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掩膜的檢測(cè)方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品、終端與流程

文檔序號(hào):40402789發(fā)布日期:2024-12-20 12:26閱讀:3來源:國知局
掩膜的檢測(cè)方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品、終端與流程

本發(fā)明涉及集成電路,具體地涉及一種掩膜的檢測(cè)方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品、終端。


背景技術(shù):

1、集成電路制造流程主要包括芯片設(shè)計(jì)、芯片制造和封裝測(cè)試三大階段。在芯片設(shè)計(jì)階段,采用專業(yè)軟件設(shè)計(jì)電路圖,通過集成電路布圖設(shè)計(jì)描述集成電路的物理設(shè)計(jì),如多個(gè)元件及各元件間的互連線路。在芯片制造階段,在晶圓表面沉積不同材料的層,其中每一層的制造流程包括,基于集成電路布圖設(shè)計(jì)創(chuàng)建相應(yīng)的掩膜(也稱光掩膜)并制作掩膜版(也稱光掩膜版、光罩,mask,photomask),通過光刻工藝將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到預(yù)先涂覆于該層表面的光刻膠上,后續(xù)經(jīng)過刻蝕、摻雜等工序制造得到集成電路在該層的物理結(jié)構(gòu)。

2、傳統(tǒng)的掩膜版制作工藝大致包括曝光、顯影、去感光膠和光蝕刻這幾道工序。在此過程中,設(shè)計(jì)好的電路圖形(即,掩膜)通過曝光系統(tǒng)投影在感光膠上,由于光學(xué)系統(tǒng)的不完善性和衍射效應(yīng),實(shí)際投影到感光膠上的圖形和掩膜上的圖形不完全一致。這些失真如果不糾正,可能大大改變生產(chǎn)出來的電路的電氣性能,因?yàn)樵撾娐肥腔谑д娴难谀ぐ嬷谱鞯玫降?。?duì)此,一方面采用光學(xué)鄰近校正(optical?proximity?correction,簡(jiǎn)稱opc)技術(shù)對(duì)掩膜上的圖形做修正,使得投影到感光膠上的圖形盡量符合設(shè)計(jì)要求;另一方面光罩廠商還會(huì)對(duì)制作得到的掩模版上的圖形進(jìn)行關(guān)鍵尺寸(也稱,線徑尺寸)測(cè)量,以對(duì)掩膜進(jìn)行品質(zhì)管控,具體而言,在創(chuàng)建掩膜時(shí)即定義元件或互連線路之間的空間公差(即關(guān)鍵尺寸)以確保元件或連線之間不會(huì)以不希望的方式彼此作用,光罩廠商測(cè)量掩膜版上的圖形中相應(yīng)位置處的線徑尺寸是否符合預(yù)期。

3、現(xiàn)階段,普遍采用諸如臨界尺寸掃描電子顯微鏡(critical?dimension?scanningelectron?microscope,簡(jiǎn)稱cd-sem)等測(cè)量技術(shù)測(cè)量線徑尺寸。由于測(cè)量技術(shù)的特性,只能對(duì)掩膜版上的圖形進(jìn)行一維測(cè)量,而實(shí)際上掩膜上的圖形(尤其經(jīng)過opc處理后的圖形)是具有復(fù)雜二維幾何形狀且不規(guī)則分布的,單純一維度的測(cè)量無法準(zhǔn)確表征掩膜質(zhì)量,不利于對(duì)掩膜的品質(zhì)管控。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明解決的技術(shù)問題是如何改善對(duì)掩膜的品質(zhì)管控。

2、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜的檢測(cè)方法,包括:獲取目標(biāo)掩膜,所述目標(biāo)掩膜是經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后的掩膜;獲取光罩圖像,所述光罩圖像是基于所述目標(biāo)掩膜制作得到的掩膜版的圖像;根據(jù)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的圖像差異,檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。

3、可選的,所述檢測(cè)方法還包括:根據(jù)所述圖像差異調(diào)整進(jìn)行光學(xué)鄰近校正時(shí)所采用的至少一個(gè)參數(shù)的數(shù)值,以得到更新的目標(biāo)掩膜。

4、可選的,所述根據(jù)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的圖像差異,檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性包括:重疊所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜得到重疊圖像,所述重疊圖像根據(jù)所述目標(biāo)掩膜的圖案輪廓?jiǎng)澐值玫蕉鄠€(gè)分段;對(duì)于每一分段,計(jì)算所述分段中光罩圖像的圖案和目標(biāo)掩膜的圖案之間的圖像差異度;根據(jù)所述多個(gè)分段的圖像差異度檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。

5、可選的,所述獲取目標(biāo)掩膜包括:獲取所述目標(biāo)掩膜的至少一個(gè)第一預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域圖像;所述獲取光罩圖像包括:獲取所述光罩圖像的至少一個(gè)第二預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域圖像,所述至少一個(gè)第一預(yù)設(shè)區(qū)域和所述至少一個(gè)第二預(yù)設(shè)區(qū)域一一對(duì)應(yīng);所述重疊所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜得到重疊圖像包括:對(duì)于每一所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域,重疊所述第一預(yù)設(shè)區(qū)域的所述區(qū)域圖像和對(duì)應(yīng)的所述第二預(yù)設(shè)區(qū)域的所述區(qū)域圖像,得到對(duì)應(yīng)的重疊區(qū)域圖像;匯總至少一個(gè)所述重疊區(qū)域圖像,得到所述重疊圖像。

