檢測體檢查裝置制造方法
檢測體檢查裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種檢測體檢查裝置，通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量，目的在于得到高精度的檢查結(jié)果。磁體（41）對檢查容器（31）中收存的、包含檢測體和磁性粒子的檢查液施加磁場。測光機構(gòu)具有光源（210）和檢測器（220）。光源（210）朝著檢查液照射光。檢測器（220）檢測來自在夾著檢查容器（31）與光源（210）對置的位置處設(shè)置的檢查液的光。磁體（41）具有使磁場的磁通密度在檢查容器（31）內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。
【專利說明】檢測體檢查裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實施方式涉及檢測體檢查裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在免疫檢查、檢測體檢查中利用磁性粒子。通過利用磁性粒子可以選擇性地且高靈敏度地檢測檢測體中包含的微量分子。磁性粒子根據(jù)需要在磁鐵礦等的磁性材料中結(jié)合高分子材料而形成直徑從幾十nm到幾μ m左右的微小粒子狀。用抗體等修飾磁性粒子的表面，以使得可以與特定的檢測對象分子直接或間接地且特異地結(jié)合。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻1:日本特公昭63-187157號公報
[0005]專利文獻2:日本特開平1-193647號公報
[0006]專利文獻3:日本特開平6-213900號公報
[0007]專利文獻4:日本特開平6-160401號公報
[0008]專利文獻5:日本特開平7-318559號公報
[0009]專利文獻6:W02008/001868公開刊物
[0010]專利文獻7:日本特開2009-168636號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011](發(fā)明要解決的問題)
[0012]例如，在專利文獻I中公開了利用了磁性乳膠的抗原抗體反應(yīng)的測量方法。專利文獻I的測量方法，首先，使磁性乳膠上承載的抗體與液體溶劑中存在的抗原在液體溶劑內(nèi)反應(yīng)。反應(yīng)后，向液體溶劑施加磁場，回收磁性乳膠。然后，向回收的磁性乳膠中添加溶出液，溶出與磁性乳膠上承載的抗體反應(yīng)的抗原。然后，通過向溶出液施加磁場而收集磁性乳膠，使含有溶出了的抗原的溶出液與磁性乳膠分離。然后，向分離了的溶出液分注承載了抗體的不溶性載體粒子并使其發(fā)生反應(yīng)，光學(xué)地測量其反應(yīng)混合物的凝集程度。
[0013]另外，在專利文獻2中公開了抗原的測量方法。專利文獻2的測量方法，首先，在含有磁性體的不溶性載體粒子和不含磁性體的不溶性載體粒子上分別承載抗體。這兩種粒子在液體中與抗原反應(yīng)。反應(yīng)后，向反應(yīng)混合物施加磁場，含有磁性體的不溶性載體粒子匯集到不遮擋容器內(nèi)的測光的位置。然后，通過用吸光度或散射光檢測液體中浮游的不含磁性體的不溶性載體粒子來測量抗原。
[0014]像以上的例子所示的那樣，如果在外部設(shè)置磁體等的磁場施加手段來施加磁場，則可以利用磁力回收磁性粒子。其結(jié)果，可以從檢測體中包含的眾多雜質(zhì)、未反應(yīng)的剩余試劑等分離與磁性粒子結(jié)合了的檢測對象分子。通過該作用，可以選擇性地且高靈敏度地檢測檢測對象分子并進行定量。
[0015]作為用磁性粒子分離檢測對象分子并進行檢測和定量的分析裝置，開發(fā)了組裝了施加磁場的磁體等的裝置。[0016]例如，在專利文獻3中公開了利用了磁體的定量方法。在專利文獻3的定量方法中，在檢查容器的下部設(shè)置磁體，利用從設(shè)置的磁體產(chǎn)生的磁力，進行試樣成分的一部分的沉淀分離。由沉淀試劑生成的沉淀物和磁性粒子被磁體捕捉到檢查容器的底面上，與上清液分離。然后，實施除去了沉淀物和磁性粒子的上清液的分析。
[0017]另外，在專利文獻4和5中公開了免疫化學(xué)測定裝置。專利文獻4和5的免疫化學(xué)測定裝置在轉(zhuǎn)動臺的整個周緣上安裝的檢查容器之間可裝卸地設(shè)置可動磁體。可動磁體在利用磁性粒子執(zhí)行檢測對象的沉淀分離時被插入在檢查容器之間，在不執(zhí)行沉淀分離時從檢查容器之間引出。
[0018]另一方面，在專利文獻6中公開了利用磁性粒子對檢測對象分子進行檢測和定量的方法。根據(jù)專利文獻6的測量方法，選擇性地使磁性粒子與檢測體中包含的檢測對象分子結(jié)合，向其附加磁力，光學(xué)地測量混合物的濁度。然后，基于測量了的濁度算出檢測對象分子的量。在專利文獻1、專利文獻2中磁性粒子是分離抗體的手段，與光學(xué)測量本身不直接相關(guān)。專利文獻6的定量方法與它們不同。即，在專利文獻6的定量方法中，為了對檢測對象分子光學(xué)地檢測，可以測量源自磁性粒子本身的光學(xué)的性質(zhì)作為濁度。如果利用該方法，不需要用來對檢測對象分子進行光學(xué)地檢測的色素等的特殊試劑，而且分離和清洗工序被簡化了，所以檢查所需的時間縮短。
[0019]作為在這樣的光學(xué)地檢測源自磁性粒子的著色的檢查裝置中設(shè)置形成磁場的磁體的例子，在專利文獻6中示出在分光光度計用的比色皿的側(cè)面配置小的釹磁體的構(gòu)成。另外，在專利文獻7中示出，在檢查裝置的移動路徑，即除了檢查容器內(nèi)的物體的除去位置附近以外的區(qū)域中，設(shè)置磁場形成手段的例子。在除去位置配置清洗機構(gòu)。在該除去位置的附近不設(shè)置磁場形成手段，是為了防止磁性粒子因磁力而牢牢貼附在檢查容器壁面上，提高清洗的效率。此外，在專利文獻7中，還示出在磁場內(nèi)每隔預(yù)定間隔排列磁場形成手段的例子、以與光路大致相同的高度在移動路徑的側(cè)壁上設(shè)置磁場形成手段的例子。
[0020]在專利文獻1、專利文獻2中，使檢查液中包含的雜質(zhì)、剩余試劑與檢測對象分子分離是使用磁性粒子的主要目的。此時，磁場施加手段只要在預(yù)定時間內(nèi)對檢查液施加足夠的磁場強度和適當?shù)拇艌鎏荻纫允乖摲蛛x操作結(jié)束即可，磁場施加手段的具體結(jié)構(gòu)及其配置允許各種各樣的變形。具體地，作為磁場施加手段，例如，與檢查容器的側(cè)面、底面等接近配置具有適當?shù)拇帕Φ拇朋w，使分離對象的磁性粒子凝集在容器壁面的狹窄范圍內(nèi)。其結(jié)果，此后的除去雜質(zhì)的清洗工序變得高效。因此，磁體以與檢查容器的側(cè)面中的與檢查液接觸的部分大致相同的大小、或比它小地形成。同樣地，在專利文獻3、專利文獻4和專利文獻5中，面對檢查容器的磁體的一面的面積比檢查容器的側(cè)面中的與檢查液接觸的接觸面小。只要以利用磁性粒子分離檢測對象分子為目的，就可以用以上那樣的磁場施加手段充分地實現(xiàn)目的。
[0021]但是，在專利文獻6中公開的那樣的、通過光學(xué)地測量源自與檢測對象分子直接或間接地結(jié)合的磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的定量方法中，上述那樣的現(xiàn)有的磁場施加手段是不夠的。
[0022]S卩，向檢查容器中收存的檢測體、試劑注入磁性粒子時，為了促進這些檢測體、試劑間的反應(yīng)，得到再現(xiàn)性好的檢查結(jié)果，通常在磁性粒子的注入后迅速地以預(yù)定的方法攪拌檢查液。在剛剛攪拌后，檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度在空間上均勻地分布。但是，利用現(xiàn)有的磁場施加手段向攪拌之后的檢查液施加磁場時，不管是在檢查容器的底面之下設(shè)置了磁體時,還是在檢查容器的側(cè)面上設(shè)置了小的磁體時,檢查液中的磁場分布發(fā)生畸曲。磁場分布的畸曲導(dǎo)致磁性粒子的濃度分布隨時間經(jīng)過而變得在空間上不均勻。在專利文獻6中公開的定量方法中，磁性粒子的濃度分布不均勻是吸光度、濁度的測量值發(fā)生偏差的原因。
[0023]磁性粒子的濃度因磁場而不均勻時，更詳細地說，發(fā)生以下那樣的問題。
[0024]光學(xué)地測量源自磁性粒子的濁度或吸光度時，如果磁性粒子的濃度分布不均勻，測量結(jié)果會因檢查容器或檢查液中的測光光束的通過位置而不同。另外，如果檢測對象不同，則需要改變檢查試劑、反應(yīng)條件，所以有時要根據(jù)檢查項目而改變檢查液的液量。即使磁性粒子的混合比率恒定，只是檢查液的液量改變，磁性粒子的濃度分布的不均勻就會對測量結(jié)果產(chǎn)生不良影響。因此，每當改變測量條件、檢查裝置的構(gòu)成時，為了得到合適的測量結(jié)果，需要重新進行試劑、反應(yīng)條件的設(shè)計等復(fù)雜的手續(xù)。與此相伴，檢測體檢查裝置的開發(fā)成本會增加，檢查時間會增加。
[0025]另外，在使磁性粒子與其它試劑、檢測體等在磁場內(nèi)反應(yīng)時，因磁性粒子的濃度分布不均勻，在檢查液中反應(yīng)快的區(qū)域與難以起反應(yīng)的區(qū)域混合存在，成為檢查結(jié)果的再現(xiàn)性低、產(chǎn)生偏差的要因。
[0026]而且，由于檢查容器的尺寸、固定手段的制作公差，檢查液與磁場施加手段的相對位置關(guān)系產(chǎn)生偏差，在施加了使磁性粒子的濃度分布不均勻那樣的磁場時，因為檢查液與磁場施加手段的相對位置關(guān)系偏離，檢查結(jié)果會針對每個檢查容器產(chǎn)生偏差。
[0027]在專利文獻6中示出在分光光度計用的比色皿的側(cè)面設(shè)置了小的釹磁體的構(gòu)成。在該例中，隨著朝向磁體的周緣部，磁力線朝外側(cè)發(fā)散，磁通密度降低，所以在檢查液中靠近磁體的端部的區(qū)域中存在的磁性粒子從磁體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)移動。因此,檢查液的濁度的隨時間變化曲線因測光位置不同而得到不同結(jié)果。另外，如果檢查液的液量不同，則從磁體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)移動的磁性粒子數(shù)改變，所以檢查結(jié)果還會受液量影響。
[0028]另外，在專利文獻7中公開了，沿著檢查容器的移動路徑在檢查容器的底面附近設(shè)置了磁場施加手段的例子。此時，在檢查液的底部附近磁通密度高，隨著朝向檢查液的上方，磁場急劇衰減。因此，靠近檢查液的底部的磁性粒子被快速地吸附到檢查容器的底面上，而對檢查液上方的磁性粒子只作用極弱的磁力，在檢查容器的上下方向磁性粒子的濃度變得不均勻。因此，測光位置、檢查液的液量變化時，測量結(jié)果受影響。另外，在專利文獻7中，在除去反應(yīng)物的清洗機構(gòu)所在的區(qū)域中不設(shè)置磁場施加手段，該區(qū)域中磁場分布嚴重畸曲，所以可以預(yù)見到在檢查容器通過該區(qū)域時，磁性粒子的濃度分布復(fù)雜地變化，會對測量結(jié)果施加不良影響。
[0029]實施方式的目的在于，在通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的檢測體檢查裝置中，得到高精度的檢查結(jié)果。
[0030](用來解決問題的方案)
[0031]本實施方式的檢測體檢查裝置，其特征在于包括:產(chǎn)生向檢查容器中收存的、包含檢測體和磁性粒子的檢查液施加的磁場的磁場產(chǎn)生部；以及測光機構(gòu),該測光機構(gòu)具有:朝著上述檢查液照射光的光源、和設(shè)置在夾著上述檢查容器與上述光源對置的位置處的檢測來自上述檢查液的光的檢測器；上述磁場產(chǎn)生部具有使上述磁場的磁通密度在上述檢查容器內(nèi)的上述檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。[0032](發(fā)明的效果)
[0033]在通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的檢測體檢查裝置中，可以得到高精度的檢查結(jié)果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]圖1是示出根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置的構(gòu)成的圖。
[0035]圖2是示出圖1的反應(yīng)盤中的檢查容器和磁體的排列例的圖。
[0036]圖3是示意地示出圖1的測光機構(gòu)、檢查容器和磁體的位置關(guān)系的圖。
[0037]圖4是重疊地示出圖3的檢查容器和磁體的圖。
[0038]圖5A是示意地示出從根據(jù)本實施方式的磁體產(chǎn)生的磁場的磁力線的空間分布的圖。
[0039]圖5B是示意地示出從根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的磁力線的空間分布的圖。
[0040]圖6是示出圖1的反應(yīng)盤中的檢查容器和磁體的其它排列例的圖。
[0041]圖7是把從根據(jù)本實施方式的磁體和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的磁通密度的沿著X方向的分布重疊示出的曲線圖。
[0042]圖8A是示出展示施加了從根據(jù)本實施方式的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0043]圖8B是示出展示施加了從根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0044]圖9A是示出展示檢查容器在X方向上偏離了 0.4mm時的、施加了從根據(jù)本實施方式的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0045]圖9B是示出展示檢查容器在X方向上偏離了 0.4mm時的、施加了從根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0046]圖1OA是用來示出具有正方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出具有正方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系的圖。
[0047]圖1OB是用來示出具有正方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出展示圖1OA的磁體產(chǎn)生的磁通密度在X方向上的空間分布的曲線的圖。
[0048]圖1lA是用來示出具有長方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出具有長方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系的圖。
[0049]圖1lB是用來示出具有長方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出展示圖1lA的磁體產(chǎn)生的磁通密度在X方向上的空間分布的曲線的圖。
[0050]圖12是示出在本實施方式中的吸光度隨時間的變化的預(yù)備測量試驗中使用的4階段的每個檢查液總液量的檢測體的液量、第一試劑的液量、第二試劑的液量、押水的液量和液高度的表的圖。
