本申請涉及氣壓測量，尤其涉及一種真空規(guī)。

背景技術(shù)：

1、真空規(guī)是測量氣體壓力的儀器，其中，電容薄膜式真空規(guī)是利用核心結(jié)構(gòu)中內(nèi)膜片受到壓差產(chǎn)生位移，造成膜片與固定電極之間的電容量發(fā)生變化，通過測量電容量的變化來測量壓力，在真空測量領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

2、在實際應(yīng)用中，真空規(guī)測量壓力的誤差主要來源于環(huán)境溫度的變化，因此，如何控制真空規(guī)中核心結(jié)構(gòu)的溫度，提高真空規(guī)的測量精度成為本領(lǐng)域技術(shù)人員的一個研究熱點。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N真空規(guī)，以提高真空規(guī)的測量精度。具體方案如下：

2、一種真空規(guī)，包括：

3、第一殼體，所述第一殼體具有第一容納腔；

4、位于所述第一容納腔內(nèi)的第二殼體，所述第二殼體具有第二容納腔，所述第二殼體和所述第一殼體之間具有第三容納腔；

5、位于所述第二容納腔內(nèi)的氣體壓力檢測組件；

6、接口組件，所述接口組件的第一端位于所述第一殼體外，所述第二端位于所述第二殼體內(nèi)，用于給所述真空規(guī)傳輸工藝氣體，所述接口組件第二端具有第一截止組件，且所述接口組件側(cè)壁上具有至少一個第一通孔，所述第一通孔與所述第三容納腔相連通。

7、可選的，還包括：控制所述至少一個第一通孔與所述第三容納腔之間通路的第二截止組件。

8、可選的，還包括：

9、位于所述第三容納腔中的至少一個氣流板，所述氣流板上具有多個第二通孔，所述第二通孔用于實現(xiàn)所述第三容納腔位于所述氣流板相對兩側(cè)的容納空間的連通。

10、可選的，沿所述第三容納腔中的氣體流動路徑，所述第二通孔具有靠近所述接口組件的第一端口以及遠離所述接口組件的第二端口；

11、所述第二通孔的第二端口在第一方向上的尺寸小于所述第二通孔的第一端口在所述第一方向上的尺寸；

12、沿所述第一端口至所述第二端口方向，所述第二通孔中至少靠近所述第一端口的部分在所述第一方向上的尺寸沿逐漸減小。

13、可選的，所述至少一個氣流板包括：

14、第一氣流板，所述第一氣流板為環(huán)形氣流板，設(shè)置在所述第二容納腔靠近所述接口組件的一側(cè)；

15、第二氣流板，所述第二氣流板為環(huán)形氣流板，設(shè)置在所述第二容納腔靠近所述接口組件的一側(cè)，且位于所述第一氣流板遠離所述接口組件的一側(cè)；

16、第三氣流板，所述第三氣流板為扁平形氣流板，環(huán)設(shè)在所述第二容納腔的側(cè)壁外側(cè)。

17、可選的，所述第一氣流板上第二通孔的數(shù)量與所述接口組件中的第一通孔的數(shù)量滿足相同條件，在預(yù)設(shè)方向上，所述第一氣流板上的第二通孔與所述接口組件側(cè)壁上的第一通孔錯位設(shè)置，所述預(yù)設(shè)方向垂直于所述第三容納腔中的氣體流動方向；

18、所述第二氣流板上的第二通孔數(shù)量與所述第一氣流板上的第二通孔數(shù)量滿足相同條件，且在所述預(yù)設(shè)方向上，所述第一氣流板上的第二通孔與所述第二氣流板上的第二通孔錯位設(shè)置；

19、所述第三氣流板上的通孔數(shù)量為所述第二氣流板上的通孔數(shù)量的兩倍，且在所述預(yù)設(shè)方向上，所述第三氣流板上的第二通孔與所述第二氣流板上的第二通孔錯位設(shè)置。

20、可選的，所述至少一個氣流板還包括：

21、第四氣流板，所述第四氣流板為扁平形氣流板，環(huán)設(shè)在所述第二容納腔的側(cè)壁外側(cè)，且位于所述第三氣流板遠離所述接口組件的一側(cè)；

22、第五氣流板，所述第五氣流板為環(huán)形氣流板，設(shè)置在所述第二容納腔遠離所述接口組件的一側(cè)。

23、可選的，所述第四氣流板上的第二通孔數(shù)量與所述第三氣流板上的第二通孔數(shù)量滿足相同條件，且沿預(yù)設(shè)方向，所述第四氣流板上的第二通孔與所述第三氣流板上的第二通孔錯位設(shè)置，所述預(yù)設(shè)方向垂直于所述第三容納腔中的氣體流動方向；

