雙晶縱波斜探頭的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼，屏蔽外殼內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊和右楔塊，左楔塊和右楔塊之間設(shè)置有隔聲層，左楔塊和右楔塊的上表面上分別設(shè)置有左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層，左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層上分別設(shè)置有左晶片和右晶片，屏蔽外殼上還設(shè)置有發(fā)射探頭和接收探頭，發(fā)射探頭內(nèi)的芯線柱引出有第一導(dǎo)線，發(fā)射探頭的外殼引出有第二導(dǎo)線，第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線之間并聯(lián)有左電感，接收探頭內(nèi)的芯線柱引出第三導(dǎo)線，接收探頭的外殼引出有第四導(dǎo)線，第三導(dǎo)線和第四導(dǎo)線之間并聯(lián)有右電感。本發(fā)明的有益效果是，通過增加聲阻抗匹配層來實(shí)現(xiàn)探頭與負(fù)載之間的匹配，提高探頭檢測(cè)精度。
【專利說明】雙晶縱波斜探頭
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超聲波探頭【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種雙晶縱波斜探頭。
【背景技術(shù)】
[0002]為了確保超聲波檢測(cè)的可靠性，選擇良好的探頭是關(guān)鍵。雙晶探頭的結(jié)構(gòu)是兩個(gè)單探頭的組合，一個(gè)用于發(fā)射一個(gè)用于接收，發(fā)射電脈沖不進(jìn)入接收電路，因此不受探傷儀器放大器的阻塞影響，可以探測(cè)近表面缺陷。收發(fā)探頭都有各自的延遲塊，而且兩個(gè)延遲塊的聲束入射平面均帶一傾角，傾角的大小則取決于要探測(cè)區(qū)域距探測(cè)面的深度。
[0003]雙晶探頭有一個(gè)聲能集中區(qū)，利用這一特點(diǎn)，可提高須探測(cè)區(qū)內(nèi)的缺陷探測(cè)靈敏度。探頭的晶片對(duì)聲波傳輸有極大的影響，由于晶片的聲阻抗和延遲塊的聲阻抗差別較大，會(huì)影響探頭檢測(cè)的精度，影響測(cè)量效果，因此需要解決該問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:為了提高檢測(cè)精度，本發(fā)明提供一種雙晶縱波斜探頭。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼，屏蔽外殼內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊和右楔塊，所述的左楔塊和右楔塊之間設(shè)置有隔聲層，左楔塊和右楔塊的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊和右楔塊的上表面上分別設(shè)置有左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層，左聲阻抗匹配層和右聲阻抗匹配層上分別設(shè)置有左晶片和右晶片，左晶片和右晶片的底部還設(shè)置有金箔，屏蔽外殼上還設(shè)置有分別與左晶片和右晶片對(duì)應(yīng)的發(fā)射探頭和接收探頭，所述發(fā)射探頭內(nèi)的芯線柱引出有與左晶片底部金箔連接的第一導(dǎo)線，發(fā)射探頭的外殼引出有與左晶片上表面連接的第二導(dǎo)線，所述的第一導(dǎo)線和第二導(dǎo)線之間并聯(lián)有左電感，所述接收探頭內(nèi)的芯線柱引出有與右晶片底部金箔連接的第三導(dǎo)線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導(dǎo)線，所述的第三導(dǎo)線和第四導(dǎo)線之間并聯(lián)有右電感。
[0006]為了進(jìn)一步減少聲能的衰減，所述的左晶片和右晶片均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成。
[0007]本發(fā)明的有益效果是，現(xiàn)有的超聲經(jīng)不同阻抗界面?zhèn)鞑?，將產(chǎn)生反射，會(huì)增加能量損耗并影響分辨力，因此，本發(fā)明的雙晶縱波斜探頭，通過增加聲阻抗匹配層來實(shí)現(xiàn)探頭與負(fù)載之間的匹配，提高探頭檢測(cè)精度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0009]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是圖1中除去探頭和電感以及屏蔽外殼上表面后的俯視圖。
