一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備及檢測方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備，包括機(jī)殼、檢測控制主板、TTL主芯片電路板、兩排8芯孔式接口、供電模塊、LED顯示模塊、小鍵盤輸入模塊、硬盤狀態(tài)電指示燈組，檢測控制主板上設(shè)置有中央處理器，控制主板通過USB接線位和TTL主芯片電路板相連，TTL主芯片電路板和兩排8芯孔式接口相連，控制主板通過ATA信號接口線和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連，供電模塊為西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備和目標(biāo)西數(shù)硬盤供電，兩排8芯孔式接口、供電模塊和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連，小鍵盤輸入模塊和LED顯示模塊、硬盤狀態(tài)電指示燈組分別與控制主板相連。還公開了一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，可以精確判斷目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板狀態(tài)，確定是否可以對目標(biāo)西數(shù)硬盤可以進(jìn)行深度維修。
【專利說明】一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備及檢測方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備及檢測方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著手機(jī)、MP4、電腦等諸多電子產(chǎn)品的日漸普及，由此帶來的電子垃圾污染問題 也日益嚴(yán)重。而在每年產(chǎn)生的巨量的電子垃圾中，有近七成的西數(shù)硬盤是可以進(jìn)行回收并 循環(huán)再生利用的，可是由于很多西數(shù)硬盤不通電、電機(jī)不轉(zhuǎn)動、磁頭撞擊、無法就緒、大量壞 道、無法讀寫等故障，特別是新款西數(shù)硬盤有一個常見的故障，因為硬盤電路板的ROM信息 出錯，導(dǎo)致硬盤通電后，電機(jī)是不起轉(zhuǎn)的，如果是外置的ROM芯片就可以直接更換處理，可 是新款的西數(shù)硬盤將ROM芯片固化到主芯片中，讓用戶自己無法單獨(dú)更換ROM芯片，以致無 法用現(xiàn)有的常規(guī)方法維修，很多時候，用戶都會把這些硬盤直接報廢，本發(fā)明就是闡述一種 方法，可以精確判斷不通電的新款西數(shù)硬盤是不是屬于這類故障。這類故障是可以進(jìn)行維 修的，只是目前還沒有一種很好的工具能針對這類故障的新款西數(shù)硬盤進(jìn)行可靠性檢測、 再生修復(fù)，現(xiàn)有的修復(fù)過程復(fù)雜，再生成本高，進(jìn)而限制了西數(shù)硬盤的回收利用率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備 及檢測方法，用于實現(xiàn)和西數(shù)硬盤的底層通訊，精確判斷目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板狀態(tài)，確定 是否可以對目標(biāo)西數(shù)硬盤可以進(jìn)行深度維修。
[0004] 本發(fā)明采用的技術(shù)方案是：一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備，包括機(jī)殼以及設(shè)置在 機(jī)殼內(nèi)的檢測控制主板、TTL主芯片電路板、兩排8芯孔式接口、供電模塊、LED顯示模塊、小 鍵盤輸入模塊、硬盤狀態(tài)電指示燈組，所述檢測控制主板上設(shè)置有中央處理器，所述控制主 板通過USB接線位和TTL主芯片電路板相連，TTL主芯片電路板和兩排8芯孔式接口相連， 所述控制主板通過ΑΤΑ信號接口線和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連， 所述供電模塊為西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備和目標(biāo)西數(shù)硬盤供電，所述兩排8芯孔式接 口、供電模塊和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連，所述小鍵盤輸入模塊和LED顯示模塊、硬盤狀態(tài)電指示 燈組分別與控制主板相連。所述TTL主芯片從正面觀察，通過右側(cè)第十引腳和第十四引腳 分別和兩排8芯孔式接口的RXD端和TXD端相連，所述兩排8芯孔式接口連接西數(shù)硬盤上 的兩排8芯針式插口，通過RXD和TXD端獲取西數(shù)硬盤底層信息。