24、所述第五氣流板上的第二通孔數(shù)量與所述第三氣流板上的第二通孔數(shù)量滿足相同條件，且沿所述預(yù)設(shè)方向，所述第五氣流板上的第二通孔與所述第四氣流板上的第二通孔錯位設(shè)置。

25、可選的，還包括：設(shè)置于所述接口組件中靠近所述接口組件第一端的防沉積結(jié)構(gòu)件。

26、可選的，還包括：位于所述第二容納腔中的氣體吸附組件。

27、本申請實施例所提供的真空規(guī)，利用工藝氣體給所述氣體壓力檢測組件（即核心結(jié)構(gòu)）加熱，以使得所述核心結(jié)構(gòu)的溫度和所述工藝氣體的溫度保持一致，從而避免了工藝氣體因加熱溫度高于自身溫度而出現(xiàn)的膨脹現(xiàn)象，解決了該膨脹現(xiàn)象導(dǎo)致的壓力測量不準確，影響工藝結(jié)果的問題，提高了所述真空規(guī)的檢測精度，并有效減少所述核心結(jié)構(gòu)中內(nèi)膜片上的附著，提高所述真空規(guī)在進行氣體壓力檢測時的靈敏性、穩(wěn)定性和一致性，進而提高所述真空規(guī)的使用壽命。

28、另外，本申請實施例所提供的真空規(guī)，利用工藝氣體給所述氣體壓力檢測組件（即核心結(jié)構(gòu)）加熱，以使得所述核心結(jié)構(gòu)的溫度和所述工藝氣體的溫度保持一致，可以在整個工藝過程中，保持核心結(jié)構(gòu)的溫度的穩(wěn)定性，避免了環(huán)境溫度變化對電容薄膜真空規(guī)測量精度、穩(wěn)定性、一致性帶來的影響。

29、而且，本申請實施例所提供的真空規(guī)中，所述核心結(jié)構(gòu)的溫度取決于工藝氣體的溫度，從而使得本申請實施例所提供的真空規(guī)可以適用于各種溫度的工藝氣體的壓力檢測，使用范圍較廣，通用性強，且不存在采用溫度不適合的電容薄膜式真空規(guī)引發(fā)的測量結(jié)果不準確性的問題，進一步提高了真空規(guī)進行壓力檢測的精度。

30、此外，本申請實施例所提供的真空規(guī)中，利用工藝氣體給所述氣體壓力檢測組件（即核心結(jié)構(gòu)）加熱，不再采用加熱片，從而不再需要大功率的供電，降低了大電流的引入對微小信號的探測的干擾，可提高壓力測量的精度和穩(wěn)定性，為測量更低量程的氣體壓力提供基礎(chǔ)，同時縮短工藝等待時間。

技術(shù)特征：

1.一種真空規(guī)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空規(guī)，其特征在于，還包括：控制所述至少一個第一通孔與所述第三容納腔之間通路的第二截止組件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空規(guī)，其特征在于，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空規(guī)，其特征在于，沿所述第三容納腔中的氣體流動路徑，所述第二通孔具有靠近所述接口組件的第一端口以及遠離所述接口組件的第二端口；

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空規(guī)，其特征在于，所述至少一個氣流板包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空規(guī)，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空規(guī)，其特征在于，所述至少一個氣流板還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的真空規(guī)，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空規(guī)，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空規(guī)，其特征在于，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請公開了一種真空規(guī)，包括：第一殼體，所述第一殼體具有第一容納腔；位于所述第一容納腔內(nèi)的第二殼體，所述第二殼體具有第二容納腔，所述第二殼體和所述第一殼體之間具有第三容納腔；位于所述第二容納腔內(nèi)的氣體壓力檢測組件；接口組件，所述接口組件的第一端位于所述第一殼體外，所述第二端位于所述第二殼體內(nèi)，用于給所述真空規(guī)傳輸工藝氣體，所述接口組件第二端具有第一截止組件，且所述接口組件側(cè)壁上具有至少一個第一通孔，所述第一通孔與所述第三容納腔相連通。該真空規(guī)利用工藝氣體給氣體壓力檢測組件加熱，提高了氣壓檢測時的測量精度。

技術(shù)研發(fā)人員：劉瑞琪,李超波,張心強,林琳,郜晨希,徐亞輝,蘇濤,鄭旭,孫小孟,張沙,遠雁
受保護的技術(shù)使用者：中國科學院微電子研究所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19