[0051]圖13A是示出配置到檢查容器的外底面上的磁體A(X方向長度XY方向長度XZ方向長度=5X5X 1mm,帶磁Imm方向)的配置例的圖。
[0052]圖13B是示出圖13A的配置中的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度隨時間變化曲線的圖。
[0053]圖14A是示出配置到檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上的磁體A (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=lX5X5mm)的配置例的圖。
[0054]圖14B是示出圖14A的配置中的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度隨時間變化曲線的圖。
[0055]圖15A是示出配置到檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上的磁體B (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=1X5X1Omm)的配置例的圖。
[0056]圖15B是示出圖15A的配置中的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線的圖。
[0057]圖16是根據(jù)本實施方式的磁場施加模塊的立體圖。
[0058]圖17是根據(jù)本實施方式的弓形板的立體圖。
[0059]圖18是示出利用了具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線的圖。
[0060]圖19是示出根據(jù)本實施方式的磁體與檢查容器的位置關(guān)系的圖。
[0061]圖20A是示出利用了具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體時的、測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線的曲線圖。
[0062]圖20B是示出利用了具有根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的磁體時的、測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線的曲線圖。
[0063]圖21是把圖20的根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置和根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置下的X方向上的磁通密度在Χ=0、Y=0時沿Z方向的分布重疊示出的曲線圖。
[0064]圖22是示出根據(jù)本實施方式的兩個磁體的磁體正面非平行地配置時的磁體的幾何學(xué)配置的圖。
[0065]圖23是根據(jù)本實施方式的應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置的反應(yīng)盤周邊的示意平面圖。
[0066]圖24是根據(jù)本實施方式的應(yīng)用例2的檢測體檢查裝置的反應(yīng)盤周邊的示意平面圖。
[0067]圖25Α是示意地示出根據(jù)變形例的磁體和鐵磁性體(鐵片)的配置例的圖，是從Y方向看檢查容器時的圖。
[0068]圖25Β是從X方向看圖25Α的檢查容器時的圖。
[0069]圖26Α是示意地示出根據(jù)其它配置例的磁體和鐵片的配置例的圖，是從上方看檢查容器時的圖。
[0070]圖26Β是從Y方向看圖26Α的檢查容器時的圖。
[0071](附圖標記說明)
[0072]1:檢測體檢查裝置；2:分析機構(gòu)；3:分析機構(gòu)控制部；4:解析部；5:顯示部；6:操作部；7:存儲部；8:系統(tǒng)控制部；11:反應(yīng)盤；13:樣品盤；15:第一試劑庫；17:第二試劑庫；19-1:樣品臂；19-2:第一試劑臂；19-3:第二試劑臂；21_1:樣品探頭；21_2:第一試劑探頭；21-3:第二試劑探頭；23:攪拌臂；25:攪拌器；27:測光機構(gòu)；29:清洗機構(gòu)；31:檢查容器；31c:檢查液接觸面；41:磁體；61:磁體；63:鐵磁性體(鐵片)；65:鐵磁性體(鐵片)；210:光源；220:檢測器
【具體實施方式】[0073]以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置。
[0074]圖1是示出根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置的構(gòu)成的圖。像圖1所示的那樣，檢測體檢查裝置I具有:分析機構(gòu)2、分析機構(gòu)控制部3、解析部4、顯示部5、操作部6、存儲部7和系統(tǒng)控制部8ο
[0075]分析機構(gòu)2根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制進行動作。在檢測體檢查裝置的筐體上設(shè)置分析機構(gòu)2。分析機構(gòu)2例如像圖1所示的那樣，搭載反應(yīng)盤11、樣品盤13、第一試劑庫15、第二試劑庫17、樣品臂19-1、樣品探頭21-1、第一試劑臂19_2、第一試劑探頭21_2、第二試劑臂19-3、第二試劑探頭21-3、攪拌臂23、攪拌器25、測光機構(gòu)27和清洗機構(gòu)29。
[0076]反應(yīng)盤11保持在圓周上排列的多個檢查容器31。反應(yīng)盤11以既定的時間間隔交互地反復(fù)轉(zhuǎn)動和停止。像后述的那樣，在反應(yīng)盤11中設(shè)置用來對各檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場的磁體。在反應(yīng)盤11的附近配置樣品盤13。樣品盤13保持收存了檢測體的樣品容器33。樣品盤13以把收存了分注對象的檢測體的樣品容器33配置在檢測體吸入位置處的方式轉(zhuǎn)動。第一試劑庫15保持收存了與檢測體的檢查項目選擇性地反應(yīng)的第一試劑的多個第一試劑容器35。第一試劑庫15以把收存分注對象的第一試劑的第一試劑容器35配置在第一試劑吸入位置處的方式轉(zhuǎn)動。在反應(yīng)盤11的附近配置第二試劑庫17。第二試劑庫17保持收存了與第一試劑對應(yīng)的第二試劑的多個第二試劑容器37。第二試劑庫17以把收存了分注對象的第二試劑的第二試劑容器37配置在第二試劑吸入位置處的方式轉(zhuǎn)動。
[0077]在本實施方式中，作為第一試劑或第二試劑，使用包含與檢測體中包含的檢查對象的分子直接或間接地特異地結(jié)合的磁性粒子的溶液。如果在檢測體中包含微量的檢查對象的分子時使用磁性粒子，則可以高靈敏度地定量分析檢查對象的分子。
[0078]在反應(yīng)盤11與樣品盤13之間配置樣品臂19-1。在樣品臂19_1的前端安裝樣品探頭21-1。樣品臂19-1可以上下移動地支撐樣品探頭21-1。另外，樣品臂19-1沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐樣品探頭21-1。樣品探頭21-1的轉(zhuǎn)動軌跡通過樣品盤13上的樣品吸入位置、反應(yīng)盤11上的樣品吐出位置。樣品探頭21-1從配置在樣品盤13上的樣品吸入位置處的樣品容器33吸入檢測體，把檢測體吐出到配置在反應(yīng)盤11上的檢測體吐出位置處的檢查容器31。
[0079]在反應(yīng)盤11的外周附近配置第一試劑臂19-2。在第一試劑臂19-2的前端安裝第一試劑探頭21-2。第一試劑臂19-2可以上下移動地支撐第一試劑探頭21-2。另外,第一試劑臂19-2沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐第一試劑探頭21-2。第一試劑探頭21-2的轉(zhuǎn)動軌跡通過第一試劑庫15上的第一試劑吸入位置和反應(yīng)盤11上的第一試劑吐出位置。第一試劑探頭21-2從配置在第一試劑庫15上的第一試劑吸入位置處的第一試劑容器35吸入第一試劑，把第一試劑吐出到配置在反應(yīng)盤11上的第一試劑吐出位置處的檢查容器31。
[0080]在反應(yīng)盤11與第二試劑庫17之間配置第二試劑臂19-3。在第二試劑臂19_3的前端安裝第二試劑探頭21-3。第二試劑臂19-3可以上下移動地支撐第二試劑探頭21-3。另外，第二試劑臂19-3沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐第二試劑探頭21-3。第二試劑探頭21-3的轉(zhuǎn)動軌跡通過第二試劑庫17上的第二試劑吸入位置和反應(yīng)盤11上的第二試劑吐出位置。第二試劑探頭21-3從配置在第二試劑庫17上的第二試劑吸入位置處的第二試劑容器37吸入第二試劑，把第二試劑吐出到配置在反應(yīng)盤11上的第二試劑吐出位置處的檢查容器31。
[0081]在反應(yīng)盤11的外周附近配置攪拌臂23。在攪拌臂23的前端安裝攪拌器25。攪拌臂23可以上下移動地支撐攪拌器25。另外，攪拌臂23沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐攪拌器25。攪拌器25攪拌配置在反應(yīng)盤11上的攪拌位置處的檢查容器31內(nèi)的檢測體和第一試劑的混合液、或檢測體和第一試劑和第二試劑的混合液。以下，把這些混合液稱為檢查液。
[0082]像圖1所示的那樣，在反應(yīng)盤11附近設(shè)置測光機構(gòu)27。測光機構(gòu)27根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制進行動作。具體地，測光機構(gòu)27具有光源210和檢測器220。光源210朝著位于反應(yīng)盤11內(nèi)的測光位置處的檢查容器31內(nèi)的檢查液照射光。檢測器220配置在夾著位于測光位置處的檢查容器31與光源對置的位置處。檢測器220檢測從光源照射并透過了檢查容器31和檢查液的光、被檢查容器31和檢查液反射的光、或被檢查容器31和檢查液散射的光。檢測器220生成具有與檢測到的光的強度對應(yīng)的測量值的數(shù)據(jù)(以下，稱為測光數(shù)據(jù))。生成的測光數(shù)據(jù)向解析部4供給。
[0083]在反應(yīng)盤11的外周設(shè)置清洗機構(gòu)29。清洗機構(gòu)29根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制進行動作。具體地，清洗機構(gòu)29安裝有清洗噴嘴和干燥噴嘴。清洗機構(gòu)29用清洗噴嘴清洗、用干燥噴嘴干燥位于反應(yīng)盤11的清洗位置處的檢查容器31。
[0084]分析機構(gòu)控制部3根據(jù)系統(tǒng)控制部8的控制使分析機構(gòu)2的各裝置、機構(gòu)進行動作。解析部4基于測光數(shù)據(jù)算出源自磁性粒子的檢查液的吸光度，或者基于算出的吸光度算出濁度。另外，解析部4基于算出了的檢查液的濁度、吸光度，對與檢查項目對應(yīng)的檢查對象的分子進行定量分析。顯示部5具有例如CRT顯示器、液晶顯示器、有機EL顯示器、等離子體顯示器等的顯示器件。顯示部5顯示解析部的解析結(jié)果。操作部6接收來自操作者的經(jīng)由輸入設(shè)備輸入的各種指令、信息輸入。作為輸入設(shè)備可以適當利用鼠標、軌跡球等的指針器件，開關(guān)按鈕等的選擇器件，或鍵盤等的輸入器件。存儲部7存儲檢測體檢查裝置I的動作程序等。系統(tǒng)控制部8作為檢測體檢查裝置I的中樞起作用。系統(tǒng)控制部8從存儲部7讀出動作程序，根據(jù)動作程序控制各部3、4、5、7。
[0085]以下，詳細說明根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I。
[0086]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I具有用來對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場的磁體。根據(jù)本實施方式的磁體具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的整個檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置(geometry)。
[0087]圖2是示意地示出反應(yīng)盤11中的檢查容器31和磁體41的排列例的圖。圖3是示意地示出測光機構(gòu)27、檢查容器31和磁體41的位置關(guān)系的圖。測光機構(gòu)27的光源210和檢測器220固定在檢測體檢查裝置I的筐體內(nèi)部的預(yù)定位置。從光源210朝著檢測器220照射光。在此，把光的照射方向規(guī)定為Y方向。在從光源210到檢測器220的光路上的預(yù)定位置處設(shè)置測光位置。以在測光位置處以大致直角橫切來自光源210的光的方式每隔預(yù)定的時間間隔，由反應(yīng)盤11轉(zhuǎn)動檢查容器31。每次橫切測光位置時用測光機構(gòu)27光學(xué)測量檢查容器31內(nèi)的檢查液。在此，把沿著檢查容器31的長軸Al的方向規(guī)定為Z方向，把與Y方向和Z方向都正交的方向規(guī)定為X方向。
[0088]作為光源210可以用鹵素燈、LED (發(fā)光二極管)或激光發(fā)生器等。優(yōu)選地，從光源210照射的光包含能夠測量檢查液的濁度或吸光度的波段的光。光源210是LED、激光發(fā)生器等的單色光源時，被照射的單色光的波長包含在能夠測量磁性粒子的濁度或吸光度的波段中即可。光源210用鹵素燈等的白色光源時，由于磁性粒子的濁度或吸光度的檢測靈敏度提高，所以根據(jù)需要在檢測器的前級設(shè)置光學(xué)濾波器、分光器等的波長辨別器即可。檢測器220檢測能夠測量檢查液的濁度或吸光度的波段的光，把檢測到的光的強度變換成電氣信號。具體地，作為檢測器220，用光電子倍增管、光電二極管、或陣列化的光電子增倍管、光電二極管。由于檢測到的S/N比良好，所以也可以根據(jù)需要在光源210與檢測器220之間配置光學(xué)窗、集光器。
[0089]檢查容器31是用來收存檢查液的容器。在反應(yīng)盤11中多個檢查容器31以預(yù)定的間距排列成圓周狀。優(yōu)選地，檢查容器31的面中的至少光的入射面和出射面光學(xué)地透明且平滑，以使得可以用測光機構(gòu)27光學(xué)測量。另外，優(yōu)選地，檢查容器31用不被檢測體、試齊U、清洗液等腐蝕或污染的材質(zhì)形成。具體地，檢查容器31優(yōu)選由光學(xué)玻璃、透明樹脂等形成。
[0090]為了對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場，將磁體41設(shè)置在反應(yīng)盤11上。磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。在本實施方式中，幾何學(xué)配置指磁體41的尺寸、形狀、與檢查容器31的相對位置關(guān)系、磁體41間的相對位置關(guān)系。磁體41配置在反應(yīng)盤11內(nèi)的檢查容器31的附近，以在與光入射方向(Y方向)正交的Z方向或X方向上施加磁場。例如，像圖2和圖3所示的那樣，以在左右夾著檢查容器31的方式配置兩個磁體41。此時，兩個磁體41可以沿著水平地與Y方向正交的X方向施加磁場。為了對檢查液施加具有良好的磁場分布的磁場，以連結(jié)磁體的中心間的線A2通過檢查容器31內(nèi)的檢查液的方式配置一對磁體41。另外，磁體41的配置不限于此。例如，也可以以夾著檢查容器31的上下的方式配置兩個磁體41，以沿著鉛直地與Y方向正交的Z方向施加磁場。
