抗干擾的紅外截止型光敏傳感器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，屬于光通信【技術(shù)領(lǐng)域】。其包括相對設(shè)置的陰極和陽極及樹脂層，所述陽極的頂面設(shè)置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三極管芯片，所述硅光敏芯片的發(fā)射極電連接所述硅外延平面型NPN三極管芯片的基極，所述硅外延平面型NPN三極管芯片電連接所述陰極；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面與該光敏傳感器的軸向方向不垂直。解決了以往技術(shù)不環(huán)保、抗紅外光和發(fā)射光干擾能力差的問題。
【專利說明】抗干擾的紅外截止型光敏傳感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及光通信【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及具有抗反射光干擾的紅外截止型光敏傳感器。

【背景技術(shù)】
[0002]光敏電阻是利用半導(dǎo)體的光電效應(yīng)制成的一種電阻值隨入射光的強(qiáng)弱而改變的電阻器，入射光變強(qiáng)時(shí)，其電阻減小，入射光變?nèi)鯐r(shí)，其電阻增大。光敏電阻一般用于光的測量、光的控制和光電轉(zhuǎn)換等?，F(xiàn)有技術(shù)的光敏電阻由基板、涂覆于整個(gè)基板表面的光敏層，以及光敏層上鍍有的梳狀電極及其電極引腳組成。而這些光敏層大多是含有硫化鎘(CdS)，而硫化鎘中的鎘屬于重金屬，對人體和環(huán)境都具有很大的危害性。另外，在使用過程中容易受到環(huán)境光產(chǎn)生的紅外線、反射光等的干擾，造成穩(wěn)定性差、一致性不好的問題。為了解決上述的問題，企業(yè)采用多種方案來解決，其中多使用添加隔離器或者薄膜之類的來對光線進(jìn)行發(fā)射和隔離，但是這樣會降低芯片的光功率，而且其成本也較高，不能滿足企業(yè)的真正需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其目的是解決現(xiàn)有的光敏傳感器環(huán)境污染大、抗紅外光、發(fā)射光干擾能力差等的問題。
[0004]為了解決上述的技術(shù)問題，本實(shí)用新型提出的基本解決方案為:一種抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，包括相對設(shè)置的陰極和陽極及樹脂層，所述陽極的頂面設(shè)置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三極管芯片，所述硅光敏芯片的發(fā)射極電連接所述硅外延平面型NPN三極管芯片的基極，所述硅外延平面型NPN三極管芯片電連接所述陰極；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面與該光敏傳感器的軸向方向不垂直。
[0005]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述陽極的頂面為傾向所述陰極的傾斜面。
[0006]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述陽極的頂面的傾斜度為5。?10°。
[0007]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述陽極的頂面為水平面，所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面為傾斜面。
[0008]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述硅光敏芯片的光敏面和硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面的傾斜度為5°?10°。
[0009]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述硅光敏芯片為硅光敏二極管芯片或者硅光敏三極管芯片。
[0010]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述樹脂層為淡綠色或者里任
[0011]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述硅光敏芯片、硅外延平面型NPN三極管芯片和陰極依次通過金線電連接。
[0012]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器中，所述陽極和所述陰極的下部連接有絕緣支架。
[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0014]1、本實(shí)用新型利用光敏三極管放大原理，將硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三極管芯片綁定在陽極的頂面，其電路簡單，實(shí)現(xiàn)光電流放大效果以及解決了以往采用增益放大電路而造成成本高的問題。
[0015]2、本實(shí)用新型將陽極的頂面設(shè)置為傾斜面或者將硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面設(shè)置成傾斜面，使得信號光以一定的入射角入射到接收芯片的光敏面上，當(dāng)發(fā)射光經(jīng)過光敏面反射后就不能沿原光路被發(fā)射回光纖，而是被反射到其他對反射無任何反應(yīng)的其他地方，這一結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)很好的處理了原本難以控制的反射光，提高了光接收器的光回波損耗，適用于大批量生產(chǎn)和質(zhì)量管。
[0016]3、本實(shí)用新型采用黑色或者淡綠色的樹脂層能夠提高光敏傳感器的抗紅外干擾能力。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]以下將結(jié)合附圖1和附圖2對本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明，但不應(yīng)以此來限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0020]為了方便說明并且理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，以下說明所使用的方位詞均以附圖所展示的方位為準(zhǔn)。