所述硬盤狀態(tài)電指示燈 組由就緒燈、讀信號燈、寫信號燈組成， 另外，還涉及一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，與西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備配套的硬盤 電路板檢測軟件，硬盤電路板檢測軟件可以精確判斷目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板狀態(tài)，確定是 否可以對目標(biāo)西數(shù)硬盤可以進(jìn)行深度維修。硬盤電路板檢測軟件在確定所有接口接觸良好 的情況下，先設(shè)定虛擬C Ο Μ 口（參數(shù)范圍3-6)和波特率后(參數(shù)范圍9600-128000)，觀察 硬盤狀態(tài)電指示燈組的就緒燈是否亮，如果亮，就表示是因為目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板是可 以操作的；如果就緒燈不亮，就必須先更換或者維修電路板后再進(jìn)行測試。導(dǎo)致就緒燈不 亮的常見故障包括：電路板元件損壞、電路板破裂、電路板的電源接口壞、ROM芯片損壞、電 路板的信號接口壞等。所述深度維修具體包括更換電路板、更換電路板接口、更換磁頭、更 換電機(jī)、重寫ROM、消減磁頭數(shù)、修復(fù)固件、指令修復(fù)LBA=0、解除固件鎖、重建譯碼表、處理G 缺陷表和P缺陷表、硬盤密碼解鎖、磁盤降容、降密度、降速、優(yōu)化后的SF自校修復(fù)。對于就 緒燈亮的西數(shù)硬盤先進(jìn)行ROM信息備份，信息備份時，硬盤狀態(tài)電指示燈組的讀信號燈亮， 代表有ROM信息可以備份，讀信號燈不亮，代表沒有ROM信息可以備份，或者備份不成功， 不論是否備份成功都進(jìn)行ROM信息寫測試。ROM信息寫測試是通過小鍵盤輸入模塊輸入指 令(參數(shù)范圍1-3,其中指令1是代表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入160G的測試ROM 程序；指令2是代表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入320G的測試ROM程序；指令3是代 表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入500G的測試ROM程序)，指令執(zhí)行時，寫信號燈會亮， 指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷電，再通電后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)轉(zhuǎn)動，則證明寫測試通過， 可以進(jìn)行深度維修；指令執(zhí)行時，寫信號燈不亮，指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷電，再通電 后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)不轉(zhuǎn)動，則證明寫測試失敗，更換指令參數(shù)，繼續(xù)寫測試，全部參數(shù)寫 測試都失敗的西數(shù)硬盤進(jìn)行電路板維修或者更換。
[0005] 該西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備及檢測方法，用于實現(xiàn)和西數(shù)硬盤的底層通訊，精確 判斷目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板狀態(tài)，確定是否可以對目標(biāo)西數(shù)硬盤可以進(jìn)行深度維修。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 以下結(jié)合附圖和實例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
[0007] 圖1是本發(fā)明的一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意框圖； 圖2是西數(shù)硬盤兩排8芯針式插口以及ΑΤΑ信號接口、ΑΤΑ電源接口示意框圖； 圖3是本發(fā)明的西數(shù)硬盤電路板檢測方法的流程示意圖。
[0008] 其中，圖1中的標(biāo)號所代表為：1為RXD接收數(shù)據(jù)的引腳，2為TXD發(fā)送數(shù)據(jù)的引 腳，3為接地點，4為就緒燈，5為讀信號燈，6端為寫信號燈，Α為對接西數(shù)硬盤的兩排8芯 孔式接口，B為連接硬盤ΑΤΑ信號接口線，C為供電模塊，D為西數(shù)硬盤兩排8芯針式插口， Ε為硬盤ΑΤΑ信號接口，F(xiàn)為硬盤ΑΤΑ電源接口； 圖2中的標(biāo)號所代表為：1為西數(shù)硬盤兩排8芯針式插口，2為硬盤ΑΤΑ信號接口，3為 硬盤ΑΤΑ電源接口。

【具體實施方式】
