材料(鋁絲、銅絲)實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線(xiàn)的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線(xiàn)連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線(xiàn)框架。引線(xiàn)框架(例如to220f型)上具有引線(xiàn)腳和與引線(xiàn)腳連接的芯片載體，將芯片貼裝于芯片載體的正面并經(jīng)過(guò)塑封和切筋工藝即可得到半導(dǎo)體器件。

2、由于引線(xiàn)框架在加工過(guò)程中芯片載體容易發(fā)生變形，該變形主要表現(xiàn)為芯片載體朝遠(yuǎn)離芯片貼裝的一側(cè)傾斜變形，即芯片載體與引線(xiàn)框架不平行，芯片載體變形會(huì)造成芯片貼裝不合格，封裝良品率低，因此需要設(shè)置一種可快速檢驗(yàn)芯片載體是否變形的治具。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，提供一種引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其能利用引線(xiàn)框架左右移動(dòng)是否順暢即可快速檢驗(yàn)出芯片載體是否變形。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案：

3、一種引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，包括基座，所述基座上表面設(shè)有第一平面，所述第一平面可支撐引線(xiàn)框架上的引線(xiàn)腳并使引線(xiàn)腳在第一平面上直線(xiàn)滑動(dòng)，所述第一平面的至少一側(cè)設(shè)有滑槽，所述滑槽的底部設(shè)有第二平面，所述第二平面可支撐引線(xiàn)框架上的芯片載體并使芯片載體在第二平面上直線(xiàn)滑動(dòng)，所述第二平面向下凹設(shè)有若干凹槽，若干所述凹槽沿滑槽的延伸方向間隔設(shè)置，所述凹槽可供變形的芯片載體伸入。

4、通過(guò)在基座上設(shè)置第一平面，在第一平面的一側(cè)設(shè)置滑槽，在滑槽底部設(shè)置第二平面，以及在第二平面上設(shè)置若干間隔的凹槽，在檢驗(yàn)時(shí)，將引線(xiàn)框架的引線(xiàn)腳放置在第一平面上，使芯片載體置于滑槽中，并使芯片載體抵接在第二平面上，左右移動(dòng)引線(xiàn)框架，若芯片載體未發(fā)生變形，則未變形的芯片載體能夠平貼在第二平面上且順暢滑動(dòng)，此時(shí)引線(xiàn)框架左右移動(dòng)順暢；若芯片載體發(fā)生變形，則變形的芯片載體經(jīng)過(guò)凹槽位置時(shí)會(huì)下沉并伸入凹槽中，左右移動(dòng)引線(xiàn)框架時(shí)，變形的芯片載體會(huì)碰撞凹槽的左右邊緣產(chǎn)生摩擦阻力，導(dǎo)致引線(xiàn)框架左右移動(dòng)不順暢，此時(shí)可檢驗(yàn)出芯片載體存在變形異常，從而使得該治具利用引線(xiàn)框架左右移動(dòng)是否順暢即可快速檢驗(yàn)出芯片載體是否變形。

5、作為一種優(yōu)選方案，所述第二平面可支撐芯片載體上的板部，所述第二平面上遠(yuǎn)離第一平面的一側(cè)設(shè)有第三平面，所述第三平面高于第二平面，所述第三平面可支撐芯片載體上的頭部，所述凹槽向上貫穿第二平面和第三平面。

