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適用于同軸結(jié)構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置的制作方法

文檔序號:11431427閱讀:164來源:國知局

本發(fā)明屬于電力系統(tǒng)電流、電壓測量技術范圍,特別涉及一種適用于同軸結(jié)構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置。



背景技術:

在現(xiàn)今電力系統(tǒng)中,高電壓的應用已經(jīng)無處不在,在高電壓使用過程中需要對其進行監(jiān)測,也就是測量高壓導線的電壓、電流等參數(shù)。如今最廣泛使用的用來測量高壓導線的方法是利用電壓互感器,通過電壓互感的原理使電壓降低以方便在較低電壓等級對其進行測量,并且具有使人遠離高壓作業(yè)的危險。但是傳統(tǒng)的電壓互感器測量方法也有其弊端,最突出的便是其設備體積龐大和質(zhì)量重,安全性差。



技術實現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的是提出一種適用于同軸結(jié)構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置,其特征在于,所述工頻高電壓植入式測量裝置的具體結(jié)構為:在gis外殼4和gis導體5之間套上絕緣子1,在gis高壓導體5靠近絕緣子1的地方切割出一圓孔,得到一導體切塊3,并在導體切塊3外周面套上絕緣環(huán)2,使其與gis高壓導體5絕緣,之后嵌入到切割出的圓孔內(nèi);在導體切塊3內(nèi)表面接一根導線引入屏蔽盒8中,該導線接到采樣電阻6一端。再從gis高壓導體5內(nèi)表面引另一根導線接入屏蔽盒8中,并連接到采樣電阻6的另一端;將光纖發(fā)射裝置7并聯(lián)到采樣電阻6兩端,將光纖發(fā)射裝置7的光纖9穿過gis高壓導體5和絕緣子1上的孔洞引出到gis外殼4外面,將采樣電阻6的電壓信號通過光纖9導出。

所述屏蔽盒內(nèi)固定采樣電阻6和光纖發(fā)射裝置7;屏蔽盒8固定在gis導體5內(nèi)。

本發(fā)明的有益效果是僅僅改造了局部高壓導體,就可以完成高壓導體上電壓的測量;改造過程簡單、裝置體積小、成本低可替代笨重的電壓互感器來實現(xiàn)電壓的測量,同時也實現(xiàn)了人與高壓的隔離,有極高的安全性;適合安裝在空氣隔離開關(gis)裝置上。

附圖說明

圖1為工頻高電壓植入式測量裝置結(jié)構示意圖。

具體實施方式

本發(fā)明提出一種適用于同軸結(jié)構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置,下面結(jié)合附圖予以說明。

圖1所示為工頻高電壓植入式測量裝置結(jié)構示意圖。所述工頻高電壓植入式測量裝置的具體結(jié)構為:在gis外殼4和gis導體5之間套上絕緣子1,在gis高壓導體5靠近絕緣子1的地方切割出一圓孔,得到一導體切塊3,并在導體切塊3外周面套上絕緣環(huán)2,使其與gis高壓導體5絕緣,之后嵌入到切割出的圓孔內(nèi);在導體切塊3內(nèi)表面接一根導線引入屏蔽盒8中,該導線接到采樣電阻6一端。再從gis高壓導體5內(nèi)表面引另一根導線接入屏蔽盒8中,并連接到采樣電阻6的另一端;將光纖發(fā)射裝置7并聯(lián)到采樣電阻6兩端,將光纖發(fā)射裝置7的光纖9穿過gis高壓導體5和絕緣子1上的孔洞引出到gis外殼4外面,將采樣電阻6的電壓信號通過光纖9導出。進而通過采樣電阻的電壓與高壓導體電壓的比例關系得到高壓導體的電壓。此裝置代替了原來笨重的電壓互感器。



技術特征:

技術總結(jié)
本發(fā)明公開了屬于電力系統(tǒng)電流、電壓測量技術范圍的一種適用于同軸結(jié)構高壓導體的工頻高電壓植入式測量裝置。該工頻高電壓植入式測量裝置的結(jié)構為:在GIS外殼和GIS高壓導體用絕緣子組裝成同軸結(jié)構,在高壓導體切塊外周面套上絕緣環(huán)之后嵌入到切割出導體切塊的圓孔內(nèi);在高壓導體切塊內(nèi)表面和GIS高壓導體內(nèi)表面各接一根導線引入屏蔽盒中,將兩根導線分別接到采樣電阻兩端。將光纖發(fā)射裝置并聯(lián)到采樣電阻兩端,再將光纖通過絕緣子內(nèi)部引出到GIS外殼外面,將采樣電阻的電壓信號導出,并按比例得到GIS高壓導體電壓。本發(fā)明僅僅改造了局部高壓導體,就可以完成高壓導體上電壓的測量;改造過程簡單、裝置體積小、成本低,替代電壓互感器,同時實現(xiàn)人與高壓的隔離,安全性極高。

技術研發(fā)人員:盧斌先;郭慶峰
受保護的技術使用者:華北電力大學
技術研發(fā)日:2017.03.22
技術公布日:2017.08.29
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