[0009] 參照圖1，一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備，包括機(jī)殼以及設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)的檢測控制 主板、TTL主芯片電路板、兩排8芯孔式接口、供電模塊、LED顯示模塊、小鍵盤輸入模塊、硬 盤狀態(tài)電指示燈組，所述檢測控制主板上設(shè)置有中央處理器，所述控制主板通過USB接線 位和TTL主芯片電路板相連，TTL主芯片電路板和兩排8芯孔式接口相連，所述控制主板通 過ΑΤΑ信號接口線和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連，參照圖2。所述供電模塊為西數(shù)硬盤電路板檢測 設(shè)備和目標(biāo)西數(shù)硬盤供電，參照圖2 ;所述兩排8芯孔式接口、供電模塊和目標(biāo)西數(shù)硬盤相 連，參照圖2 ;所述小鍵盤輸入模塊和LED顯示模塊、硬盤狀態(tài)電指示燈組分別與控制主板 相連。
[0010] 參照圖3,本發(fā)明還提供了一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，在確定所有接口接觸良 好的情況下，先設(shè)定虛擬c Ο Μ 口（參數(shù)范圍3-6)和波特率后(參數(shù)范圍9600-128000)，觀 察硬盤狀態(tài)電指示燈組的就緒燈是否亮，如果亮，就表示是因為目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板是 可以操作的；如果就緒燈不亮，就必須先更換或者維修電路板后再進(jìn)行測試。對于就緒燈亮 的西數(shù)硬盤先進(jìn)行ROM信息備份，信息備份時，硬盤狀態(tài)電指示燈組的讀信號燈亮，代表有 ROM信息可以備份，讀信號燈不亮，代表沒有ROM信息可以備份，或者備份不成功，不論是否 備份成功都進(jìn)行ROM信息寫測試，西數(shù)硬盤ROM信息寫測試，其特征在于，通過小鍵盤輸入 模塊輸入指令(參數(shù)范圍1-3,其中指令1是代表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入160G 的測試ROM程序；指令2是代表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入320G的測試ROM程序； 指令3是代表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入500G的測試ROM程序)，指令執(zhí)行時，寫信 號燈會亮，指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷電，再通電后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)轉(zhuǎn)動，則證明寫 測試通過，可以進(jìn)行深度維修；指令執(zhí)行時，寫信號燈不亮，指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷 電，再通電后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)不轉(zhuǎn)動，則證明寫測試失敗，更換指令參數(shù)，繼續(xù)寫測試， 全部參數(shù)寫測試都失敗的西數(shù)硬盤進(jìn)行電路板維修或者更換。
[0011] 以下以一個西數(shù)WD320AVBS-63TAA0 (320G)三角板硬盤為例，電路板號為 2060-701444-003,屬于新款無外置ROM芯片的西數(shù)硬盤，故障為通電后，電機(jī)不轉(zhuǎn)，用萬用 表測量，有電輸入，硬盤完全不工作，通過常規(guī)的ΑΤΑ信號通道，無法訪問，CMOS無法識別硬 盤，常規(guī)軟件也無法操作，一般技術(shù)人員多數(shù)判定為電路板壞，其實電路板是好的，通過本 發(fā)明可以進(jìn)行底層通訊和電路板測試。
[0012] 具體操作如下： 在確定所有接口接觸良好的情況下，先設(shè)定虛擬c Ο Μ 口為3 (參數(shù)范圍3-6)和波特 率9600后（參數(shù)范圍9600-128000)，觀察硬盤狀態(tài)電指示燈組的就緒燈是亮的，說明目標(biāo) 西數(shù)硬盤的電路板是可以操作的，先進(jìn)行ROM信息備份，不論是否備份成功都進(jìn)行ROM信息 寫測試。ROM信息寫測試是通過小鍵盤輸入模塊輸入指令3(參數(shù)范圍1-3,指令3是代表對 目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入500G的測試ROM程序)，指令執(zhí)行時，寫信號燈會亮，指令執(zhí) 行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷電，再通電后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)不轉(zhuǎn)動，則證明寫測試失敗，更換 指令參數(shù)2 (參數(shù)范圍1-3,其中指令2是代表對目標(biāo)西數(shù)硬盤電路板的ROM寫入320G的 測試ROM程序)，繼續(xù)寫測試，寫信號燈會亮，指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷電，再通電后， 目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)轉(zhuǎn)動，則證明寫測試通過，可以進(jìn)行深度維修。選擇和目標(biāo)西數(shù)硬盤容量 相對應(yīng)的指令參數(shù)成功率大很多。