[0091]與在檢查容器31的上下配置磁體41時相比，在檢查容器31的左右配置磁體41時可以減小磁場朝檢查容器31的上下方向的泄漏。另外，在檢查容器31的左右配置磁體41時，無須在檢查容器31的上方處配置磁體41，檢查容器31的開口部附近可以一直打開。因此，可以不會妨礙向檢查容器31吐出檢測體、試劑等地簡化裝置構(gòu)成。
[0092]作為根據(jù)本實施方式的磁體41也可以使用現(xiàn)有的各種磁體。例如,作為根據(jù)本實施方式的磁體41，希望用鐵氧體磁體、鋁鎳鈷磁鐵、釤鈷磁體、釹磁體等的永磁體。以夾著檢查容器31的方式配置的一對永磁體被SN對置磁化，以在X方向上施加磁場。另外,作為磁體41，可以使用把永磁體與其它磁性材料組合得到的磁體。而且，磁體41也可以包含金屬、合金、氧化物等的鐵磁性體。此時，一對鐵磁性體的一部分在X方向或Z方向上夾著檢查容器31對置。一對鐵磁性體的其它部分在遠離檢查容器31的位置與永磁體(或電磁體)連接。這樣,一對鐵磁性體和永磁體構(gòu)成磁體41(磁回路)。以在X方向上夾著檢查容器31的方式配置一對鐵磁性體時，沿X方向施加磁場；以在Z方向上夾著檢查容器31的方式配置一對鐵磁性體時，沿Z方向施加磁場。而且,磁體41也可以包含電磁體。此時,與上述的鐵磁性體同樣地,構(gòu)成由電磁體、永磁體或其它磁性體構(gòu)成的磁體41 (磁回路)。
[0093]像上述那樣，磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。下面，詳細說明該幾何學(xué)配置。[0094]圖4是重疊示出檢查容器31和磁體41的圖。像圖4所示的那樣，磁體41的面中的面對檢查容器的面(以下，磁體正面)41f在橫方向上具有寬度wm、在縱方向上具有長度hm。檢查容器31的與磁體41對置的內(nèi)壁中的與檢查液接觸的面(以下，檢查液接觸面)31c在橫方向上具有寬度ws，在縱方向上具有長度hs。為了減小磁通密度的梯度，在整個檢查液中使磁通密度平坦，磁體41以磁體正面41f的面積比檢查液接觸面31c的面積大的方式形成。例如，以寬度wm比寬度ws長、且長度hm比長度hs長的方式形成磁體41。在磁體正面41f與檢查液接觸面31c重疊時，磁體41相對于檢查容器31配置成磁體正面41f包含檢查液接觸面31c。
[0095]檢查液的液量隨檢測體、磁性粒子、其它試劑的量而變化，或者隨檢查項目變化。在檢查容器31中以最小液量與最大液量之間的液量收存檢查液。另外，最大液量是對檢測體檢查裝置I設(shè)定的液量，是可以進行檢查液的檢查的最大的液量。最小液量是對檢測體檢查裝置I設(shè)定的液量，是可以進行檢查液的檢查的最小的液量。為了通過檢查液的液量消除磁體正面41f的面積比檢查液接觸面31c的面積小的情況，可以把寬度ws和高度hs分別設(shè)定為檢查容器31中收存最大液量的檢查液時的值。
[0096]圖5A和圖5B不意地不出從相對于檢查容器31大小不同的兩個磁體產(chǎn)生的磁場的磁力線的分布。圖5A和圖5B是從上方看檢查容器31時的圖。圖5A示出來自根據(jù)本實施方式的磁體41 (磁體正面41f比檢查液接觸面31c大的磁體)的磁力線的空間分布，圖5B示出來自根據(jù)現(xiàn)有例的磁體410 (磁體正面410f比檢查液接觸面31c小的磁體410)的磁力線的空間分布。
[0097]來自磁體的磁力線具有磁體的周邊部比中央部在空間上更畸曲的物理性質(zhì)。另一方面，根據(jù)本實施方式的磁體41以磁體正面41f比檢查容器31的檢查液接觸面31c大的方式形成，根據(jù)現(xiàn)有例的磁體410的磁體正面410f比檢查液接觸面31c小。因此，來自圖5A的磁體41的磁場的磁通密度與來自圖5B的磁體410的磁場的磁通密度相比，在檢查容器31的整個檢查液中在空間上大致均勻。為了使磁體間的磁場的磁通密度的梯度更小，優(yōu)選地，各磁體接近檢查容器地設(shè)置。
[0098]另外，像圖2所示的那樣，磁體41和檢查容器31例如在反應(yīng)盤11中沿著圓周交互排列。各磁體41朝著檢查容器31在X方向上帶磁。優(yōu)選地,各磁體41的磁化方向?qū)τ诜磻?yīng)盤11上的所有磁體41都是相同方向。另外，在上述的說明中，磁體41和檢查容器31沿著圓周交互排列。但是，只要可以由兩個磁體41夾著檢查容器31，就不限于該排列。圖6是示意地示出反應(yīng)盤11中的檢查容器31和磁體41的其它排列例的圖。也可以像圖6所示的那樣，為了由兩個磁體41夾著各檢查容器，對一個檢查容器31設(shè)置兩個磁體41。此時，由于夾著檢查容器31的兩個磁體41可以相互平行地配置，所以可以減輕磁通密度的空間分布的畸曲。
[0099]本發(fā)明人為了驗證磁體正面41f比檢查液接觸面31c大的磁體41的效果進行了模擬。以下說明模擬的各種條件，說明模擬的結(jié)果。
[0100]檢查液中的磁性粒子受磁場的磁力、重力、檢查液的浮力、檢查液的粘性阻力等而運動。通過把受到了這些作用的磁性粒子的運動程式化，計算濃度分布從均勻的初始狀態(tài)經(jīng)過任意時間后磁性粒子的位置，可以以數(shù)值方式估計檢查液中的磁性粒子的濃度分布變化。在磁性粒子的運動計算中，磁性粒子的粒徑、磁性粒子中的磁性體占的比率、密度、t匕帶磁率、飽和磁化等的磁性粒子的物性值、檢查液的密度、粘性系數(shù)成為參數(shù)。參考文獻值，以與本發(fā)明人實際施加磁場來測量磁性粒子的濃度變化得到的結(jié)果整合的方式，確定了這些參數(shù)。在通常的條件下，針對在檢查液中移動的磁性粒子的運動的檢查液的雷諾(ReynoIds)數(shù)Re為Re < I。即，檢查液的阻力用斯托克斯定律表達。另外，檢查液中的粒子的粒徑為I μ m左右，所以在模擬中，忽略了熱能、粒子間相互作用的影響。
[0101]對檢查液沿Z方向施加磁場時，只要磁力比重力足夠大，沿Z方向的磁性粒子的濃度分布就會與X方向同樣地變化。為了簡化，假設(shè)對檢查液沿X方向施加磁場，模擬中使用的磁場分布為沿X方向的一維的磁場分布。在夾著檢查液使平板狀的兩個磁體SN對置地配置時，檢查液內(nèi)部中的X方向的磁通密度分布近似地用坐標X的二次函數(shù)表示。在該模擬中，檢查容器內(nèi)的檢查液沿X方向的寬度為4_。另外，檢查容器內(nèi)的檢查液的X方向上的中心的X坐標設(shè)為O。
[0102]圖7示出把從根據(jù)本實施方式的磁體和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的磁通密度[T]的沿X方向的分布重疊示出的曲線圖。圖7的虛線示出現(xiàn)有例的磁通密度[T]的沿X方向的分布，圖7的實線示出本實施方式的磁通密度[T]的沿X方向的分布。另外，現(xiàn)有例指磁體正面與檢查液接觸面相比相對較小的情況，本實施方式指磁體正面與檢查液接觸面相比相對較大的情況。像圖7所示的那樣，與現(xiàn)有例相比，本實施方式的沿X方向的檢查液的中央部分的磁通密度的凹陷小。另外，與現(xiàn)有例相比，本實施方式整體上磁通密度大。這樣，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置通過利用具有與檢查液接觸面相比相對較大的磁體正面的磁體，與利用具有與檢查液接觸面相比相對較小的磁體正面的磁體時相比，可以沿與光入射方向(Y方向)正交的X方向施加梯度小、平坦的磁通密度。
[0103]圖8A和圖8B單獨地示出展示施加了從根據(jù)本實施方式的磁體和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線圖。圖8A的曲線圖示出根據(jù)本實施方式的濃度分布隨時間的變化，圖8B的曲線圖示出根據(jù)現(xiàn)有例的濃度分布隨時間的變化。在圖8A和圖8B中，在初始狀態(tài)下磁性粒子在檢查液中均勻地分散。檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度用初始狀態(tài)的濃度歸一化。濃度分布以30秒間隔計算，各時間的濃度分布用不同線種示出。由于磁性粒子因磁力而被吸附到檢查容器的壁面上，所以隨著時間經(jīng)過，濃度整體上降低。另外，在計算中不考慮壁面上所吸附的磁性粒子。
[0104]像圖SB所示的那樣，發(fā)現(xiàn)了在用磁體正面與檢查液接觸面相比相對較小的磁體施加磁場的現(xiàn)有例的情況下，濃度的降低速度在檢查液的中央比在內(nèi)壁附近慢，因此，磁性粒子的濃度分布伴隨著時間經(jīng)過而變得不均勻。本發(fā)明人改變磁場分布的磁通密度的梯度而進行了同樣的計算。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)磁通密度梯度越大，磁性粒子的濃度分布的不均勻越嚴重。作用在磁性粒子上的磁力與磁性粒子的位置處的磁通密度和磁通密度梯度的積成正t匕。由于磁通密度和磁通密度梯度這二者在檢查液中央比在內(nèi)壁附近小，所以磁力在檢查液中央比在內(nèi)壁附近小。在根據(jù)現(xiàn)有例的磁場分布那樣的檢查液中央的磁通密度嚴重凹陷的分布中，在檢查液中央與在檢查容器的內(nèi)壁附近該磁力的差大，所以內(nèi)壁附近的濃度下降快，濃度分布會變得不均勻。
[0105]像圖8A所示的那樣，在用磁體正面31c與檢查液接觸面41f相比相對較大的磁體41施加磁場的本實施方式的情況下，檢查液中央的磁通密度的降低量小。為了以與現(xiàn)有例的磁場分布同等程度的速度把磁性粒子吸引到內(nèi)壁，施加磁通密度高、梯度小的磁場即可。由此，作用到檢查液中央與檢查容器31的內(nèi)壁附近的磁性粒子上的磁力的差減小，伴隨著時間經(jīng)過濃度的降低速度無論檢查液中的哪個位置都變得均勻。像圖8A所示的那樣，通過利用具有比檢查液接觸面31c大的磁體正面41f的磁體41，伴隨著時間經(jīng)過整體上濃度降低，但在各時刻沿X方向濃度值大致恒定，磁性粒子的濃度分布可以在整個檢查液中保持大致均勻。
[0106]本發(fā)明人改變磁性粒子的粒徑、磁性粒子內(nèi)的磁性體占的比率、檢查液的粘性系數(shù)等的物性值而進行了同樣的計算。發(fā)現(xiàn)磁性粒子的濃度的隨時間的變化程度根據(jù)這些物性值變化，但磁性粒子的濃度分布的均勻性基本上不隨這些物性值變化。即，通過利用磁體正面41f比檢查液接觸面31c相對較大的磁體41向檢查液施加磁場，磁性粒子的濃度分布的均勻性提高，其結(jié)果，可以減小與空間位置對應(yīng)的檢查液的吸光度、濁度等的測量值的偏差。
[0107]有時檢查容器31與磁體41的相對的位置關(guān)系因檢查容器31的尺寸、設(shè)置位置的偏差而偏離。本發(fā)明人模擬了檢查容器31與磁體41的相對的位置在X方向上偏離時的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化。
[0108]圖9A和圖9B單獨地示出展示檢查容器31在X方向上偏離了 0.4mm時的、施加了從根據(jù)本實施方式的磁體41和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線圖。圖9A的曲線圖示出根據(jù)本實施方式的濃度分布隨時間的變化，圖9B的曲線圖示出根據(jù)現(xiàn)有例的濃度分布隨時間的變化。像圖9B所示的那樣，在根據(jù)現(xiàn)有例的磁場分布中，隨著檢查容器31在橫向從磁場分布的中心偏離，磁性粒子的濃度分布的不均勻程度會進一步增加。其結(jié)果，在現(xiàn)有例的情況下，隨著檢查容器31從磁場分布的中心離開，測量結(jié)果的偏差會增大。與此相對，像圖9A所示的那樣，在根據(jù)本實施方式的磁場分布中，即使在檢查容器31在橫向從磁場分布的中心偏離時，也可以保持磁性粒子的濃度分布的均勻性。S卩，利用磁體正面41f與檢查液接觸面31c相比相對較大的磁體41時，與利用磁體正面與檢查液接觸面相比相對較小的磁體時相比，可以減小因檢查容器31與磁體41的相對的位置偏離造成的濃度分布的不均勻性和與此伴隨的測量值的偏差。
[0109]像上述那樣，作用在磁性粒子上的磁力與該位置處的磁通密度和磁通密度梯度的積成正比。因此，為了保持濃度分布的均勻性，隨著磁通密度梯度減小，磁力減弱，濃度變化速度變慢，檢查時間會增加。為了迅速實施檢測體檢查，必須增大磁通密度。本發(fā)明人模擬了變更了磁通密度時的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布。通過該模擬，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使通過對置的磁體的中央的X軸上的磁通密度[T]大于等于0.1T，即使在X軸上以外的區(qū)域也可以較高地保持足夠的磁通密度，可以確保檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布的均勻性且在短時間內(nèi)使?jié)舛茸兓?。因此，根?jù)本實施方式的磁體41優(yōu)選為可以施加磁通密度[T]大于等于0.1T的磁場的構(gòu)成和配置。由此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以縮短檢查時間。
[0110]通過變更磁通密度和磁通密度梯度，可以通過模擬計算向檢查液施加的磁場的各種各樣的磁場分布。本發(fā)明人一邊變更磁通密度和磁通密度梯度，一邊模擬了磁性粒子的濃度分布。模擬的結(jié)果，本發(fā)明人確認了以下的趨勢，即，磁通密度的梯度越小，濃度分布的均勻性越高，相反，磁通密度的梯度越大，磁性粒子的濃度分布的不均勻性越高。另外，通過模擬，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使通過對置的磁體的中央的X軸上的磁通密度的變動小于等于0.04T/mm,即使在X軸上以外的區(qū)域也可以減小磁通密度的梯度，可以在檢查液中較高地保持濃度分布的均勻性。因此，根據(jù)本實施方式的磁體41優(yōu)選為可以施加沿X方向的磁通密度的變動[T/mm]小于等于0.04T/mm的磁場的構(gòu)成和配置。由此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以保持磁性粒子的濃度分布的均勻性，減小測量偏差。
[0111]然后，說明與磁體的尺寸和形狀的不同對應(yīng)的磁場分布的變化。本發(fā)明人計算了具有不同尺寸和形狀的多個磁體產(chǎn)生的磁場分布。作為磁體使用方型釹磁體(NeoMag (公司)、材質(zhì):N48M、厚度:3.0mm)，該兩個方型釹磁體以夾著檢查容器31的方式SN對置地設(shè)置。方型釹磁體間的距離設(shè)定為6mm。作為檢查容器31,使用了 X方向的寬度為6mm、Y方向的寬度為7mm的方型玻璃比色皿。另外，玻璃比色皿的玻璃厚度為1mm。因此，玻璃比色皿內(nèi)的檢查液X方向的寬度為4mm、Y方向的寬度為5mm。