[0011]圖3是本發(fā)明左晶片或右晶片的俯視圖。[0012]圖中:1、屏蔽外殼,2、左楔塊,3、右楔塊,4、隔聲層,5、左聲阻抗匹配層,6、右聲阻抗匹配層，7、左晶片，8、右晶片,9、發(fā)射探頭,91、芯線柱,92、第一導(dǎo)線，93、第二導(dǎo)線，10、左電感。
【具體實(shí)施方式】
[0013]現(xiàn)在結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡(jiǎn)化的示意圖，僅以示意方式說明本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本發(fā)明有關(guān)的構(gòu)成。[0014]如圖1、2所示，是本發(fā)明的實(shí)施例，一種雙晶縱波斜探頭，包括屏蔽外殼1，屏蔽外殼I內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊2和右楔塊3，左楔塊2和右楔塊3之間設(shè)置有隔聲層4，左楔塊2和右楔塊3的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊2和右楔塊3的上表面上分別設(shè)置有左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6，左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6上分別設(shè)置有左晶片7和右晶片8,左晶片7和右晶片8的底部還設(shè)置有金猜，屏蔽外殼I上還設(shè)置有分別與左晶片7和右晶片8對(duì)應(yīng)的發(fā)射探頭9和接收探頭，發(fā)射探頭9內(nèi)的芯線柱91引出有與左晶片7底部金箔連接的第一導(dǎo)線92，發(fā)射探頭9的外殼引出有與左晶片7上表面連接的第二導(dǎo)線93，第一導(dǎo)線92和第二導(dǎo)線93之間并聯(lián)有左電感10，接收探頭內(nèi)的芯線柱引出有與右晶片底部金箔連接的第三導(dǎo)線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導(dǎo)線，第三導(dǎo)線和第四導(dǎo)線之間并聯(lián)有右電感。
[0015]左晶片7和右晶片8均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成，小壓電陶瓷晶片之間通過粘接材料粘接復(fù)合，如圖3所示。左聲阻抗匹配層5和右聲阻抗匹配層6混合有環(huán)氧樹脂、鎢粉和/或鋯粉材料。
[0016]以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實(shí)施例為啟示，通過上述的說明內(nèi)容，相關(guān)工作人員完全可以在不偏離本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi)，進(jìn)行多樣的變更以及修改。本項(xiàng)發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容，必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種雙晶縱波斜探頭，其特征在于:包括屏蔽外殼(1)，屏蔽外殼(I)內(nèi)并排設(shè)置有左楔塊(2 )和右楔塊(3 )，所述的左楔塊(2 )和右楔塊(3 )之間設(shè)置有隔聲層(4)，左楔塊(2)和右楔塊(3)的底面為水平面，上表面為斜面，左楔塊(2)和右楔塊(3)的上表面上分別設(shè)置有左聲阻抗匹配層(5)和右聲阻抗匹配層(6)，左聲阻抗匹配層(5)和右聲阻抗匹配層(6)上分別設(shè)置有左晶片(7)和右晶片(8)，左晶片(7)和右晶片(8)的底部還設(shè)置有金箔，屏蔽外殼(I)上還設(shè)置有分別與左晶片(7)和右晶片(8)對(duì)應(yīng)的發(fā)射探頭(9)和接收探頭，所述發(fā)射探頭(9)內(nèi)的芯線柱(91)引出有與左晶片(7)底部金箔連接的第一導(dǎo)線(92)，發(fā)射探頭(9)的外殼引出有與左晶片(7)上表面連接的第二導(dǎo)線(93)，所述的第一導(dǎo)線(92)和第二導(dǎo)線(93)之間并聯(lián)有左電感(10)，所述接收探頭內(nèi)的芯線柱引出有與右晶片底部金箔連接的第三導(dǎo)線，接收探頭的外殼引出有與右晶片上表面連接的第四導(dǎo)線，所述的第三導(dǎo)線和第四導(dǎo)線之間并聯(lián)有右電感。
2.如權(quán)利要求1所述的雙晶縱波斜探頭，其特征在于:所述的左晶片(7)和右晶片(8)均為壓電陶瓷晶片，壓電陶瓷晶片由多塊方形的小壓電陶瓷晶片陣列組成。
【文檔編號(hào)】G01N29/24GK103901114SQ201410115082
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】周南岐, 王鉦清 申請(qǐng)人:常州市常超電子研究所有限公司