持卡器裝置及多功位測(cè)試裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出了一種持卡器裝置及多功位測(cè)試裝置，持卡器上設(shè)有一單功位測(cè)試部件，用于對(duì)半導(dǎo)體芯片單個(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試過(guò)程中即可使用單功位測(cè)試部件對(duì)異常功位進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試的同時(shí)能夠?qū)蝹€(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，避免了更換工程卡，簡(jiǎn)化了功位異常解決的流程，提高了檢測(cè)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】持卡器裝置及多功位測(cè)試裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種持卡器裝置及多功位測(cè)試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體行業(yè)中，在完成半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)之后，通常會(huì)對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行許多性能測(cè)試，例如多功位測(cè)試(Multisite Test),即對(duì)半導(dǎo)體芯片上的多個(gè)功位(Site)均進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試采用測(cè)試卡(Probe Card/Instrument Card),每個(gè)測(cè)試卡上均設(shè)有與半導(dǎo)體芯片每個(gè)功位相對(duì)應(yīng)的測(cè)試點(diǎn)，進(jìn)行測(cè)試時(shí)，一個(gè)測(cè)試點(diǎn)對(duì)應(yīng)測(cè)試一個(gè)功位，測(cè)試完成會(huì)反饋出所有功位的測(cè)試結(jié)果。
[0003]請(qǐng)參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)測(cè)試卡的俯視圖，所述測(cè)試卡10上設(shè)有多個(gè)測(cè)試點(diǎn)
11。請(qǐng)參考圖2，圖2為現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試卡和持卡器(Card holder)的主視圖，所述測(cè)試卡10放置于持卡器20上，所述持卡器10僅與所述測(cè)試卡10的邊緣接觸，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，所述半導(dǎo)體芯片和測(cè)試卡10會(huì)被放置于多功位測(cè)試裝置內(nèi)對(duì)所述半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試。
[0004]然而，測(cè)試通常會(huì)出現(xiàn)其中幾個(gè)功位與其它功位測(cè)試的結(jié)果不平衡，也就是說(shuō)可能存在異常，導(dǎo)致測(cè)試異常的可能是半導(dǎo)體芯片的功位存在問(wèn)題，也可能是測(cè)試卡的測(cè)試點(diǎn)存在問(wèn)題。為了排除后一種原因，在出現(xiàn)上述異常時(shí)，技術(shù)人員一般采用工程卡(Engineering Card)逐個(gè)功位的進(jìn)行復(fù)測(cè),工程卡通常只能夠測(cè)試一個(gè)功位，無(wú)法對(duì)所述半導(dǎo)體芯片所有功位進(jìn)行一次性測(cè)試，然而工程卡能夠重點(diǎn)測(cè)試存在異常的功位，進(jìn)而確認(rèn)其中幾個(gè)功位是否真的存在異常。但是，一方面需要進(jìn)行測(cè)試卡和工程卡的更換，另一方面進(jìn)行功位異常解決(Debug)過(guò)程中也無(wú)法在相同測(cè)試環(huán)境下捕捉出用于分析失效模型詳細(xì)的波形圖。可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中的方法較為繁瑣也不利于進(jìn)行詳細(xì)的分析。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員急需解決上述技術(shù)問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種持卡器裝置及多功位測(cè)試裝置能夠在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試的同時(shí)能夠?qū)蝹€(gè)功位進(jìn)行測(cè)試。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種持卡器裝置，用于夾持測(cè)試卡對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，所述持卡器裝置包括持卡器和單功位測(cè)試部件，所述單功位測(cè)試部件固定于所述持卡器上。
[0007]進(jìn)一步的，在所述的持卡器裝置中，所述單功位測(cè)試部件設(shè)有單功位測(cè)試針組，所述單功位測(cè)試針組與所述半導(dǎo)體芯片的一個(gè)功位相對(duì)應(yīng)。
