本技術(shù)涉及反向擊穿電壓測(cè)試，尤其是涉及一種反向擊穿電壓測(cè)試儀和測(cè)試設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、晶體管的反向擊穿電壓是晶體管最重要的參數(shù)之一，直接關(guān)系到應(yīng)用電路的性能優(yōu)劣。現(xiàn)有技術(shù)中多采用數(shù)據(jù)源表對(duì)晶體管的反向擊穿電壓進(jìn)行測(cè)量，但數(shù)字源表的成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種反向擊穿電壓測(cè)試儀和測(cè)試設(shè)備，從而降低晶體管反向擊穿電壓測(cè)試的成本。

2、第一方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種反向擊穿電壓測(cè)試儀，包括：電壓輸入模塊、電流控制模塊和測(cè)量模塊；測(cè)量模塊分別與電壓輸入模塊和電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的一端分別與電壓輸入模塊和電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的另一端與測(cè)量模塊相連；電壓輸入模塊，用于持續(xù)輸入測(cè)量電壓；電流控制模塊，用于根據(jù)測(cè)量電壓調(diào)整輸入至測(cè)量模塊的測(cè)量電流，以使測(cè)量電流的測(cè)量電流值不超過(guò)預(yù)設(shè)測(cè)量電流值；測(cè)量模塊，用于測(cè)量被測(cè)晶體管的實(shí)時(shí)電壓，當(dāng)實(shí)時(shí)電壓達(dá)到預(yù)設(shè)讀取標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，確定實(shí)時(shí)電壓為被測(cè)晶體管的反向擊穿電壓；電壓輸入模塊，還用于當(dāng)測(cè)量電壓等于或大于反向擊穿電壓時(shí)，停止輸入測(cè)量電壓。

3、進(jìn)一步的，電流控制模塊包括相連的控制芯片和第一通訊單元；電壓輸入模塊包括第二通訊單元；第一通訊單元與第二通訊單元通訊連接；控制芯片，用于實(shí)時(shí)獲取電壓輸入模塊發(fā)送的測(cè)量電壓值，根據(jù)測(cè)量電壓值和預(yù)設(shè)測(cè)量電流值確定測(cè)量模塊對(duì)應(yīng)的分流阻值。

4、進(jìn)一步的，電流控制模塊包括相連的控制芯片和第一接口；電壓輸入模塊包括第二接口；電流控制模塊通過(guò)第一接口與電壓輸入模塊的第二接口相連；控制芯片，用于實(shí)時(shí)獲取電壓輸入模塊發(fā)送的測(cè)量電壓值，根據(jù)測(cè)量電壓值和預(yù)設(shè)測(cè)量電流值確定測(cè)量模塊對(duì)應(yīng)的分流阻值。

5、進(jìn)一步的，電流控制模塊包括相連的控制芯片和測(cè)量?jī)x；測(cè)量?jī)x與電壓輸入模塊相連；控制芯片，用于獲取測(cè)量?jī)x測(cè)量的實(shí)時(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)；根據(jù)實(shí)時(shí)測(cè)量數(shù)據(jù)確定測(cè)量模塊對(duì)應(yīng)的分流阻值。

6、進(jìn)一步的，電流控制模塊還包括可變電阻；可變電阻與控制芯片相連；控制芯片，還用于根據(jù)分流阻值調(diào)整可變電阻的實(shí)時(shí)電阻值，直至實(shí)時(shí)電阻值等于分流阻值。

7、進(jìn)一步的，電壓輸入模塊包括第二通訊單元；測(cè)量模塊包括第三通訊單元；第二通訊單元和第三通訊單元通訊連接；測(cè)量模塊，還用于通過(guò)第二通訊單元獲取測(cè)量模塊通過(guò)第三通訊單元發(fā)送的反向擊穿電壓。

8、進(jìn)一步的，測(cè)量模塊包括萬(wàn)用表。

9、第二方面，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種測(cè)試設(shè)備，包括：測(cè)試箱體，還包括上述任一項(xiàng)的反向擊穿電壓測(cè)試儀；反向擊穿電壓測(cè)試儀設(shè)置在測(cè)試箱體內(nèi)部。

10、進(jìn)一步的，還包括：固定在測(cè)試箱體上的放置臺(tái)；放置臺(tái)與反向擊穿電壓測(cè)試儀相連；放置臺(tái)用于放置被測(cè)晶體管。

11、進(jìn)一步的，還包括：電壓調(diào)節(jié)旋鈕和顯示設(shè)備；電壓調(diào)節(jié)旋鈕與反向擊穿電壓測(cè)試儀中的電壓輸入模塊相連；顯示設(shè)備與反向擊穿電壓測(cè)試儀相連；電壓調(diào)節(jié)旋鈕，用于調(diào)節(jié)電壓輸入模塊輸入的測(cè)試電壓；顯示設(shè)備，用于顯示被測(cè)晶體管的反向擊穿電壓。