[0021]本實(shí)用新型所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，包括相對設(shè)置的陰極和陽極、及樹脂層，所述陽極的頂面設(shè)置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三極管芯片，所述硅光敏芯片的發(fā)射極電連接所述硅外延平面型NPN三極管芯片的基極，所述硅外延平面型NPN三極管芯片電連接所述陰極；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面與該光敏傳感器的軸向方向不垂直。本實(shí)用新型很好的解決了以往光敏傳感器環(huán)保性能差，抗紅外光干擾和抗反射光能力差以及需要另外增添電流增益電路而導(dǎo)致成本大幅度增加的問題，其適用于在紅外輻射噪聲強(qiáng)的可見光線性測量/開關(guān)作為控制信號應(yīng)用領(lǐng)域，無鉛、無鎘，替代傳統(tǒng)硫化鎘(CdS)光敏電阻，在光控開關(guān)，背光控制、紅外補(bǔ)光燈開關(guān)控制等領(lǐng)域有著很廣泛的市場前景。
[0022]具體實(shí)施例一
[0023]對照圖1，本實(shí)用新型的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器包括陽極10、陰極20、樹脂層30以及絕緣支架40。其中所述陽極10的頂面101為傾向所述陰極20的傾斜面，該傾斜面的傾斜度為a = 5° ;在陽極的頂面101上設(shè)置有硅光敏三極管芯片50和NPN型光敏三極管芯片60，所述的硅光敏三極管芯片50、NPN型光敏三極管芯片60和陰極20依次通過金線70電連接；其中，樹脂層30為淡綠色。
[0024]由于陽極的頂面101為傾斜面，所以所述的硅光敏三極管芯片5和NPN型光敏三極管芯片60的光敏面與該光敏傳感器不成90°，這樣當(dāng)光線照射到光敏面上時(shí)，當(dāng)發(fā)射光經(jīng)過光敏面反射后就不能沿原光路被發(fā)射回光纖，而是被反射到其他對反射無任何反應(yīng)的其他地方，這一結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)很好的處理了原本難以控制的反射光，大大降低了反射光的干擾。
[0025]具體實(shí)施例二
[0026]對照圖2，本實(shí)施例與具體實(shí)施例一相比，其不同點(diǎn)在于:所述陽極100的頂面1001為水平面，設(shè)置在該陽極100的頂面1001上的硅光敏三極管芯片200和NPN型光敏三極管芯片300的光敏面為傾斜面。采用這樣的技術(shù)，也能夠使得光線照射之后，反射光反射到其他地方，能夠大大降低反射光對該光敏傳感器的干擾。
[0027]根據(jù)上述說明書的揭示和教導(dǎo)，本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對上述實(shí)施方式進(jìn)行變更和修改。因此，本實(shí)用新型并不局限于上面揭示和描述的【具體實(shí)施方式】，對本實(shí)用新型的一些修改和變更也應(yīng)當(dāng)落入本實(shí)用新型的權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。此外，盡管本說明書中使用了一些特定的術(shù)語，但這些術(shù)語只是為了方便說明，并不對本實(shí)用新型構(gòu)成任何限制。
【權(quán)利要求】
1.一種抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，包括相對設(shè)置的陰極和陽極及樹脂層，其特征在于: 所述陽極的頂面設(shè)置有硅光敏芯片和硅外延平面型NPN三極管芯片，所述硅光敏芯片的發(fā)射極電連接所述硅外延平面型NPN三極管芯片的基極，所述硅外延平面型NPN三極管芯片電連接所述陰極；所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面與該光敏傳感器的軸向方向不垂直。
2.如權(quán)利要求1所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述陽極的頂面為傾向所述陰極的傾斜面。
3.如權(quán)利要求2所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述陽極的頂面的傾斜度為5°?10°。
4.如權(quán)利要求1所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述陽極的頂面為水平面，所述硅光敏芯片的光敏面和所述硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面為傾斜面。
5.如權(quán)利要求4所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器,其特征在于:所述娃光敏芯片的光敏面和硅外延平面型NPN三極管芯片的光敏面的傾斜度為5°?10°。
6.如權(quán)利要求1所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述娃光敏芯片為硅光敏二極管芯片或者硅光敏三極管芯片。
7.如權(quán)利要求1所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述樹脂層為淡綠色或者黑色。
8.如權(quán)利要求1所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述硅光敏芯片、硅外延平面型NPN三極管芯片和陰極依次通過金線電連接。
9.如權(quán)利要求1所述的抗干擾的紅外截止型光敏傳感器，其特征在于:所述陽極和所述陰極的下部連接有絕緣支架。
【文檔編號】G01J1/04GK204101178SQ201420444477
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年8月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月8日
【發(fā)明者】吳曉龍, 吳勝 申請人:吳曉龍