[0112]在磁場分布的計算中磁體的磁體正面的形狀采用了正方形和長方形。圖1OA和圖1OB是示出具有正方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場分布的計算結(jié)果的圖。圖1OA示出具有正方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系，圖1OB是示出圖1OA的磁體產(chǎn)生的磁通密度的X方向上的空間分布的曲線圖。像圖1OA所示的那樣，沿磁體正面的Z方向的長度為Sa，沿磁體正面的Y方向的長度為Sb。在圖1OB的曲線圖中示出長度Sa和長度Sb分別為3、5、8、10mm時的磁通密度。圖1OB的磁通密度示出貫通一對方型釹磁體的中央的軸A2上的磁通密度。像圖1OB所示的那樣，隨著長度Sa和Sb變短，磁通密度在檢查容器31的X方向的中央部急劇降低，隨著長度Sa和Sb變長，磁通密度趨于均勻。像上述那樣，隨著從磁體的中心向周緣部延伸,磁場分布發(fā)生畸曲。邊長為3mm的磁體的情況下，檢查液接觸面比磁體正面大。因此，邊長為3mm的磁體的情況下，由于在面對磁體的周緣部或周緣部的外側(cè)的檢查液的區(qū)域中磁通密度會急劇降低，所以磁性粒子的濃度分布嚴重不均勻。與此相對，在邊長為IOmm的磁體中，例如，如果檢查液的高度比IOmm足夠低，就可以使磁體正面比檢查液接觸面大。此時，不僅在A2上，而且在其它區(qū)域中磁通密度分布也趨于平坦，所以使磁性粒子的濃度分布無論時間經(jīng)過多久都在整個檢查液中保持均勻。
[0113]圖1lA和圖1lB是示出具有長方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場分布的模擬結(jié)果的圖。圖1lA示出具有長方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系，圖1lB是示出圖1lA的磁體產(chǎn)生的磁通密度的X方向上的空間分布的曲線圖。在圖1lA和圖1lB中，示出磁體的Z方向的長度Sa都為20mm，Y方向的長度Sb分別為3、5、8、10mm的磁場分布。圖1lB的磁通密度示出貫通一對方型釹磁體的中央的軸A2上的磁通密度。隨著長度Sb變短，軸A2上的磁通密度在檢查容器31的中央部急劇降低，隨著長度Sb變長，軸A2上的磁通密度變得大致均勻。在配置了像長度Sb為3mm的磁體那樣的、磁體正面比檢查液接觸面小的磁體時，磁性粒子的濃度分布發(fā)生嚴重畸曲。與此相對，例如，在配置了像長度Sb為IOmm的磁體那樣的、磁體正面比檢查液接觸面大的磁體時，磁通密度在整個檢查液中大致均勻。與此相伴，在配置了磁體正面比檢查液接觸面大的磁體時，可以使磁性粒子的濃度分布無論時間經(jīng)過多久都在整個檢查液中保持均勻。
[0114]像上述那樣，如果磁性粒子的濃度分布不均勻，檢查液的吸光度、濁度等的測量結(jié)果隨檢查液的液量的變化而變化。本發(fā)明人改變磁體的幾何學(xué)配置和檢查液的液量而光學(xué)地測量了吸光度。以下，詳細說明該吸光度測量。
[0115]在該吸光度測量中，本發(fā)明人使用了檢測體，使用了空白的緩沖液作為第一試劑，使用了用緩沖液稀釋Chisso (公司)(Magnabeat公司)的磁性粒子Therma-Max (R)得到的產(chǎn)物作為第二試劑。對于浸潰在37°C的恒溫槽中的檢查容器31，首先吐出并攪拌了檢測體和第一試劑，然后吐出并攪拌了第二試劑。磁性粒子Therma-Max (R)在低溫保管狀態(tài)下粒徑為IOOnm左右，但隨著溫度上升相互凝集，變得容易被磁力吸取。本發(fā)明人在向檢查容器31吐出了磁性粒子之后，光學(xué)地測量檢查液的吸光度，測量了磁性粒子的濃度變化。
[0116]在吸光度測量中，作為磁體的幾何學(xué)配置，考慮磁體的尺寸和磁體在檢查容器上的設(shè)置位置，作為磁體的尺寸采用了 lX5X5mm (正方形)和I X 5 X IOmm (長方形)。作為磁體，使用方型釹磁體。本發(fā)明人在各磁體配置中使檢查液的總液量變化而測量了吸光度的隨時間的變化。在本測量中，在圖12中示出的4階段中設(shè)定檢查液的總液量。圖12示出4階段的每個檢查液的總液量[μ L]的檢測體的液量[μ L]、第一試劑的液量[μ L]、第二試劑的液量[μ L]、補充水的液量[μ L]和液高[mm]。像圖12所示的那樣，檢查液的總液量被設(shè)定為110 μ L、165 μ L、220 μ L、275 μ L。在各總液量中檢查液中的磁性粒子的混合比率保持恒定。測量波長設(shè)定為416nm。測光位置設(shè)定為從檢查容器31的內(nèi)底面即檢查液的底面算起2.5mm的高度處。檢查容器31的內(nèi)壁的尺寸為X方向XY方向=4X5mm。各總液量中的檢查液的高度(液高)如圖12所示。
[0117]圖13A和圖13B示出在檢查容器31的外底面上配置磁體A (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=5X5Xlmm)時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。圖14A和圖14B示出在檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上配置磁體A時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。圖15A和圖15B示出在檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上配置磁體B (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=lX5X10mm)時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。另外，在該吸光度測量中，關(guān)于各幾何學(xué)配置，本發(fā)明人準備了 5組磁體與檢查容器的組合。針對5組組合中的每一組合測量了 4個總液量下的吸光度。圖13B、圖14B和圖15B示出的隨時間變化曲線示出5組時間變化曲線的平均值。另外，發(fā)現(xiàn)在相同的幾何學(xué)配置下的5組之間，時間變化曲線的偏差十分小，相同的幾何學(xué)配置下的5組之間沒有明顯差異。另一方面，像圖13B、圖14B和圖15B所示的那樣，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，總液量不同時，時間變化曲線有明顯不同。以下，詳細說明各幾何學(xué)配置下的吸光度的隨時間的變化。
[0118]像圖13A所示的那樣，在檢查容器31的外底面上貼附了磁體A時，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量比較小，而且，檢查液的液量越多，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量越小。由于該磁體貼附在檢查容器31的外底面，所以檢查液中的磁性粒子朝著磁體吸引到下方。磁體A貼附在檢查容器31的外底面時，隨著從檢查液的外底面離開，磁場急劇衰減。與此相伴，隨著從檢查容器31的外底面離開，檢查液中的磁通密度衰減，磁性粒子的移動速度變慢。因此，在檢查容器31的外底面上貼附了磁體時，與在檢查容器31的外壁面上貼附了磁體時相比，位于測光位置上方的磁性粒子通過測光位置并到達檢查容器31的外底面所需的時間長，吸光度的降低速度慢。另外，隨著檢查液的總液量增加，從測光位置的上方向下方移動的磁性粒子的數(shù)量增加。換言之，隨著總液量增加，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量減小。
[0119]像圖14A所示的那樣，在檢查容器31的與檢查液接觸面對應(yīng)的外壁下部貼附了磁體A時，也與圖13A同樣地，隨著檢查液的總液量增加，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量減小。但是，總液量為110 μ L時，與總液量大于等于165 μ L時相比，伴隨著時間經(jīng)過吸光度急劇降低。其理由如下?？傄毫繛镮io μ L時，檢查液的液面的高度為5.5mm，與磁體A的上端的高度大致相等。與此相對，總液量大于等于165 μ L時，檢查液的液面的高度為8.3mm,比磁體A的上端的高度高。S卩，總液量為110 μ L時，在測光位置上方存在的磁性粒子很少；總液量大于等于165 μ L時,測光位置上方有很多磁性粒子。總液量大于等于165 μ L時,在磁體A上方分布的磁性粒子伴隨著時間經(jīng)過向下方移動。因此，總液量大于等于165 μ L時，測光位置中的磁性粒子的濃度比總液量100 μ L時大。換言之，總液量大于等于165 μ L時，與總液量110 μ L時相比，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量減小。
[0120]像圖15Α所示的那樣，在檢查容器31的檢查液接觸面上貼附了磁體B時，不管在哪個總液量下，伴隨著時間經(jīng)過吸光度急劇變化。另外，總液量110 μ L和總液量165 μ L下時間變化曲線大致一致?？傄毫縄lOyL時，檢查液的高度為5.5mm;總液量165yL時，檢查液的高度為8.3mm。S卩，總液量110 μ L和總液量165 μ L時，檢查液的高度比磁體B的高度低。因此，總液量110 μ L和總液量165 μ L時，在比磁體B高的位置不存在磁性粒子，磁性粒子不會從測光位置的上方朝著測光位置移動，結(jié)果盡管總液量不同，吸光度也大致相同。即，通過使磁體B的高度比檢查液的高度高，可以防止磁性粒子從測光位置的上方朝著測光位置移動，減小總液量的變化造成的吸光度的偏差。
[0121]基于上述的預(yù)備測量試驗結(jié)果，本發(fā)明人制作了具有在檢查容器31內(nèi)的整個檢查液中施加磁通密度均勻的磁場的磁體41的檢測體檢查裝置I。以下,說明根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I的詳細的結(jié)構(gòu)。
[0122]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I具有對各檢查容器31搭載具有上述的幾何學(xué)配置的磁體41的磁場施加模塊。
[0123]圖16是磁場施加模塊43的立體圖。像圖16所示的那樣，磁場施加模塊43具有磁體41和隔離物45。以沿X方向夾著檢查容器的方式SN對置地配置兩個磁體41。磁體41由永磁體411和軟磁性板413構(gòu)成。例如，作為永磁體411，像上述那樣使用釹磁體等。在永磁體411與檢查容器31之間設(shè)置軟磁性板413。典型地，軟磁性板413貼附在永磁體411的檢查容器31側(cè)的面上。通過把軟磁性材料成形加工成板狀而形成軟磁性板413。作為軟磁性材料，可以使用鐵、鎳、鈷等的金屬、坡莫合金(permalloy )、超坡莫合金(Super-mal 1y)等的合金、磁性不銹鋼等。另外,在上述中磁體41由永磁體411和軟磁性板413構(gòu)成。但是，本實施方式不限于此。例如，磁體41也可以具有電磁體來替代永磁體411。
[0124]為了提高從永磁體411產(chǎn)生的磁場的均勻度而設(shè)置軟磁性板413。以下，說明提高軟磁性板413產(chǎn)生的磁場的均勻度的機制。永磁體411尤其是包含稀土類元素的永磁體411可以產(chǎn)生強的磁場強度。但是,材質(zhì)的偏差、帶磁的偏差導(dǎo)致磁場分布畸曲。磁場分布的畸曲造成磁性粒子的濃度分布不均勻，每個檢查容器31的測量值會產(chǎn)生偏離。軟磁性板413由具有高透磁率的軟磁性材料形成。通過以從永磁體411產(chǎn)生的磁力線通過軟磁性板413的方式在永磁體411與檢查容器31之間配置軟磁性板413，可以提高磁體41的正面的磁通密度的均勻性。其結(jié)果，可以減小檢查液中的磁場分布的畸曲，可以減小磁性粒子的濃度分布的不均勻化和每個檢查容器31的測量結(jié)果的偏差。為了提高磁體411的正面的磁通密度的均勻性，優(yōu)選地，軟磁性板413與永磁體411的相互面對的面具有大致相同的面積。另外，軟磁性板413可以設(shè)置在永磁體411的與檢查容器31相反側(cè)的面上，也可以設(shè)置在永磁體411的兩面上。例如，在本實施方式中，優(yōu)選地，永磁體411的材質(zhì)為N48M (信越化學(xué)制)、尺寸為X方向長度XY方向長度XZ方向長度=1.5X10X22mm(磁化為X方向)，軟磁性板413的尺寸為X方向長度XY方向長度XZ方向長度=0.3X10X22mm。在永磁體411的面對檢查容器31的面上貼附軟磁性板413而形成了磁體41。
[0125]兩個磁體41以具有上述的幾何學(xué)配置的方式隔著隔離物45結(jié)合。具體地，沿X方向的磁體41的間隔設(shè)定為6.2mm。即，沿X方向的隔離物45的寬度與沿X方向的磁體41的間隔大致相同，為約6.2mm。隔離物45具有例如第一隔離物45_1、第二隔離物45_2和第三隔離物45-3。為了以兩個磁體41之間具有預(yù)定間隔進行固定，兩個磁體41隔著第一隔離物45-1、第二隔離物45-2和第三隔離物45-3結(jié)合。在兩個磁體41的上部，為了形成可以把檢查容器31插入磁場施加模塊43的空間，與第一隔離物45-1和第二隔離物45-2相結(jié)合。在兩個磁體41的下部，與可以載置檢查容器31的第三隔離物45-3結(jié)合。在由磁體41和各隔離物45包圍的空間中收存檢查容器。以各磁體41的下端比第三隔離物45-3的上表面朝下方突出2mm的方式，使兩個磁體41隔著第三隔離物45_3結(jié)合。通過該結(jié)構(gòu)，在檢查容器31插入磁場施加模塊43時，磁體41的下端從檢查容器100的外底面朝下方突出2mm。另外，以關(guān)于Y方向的順方向和逆方向磁體比檢查容器分別朝外側(cè)突出Imm和2mm的方式，兩個磁體隔著隔離物結(jié)合。磁場施加模塊43安裝到弓形板47上時，由于以圓周狀排列，所以有磁場在圓周外側(cè)比內(nèi)側(cè)低的趨勢。于是，以隔離物的Y方向的長度在45-1處為1mm、在45-2處為2mm、隔離物45-2位于外周側(cè)的方式,把磁場施加模塊43安裝到弓形板上。由此，可以抑制圓周外側(cè)處的磁場的降低，提高Y方向的磁場均勻性。由于檢查容器的底板的厚度為1_，所以通過使從檢查容器31的內(nèi)底面到檢查液的液面的高度收攏到小于等于約19mm,可以使磁體正面比檢查液接觸面大。
[0126]反應(yīng)盤11搭載以圓周狀排列的多個弓形板47。圖17是弓形板47的立體圖。像圖17所示的那樣，各弓形板47具有弓形形狀，是可以裝卸地保持多個磁場施加模塊43的支撐件。弓形板47與反應(yīng)盤11的曲率設(shè)定成大致相同，以使得可以把弓形板47收存到反應(yīng)盤11。多個磁場施加模塊43在各弓形板47中以等間隔排列。例如，各弓形板47具有可以保持15個磁場施加模塊43的結(jié)構(gòu)。各磁場施加模塊43中相互面對地排列磁體41，以使得來自光源210的光可以通過磁體41之間。
[0127]各弓形板47具體地由第一板471和第二板472構(gòu)成。第一板471是支撐檢查容器31的上方的支撐件，第二板472是支撐檢查容器31的下方的支撐件。在第一板471上形成用來使檢查容器31從磁場施加模塊43出入的開口 471a。開口 471a的排列間距設(shè)定成與磁場施加模塊43的排列間距大致相同。第一板471和第二板472以從上下方向夾著多個檢查容器31的狀態(tài)固定。在把磁場施加模塊43安裝在弓形板47上的狀態(tài)下，把弓形板47收存到反應(yīng)盤11中。由此,可以把磁場施加模塊43固定到反應(yīng)盤11內(nèi)。通過把磁場施加模塊43固定到反應(yīng)盤11內(nèi)，可以減小伴隨磁場施加模塊43的位置偏離的測量值的偏差。
[0128]另外，在上述的說明中，磁場施加模塊43安裝在弓形板47上。但是，本實施方式不限于此。只要磁場施加模塊43可以直接地固定在反應(yīng)盤11上，也可以不在弓形板47上安裝磁場施加模塊43，而是把磁場施加模塊43直接地配置在反應(yīng)盤11內(nèi)。
[0129]本發(fā)明人對一個弓形板47上保持的15個檢查容器31的每一個光學(xué)地測量了吸光度。對圖12的4階段的檢查液的總液量進行了吸光度的測量。針對每個檢查容器31實施了 3次吸光度測量。在保持在弓形板47的兩端的兩個檢查容器中，與剩余的13個檢查容器相比，測量值不同。關(guān)于弓形板47的兩端以外的剩余的13個檢查容器，每次測量的測量值的偏差、檢查容器31間的偏差落在了允許范圍內(nèi)。
