本公開涉及一種與內(nèi)部電壓的檢測(cè)相關(guān)的電子器件。

背景技術(shù)：

1、通常，諸如半導(dǎo)體器件的電子器件通過從外部接收電源電壓vdd和接地電壓vss來(lái)生成內(nèi)部操作所需的內(nèi)部電壓，并且使用所生成的內(nèi)部電壓。半導(dǎo)體器件的內(nèi)部操作所需的電壓包括供應(yīng)給存儲(chǔ)器的核心區(qū)域的核心電壓vcore、在驅(qū)動(dòng)字線時(shí)或在過驅(qū)動(dòng)時(shí)使用的升壓電壓vpp、以及被供應(yīng)作為核心區(qū)域的nmos晶體管的體電壓的反向偏置電壓vbb。

2、在這種情況下，從外部接收的電源電壓vdd僅需被降低至預(yù)定電平并且被供應(yīng)作為核心電壓vcore。然而，升壓電壓vpp具有比從外部接收的電源電壓vdd高的電平，并且反向偏置電壓vbb維持比從外部接收的接地電壓vss低的電平。因此，需要一種電荷泵送電路來(lái)為升壓電壓vpp和反向偏置電壓vbb供應(yīng)電荷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一種實(shí)施例中，一種電子器件可以包括測(cè)試控制電路，該測(cè)試控制電路被配置為生成測(cè)試碼，該測(cè)試碼被選擇或生成或“被配置為”生成參考電壓，該參考電壓的幅度基于(即，響應(yīng)于)測(cè)試碼而被調(diào)整。測(cè)試控制電路附加地被配置為生成測(cè)試電流，該測(cè)試電流的量基于參考電壓被調(diào)整，并且內(nèi)部電壓檢測(cè)電路被配置為生成檢測(cè)信號(hào)，用于通過基于測(cè)試電流檢測(cè)內(nèi)部電壓來(lái)控制內(nèi)部電壓的驅(qū)動(dòng)。在本公開的一種實(shí)施例中，優(yōu)選地，通過內(nèi)部電壓檢測(cè)電路檢測(cè)到的內(nèi)部電壓的電壓電平基于測(cè)試電流的量而被調(diào)整。

2、在一種實(shí)施例中，一種電子器件可以包括：測(cè)試碼生成電路，該測(cè)試碼生成電路被配置為當(dāng)進(jìn)入測(cè)試模式時(shí)生成第一測(cè)試碼和第二測(cè)試碼；參考電壓選擇電路，該參考電壓選擇電路被配置為生成第一參考電壓和第二參考電壓，該第一參考電壓的電壓電平和第二參考電壓的電壓電平分別基于第一測(cè)試碼和第二測(cè)試碼而被調(diào)整；測(cè)試電流生成電路，該測(cè)試電流生成電路被配置為生成測(cè)試電流，該測(cè)試電流的量基于第一參考電壓和第二參考電壓而被調(diào)整；以及內(nèi)部電壓檢測(cè)電路，該內(nèi)部電壓檢測(cè)電路被配置為通過基于測(cè)試電流檢測(cè)內(nèi)部電壓而生成用于內(nèi)部電壓的檢測(cè)信號(hào)。

技術(shù)特征：

1.一種電子器件，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述測(cè)試控制電路：接收測(cè)試模式使能信號(hào)，并且在所述測(cè)試控制電路進(jìn)入測(cè)試模式時(shí)生成測(cè)試碼。

3.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中：

4.如權(quán)利要求3所述的電子器件，其中，所述測(cè)試碼生成電路將包括所述第一測(cè)試碼的所述二進(jìn)制數(shù)字依次地調(diào)整為維持包括所述第二測(cè)試碼的所述二進(jìn)制數(shù)字的值。

5.如權(quán)利要求4所述的電子器件，其中，所述測(cè)試碼生成電路依次地調(diào)整所述第二測(cè)試碼的二進(jìn)制數(shù)字以維持所述第一測(cè)試碼。

6.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中：

7.如權(quán)利要求6所述的電子器件，其中，在所述第二參考電壓的電壓電平響應(yīng)于所述第二測(cè)試碼被維持的狀態(tài)下，所述參考電壓選擇電路響應(yīng)于所述第一測(cè)試碼依次地調(diào)整所述第一參考電壓的電壓電平。

8.如權(quán)利要求7所述的電子器件，其中，在所述第一參考電壓的電壓電平通過所述第一測(cè)試碼被維持的狀態(tài)下，所述參考電壓選擇電路響應(yīng)于所述第二測(cè)試碼而調(diào)整所述第二參考電壓的電壓電平。

9.如權(quán)利要求6所述的電子器件，其中，所述參考電壓選擇電路包括：

10.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中：

11.如權(quán)利要求10所述的電子器件，其中，所述測(cè)試電流生成電路還包括：

12.如權(quán)利要求11所述的電子器件，其中，所述測(cè)試電流生成電路生成電流量是所述第一電流的量與所述第二電流的量之和的所述測(cè)試電流。

13.如權(quán)利要求11所述的電子器件，其中，所述電壓設(shè)置電路包括：

14.如權(quán)利要求11所述的電子器件，其中，所述第一電流設(shè)置電路包括：

15.如權(quán)利要求11所述的電子器件，其中，所述第二電流設(shè)置電路包括：

16.一種電子器件，包括：

17.如權(quán)利要求16所述的電子器件，其中，所述內(nèi)部電壓檢測(cè)電路所檢測(cè)到的所述內(nèi)部電壓的電壓電平響應(yīng)于所述測(cè)試電流而被調(diào)整。

18.如權(quán)利要求16所述的電子器件，其中，所述測(cè)試碼生成電路：

19.如權(quán)利要求16所述的電子器件，其中，所述參考電壓選擇電路：

20.如權(quán)利要求16所述的電子器件，其中，所述測(cè)試電流生成電路包括：

技術(shù)總結(jié)
一種電子器件，其包括：測(cè)試控制電路，該測(cè)試控制電路被配置為生成測(cè)試碼，被配置為生成參考電壓，以及被配置為生成測(cè)試電流，其中，所述參考電壓的電壓電平響應(yīng)于測(cè)試碼而被調(diào)整，所述測(cè)試電流的量響應(yīng)于參考電壓而被調(diào)整；以及內(nèi)部電壓檢測(cè)電路，該內(nèi)部電壓檢測(cè)電路被配置為生成檢測(cè)信號(hào)，用于通過響應(yīng)于測(cè)試電流檢測(cè)內(nèi)部電壓來(lái)控制內(nèi)部電壓的驅(qū)動(dòng)。

技術(shù)研發(fā)人員：玉承翰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19