[0008]進(jìn)一步的，在所述的持卡器裝置中，所述持卡器為圓環(huán)狀或中空?qǐng)A盤(pán)狀。
[0009]進(jìn)一步的，本發(fā)明還提出了一種多功位測(cè)試裝置，用于對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，所述裝置包括多功位測(cè)試針組、測(cè)試卡以及如上文所述的任意一種持卡器裝置，其中，所述測(cè)試卡的邊緣固定在所述持卡器裝置上，所述單功位測(cè)試部件與所述測(cè)試卡相接觸，所述多功位測(cè)試針組設(shè)于所述測(cè)試卡的一方，所述半導(dǎo)體芯片位于所述測(cè)試卡的另一方。
[0010]進(jìn)一步的，在所述的多功位測(cè)試裝置中，所述多功位測(cè)試裝置還包括一示波器，所述示波器與所述單功位測(cè)試部件通過(guò)信號(hào)線相連。
[0011]進(jìn)一步的，在所述的多功位測(cè)試裝置中，所述測(cè)試卡具有多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，所述測(cè)試點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體芯片上的多個(gè)功位。
[0012]進(jìn)一步的，在所述的多功位測(cè)試裝置中，所述多功位測(cè)試裝還包括一卡盤(pán)，所述半導(dǎo)體芯片放置于所述卡盤(pán)上。
[0013]進(jìn)一步的，在所述的多功位測(cè)試裝置中，所述多功位測(cè)試針組設(shè)有多組針組，所述針組扎入所述半導(dǎo)體芯片表面以進(jìn)行測(cè)試。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:持卡器上設(shè)有一單功位測(cè)試部件，用于對(duì)半導(dǎo)體芯片單個(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試過(guò)程中即可使用單功位測(cè)試部件對(duì)異常功位進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試的同時(shí)能夠?qū)蝹€(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，避免了更換工程卡，簡(jiǎn)化了功位異常解決的流程，提高了檢測(cè)效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試卡的俯視圖；
[0016]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試卡和持卡器的側(cè)視圖；
[0017]圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中測(cè)試卡和持卡器裝置的側(cè)視圖；
[0018]圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中測(cè)試卡和單功位測(cè)試部件的俯視圖；
[0019]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中多功位測(cè)試裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的持卡器裝置及多功位測(cè)試裝置進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0021]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0022]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0023]請(qǐng)參考圖3，在本實(shí)施例中，提出了一種持卡器裝置，用于夾持測(cè)試卡100對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，所述持卡器裝置包括持卡器200和單功位測(cè)試部件300，所述單功位測(cè)試部件300固定于所述持卡器200上。[0024]在本實(shí)施例中，所述單功位測(cè)試部件300設(shè)有單功位測(cè)試針組310，所述單功位測(cè)試針組310與所述半導(dǎo)體芯片的一個(gè)功位相對(duì)應(yīng)。
[0025]在本實(shí)施例中，所述持卡器200為圓環(huán)狀或中空?qǐng)A盤(pán)狀，便于使所述半導(dǎo)體芯片和所述測(cè)試卡100相對(duì)。
[0026]請(qǐng)參考圖5，在本實(shí)施例中，還提出了一種多功位測(cè)試裝置，用于對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，所述裝置包括多功位測(cè)試針組400、測(cè)試卡100以及如上文所述的任意一種持卡器裝置，其中，所述測(cè)試卡100的邊緣固定在所述持卡器裝置的持卡器200的邊緣上，所述單功位測(cè)試部件300與所述測(cè)試卡100相接觸，所述多功位測(cè)試針組400設(shè)于所述測(cè)試卡100的一方,所述半導(dǎo)體芯片位于所述測(cè)試卡100的另一方。