[0013] 所述深度維修具體包括更換電路板、更換電路板接口、更換磁頭、更換電機(jī)、重寫 ROM、消減磁頭數(shù)、修復(fù)固件、指令修復(fù)LBA=0、解除固件鎖、重建譯碼表、處理G缺陷表和P缺 陷表、硬盤密碼解鎖、磁盤降容、降密度、降速、優(yōu)化后的SF自校修復(fù)。
[0014] 以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此， 任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備，其特征在于：包括機(jī)殼以及設(shè)置在機(jī)殼內(nèi)的檢測控 制主板、TTL主芯片電路板、兩排8芯孔式接口、供電模塊、LED顯示模塊、小鍵盤輸入模塊、 硬盤狀態(tài)電指示燈組，所述檢測控制主板上設(shè)置有中央處理器，所述控制主板通過USB接 線位和TTL主芯片電路板相連，TTL主芯片電路板和兩排8芯孔式接口相連，所述控制主板 通過ΑΤΑ信號接口線和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連，所述供電模塊為西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備和目 標(biāo)西數(shù)硬盤供電，所述兩排8芯孔式接口、供電模塊和目標(biāo)西數(shù)硬盤相連，所述小鍵盤輸入 模塊和LED顯示模塊、硬盤狀態(tài)電指示燈組分別與控制主板相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備，其特征在于：所述TTL主芯 片從正面觀察，通過右側(cè)第十引腳和第十四引腳分別和兩排8芯孔式接口的RXD端和TXD 端相連，所述兩排8芯孔式接口連接西數(shù)硬盤上的兩排8芯針式插口，通過RXD和TXD端獲 取西數(shù)硬盤底層信息。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備，其特征在于：所述硬盤狀態(tài) 電指示燈組由就緒燈、讀信號燈、寫信號燈組成。
4. 一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，其特征在于：與西數(shù)硬盤電路板檢測設(shè)備配套的硬 盤電路板檢測軟件，硬盤電路板檢測軟件可以精確判斷目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板狀態(tài)，確定 是否可以對目標(biāo)西數(shù)硬盤可以進(jìn)行深度維修。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，其特征在于：硬盤電路板檢 測軟件在確定所有接口接觸良好的情況下，先設(shè)定虛擬C Ο Μ 口（參數(shù)范圍3-6)和波特率 后(參數(shù)范圍9600-128000)，觀察硬盤狀態(tài)電指示燈組的就緒燈是否亮，如果亮，就表示是 因為目標(biāo)西數(shù)硬盤的電路板是可以操作的；如果就緒燈不亮，就必須先更換或者維修電路 板后再進(jìn)行測試；對于就緒燈亮的西數(shù)硬盤先進(jìn)行ROM信息備份，信息備份時，硬盤狀態(tài)電 指示燈組的讀信號燈亮，代表有ROM信息可以備份，讀信號燈不亮，代表沒有ROM信息可以 備份，或者備份不成功，不論是否備份成功都進(jìn)行ROM信息寫測試。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，其特征在于，通過小鍵盤輸 入模塊輸入指令(參數(shù)范圍1-3)，指令執(zhí)行時，寫信號燈會亮，指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬 盤斷電，再通電后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)轉(zhuǎn)動，則證明寫測試通過，可以進(jìn)行深度維修；指令執(zhí) 行時，寫信號燈不亮，指令執(zhí)行后，對目標(biāo)西數(shù)硬盤斷電，再通電后，目標(biāo)西數(shù)硬盤電機(jī)不轉(zhuǎn) 動，則證明寫測試失敗，更換指令參數(shù)，繼續(xù)寫測試，全部參數(shù)寫測試都失敗的西數(shù)硬盤進(jìn) 行電路板維修或者更換。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種西數(shù)硬盤電路板檢測方法，其特征在于，所述深度維修 具體包括更換電路板、更換電路板接口、更換磁頭、更換電機(jī)、重寫ROM、消減磁頭數(shù)、修復(fù)固 件、指令修復(fù)LBA=0、解除固件鎖、重建譯碼表、處理G缺陷表和P缺陷表、硬盤密碼解鎖、磁 盤降容、降密度、降速、優(yōu)化后的SF自校修復(fù)。
【文檔編號】G01R31/28GK104122496SQ201410359172
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月26日
【發(fā)明者】蔡潤澤, 蔡楊毅, 蔡杰, 莫小麗, 蔡敏靈 申請人:蔡敏靈