氨氣傳感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種氨氣傳感器，包括上層基片、中層基片和下層基片，上層基片與中層基片之間具有一定空間，空間內(nèi)形成有相鄰的進(jìn)氣區(qū)和反應(yīng)區(qū)，進(jìn)氣區(qū)和反應(yīng)區(qū)相隔離；上層基片上開設(shè)有第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口，第一進(jìn)氣口與進(jìn)氣區(qū)連通，第二進(jìn)氣口與反應(yīng)區(qū)連通；上層基片上從靠近第二進(jìn)氣口的位置開始依次設(shè)有多個(gè)第二加熱體；中層基片上設(shè)有氧泵、第一氧傳感器和第二氧傳感器，第一氧傳感器位于進(jìn)氣區(qū)的靠近第一進(jìn)氣口的位置，第二氧傳感器位于反應(yīng)區(qū)的遠(yuǎn)離第二進(jìn)氣口的一端，氧泵位于靠近第二進(jìn)氣口的位置。本實(shí)用新型的氨氣傳感器，可以精確地得出檢測(cè)氣體中的氨氣含量。
【專利說明】氨氣傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及氣體傳感器，特別涉及一種氨氣傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著人們生活水平的不斷提高和社會(huì)對(duì)環(huán)境質(zhì)量的日益關(guān)注，人們?cè)絹碓叫枰獙?duì)各種有毒、有害氣體進(jìn)行探測(cè)，對(duì)大氣污染以及工業(yè)廢氣的監(jiān)測(cè)都對(duì)氣體傳感器提出了高的要求。例如，在汽車尾氣處理中，處理不完全會(huì)有氨氣排出，因此就需要應(yīng)用氨氣傳感器。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:為了克服現(xiàn)有汽車尾氣處理不完全的不足，本實(shí)用新型提供一種氨氣傳感器。
[0004]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種氨氣傳感器，包括上層基片、中層基片和下層基片，所述上層基片與中層基片之間具有一定空間，所述空間內(nèi)形成有相鄰的進(jìn)氣區(qū)和反應(yīng)區(qū)，所述進(jìn)氣區(qū)和反應(yīng)區(qū)相隔離；
[0005]所述上層基片上開設(shè)有第一進(jìn)氣口和第二進(jìn)氣口，第一進(jìn)氣口與進(jìn)氣區(qū)連通，第二進(jìn)氣口與反應(yīng)區(qū)連通；
[0006]所述上層基片上從靠近第二進(jìn)氣口的位置開始依次設(shè)有多個(gè)第二加熱體；
[0007]所述中層基片上設(shè)有氧泵、第一氧傳感器和第二氧傳感器，所述第一氧傳感器位于進(jìn)氣區(qū)的靠近第一進(jìn)氣口的位置，所述第二氧傳感器位于反應(yīng)區(qū)的遠(yuǎn)離第二進(jìn)氣口的一端，所述氧泵位于靠近第二進(jìn)氣口的位置。
[0008]所述下層基片上設(shè)有第一加熱體，所述第一加熱體在中層基片上從靠近第一進(jìn)氣口的位置開始一直往靠近第二氧傳感器的位置延伸。
[0009]所述上層基片上從靠近第二進(jìn)氣口的位置開始依次設(shè)有三個(gè)第二加熱體，三個(gè)第二加熱體從靠近第二進(jìn)氣口的位置一直延伸到靠近第二氧傳感器的位置。
[0010]所述第一進(jìn)氣口位于反應(yīng)區(qū)的靠近進(jìn)氣區(qū)的一端，第二進(jìn)氣口位于進(jìn)氣區(qū)的靠近反應(yīng)區(qū)的一端。
[0011]本實(shí)用新型的有益效果是，本實(shí)用新型的氨氣傳感器，可以精確地得出檢測(cè)氣體中的氨氣含量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0013]圖1是本實(shí)用新型的氨氣傳感器最優(yōu)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖中10、上層基片，11、第一進(jìn)氣口，12、第二進(jìn)氣口，13、第二加熱體，20、中層基片，21、氧泵、22、第一氧傳感器，23、第二氧傳感器，30、下層基片，31、第一加熱體，40、進(jìn)氣區(qū)，50、反應(yīng)區(qū)。

【具體實(shí)施方式】
[0015]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0016]如圖1所示，本實(shí)用新型的一種氨氣傳感器，包括上層基片10、中層基片20和下層基片30，所述上層基片10與中層基片20之間具有一定空間，所述空間內(nèi)形成有相鄰的進(jìn)氣區(qū)40和反應(yīng)區(qū)50，所述進(jìn)氣區(qū)40和反應(yīng)區(qū)50相隔離。
[0017]所述上層基片10上開設(shè)有第一進(jìn)氣口 11和第二進(jìn)氣口 12，所述第一進(jìn)氣口 11位于反應(yīng)區(qū)50的靠近進(jìn)氣區(qū)40的一端，第二進(jìn)氣口 12位于進(jìn)氣區(qū)40的靠近反應(yīng)區(qū)50的一端，并且第一進(jìn)氣口 11與進(jìn)氣區(qū)40連通，第二進(jìn)氣口 12與反應(yīng)區(qū)50連通。