6、作為一種優(yōu)選方案，所述第三平面與第二平面的高度差為0.5mm-1.0mm。

7、作為一種優(yōu)選方案，所述第一平面高于第三平面。

8、作為一種優(yōu)選方案，所述滑槽的兩端分別貫穿基座的兩端端面。

9、作為一種優(yōu)選方案，所述凹槽的深度h≥1mm。

10、作為一種優(yōu)選方案，所述凹槽的長(zhǎng)度為20mm-40mm。

11、作為一種優(yōu)選方案，所述凹槽的寬度等于芯片載體的寬度。

12、作為一種優(yōu)選方案，所述滑槽設(shè)有兩條，所述基座上設(shè)有凸條，所述凸條位于兩條滑槽之間，所述第一平面設(shè)于凸條的上表面。

13、本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，通過(guò)在基座上設(shè)置第一平面，在第一平面的一側(cè)設(shè)置滑槽，在滑槽底部設(shè)置第二平面，以及在第二平面上設(shè)置若干間隔的凹槽，在檢驗(yàn)時(shí)，將引線(xiàn)框架的引線(xiàn)腳放置在第一平面上，使芯片載體置于滑槽中，并使芯片載體抵接在第二平面上，左右移動(dòng)引線(xiàn)框架，若芯片載體未發(fā)生變形，則未變形的芯片載體能夠平貼在第二平面上且順暢滑動(dòng)，此時(shí)引線(xiàn)框架左右移動(dòng)順暢；若芯片載體發(fā)生變形，則變形的芯片載體經(jīng)過(guò)凹槽位置時(shí)會(huì)下沉并伸入凹槽中，左右移動(dòng)引線(xiàn)框架時(shí)，變形的芯片載體會(huì)碰撞凹槽的左右邊緣產(chǎn)生摩擦阻力，導(dǎo)致引線(xiàn)框架左右移動(dòng)不順暢，此時(shí)可檢驗(yàn)出芯片載體存在變形異常，從而使得該治具利用引線(xiàn)框架左右移動(dòng)是否順暢即可快速檢驗(yàn)出芯片載體是否變形。

14、為更清楚地闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征、技術(shù)手段及其所達(dá)到的具體目的和功能，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明：

技術(shù)特征：

1.一種引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，包括基座，所述基座上表面設(shè)有第一平面，所述第一平面可支撐引線(xiàn)框架上的引線(xiàn)腳并使引線(xiàn)腳在第一平面上直線(xiàn)滑動(dòng)，所述第一平面的至少一側(cè)設(shè)有滑槽，所述滑槽的底部設(shè)有第二平面，所述第二平面可支撐引線(xiàn)框架上的芯片載體并使芯片載體在第二平面上直線(xiàn)滑動(dòng)，所述第二平面向下凹設(shè)有若干凹槽，若干所述凹槽沿滑槽的延伸方向間隔設(shè)置，所述凹槽可供變形的芯片載體伸入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述第二平面可支撐芯片載體上的板部，所述第二平面上遠(yuǎn)離第一平面的一側(cè)設(shè)有第三平面，所述第三平面高于第二平面，所述第三平面可支撐芯片載體上的頭部，所述凹槽向上貫穿第二平面和第三平面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述第三平面與第二平面的高度差為0.5mm-1.0mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述第一平面高于第三平面。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述滑槽的兩端分別貫穿基座的兩端端面。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述凹槽的深度h≥1mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述凹槽的長(zhǎng)度為20mm-40mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述凹槽的寬度等于芯片載體的寬度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，其特征在于，所述滑槽設(shè)有兩條，所述基座上設(shè)有凸條，所述凸條位于兩條滑槽之間，所述第一平面設(shè)于凸條的上表面。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)一種引線(xiàn)框架變形檢驗(yàn)治具，包括基座，基座上表面設(shè)有第一平面，第一平面可支撐引線(xiàn)框架上的引線(xiàn)腳并使引線(xiàn)腳在第一平面上直線(xiàn)滑動(dòng)，第一平面的至少一側(cè)設(shè)有滑槽，滑槽的底部設(shè)有第二平面，第二平面可支撐引線(xiàn)框架上的芯片載體并使芯片載體在第二平面上直線(xiàn)滑動(dòng)，第二平面向下凹設(shè)有若干凹槽，若干凹槽沿滑槽的延伸方向間隔設(shè)置，凹槽可供變形的芯片載體伸入，本技術(shù)利用引線(xiàn)框架左右移動(dòng)是否順暢即可快速檢驗(yàn)出芯片載體是否變形。

技術(shù)研發(fā)人員：黃乙為,繞錫林,斯毅平,易炳川,馮建柏,李立
受保護(hù)的技術(shù)使用者：氣派科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240508
技術(shù)公布日：2024/12/23