6、可選的,所述根據(jù)所述多個(gè)分段的圖像差異度檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性包括:統(tǒng)計(jì)所述多個(gè)分段的圖像差異度的數(shù)值分布;根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。

7、可選的,所述多個(gè)分段的圖像差異度的數(shù)值分布越分散、峰值越遠(yuǎn)離基準(zhǔn)線,所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性越差,其中,所述基準(zhǔn)線用于表征所述圖像差異度為零。

8、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種掩膜的檢測(cè)裝置,包括:第一獲取模塊,用于獲取目標(biāo)掩膜,所述目標(biāo)掩膜是經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后的掩膜;第二獲取模塊,用于獲取光罩圖像,所述光罩圖像是基于所述目標(biāo)掩膜制作得到的掩膜版的圖像;檢測(cè)模塊,用于根據(jù)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的圖像差異,檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。

9、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)為非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)或非瞬態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器運(yùn)行時(shí)執(zhí)行上述方法的步驟。

10、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,包括計(jì)算機(jī)程序/指令,該計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)上述方法的步驟。

11、為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明實(shí)施例還提供一種終端,包括存儲(chǔ)器和處理器,所述存儲(chǔ)器上存儲(chǔ)有可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,所述處理器運(yùn)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)執(zhí)行上述方法的步驟。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案具有以下有益效果:

13、本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜的檢測(cè)方法,包括:獲取目標(biāo)掩膜,所述目標(biāo)掩膜是經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后的掩膜;獲取光罩圖像,所述光罩圖像是基于所述目標(biāo)掩膜制作得到的掩膜版的圖像;根據(jù)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的圖像差異,檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。

14、相較于現(xiàn)有技術(shù)只測(cè)量一維的線徑尺寸數(shù)據(jù)作為掩膜品質(zhì)管控的依據(jù)無法全面反映掩膜質(zhì)量,本實(shí)施方案通過檢測(cè)目標(biāo)掩膜上的圖形和掩膜版上實(shí)際制作形成的圖形之間的圖像差異,實(shí)現(xiàn)在二維上對(duì)掩膜的品質(zhì)管控,以助于改善掩膜的制作質(zhì)量。

15、進(jìn)一步,重疊所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜得到重疊圖像,所述重疊圖像根據(jù)所述目標(biāo)掩膜的圖案輪廓?jiǎng)澐值玫蕉鄠€(gè)分段;對(duì)于每一分段,計(jì)算所述分段中光罩圖像的圖案和目標(biāo)掩膜的圖案之間的圖像差異度;統(tǒng)計(jì)所述多個(gè)分段的圖像差異度的數(shù)值分布;根據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。由此,通過影像截取結(jié)合統(tǒng)計(jì)數(shù)學(xué),基于統(tǒng)計(jì)結(jié)果直觀且全面地表征光罩圖像和目標(biāo)掩膜的圖形在各分段上的具體差異程度。統(tǒng)計(jì)結(jié)果可以作為掩膜品質(zhì)管控的依據(jù)之一,以助于優(yōu)化掩膜制作。



技術(shù)特征:

1.一種掩膜的檢測(cè)方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法,其特征在于,還包括:

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述根據(jù)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的圖像差異,檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性包括:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述獲取目標(biāo)掩膜包括:獲取所述目標(biāo)掩膜的至少一個(gè)第一預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域圖像;所述獲取光罩圖像包括:獲取所述光罩圖像的至少一個(gè)第二預(yù)設(shè)區(qū)域的區(qū)域圖像,所述至少一個(gè)第一預(yù)設(shè)區(qū)域和所述至少一個(gè)第二預(yù)設(shè)區(qū)域一一對(duì)應(yīng);所述重疊所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜得到重疊圖像包括:

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述根據(jù)所述多個(gè)分段的圖像差異度檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性包括:

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)方法,其特征在于,所述多個(gè)分段的圖像差異度的數(shù)值分布越分散、峰值越遠(yuǎn)離基準(zhǔn)線,所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性越差,其中,所述基準(zhǔn)線用于表征所述圖像差異度為零。

7.一種掩膜的檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:

8.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì),所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)為非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)或非瞬態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì),其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述計(jì)算機(jī)程序被處理器運(yùn)行時(shí)執(zhí)行權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述方法的步驟。

9.一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品,包括計(jì)算機(jī)程序/指令,其特征在于,該計(jì)算機(jī)程序/指令被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述方法的步驟。

10.一種終端,包括存儲(chǔ)器和處理器,所述存儲(chǔ)器上存儲(chǔ)有可在所述處理器上運(yùn)行的計(jì)算機(jī)程序,其特征在于,所述處理器運(yùn)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)執(zhí)行權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述方法的步驟。


技術(shù)總結(jié)
一種掩膜的檢測(cè)方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品、終端,所述方法包括:獲取目標(biāo)掩膜,所述目標(biāo)掩膜是經(jīng)過光學(xué)鄰近校正后的掩膜;獲取光罩圖像,所述光罩圖像是基于所述目標(biāo)掩膜制作得到的掩膜版的圖像;根據(jù)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的圖像差異,檢測(cè)所述光罩圖像和所述目標(biāo)掩膜的一致性。通過本公開方案能夠在二維上實(shí)現(xiàn)對(duì)掩膜的品質(zhì)管控,以助于改善掩膜的制作質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員:敖振宇,陳詠翔,曾鼎程,范富杰,胡展源
受保護(hù)的技術(shù)使用者:重慶芯聯(lián)微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/19
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