[0130]圖18示出利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體41時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。另外，圖18的隨時間變化曲線是針對弓形板47的兩端以外的剩余的13個檢查容器的測量值的平均值。像圖18所示的那樣，利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體41時，無論總液量的差異如何，吸光度的隨時間變化曲線大致一致。與圖13、圖14和圖15的情況相比，在圖18的情況下，伴隨著檢查液的液量的變化，吸光度的偏差降低。即，磁體正面41f比檢查液接觸面31c相對較大時，與磁體正面4If比檢查液接觸面31c相對較小時相比，檢查液中的磁性粒子的濃度分布變得均勻，可以減小檢查液的液量的不同造成的吸光度的偏差。
[0131]像上述那樣，測光位置中的磁通密度隨與磁體的相對位置關(guān)系變化。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了可以降低與測光位置的變化對應(yīng)的磁通密度的變化的磁體41的幾何學(xué)配置。以下，詳細說明該幾何學(xué)配置。
[0132]圖19是示出磁體41與測光位置的位置關(guān)系的圖。像圖19所示的那樣，測光位置設(shè)定在使光通過檢查容器31內(nèi)的檢查液那樣的高度。在檢查容器31的X方向上的兩側(cè)配置兩個磁體41?？粘鼍嚯x間隔d地配置兩個磁體41。另外，測光位置的Z方向上的中心與磁體41的下端的高度差設(shè)定為h。為了使磁通密度在空間上大致均勻，磁體41具有比檢查液接觸面31c大的磁體正面41f。典型地，磁體正面41f具有Z方向上長的長方形。而且，為了減小測光位置處的磁通密度，優(yōu)選地，磁體41具有滿足d ( h那樣的幾何學(xué)配置。其理由如下。
[0133]使Z方向上長的兩個磁體41對置地配置時，在兩個磁體41之間的區(qū)域形成的磁場分布隨著磁體的Z方向上的長度Sa相對于磁體間的距離d變長，磁體41的Z方向上的中央部附近的磁通密度在Z方向上大致平坦。在磁體41的Z方向上的兩端部附近，磁力線朝著磁體41的外側(cè)發(fā)散，所以磁通密度降低。因此，在該磁體41間設(shè)置了檢查容器31時，為了不受磁體41的下端附近的磁通密度降低的影響地確保磁性粒子的濃度分布的均勻性，需要把檢查容器31的外底面設(shè)置在比磁體的下端高的位置。物理上看，在離磁體的下端的高度小于等于距離d的程度的區(qū)域磁通密度降低。即，如果以高度h大于等于距離d的方式設(shè)置磁體41和檢查容器31，則在檢查液內(nèi)的測光位置附近沿上下方向(Z方向)幾乎不產(chǎn)生磁通密度梯度。通過這樣設(shè)定磁體的幾何學(xué)配置，可以防止檢查液內(nèi)的測光位置附近的磁性粒子的濃度分布的不均勻化。
[0134]有時測光位置因檢測體檢查裝置I的設(shè)定而不同。因此，在設(shè)置磁體41時，如果在結(jié)構(gòu)上可以測光的最低測光位置(以下，最低測光位置)與磁體41的下端的高度的差為h，則優(yōu)選地，以滿足d < h的關(guān)系的方式設(shè)置磁體41。此時，由于即使測光位置變更成比最低測光位置高的位置也能保持d ( h的關(guān)系，所以可以把測光位置的變更對測量結(jié)果的影響抑制到最低限度。
[0135]本發(fā)明人測量了滿足d < h的關(guān)系時和不滿足d < h的關(guān)系時的吸光度。以下，說明該測量結(jié)果。[0136]圖20A和圖20B是單獨地示出利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體和具有根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的磁體時的、測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線的曲線圖。圖20A示出利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體時的測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線，圖20B示出利用具有根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的磁體時的測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線。在圖20A和圖20B中，檢查液的總液量設(shè)定為220 μ L，檢查液內(nèi)的各溶液的液量根據(jù)圖12設(shè)定。圖20Α和圖20Β的隨時間變化曲線是弓形板47內(nèi)的15個檢查容器31中的除兩端以外的13個檢查容器31的隨時間變化曲線的平均值。另外，測量值的檢查容器31間的偏差落在了允許范圍內(nèi)。
[0137]首先，說明圖20Β中的根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置。作為磁體的永磁體使用了信越化學(xué)制的釹磁體。該釹磁體的材質(zhì)為Ν48Μ，尺寸為22Χ IOX 1.5mm，磁化方向為X方向(釹磁體的厚度方向)，鍍Ni。另外，作為軟磁性板使用了材質(zhì)SUS430、尺寸為22X10X0.3mm。檢查容器31的側(cè)壁的厚度為1.0_。磁體間的距離d設(shè)定為6.2_。以磁體的下端位于檢查容器31的外底面下方2_的方式配置了磁體。測光位置A設(shè)定在檢查容器31的檢查液接觸面的下端的上方2.5mm處。測光位置A的情況下，高度h為5.5mm。為了與測光位置A比較，在測光位置A上方2.7mm處設(shè)定測光位置B。即，測光位置B的情況下，高度h為
8.2mm。因此，圖20B的情況下，測光位置A是d > h，測光位置B是d≤h。
[0138]像圖20B所示的那樣，根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的情況下，在測光位置A和測光位置B處隨時間變化曲線稍有偏離。與測光位置B處的隨時間變化曲線相比，測光位置A處的隨時間變化曲線伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量更大。在同一測光位置，測量結(jié)束時刻的吸光度的檢查容器31間的偏差，按標準偏差為0.0035左右，不同測光位置處的平均吸光度的差為0.0315。即，不同測光位置處的平均吸光度的差比檢查容器31間的偏差大一位數(shù)左右，稱得上差異顯著。本發(fā)明人從以上的結(jié)果發(fā)現(xiàn)了，在根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置下測光位置的不同對測量結(jié)果有影響。
[0139]下面，說明圖20A中的根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置。作為永磁體411使用了信越化學(xué)制的釹磁體(材質(zhì)N48M)。永磁體尺寸為24X IOX 1.5mm，磁化方向為X方向(釹磁體的厚度方向)，鍍Ni。另外，作為軟磁性板413使用了材質(zhì)SUS430、尺寸為24X10X0.3mm。與現(xiàn)有例同樣地，檢查容器31的側(cè)壁的厚度為1.0mm。磁體41間的距離d設(shè)定為6.2mm。在根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置中，以磁體41的下端位于檢查容器31的外底面下方4_的方式配置了磁體41。測光位置A設(shè)定在檢查容器31的檢查液接觸面的下端的上方2.5mm處。測光位置A的情況下，高度h為7.5mm。測光位置B設(shè)定在測光位置A上方2.7mm處。即，測光位置B的情況下，高度h為10.2mm。因此，圖20A的情況下，測光位置A和測光位置B這二者都是d < h。 [0140]像圖20A所示的那樣，根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的情況下，根據(jù)測光位置A的吸光度的隨時間變化曲線和根據(jù)測光位置B的吸光度的隨時間變化曲線大致一致。同一測光位置處的吸光度的檢查容器間的偏差，與不同測光位置處的平均吸光度的差大致為同等程度。即，根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的情況下，在不同測光位置處時間變化曲線沒有明顯差異。從上述的測量結(jié)果驗證了，通過利用具有滿足d ( h那樣的幾何學(xué)配置的磁體，可以防止伴隨著變更測光位置的測量結(jié)果的偏差。因此，通過利用具有滿足d(h那樣的幾何學(xué)配置的磁體41，可以得到與裝置構(gòu)成無關(guān)的穩(wěn)定的測量結(jié)果。
[0141]另外，在根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置下，測光位置A和測光位置B處時間變化曲線不同是因為測光位置A和測光位置B的磁場環(huán)境不同。本發(fā)明人通過磁場解析計算了 X方向上的磁通密度的沿Z方向的分布。
[0142]圖21示出根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置(磁體的下端比檢查容器的外底面朝下方突出2mm)和根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置(磁體的下端比檢查容器的外底面朝下方突出4mm)下的X方向上的磁通密度的沿Z方向的位置變化曲線。在圖21中，Z=O對應(yīng)于檢查容器31的內(nèi)底面即檢查液的下端，以在檢查液的上側(cè)Z取正值的方式設(shè)定了 Z軸的坐標。測光位置A與Z=2.5相當、測光位置B與Z=5.2相當。像圖21所示的那樣，在比較例中，磁通密度從靠近檢查液的底的區(qū)域朝-Z方向開始下降。因此，靠近檢查液的底的區(qū)域的磁通密度梯度比它的十Z方向的區(qū)域中的磁通密度梯度大。因此，測光位置A的情況下，與測光位置B相比，磁性粒子被迅速吸引到磁體上，其結(jié)果，與時間經(jīng)過對應(yīng)的吸光度的降低量更大。為了減小與這樣的測光位置對應(yīng)的吸光度的隨時間變化的偏差，抑制檢查液的下端附近的磁通密度降低，增加沿Z方向具有平坦的磁場密度的區(qū)域即可。因此，設(shè)定滿足d ( h那樣的幾何學(xué)配置即可。像圖21所示的那樣，在根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置下，磁場分布平坦的區(qū)域延伸到Z=0，顯然檢查液的下端附近的磁場分布的平坦性提高。
[0143]另外，像圖2所示的那樣，磁體41和檢查容器31沿圓周交互排列時，有時不能平行地配置夾著檢查容器31的一對的磁體41。此時，像圖22所示的那樣，磁體間距離d會因Y方向的位置而不同。此時，可以把通過檢查液的多個Y方向位置處的磁體間距離中的最大的磁體間距離設(shè)定為距離d。例如，考慮與檢查容器31的內(nèi)側(cè)面中的與X方向平行的面31x相接的直線Lx。該直線Lx與各磁體41的磁體正面41f的交點P1、P2間的距離可以設(shè)定為距離d。另外，像上述那樣，高度h可以設(shè)定為最低測光位置與磁體41的下端之間的距離。通過以這樣設(shè)定的距離d和高度h滿足d < h那樣的幾何學(xué)配置設(shè)置磁體41，可以抑制測光位置的不同造成的測量值的偏差。
[0144]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I包括:反應(yīng)盤11、磁體41和測光機構(gòu)27。反應(yīng)盤11收存包含檢測體和磁性粒子的檢查液用的檢查容器31。磁體41對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場。測光機構(gòu)27具有光源210和檢測器220。光源210朝著檢查容器31內(nèi)的檢查液照射光。檢測器220設(shè)置在夾著檢查容器31與光源210對置的位置處，檢測來自檢查液的光。磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。具體地，作為磁體41利用磁體正面41f比檢查容器31的檢查液接觸面31c大的磁體。另外，以測光位置與磁體41的下端之間的高度差h比磁體間距離d大的方式配置磁體41。
[0145]通過上述的構(gòu)成，可以在檢查液中的磁性粒子的濃度分布保持均勻的情況下，利用磁體41的磁力從檢查液分離磁性粒子。其結(jié)果，可以減小檢查液的液量、測光位置的變化造成的測量值的偏差，可以抑制對測量結(jié)果的影響。因此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以得到高精度的檢查結(jié)果。另外，可以減小檢測體檢查裝置I的開發(fā)成本。另外，即使檢查容器31的尺寸、固定位置等的制作公差導(dǎo)致不同檢查容器31間檢查液與磁體41的相對位置關(guān)系發(fā)生了偏離，也可以減小不同檢查容器31間的檢查結(jié)果的偏差。
[0146]下面，說明根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置的應(yīng)用例。[0147][應(yīng)用例I]
[0148]上述的根據(jù)實施方式的檢測體檢查裝置I是一直對檢查容器31施加來自磁體41的磁場的構(gòu)成。此時,從剛剛向檢查容器31吐出磁性粒子后開始，磁性粒子被磁體41吸引到檢查容器31的內(nèi)壁上。因此，有時磁性粒子與測量對象的微量分子的反應(yīng)效率不夠。另夕卜，用清洗機構(gòu)29清洗檢查容器31時，磁性粒子被磁體41吸引到檢查容器31的內(nèi)壁上，所以難以從檢查容器31沖洗磁性粒子。
[0149]根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I具有可以切換對檢查容器31施加和不施加磁場的構(gòu)成。圖23是根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I的反應(yīng)盤11周邊的示意平面圖。像圖23所示的那樣，根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I在工作臺上的反應(yīng)盤11的外部搭載裝卸機構(gòu)51。另外，在圖23中，攪拌機構(gòu)23、清洗機構(gòu)29等的其它機構(gòu)省略。