[0018]所述上層基片10上從靠近第二進(jìn)氣口 12的位置開始依次設(shè)有三個(gè)第二加熱體13 ;三個(gè)第二加熱體13從靠近第二進(jìn)氣口 12的位置一直延伸到靠近第二氧傳感器23的位置。
[0019]所述中層基片20上設(shè)有氧泵21、第一氧傳感器22和第二氧傳感器23，所述第一氧傳感器22位于進(jìn)氣區(qū)40的靠近第一進(jìn)氣口 11的位置，所述第二氧傳感器23位于反應(yīng)區(qū)50的遠(yuǎn)離第二進(jìn)氣口 12的一端，所述氧泵21位于靠近第二進(jìn)氣口 12的位置。
[0020]所述下層基片30上設(shè)有第一加熱體31，所述第一加熱體31在中層基片20上從靠近第一進(jìn)氣口 11的位置開始一直往靠近第二氧傳感器23的位置延伸。
[0021]本實(shí)用新型的原理如下:
[0022]根據(jù)化學(xué)式:NH3+02—N2+H20(600°C?700°C)，可以知道，氨氣在(600°C?700°C )與氧氣燃燒，反應(yīng)后生成氮?dú)夂退?br> [0023]根據(jù)以上條件，如圖1所示，
[0024]第一氧傳感器22，檢測(cè)第一進(jìn)氣口 11處的含氧量，所得含氧量數(shù)值，為當(dāng)前檢測(cè)氣體氧含量的初始值，記為02(初始值)。由于進(jìn)氣區(qū)40和反應(yīng)區(qū)50隔離，第一進(jìn)氣口 11處的含氧量不會(huì)受到反應(yīng)區(qū)的影響，能夠檢測(cè)到穩(wěn)定的檢測(cè)氣體氧含量的初始值。
[0025]氧泵21，通過從第二進(jìn)氣口 12處泵入恒定值的氧氣在反應(yīng)區(qū)50燃燒，記為02 (恒定值)。
[0026]第二氧傳感器23，檢測(cè)反應(yīng)區(qū)50燃燒反應(yīng)后剩余的氧含量，記為02(反應(yīng)后剩余值)。
[0027]通過以上可以得出，與氨氣反應(yīng)掉的含氧值:02(反應(yīng)值)可以表述為:
[0028]02 (初始值)+02 (恒定值)_02 (反應(yīng)后剩余值)=02 (反應(yīng)值)
[0029]通過本實(shí)用新型的氨氣傳感器檢測(cè)，得出反應(yīng)值02，根據(jù)化學(xué)式:NH3+02 — Ν2+Η20,配平:4NH3+302 = 2N2+6H20，可得出檢測(cè)氣體中的氨氣數(shù)值含量。
[0030]以上述依據(jù)本實(shí)用新型的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)實(shí)用新型技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)實(shí)用新型的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種氨氣傳感器，其特征在于:包括上層基片(10)、中層基片(20)和下層基片(30)，所述上層基片(10)與中層基片(20)之間具有一定空間，所述空間內(nèi)形成有相鄰的進(jìn)氣區(qū)(40)和反應(yīng)區(qū)(50)，所述進(jìn)氣區(qū)(40)和反應(yīng)區(qū)(50)相隔離； 所述上層基片(10)上開設(shè)有第一進(jìn)氣口(11)和第二進(jìn)氣口(12)，第一進(jìn)氣口(11)與進(jìn)氣區(qū)(40)連通，第二進(jìn)氣口(12)與反應(yīng)區(qū)(50)連通； 所述上層基片(10)上從靠近第二進(jìn)氣口(12)的位置開始依次設(shè)有多個(gè)第二加熱體(13)； 所述中層基片(20)上設(shè)有氧泵(21)、第一氧傳感器(22)和第二氧傳感器(23)，所述第一氧傳感器(22)位于進(jìn)氣區(qū)(40)的靠近第一進(jìn)氣口(11)的位置，所述第二氧傳感器(23)位于反應(yīng)區(qū)(50)的遠(yuǎn)離第二進(jìn)氣口(12)的一端，所述氧泵(21)位于靠近第二進(jìn)氣口(12)的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的氨氣傳感器，其特征在于:所述下層基片(30)上設(shè)有第一加熱體(31)，所述第一加熱體(31)在中層基片(20)上從靠近第一進(jìn)氣口(11)的位置開始一直往靠近第二氧傳感器(23)的位置延伸。
3.如權(quán)利要求1所述的氨氣傳感器，其特征在于:所述上層基片(10)上從靠近第二進(jìn)氣口(12)的位置開始依次設(shè)有三個(gè)第二加熱體(13)，三個(gè)第二加熱體(13)從靠近第二進(jìn)氣口(12)的位置一直延伸到靠近第二氧傳感器(23)的位置。
4.如權(quán)利要求1所述的氨氣傳感器，其特征在于:所述第一進(jìn)氣口(11)位于反應(yīng)區(qū)(50)的靠近進(jìn)氣區(qū)(40)的一端，第二進(jìn)氣口(12)位于進(jìn)氣區(qū)(40)的靠近反應(yīng)區(qū)(50)的一端。
【文檔編號(hào)】G01N31/12GK204188581SQ201420530546
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年9月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月15日
【發(fā)明者】湯忠華, 潘登, 劉嶼, 滕衛(wèi)星, 陳烈 申請(qǐng)人:金壇鴻鑫電子科技有限公司