12、本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種反向擊穿電壓測(cè)試儀和測(cè)試設(shè)備，包括：電壓輸入模塊、電流控制模塊和測(cè)量模塊；測(cè)量模塊分別與電壓輸入模塊和電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的一端分別與電壓輸入模塊和電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的另一端與測(cè)量模塊相連；電壓輸入模塊，用于持續(xù)輸入測(cè)量電壓；電流控制模塊，用于根據(jù)測(cè)量電壓調(diào)整輸入至測(cè)量模塊的測(cè)量電流，以使測(cè)量電流的測(cè)量電流值不超過(guò)預(yù)設(shè)測(cè)量電流值；測(cè)量模塊，用于測(cè)量被測(cè)晶體管的實(shí)時(shí)電壓，當(dāng)實(shí)時(shí)電壓達(dá)到預(yù)設(shè)讀取標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，確定實(shí)時(shí)電壓為被測(cè)晶體管的反向擊穿電壓；電壓輸入模塊，還用于當(dāng)測(cè)量電壓等于或大于反向擊穿電壓時(shí)，停止輸入測(cè)量電壓。該方式中，通過(guò)將萬(wàn)用表和可變電阻串聯(lián)的方式構(gòu)成電流控制模塊，從而降低晶體管反向擊穿電壓測(cè)試的成本。

13、本實(shí)用新型的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施本實(shí)用新型而了解。本實(shí)用新型的目的和其他優(yōu)點(diǎn)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

14、為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。

技術(shù)特征：

1.一種反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，包括：電壓輸入模塊、電流控制模塊和測(cè)量模塊；所述測(cè)量模塊分別與所述電壓輸入模塊和所述電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的一端分別與所述電壓輸入模塊和所述電流控制模塊相連；所述被測(cè)晶體管的另一端與所述測(cè)量模塊相連；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，所述電流控制模塊包括相連的控制芯片和第一通訊單元；所述電壓輸入模塊包括第二通訊單元；所述第一通訊單元與所述第二通訊單元通訊連接；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，電流控制模塊包括相連的控制芯片和第一接口；所述電壓輸入模塊包括第二接口；電流控制模塊通過(guò)所述第一接口與所述電壓輸入模塊的第二接口相連；

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，所述電流控制模塊包括相連的控制芯片和測(cè)量?jī)x；所述測(cè)量?jī)x與所述電壓輸入模塊相連；

5.根據(jù)權(quán)利要求2或權(quán)利要求3或權(quán)利要求4任一項(xiàng)所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，所述電流控制模塊還包括可變電阻；所述可變電阻與所述控制芯片相連；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，所述電壓輸入模塊包括第二通訊單元；所述測(cè)量模塊包括第三通訊單元；所述第二通訊單元和所述第三通訊單元通訊連接；

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀，其特征在于，所述測(cè)量模塊包括萬(wàn)用表。

8.一種測(cè)試設(shè)備，其特征在于，包括：測(cè)試箱體，還包括上述權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的反向擊穿電壓測(cè)試儀；所述反向擊穿電壓測(cè)試儀設(shè)置在所述測(cè)試箱體內(nèi)部。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試設(shè)備，其特征在于，還包括：固定在所述測(cè)試箱體上的放置臺(tái)；所述放置臺(tái)與所述反向擊穿電壓測(cè)試儀相連；所述放置臺(tái)用于放置被測(cè)晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試設(shè)備，其特征在于，還包括：電壓調(diào)節(jié)旋鈕和顯示設(shè)備；所述電壓調(diào)節(jié)旋鈕與所述反向擊穿電壓測(cè)試儀中的電壓輸入模塊相連；所述顯示設(shè)備與所述反向擊穿電壓測(cè)試儀相連；

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種反向擊穿電壓測(cè)試儀和測(cè)試設(shè)備，包括：電壓輸入模塊、電流控制模塊和測(cè)量模塊；測(cè)量模塊分別與電壓輸入模塊和電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的一端分別與電壓輸入模塊和電流控制模塊相連；被測(cè)晶體管的另一端與測(cè)量模塊相連。該方式中，通過(guò)將萬(wàn)用表和可變電阻串聯(lián)的方式構(gòu)成電流控制模塊，從而降低晶體管反向擊穿電壓測(cè)試的成本。

技術(shù)研發(fā)人員：丁盛峰,阮輝,王碧源
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州芯云半導(dǎo)體集團(tuán)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240328
技術(shù)公布日：2024/12/12