[0150]裝卸機構(gòu)51具有可以對反應(yīng)盤11裝卸在反應(yīng)盤11上的裝卸位置Pa處配置的檢查容器31的構(gòu)成。裝卸機構(gòu)51內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使裝卸機構(gòu)51進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，裝卸機構(gòu)51根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，為了使檢查容器31從磁場退避而把檢查容器31從反應(yīng)盤11卸下，或者為了向檢查容器31施加磁場而把檢查容器31安裝到反應(yīng)盤11。更詳細地，裝卸機構(gòu)51根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制，把配置在裝卸位置Pa處的檢查容器31移動到反應(yīng)盤11外的退避位置Pb處。另外，根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制，把配置在退避位置Pb處的檢查容器31移動到裝卸位置Pa處。由裝卸機構(gòu)51移動檢查容器31的移動手段只要是可以移動檢查容器31，什么樣的手段都可以。裝卸機構(gòu)51可以是可以裝卸一個檢查容器31，也可以像圖23所示的那樣，可以裝卸多個檢查容器31。可以裝卸多個檢查容器31時，裝卸機構(gòu)51可以使多個檢查容器一起移動，也可以使多個檢查容器一個一個地移動。
[0151]另外，裝卸機構(gòu)51的裝卸對象不僅限于檢查容器31。例如，裝卸機構(gòu)51也可以不裝卸檢查容器31而裝卸磁體41。此時，用裝卸機構(gòu)51裝卸夾著不被施加磁場的檢查容器31的一對的磁體41。另外，也可以把檢查容器31和磁體41 一起裝卸。
[0152]從反應(yīng)盤11上的裝卸位置Pa移動磁體41時，向配置在移動了的磁體41的周圍的目的外的檢查容器31施加的磁場的磁通密度會變動。其結(jié)果，目的外的檢查容器31內(nèi)的磁性粒子的濃度分布會變得不均勻，有時會對測量結(jié)果產(chǎn)生不良影響。因此，作為裝卸機構(gòu)51的裝卸對象，優(yōu)選檢查容器31，而不是磁體41。
[0153]另外，在上述的說明中，為了切換對檢查容器31施加和不施加磁場，檢測體檢查裝置I搭載了可以機械地移動檢查容器31、磁體41的裝卸機構(gòu)51。但是，根據(jù)本實施方式的切換施加和不施加磁場的手段不限于此。例如，磁體41由電磁體構(gòu)成時，作為切換施加和不施加磁場的手段，檢測體檢查裝置11可以搭載電流控制裝置。電流控制裝置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，控制對電磁體的電流供給。例如，電流控制裝置為了停止對目的檢查容器31施加磁場，停止對夾著目的檢查容器31的一對電磁體供給電流。另一方面，為了開始對目的檢查容器31施加磁場，電流控制裝置開始對夾著目的檢查容器31的一對電磁體供給電流。
[0154]像上述說明的那樣，根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I搭載切換對目的檢查容器31施加和不施加磁場的手段。由此，在向檢查容器31吐出磁性粒子之后，通過停止對該檢查容器31施加磁場，可以促進磁性粒子與測量對象的微量分子的反應(yīng)。另外，通過停止對清洗對象的檢查容器31施加磁場，可以高精度地進行該檢查容器的清洗。
[0155][應(yīng)用例2]
[0156]圖24是根據(jù)應(yīng)用例2的檢測體檢查裝置I的反應(yīng)盤11周邊的示意平面圖。像圖24所示的那樣，根據(jù)應(yīng)用例2的檢測體檢查裝置I在反應(yīng)盤11的外部搭載脫離機構(gòu)53、安裝機構(gòu)55和搬送機構(gòu)57。
[0157]脫離機構(gòu)53具有可以把在反應(yīng)盤11上的脫離位置Pc處配置的檢查容器31從反應(yīng)盤11卸下的構(gòu)成。脫離機構(gòu)53內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使脫離機構(gòu)53進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，脫離機構(gòu)53根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，為了使檢查容器31從磁場退避，從脫離位置Pc處卸下檢查容器，并配置到退避位置Pd處，該退避位置Pd配置在可以忽略來自磁體41的磁場的影響的位置處。退避位置Pd設(shè)置在搬送機構(gòu)57上。
[0158]安裝機構(gòu)55具有可以把配置在搬送機構(gòu)57上的待機位置Pe處的檢查容器31安裝到反應(yīng)盤11上的安裝位置Pf處的構(gòu)成。安裝機構(gòu)55內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使安裝機構(gòu)55進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，安裝機構(gòu)55根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，為了向檢查容器31施加磁場，把配置在待機位置Pe處的檢查容器31配置在安裝位置Pf處。待機位置Pe配置在可以忽略來自磁體41的磁場的影響的位置處。
[0159]搬送機構(gòu)57設(shè)置在工作臺上的反應(yīng)盤11的外部的、可以忽略來自磁體41的磁場的影響的位置處。搬送機構(gòu)57具有可以把配置在退避位置Pd處的檢查容器31搬送到待機位置Pe處的構(gòu)成。搬送機構(gòu)57內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使搬送機構(gòu)57進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，搬送機構(gòu)57根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，以恒定的時間間隔反復(fù)移動和停止，把檢查容器31間歇性地從退避位置Pd搬送到待機位置Pe。作為搬送機構(gòu)57，用例如傳送帶實現(xiàn)。在搬送機構(gòu)57上的退避位置Pd與待機位置Pe之間，從退避位置Pd側(cè)依次設(shè)置清洗位置Pg和攪拌位置Ph。
[0160]清洗機構(gòu)29根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，用清洗液清洗配置在搬送機構(gòu)57上的清洗位置Pg處的檢查容器31。攪拌機構(gòu)23根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，用攪拌器25攪拌配置在搬送機構(gòu)57上的攪拌位置Ph處的檢查容器31內(nèi)的檢測體和磁性粒子。
[0161]下面，說明根據(jù)應(yīng)用例2的分析機構(gòu)控制部3進行的動作例。分析機構(gòu)控制部3以經(jīng)由操作部6指示開始測量對象的微量分子的定量處理為契機，開始根據(jù)應(yīng)用例2的處理。首先，在檢查容器31從磁體41產(chǎn)生的磁場退避了的狀態(tài)下，把包含測量對象的微量分子的檢測體和包含磁性粒子的試劑向檢查容器31內(nèi)吐出。檢測體和磁性粒子被吐出到例如搬送機構(gòu)57上。已被吐出了檢測體和磁性粒子的檢查容器31，被搬送機構(gòu)57反復(fù)移動和停止，同時搬送到攪拌位置Ph處。如果配置在攪拌位置Ph處，則利用攪拌機構(gòu)23以攪拌器25攪拌檢查容器31內(nèi)的檢測體和磁性粒子。攪拌之后的檢查容器31用搬送機構(gòu)57搬送到待機位置Pe處。如果配置在待機位置Pe處，則用安裝機構(gòu)55把檢查容器31安裝到反應(yīng)盤11上的安裝位置Pf處。通過安裝到反應(yīng)盤11上，從磁體41向檢查容器31施加磁場。像上述那樣，磁體41具有使磁通密度大致均勻的幾何學(xué)配置。因此，在檢查容器31內(nèi)的檢查液中磁性粒子的濃度分布在空間上仍然大致均勻地變化。安裝到安裝位置Pf處的檢查容器31被反應(yīng)盤11反復(fù)轉(zhuǎn)動和停止，同時以既定次數(shù)橫切反應(yīng)盤11上的測光位置。在檢查容器31每次橫切測光位置時，用測光機構(gòu)27對檢查容器31內(nèi)的檢查液進行光學(xué)測量。在既定次數(shù)的光學(xué)測量后，檢查容器31被反應(yīng)盤11反復(fù)轉(zhuǎn)動和停止，同時配置在反應(yīng)盤11上的脫離位置Pc處。用脫離機構(gòu)53把配置在脫離位置Pc處的檢查容器31從反應(yīng)盤11移動到搬送機構(gòu)57上的退避位置Pd處。通過從反應(yīng)盤11卸下，檢查容器31從來自磁體41的磁場退避。配置在退避位置Pd處的檢查容器31被搬送機構(gòu)57反復(fù)移動和停止，同時搬送到清洗位置Pg處。利用清洗機構(gòu)29用清洗液清洗配置在清洗位置Pg處的檢查容器31。
[0162]由此，結(jié)束利用分析機構(gòu)控制部3對檢查容器31進行的一次定量處理。分析機構(gòu)控制部3對各檢查容器并列地反復(fù)執(zhí)行上述的處理。由此，可以對多個檢查容器31并列地執(zhí)行測量對象的微量分子的定量處理。
[0163]像上述那樣，在從磁場脫離了的狀態(tài)下向檢查容器31吐出磁性粒子并攪拌。因此，可以提高檢測體中包含的微量分子與磁性粒子的反應(yīng)效率，提高微量分子的檢測靈敏度。通過在具有上述的幾何學(xué)配置的磁體41產(chǎn)生的磁場下執(zhí)行光學(xué)測量，可以在確保磁性粒子的濃度分布的均勻性的狀態(tài)下測量吸光度、濁度等測量值的隨時間的變化，可以與液量、測光位置無關(guān)地得到偏差小的測量結(jié)果。通過在從磁場脫離了的狀態(tài)下清洗檢查容器31，可以提高磁性粒子的清洗效率，防止試劑類的遺留。另外，由于在定量處理中的一連串工序之間磁體41的幾何學(xué)配置不變化，所以檢查容器31的裝卸對向反應(yīng)盤11上安裝的其它檢查容器31施加的磁場不施加影響。
[0164][變形例]
[0165]在此，說明根據(jù)本實施方式的變形例的檢測體檢查裝置。上述的根據(jù)實施方式的檢測體檢查裝置通過搭載磁體正面41f比檢查液接觸面31c大的磁體41，使檢查液中的磁場的磁通密度在空間上大致均勻。根據(jù)變形例的檢測體檢查裝置除了產(chǎn)生向檢查液施加的磁場的磁體以外，還搭載用來提高檢查液中的磁場的空間的均勻性的鐵磁性體。以下，說明根據(jù)變形例的檢測體檢查裝置。另外，在以下的說明中，對于具有與上述實施方式大致相同的功能的構(gòu)成要素賦予相同的附圖標記，只在必要時進行重復(fù)說明。
[0166]圖25A是示意地示出根據(jù)變形例的磁體61和鐵磁性體63的配置例的圖，是從Y方向看檢查容器31時的圖。圖25B是從X方向看圖25A的檢查容器31時的圖。另外，在圖25B中，為了簡化，磁力線的圖示省略。像圖25A和圖25B所示的那樣，以在X方向上夾著檢查容器31的方式配置兩個磁體61-1和磁體61-2。磁體61-1在N極帶磁,磁體61-2在S極帶磁。從磁體61-1到磁體61-2的磁力線沿著X軸行進是理想的。來自測光機構(gòu)27的光源210的光沿著Y軸行進。在此，把檢查容器31的四個側(cè)面中的與光路正交的兩個面稱為光路面，與光路平行的兩個面稱為非光路面。即，兩個磁體61-1和磁體61-2設(shè)置在檢查容器31的非光路面?zhèn)?。以下，在不區(qū)別磁體61-1和61-2時簡單地記為磁體61。
[0167]各磁體61具有與根據(jù)現(xiàn)有例的磁體大致相同的大小。S卩，磁體61的磁體正面的大小不比檢查液接觸面的大小大。因此,從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁力線在檢查容器31的周邊部嚴重畸曲。換言之,從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁場密度在檢查容器31的周邊部比中央部顯著劣化。
[0168]在變形例中，在檢查容器31的周圍配置用來提高磁通密度的空間的均勻性的鐵磁性體63。鐵磁性體63具有吸引從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁力線的物性。作為鐵磁性體63，也可以使用磁化率比較大的任何物質(zhì)。例如，作為鐵磁性體63可以使用鐵塊(以下稱為鐵片)。以提高從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁通密度的空間的均勻性的方式確定鐵片63的配置位置、大小、形狀、個數(shù)等的幾何學(xué)配置?？梢酝ㄟ^模擬等確定最優(yōu)化的鐵片63的幾何學(xué)配置。
[0169]例如，在圖25A、圖25B中，鐵片63設(shè)置在檢查容器31的底面?zhèn)?。由此，可以使從磁體61-1到磁體61-2的X軸方向上的磁力線為大致直線。另外，對鐵片63的配置位置沒有特別限定，除了檢查容器31的底面?zhèn)纫酝?，也可以配置在光路面?zhèn)取⒎枪饴访鎮(zhèn)群烷_口側(cè)中的某一側(cè)。但是，會遮斷來自測光機構(gòu)27的光源210的光。因此，在光路面?zhèn)扰渲描F片63時，可以以來自光源210的光可以到達檢測器220的方式確定鐵片63的配置位置、大小、形狀、個數(shù)等的幾何學(xué)配置。例如，也可以以不與光的光路相交的方式，在光路面?zhèn)葕A著光路在上側(cè)和下側(cè)的各側(cè)上配置鐵片63-1、63-2，也可以設(shè)置用來使光通過的貫通孔。
[0170]下面，參照圖26A和圖26B說明鐵片65的其它配置例。圖26A是示意地示出根據(jù)其它配置例的磁體61和鐵片65的配置例的圖，是從上方看檢查容器31時的圖。圖26B是從Y方向看圖26A的檢查容器31時的圖。像圖26A和圖26B示出的那樣，鐵片65具有使從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁力線經(jīng)由磁體61和鐵片65形成閉合回路那樣的幾何學(xué)配置。具體地，鐵片65與磁體61-1和磁體61-2這二者接觸，以包圍檢查容器31的磁體配置面和底面的方式配置。閉合回路的情況下，與圖25A和圖25B的非閉合回路的情況相比，可以減小從磁體61向外部泄漏的磁場。因此，通過由鐵片65形成閉合回路，可以進一步提高磁通密度的空間的均勻性。
[0171]另外，在圖26A和圖26B中，鐵片65設(shè)置成包圍檢查容器31的磁體配置面和底面。但是，本實施方式不限于此。例如，鐵片65也可以設(shè)置成包圍檢查容器31的四個側(cè)面(磁體配置面和磁體非配置面)和底面。此時，可以如上所述，以遮斷來自測光機構(gòu)27的光源210的光的方式確定鐵片的幾何學(xué)配置。
[0172]這樣，如果利用變形例，則無須增大磁體就可以使來自磁體的磁場的磁通密度在空間上大致均勻。另外，該變形例的情況下，與增大磁體時相比，可以減小磁體的制造成本、廢棄成本等。
[0173]另外，上述的鐵片的幾何學(xué)配置例不過是一例。只要可以提高來自磁體61的磁場的磁通密度的空間的均勻性，就可以任意確定鐵片的幾何學(xué)配置。例如，也可以以堵塞檢查容器31的開口的方式在檢查容器31的上部設(shè)置鐵片。此時，在對檢查容器31分注試樣等時、清洗時等，鐵片可以從檢查容器31的上部退避。
[0174]另外，為了進一步提高磁通密度的空間的均勻性，也可以不在鐵片上設(shè)置光路用的缺口等而用鐵片包圍檢查容器的周圍。此時，用測光機構(gòu)27進行的檢查液的光學(xué)測量可以不在反應(yīng)盤11上而在上述的搬送機構(gòu)57上進行。此時，在搬送機構(gòu)57上設(shè)置測光機構(gòu)
27。然后，可以使收存光學(xué)測量對象的檢查液的檢查容器31從反應(yīng)盤11移動到搬送機構(gòu)57，在搬送機構(gòu)57中用測光機構(gòu)27光學(xué)測量該檢查液。由此，可以進一步提高磁通密度的空間的均勻性。
[0175][總論]