[0027]在本實(shí)施例中，所述多功位測(cè)試裝置還包括一示波器600，所述示波器600與所述單功位測(cè)試部件300通過(guò)信號(hào)線500相連，所述測(cè)試卡100具有多個(gè)測(cè)試點(diǎn)110 (如圖4所示)，所述測(cè)試點(diǎn)110分別對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體芯片上的多個(gè)功位，所述單功位測(cè)試部件300對(duì)應(yīng)一個(gè)所述測(cè)試點(diǎn)110，從而能夠?qū)λ霭雽?dǎo)體芯片上的單個(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，所述多功位測(cè)試裝還包括一卡盤(pán)(圖未示出)，所述半導(dǎo)體芯片放置于所述卡盤(pán)上，并且，所述半導(dǎo)體芯片能夠與單功位測(cè)試部件300相對(duì)轉(zhuǎn)動(dòng)，從而便于選擇某一半導(dǎo)體芯片的功位與所述單功位測(cè)試針組310相對(duì)應(yīng)并對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。
[0028]所述多功位測(cè)試針組400設(shè)有多組針組410，所述針組410能夠扎入所述半導(dǎo)體芯片的表面，從而可以進(jìn)行多功位測(cè)試，所述單功位測(cè)試針組300的單功位測(cè)試針組310也能夠扎入所述半導(dǎo)體芯片的表面，從而對(duì)所述半導(dǎo)體芯片的一個(gè)功位進(jìn)行測(cè)試。
[0029]在本實(shí)施例中，所述卡盤(pán)能夠上下左右活動(dòng)，在進(jìn)行多功位測(cè)試時(shí)，所述卡盤(pán)上升帶動(dòng)所述半導(dǎo)體芯片上升，所述多功位測(cè)試針組400下壓，使針扎在所述半導(dǎo)體芯片的表面，從而能夠?qū)λ霭雽?dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，同時(shí)，所述單功位測(cè)試針組310能夠?qū)λ霭雽?dǎo)體芯片的一個(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，并且可以將測(cè)試得到的結(jié)果由所述示波器600顯示出波形圖，從而捕捉到在同一測(cè)試環(huán)境下的該功位的波形圖，進(jìn)而便于技術(shù)人員對(duì)波形圖進(jìn)行失效模型分析等。
[0030]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的卡器裝置及多功位測(cè)試裝置中，持卡器上設(shè)有一單功位測(cè)試部件，用于對(duì)半導(dǎo)體芯片單個(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試過(guò)程中即可使用單功位測(cè)試部件對(duì)異常功位進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)在對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試的同時(shí)能夠?qū)蝹€(gè)功位進(jìn)行測(cè)試，避免了更換工程卡，簡(jiǎn)化了功位異常解決的流程，提高了檢測(cè)效率。
[0031]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種持卡器裝置，用于夾持測(cè)試卡對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，所述持卡器裝置包括持卡器和單功位測(cè)試部件，所述單功位測(cè)試部件固定于所述持卡器上。
2.如權(quán)利要求1所述的持卡器裝置，其特征在于，所述單功位測(cè)試部件設(shè)有單功位測(cè)試針組，所述單功位測(cè)試針組與所述半導(dǎo)體芯片的一個(gè)功位相對(duì)應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的持卡器裝置，其特征在于，所述持卡器為圓環(huán)狀或中空?qǐng)A盤(pán)狀。
4.一種多功位測(cè)試裝置，用于對(duì)半導(dǎo)體芯片進(jìn)行多功位測(cè)試，所述裝置包括多功位測(cè)試針組、測(cè)試卡以及如權(quán)利要求1至3中任意一種所述的持卡器裝置，其中，所述測(cè)試卡的邊緣固定在所述持卡器裝置上，所述單功位測(cè)試部件與所述測(cè)試卡相接觸，所述多功位測(cè)試針組設(shè)于所述測(cè)試卡的一方，所述半導(dǎo)體芯片位于所述測(cè)試卡的另一方。
5.如權(quán)利要求4所述的多功位測(cè)試裝置，其特征在于，所述多功位測(cè)試裝置還包括一示波器，所述示波器與所述單功位測(cè)試部件通過(guò)信號(hào)線相連。
6.如權(quán)利要求5所述的多功位測(cè)試裝置，其特征在于，所述測(cè)試卡具有多個(gè)測(cè)試點(diǎn)，所述測(cè)試點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)所述半導(dǎo)體芯片上的多個(gè)功位。
7.如權(quán)利要求6所述的多功位測(cè)試裝置，其特征在于，所述多功位測(cè)試裝還包括一卡盤(pán)，所述半導(dǎo)體芯片放置于所述卡盤(pán)上。
8.如權(quán)利要求4所述的多功位測(cè)試裝置，其特征在于，所述多功位測(cè)試針組設(shè)有多組針組，所述針組扎入所述半導(dǎo)體芯片表面以進(jìn)行測(cè)試。
【文檔編號(hào)】G01R1/04GK103869108SQ201410098513
【公開(kāi)日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】王磊 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司