[0176]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置包括:反應(yīng)盤11、磁場產(chǎn)生部和測光機構(gòu)27。反應(yīng)盤11收存包含檢測體和磁性粒子的檢查液用的檢查容器31。磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加的磁場。測光機構(gòu)27具有光源210和檢測器220。光源210朝著檢查容器31內(nèi)的檢查液照射光。檢測器220設(shè)置在夾著檢查容器31與光源210對置的位置處，檢測來自檢查液的光。磁場產(chǎn)生部具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。具體地，磁場產(chǎn)生部大致有兩個類型。第一類型的磁場產(chǎn)生部具有磁體41。磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。作為磁體41利用磁體正面41f比檢查容器31的檢查液接觸面31c大的磁體。另夕卜，以測光位置與磁體41的下端之間的高度的差h比磁體間距離d大的方式配置磁體41。第二類型的磁場產(chǎn)生部具有磁體61和鐵磁性體63或鐵磁性體65。磁體61產(chǎn)生向檢查液施加的磁場，鐵磁性體63或鐵磁性體65具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。
[0177]通過上述的構(gòu)成，可以在使檢查液中的磁性粒子的濃度分布保持均勻的情況下，利用磁體41或磁體61的磁力從檢查液分離磁性粒子。其結(jié)果，可以減小檢查液的液量、測光位置的變化造成的測量值的偏差，可以抑制對測量結(jié)果的影響。因此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以得到高精度的檢查結(jié)果。另外，可以減小檢測體檢查裝置I的開發(fā)成本。另外，即使因檢查容器31的尺寸、固定位置等的制作公差而在不同檢查容器31之間檢查液與磁體41或磁體61的相對位置關(guān)系發(fā)生了偏離，也可以減小不同檢查容器31間的檢查結(jié)果的偏差。
[0178]這樣，根據(jù)本實施方式，在通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的檢測體檢查裝置中，得到高精度的檢查結(jié)果。
[0179]雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但這些實施方式都是作為例子提出的，并非用來限定本發(fā)明的范圍。這些新的實施方式可以以其它的各種方式實施，在不脫離發(fā)明的主要構(gòu)思的范圍內(nèi)，可以進行各種省略、改寫、變更。這些實施方式及其變形都包含在發(fā)明的范圍和主要構(gòu)思內(nèi)，且包含在權(quán)利要求書記載的發(fā)明及其等價的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測體檢查裝置，包括: 磁場產(chǎn)生部,產(chǎn)生向檢查容器中收存的包含檢測體和磁性粒子的檢查液施加的磁場；以及 測光機構(gòu)，具有:朝著上述檢查液照射光的光源、和設(shè)置在夾著上述檢查容器與上述光源對置的位置處的檢測來自上述檢查液的光的檢測器， 該檢測體檢查裝置的特征在于: 上述磁場產(chǎn)生部具有使上述磁場的磁通密度在上述檢查容器內(nèi)的上述檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁場產(chǎn)生部具有用來對上述檢查液施加上述磁場的磁體； 上述磁體以在與來自上述光源的光的入射方向相交的施加方向上施加上述磁場的方式配置在上述檢查容器的附近。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述施加方向是與上述入射方向和上述檢查容器的長軸這二者相交的方向。
4.如權(quán)利要求2所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁體包含以夾著上述檢查容器的方式對置配置的第一磁體和第二磁體，上述第一磁體和上述第二磁體以由連結(jié)上述第一磁體的中心和上述第二磁體的中心的軸規(guī)定的上述施加方向與上述入射方向大致垂直的方式配置。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述檢查液中的上述軸上的上述磁場的磁通密度大于等于0.1T。
6.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述檢查液中的上述軸上的上述磁場的磁通密度的變動小于等于0.04T/mm。
7.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述第一磁體和上述第二磁體各自的與上述檢查容器對置的面比上述檢查容器的內(nèi)壁中的與上述檢查液接觸的接觸部分大。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述接觸部分是上述檢查容器的內(nèi)壁中的對上述檢測體檢查裝置設(shè)定的最大液量的上述檢查液所接觸的部分。
9.如權(quán)利要求7所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述第一磁體與上述第二磁體之間的距離小于等于上述檢查容器上的測光位置與上述第一磁體和上述第二磁體的下端之間的距離。
10.如權(quán)利要求7所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述第一磁體和上述第二磁體由永磁體和由軟磁性材料形成的軟磁性體構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述軟磁性體配置在上述永磁體的上述檢查容器側(cè)或上述檢查容器的相反側(cè)。
12.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于， 還包括:保存上述檢查容器的盤； 上述檢查容器和上述第一磁體和上述第二磁體以在上述盤中上述第一磁體和上述第二磁體夾著上述檢查容器的方式交互排列為圓周狀。
13.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述檢查容器不含具有鐵磁性的材料。
14.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于，還包括: 保存上述檢查容器的盤；以及 能夠?qū)ι鲜霰P裝卸上述檢查容器的裝卸機構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的檢測體檢查裝置，其特征在于，還包括: 攪拌機構(gòu)，用來以攪拌器攪拌上述檢查容器內(nèi)的上述檢查液； 清洗機構(gòu)，用來清洗上述檢查容器；以及 控制部，控制上述測光機構(gòu)、上述裝卸機構(gòu)、上述攪拌機構(gòu)和上述清洗機構(gòu)， 上述控制部 控制上述攪拌機構(gòu)，用上述攪拌器攪拌從由上述磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的磁場退避了的檢查容器內(nèi)的檢測體和磁性粒子， 控制上述裝卸機構(gòu)，為了向攪拌了的上述檢查容器施加上述磁場而把攪拌了的上述檢查容器安裝到上述盤上， 控制上述測光機構(gòu)，光學(xué)測量安裝了的上述檢查容器內(nèi)的檢查液， 控制上述裝卸機構(gòu)，從上述盤卸下由上述測光機構(gòu)進行的光學(xué)測量結(jié)束了的檢查容器， 控制上述清洗機構(gòu)，清洗卸下了的上述檢查容器。
16.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁場產(chǎn)生部具有: 磁體，用來產(chǎn)生向上述檢查液施加的磁場；以及 鐵磁性體，用來使從上述磁體產(chǎn)生的磁場的磁通密度在空間上大致均勻。
17.如權(quán)利要求16所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁體包含以夾著上述檢查容器的方式對置配置的第一磁體和第二磁體； 上述鐵磁性體以從上述第一磁體到上述第二磁體的磁力線為大致直線的方式配置在上述檢查容器的周圍。
【文檔編號】G01N35/02GK103765214SQ201380001543
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】內(nèi)川明日香, 金山省一, 池田成 申請人:株式會社東芝, 東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會社
【專利摘要】本發(fā)明提供一種檢測體檢查裝置，通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量，目的在于得到高精度的檢查結(jié)果。磁體（41）對檢查容器（31）中收存的、包含檢測體和磁性粒子的檢查液施加磁場。測光機構(gòu)具有光源（210）和檢測器（220）。光源（210）朝著檢查液照射光。檢測器（220）檢測來自在夾著檢查容器（31）與光源（210）對置的位置處設(shè)置的檢查液的光。磁體（41）具有使磁場的磁通密度在檢查容器（31）內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。
【專利說明】檢測體檢查裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實施方式涉及檢測體檢查裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在免疫檢查、檢測體檢查中利用磁性粒子。通過利用磁性粒子可以選擇性地且高靈敏度地檢測檢測體中包含的微量分子。磁性粒子根據(jù)需要在磁鐵礦等的磁性材料中結(jié)合高分子材料而形成直徑從幾十nm到幾μ m左右的微小粒子狀。用抗體等修飾磁性粒子的表面，以使得可以與特定的檢測對象分子直接或間接地且特異地結(jié)合。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻1:日本特公昭63-187157號公報
[0005]專利文獻2:日本特開平1-193647號公報
[0006]專利文獻3:日本特開平6-213900號公報
[0007]專利文獻4:日本特開平6-160401號公報
[0008]專利文獻5:日本特開平7-318559號公報
[0009]專利文獻6:W02008/001868公開刊物
[0010]專利文獻7:日本特開2009-168636號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011](發(fā)明要解決的問題)
[0012]例如，在專利文獻I中公開了利用了磁性乳膠的抗原抗體反應(yīng)的測量方法。專利文獻I的測量方法，首先，使磁性乳膠上承載的抗體與液體溶劑中存在的抗原在液體溶劑內(nèi)反應(yīng)。反應(yīng)后，向液體溶劑施加磁場，回收磁性乳膠。然后，向回收的磁性乳膠中添加溶出液，溶出與磁性乳膠上承載的抗體反應(yīng)的抗原。然后，通過向溶出液施加磁場而收集磁性乳膠，使含有溶出了的抗原的溶出液與磁性乳膠分離。然后，向分離了的溶出液分注承載了抗體的不溶性載體粒子并使其發(fā)生反應(yīng)，光學(xué)地測量其反應(yīng)混合物的凝集程度。
[0013]另外，在專利文獻2中公開了抗原的測量方法。專利文獻2的測量方法，首先，在含有磁性體的不溶性載體粒子和不含磁性體的不溶性載體粒子上分別承載抗體。這兩種粒子在液體中與抗原反應(yīng)。反應(yīng)后，向反應(yīng)混合物施加磁場，含有磁性體的不溶性載體粒子匯集到不遮擋容器內(nèi)的測光的位置。然后，通過用吸光度或散射光檢測液體中浮游的不含磁性體的不溶性載體粒子來測量抗原。
[0014]像以上的例子所示的那樣，如果在外部設(shè)置磁體等的磁場施加手段來施加磁場，則可以利用磁力回收磁性粒子。其結(jié)果，可以從檢測體中包含的眾多雜質(zhì)、未反應(yīng)的剩余試劑等分離與磁性粒子結(jié)合了的檢測對象分子。通過該作用，可以選擇性地且高靈敏度地檢測檢測對象分子并進行定量。
[0015]作為用磁性粒子分離檢測對象分子并進行檢測和定量的分析裝置，開發(fā)了組裝了施加磁場的磁體等的裝置。[0016]例如，在專利文獻3中公開了利用了磁體的定量方法。在專利文獻3的定量方法中，在檢查容器的下部設(shè)置磁體，利用從設(shè)置的磁體產(chǎn)生的磁力，進行試樣成分的一部分的沉淀分離。由沉淀試劑生成的沉淀物和磁性粒子被磁體捕捉到檢查容器的底面上，與上清液分離。然后，實施除去了沉淀物和磁性粒子的上清液的分析。
[0017]另外，在專利文獻4和5中公開了免疫化學(xué)測定裝置。專利文獻4和5的免疫化學(xué)測定裝置在轉(zhuǎn)動臺的整個周緣上安裝的檢查容器之間可裝卸地設(shè)置可動磁體。可動磁體在利用磁性粒子執(zhí)行檢測對象的沉淀分離時被插入在檢查容器之間，在不執(zhí)行沉淀分離時從檢查容器之間引出。
[0018]另一方面，在專利文獻6中公開了利用磁性粒子對檢測對象分子進行檢測和定量的方法。根據(jù)專利文獻6的測量方法，選擇性地使磁性粒子與檢測體中包含的檢測對象分子結(jié)合，向其附加磁力，光學(xué)地測量混合物的濁度。然后，基于測量了的濁度算出檢測對象分子的量。在專利文獻1、專利文獻2中磁性粒子是分離抗體的手段，與光學(xué)測量本身不直接相關(guān)。專利文獻6的定量方法與它們不同。即，在專利文獻6的定量方法中，為了對檢測對象分子光學(xué)地檢測，可以測量源自磁性粒子本身的光學(xué)的性質(zhì)作為濁度。如果利用該方法，不需要用來對檢測對象分子進行光學(xué)地檢測的色素等的特殊試劑，而且分離和清洗工序被簡化了，所以檢查所需的時間縮短。
[0019]作為在這樣的光學(xué)地檢測源自磁性粒子的著色的檢查裝置中設(shè)置形成磁場的磁體的例子，在專利文獻6中示出在分光光度計用的比色皿的側(cè)面配置小的釹磁體的構(gòu)成。另外，在專利文獻7中示出，在檢查裝置的移動路徑，即除了檢查容器內(nèi)的物體的除去位置附近以外的區(qū)域中，設(shè)置磁場形成手段的例子。在除去位置配置清洗機構(gòu)。在該除去位置的附近不設(shè)置磁場形成手段，是為了防止磁性粒子因磁力而牢牢貼附在檢查容器壁面上，提高清洗的效率。此外，在專利文獻7中，還示出在磁場內(nèi)每隔預(yù)定間隔排列磁場形成手段的例子、以與光路大致相同的高度在移動路徑的側(cè)壁上設(shè)置磁場形成手段的例子。
[0020]在專利文獻1、專利文獻2中，使檢查液中包含的雜質(zhì)、剩余試劑與檢測對象分子分離是使用磁性粒子的主要目的。此時，磁場施加手段只要在預(yù)定時間內(nèi)對檢查液施加足夠的磁場強度和適當?shù)拇艌鎏荻纫允乖摲蛛x操作結(jié)束即可，磁場施加手段的具體結(jié)構(gòu)及其配置允許各種各樣的變形。具體地，作為磁場施加手段，例如，與檢查容器的側(cè)面、底面等接近配置具有適當?shù)拇帕Φ拇朋w，使分離對象的磁性粒子凝集在容器壁面的狹窄范圍內(nèi)。其結(jié)果，此后的除去雜質(zhì)的清洗工序變得高效。因此，磁體以與檢查容器的側(cè)面中的與檢查液接觸的部分大致相同的大小、或比它小地形成。同樣地，在專利文獻3、專利文獻4和專利文獻5中，面對檢查容器的磁體的一面的面積比檢查容器的側(cè)面中的與檢查液接觸的接觸面小。只要以利用磁性粒子分離檢測對象分子為目的，就可以用以上那樣的磁場施加手段充分地實現(xiàn)目的。
[0021]但是，在專利文獻6中公開的那樣的、通過光學(xué)地測量源自與檢測對象分子直接或間接地結(jié)合的磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的定量方法中，上述那樣的現(xiàn)有的磁場施加手段是不夠的。
[0022]S卩，向檢查容器中收存的檢測體、試劑注入磁性粒子時，為了促進這些檢測體、試劑間的反應(yīng)，得到再現(xiàn)性好的檢查結(jié)果，通常在磁性粒子的注入后迅速地以預(yù)定的方法攪拌檢查液。在剛剛攪拌后，檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度在空間上均勻地分布。但是，利用現(xiàn)有的磁場施加手段向攪拌之后的檢查液施加磁場時，不管是在檢查容器的底面之下設(shè)置了磁體時,還是在檢查容器的側(cè)面上設(shè)置了小的磁體時,檢查液中的磁場分布發(fā)生畸曲。磁場分布的畸曲導(dǎo)致磁性粒子的濃度分布隨時間經(jīng)過而變得在空間上不均勻。在專利文獻6中公開的定量方法中，磁性粒子的濃度分布不均勻是吸光度、濁度的測量值發(fā)生偏差的原因。
[0023]磁性粒子的濃度因磁場而不均勻時，更詳細地說，發(fā)生以下那樣的問題。
[0024]光學(xué)地測量源自磁性粒子的濁度或吸光度時，如果磁性粒子的濃度分布不均勻，測量結(jié)果會因檢查容器或檢查液中的測光光束的通過位置而不同。另外，如果檢測對象不同，則需要改變檢查試劑、反應(yīng)條件，所以有時要根據(jù)檢查項目而改變檢查液的液量。即使磁性粒子的混合比率恒定，只是檢查液的液量改變，磁性粒子的濃度分布的不均勻就會對測量結(jié)果產(chǎn)生不良影響。因此，每當改變測量條件、檢查裝置的構(gòu)成時，為了得到合適的測量結(jié)果，需要重新進行試劑、反應(yīng)條件的設(shè)計等復(fù)雜的手續(xù)。與此相伴，檢測體檢查裝置的開發(fā)成本會增加，檢查時間會增加。
[0025]另外，在使磁性粒子與其它試劑、檢測體等在磁場內(nèi)反應(yīng)時，因磁性粒子的濃度分布不均勻，在檢查液中反應(yīng)快的區(qū)域與難以起反應(yīng)的區(qū)域混合存在，成為檢查結(jié)果的再現(xiàn)性低、產(chǎn)生偏差的要因。
[0026]而且，由于檢查容器的尺寸、固定手段的制作公差，檢查液與磁場施加手段的相對位置關(guān)系產(chǎn)生偏差，在施加了使磁性粒子的濃度分布不均勻那樣的磁場時，因為檢查液與磁場施加手段的相對位置關(guān)系偏離，檢查結(jié)果會針對每個檢查容器產(chǎn)生偏差。
[0027]在專利文獻6中示出在分光光度計用的比色皿的側(cè)面設(shè)置了小的釹磁體的構(gòu)成。在該例中，隨著朝向磁體的周緣部，磁力線朝外側(cè)發(fā)散，磁通密度降低，所以在檢查液中靠近磁體的端部的區(qū)域中存在的磁性粒子從磁體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)移動。因此,檢查液的濁度的隨時間變化曲線因測光位置不同而得到不同結(jié)果。另外，如果檢查液的液量不同，則從磁體的外側(cè)向內(nèi)側(cè)移動的磁性粒子數(shù)改變，所以檢查結(jié)果還會受液量影響。
[0028]另外，在專利文獻7中公開了，沿著檢查容器的移動路徑在檢查容器的底面附近設(shè)置了磁場施加手段的例子。此時，在檢查液的底部附近磁通密度高，隨著朝向檢查液的上方，磁場急劇衰減。因此，靠近檢查液的底部的磁性粒子被快速地吸附到檢查容器的底面上，而對檢查液上方的磁性粒子只作用極弱的磁力，在檢查容器的上下方向磁性粒子的濃度變得不均勻。因此，測光位置、檢查液的液量變化時，測量結(jié)果受影響。另外，在專利文獻7中，在除去反應(yīng)物的清洗機構(gòu)所在的區(qū)域中不設(shè)置磁場施加手段，該區(qū)域中磁場分布嚴重畸曲，所以可以預(yù)見到在檢查容器通過該區(qū)域時，磁性粒子的濃度分布復(fù)雜地變化，會對測量結(jié)果施加不良影響。
[0029]實施方式的目的在于，在通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的檢測體檢查裝置中，得到高精度的檢查結(jié)果。
[0030](用來解決問題的方案)
[0031]本實施方式的檢測體檢查裝置，其特征在于包括:產(chǎn)生向檢查容器中收存的、包含檢測體和磁性粒子的檢查液施加的磁場的磁場產(chǎn)生部；以及測光機構(gòu),該測光機構(gòu)具有:朝著上述檢查液照射光的光源、和設(shè)置在夾著上述檢查容器與上述光源對置的位置處的檢測來自上述檢查液的光的檢測器；上述磁場產(chǎn)生部具有使上述磁場的磁通密度在上述檢查容器內(nèi)的上述檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。[0032](發(fā)明的效果)
[0033]在通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的檢測體檢查裝置中，可以得到高精度的檢查結(jié)果。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]圖1是示出根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置的構(gòu)成的圖。
[0035]圖2是示出圖1的反應(yīng)盤中的檢查容器和磁體的排列例的圖。
[0036]圖3是示意地示出圖1的測光機構(gòu)、檢查容器和磁體的位置關(guān)系的圖。
[0037]圖4是重疊地示出圖3的檢查容器和磁體的圖。
[0038]圖5A是示意地示出從根據(jù)本實施方式的磁體產(chǎn)生的磁場的磁力線的空間分布的圖。
[0039]圖5B是示意地示出從根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的磁力線的空間分布的圖。
[0040]圖6是示出圖1的反應(yīng)盤中的檢查容器和磁體的其它排列例的圖。
[0041]圖7是把從根據(jù)本實施方式的磁體和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的磁通密度的沿著X方向的分布重疊示出的曲線圖。
[0042]圖8A是示出展示施加了從根據(jù)本實施方式的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0043]圖8B是示出展示施加了從根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0044]圖9A是示出展示檢查容器在X方向上偏離了 0.4mm時的、施加了從根據(jù)本實施方式的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0045]圖9B是示出展示檢查容器在X方向上偏離了 0.4mm時的、施加了從根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線的圖。
[0046]圖1OA是用來示出具有正方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出具有正方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系的圖。
[0047]圖1OB是用來示出具有正方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出展示圖1OA的磁體產(chǎn)生的磁通密度在X方向上的空間分布的曲線的圖。
[0048]圖1lA是用來示出具有長方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出具有長方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系的圖。
[0049]圖1lB是用來示出具有長方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場的計算結(jié)果的圖，是示出展示圖1lA的磁體產(chǎn)生的磁通密度在X方向上的空間分布的曲線的圖。
[0050]圖12是示出在本實施方式中的吸光度隨時間的變化的預(yù)備測量試驗中使用的4階段的每個檢查液總液量的檢測體的液量、第一試劑的液量、第二試劑的液量、押水的液量和液高度的表的圖。
[0051]圖13A是示出配置到檢查容器的外底面上的磁體A(X方向長度XY方向長度XZ方向長度=5X5X 1mm,帶磁Imm方向)的配置例的圖。
[0052]圖13B是示出圖13A的配置中的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度隨時間變化曲線的圖。
[0053]圖14A是示出配置到檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上的磁體A (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=lX5X5mm)的配置例的圖。
[0054]圖14B是示出圖14A的配置中的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度隨時間變化曲線的圖。
[0055]圖15A是示出配置到檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上的磁體B (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=1X5X1Omm)的配置例的圖。
[0056]圖15B是示出圖15A的配置中的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線的圖。
[0057]圖16是根據(jù)本實施方式的磁場施加模塊的立體圖。
[0058]圖17是根據(jù)本實施方式的弓形板的立體圖。
[0059]圖18是示出利用了具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線的圖。
[0060]圖19是示出根據(jù)本實施方式的磁體與檢查容器的位置關(guān)系的圖。
[0061]圖20A是示出利用了具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體時的、測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線的曲線圖。
[0062]圖20B是示出利用了具有根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的磁體時的、測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線的曲線圖。
[0063]圖21是把圖20的根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置和根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置下的X方向上的磁通密度在Χ=0、Y=0時沿Z方向的分布重疊示出的曲線圖。
[0064]圖22是示出根據(jù)本實施方式的兩個磁體的磁體正面非平行地配置時的磁體的幾何學(xué)配置的圖。
[0065]圖23是根據(jù)本實施方式的應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置的反應(yīng)盤周邊的示意平面圖。
[0066]圖24是根據(jù)本實施方式的應(yīng)用例2的檢測體檢查裝置的反應(yīng)盤周邊的示意平面圖。
[0067]圖25Α是示意地示出根據(jù)變形例的磁體和鐵磁性體(鐵片)的配置例的圖，是從Y方向看檢查容器時的圖。
[0068]圖25Β是從X方向看圖25Α的檢查容器時的圖。
[0069]圖26Α是示意地示出根據(jù)其它配置例的磁體和鐵片的配置例的圖，是從上方看檢查容器時的圖。
[0070]圖26Β是從Y方向看圖26Α的檢查容器時的圖。
[0071](附圖標記說明)
[0072]1:檢測體檢查裝置；2:分析機構(gòu)；3:分析機構(gòu)控制部；4:解析部；5:顯示部；6:操作部；7:存儲部；8:系統(tǒng)控制部；11:反應(yīng)盤；13:樣品盤；15:第一試劑庫；17:第二試劑庫；19-1:樣品臂；19-2:第一試劑臂；19-3:第二試劑臂；21_1:樣品探頭；21_2:第一試劑探頭；21-3:第二試劑探頭；23:攪拌臂；25:攪拌器；27:測光機構(gòu)；29:清洗機構(gòu)；31:檢查容器；31c:檢查液接觸面；41:磁體；61:磁體；63:鐵磁性體(鐵片)；65:鐵磁性體(鐵片)；210:光源；220:檢測器
【具體實施方式】[0073]以下，參照【專利附圖】
【附圖說明】根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置。
[0074]圖1是示出根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置的構(gòu)成的圖。像圖1所示的那樣，檢測體檢查裝置I具有:分析機構(gòu)2、分析機構(gòu)控制部3、解析部4、顯示部5、操作部6、存儲部7和系統(tǒng)控制部8ο
[0075]分析機構(gòu)2根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制進行動作。在檢測體檢查裝置的筐體上設(shè)置分析機構(gòu)2。分析機構(gòu)2例如像圖1所示的那樣，搭載反應(yīng)盤11、樣品盤13、第一試劑庫15、第二試劑庫17、樣品臂19-1、樣品探頭21-1、第一試劑臂19_2、第一試劑探頭21_2、第二試劑臂19-3、第二試劑探頭21-3、攪拌臂23、攪拌器25、測光機構(gòu)27和清洗機構(gòu)29。
[0076]反應(yīng)盤11保持在圓周上排列的多個檢查容器31。反應(yīng)盤11以既定的時間間隔交互地反復(fù)轉(zhuǎn)動和停止。像后述的那樣，在反應(yīng)盤11中設(shè)置用來對各檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場的磁體。在反應(yīng)盤11的附近配置樣品盤13。樣品盤13保持收存了檢測體的樣品容器33。樣品盤13以把收存了分注對象的檢測體的樣品容器33配置在檢測體吸入位置處的方式轉(zhuǎn)動。第一試劑庫15保持收存了與檢測體的檢查項目選擇性地反應(yīng)的第一試劑的多個第一試劑容器35。第一試劑庫15以把收存分注對象的第一試劑的第一試劑容器35配置在第一試劑吸入位置處的方式轉(zhuǎn)動。在反應(yīng)盤11的附近配置第二試劑庫17。第二試劑庫17保持收存了與第一試劑對應(yīng)的第二試劑的多個第二試劑容器37。第二試劑庫17以把收存了分注對象的第二試劑的第二試劑容器37配置在第二試劑吸入位置處的方式轉(zhuǎn)動。
[0077]在本實施方式中，作為第一試劑或第二試劑，使用包含與檢測體中包含的檢查對象的分子直接或間接地特異地結(jié)合的磁性粒子的溶液。如果在檢測體中包含微量的檢查對象的分子時使用磁性粒子，則可以高靈敏度地定量分析檢查對象的分子。
[0078]在反應(yīng)盤11與樣品盤13之間配置樣品臂19-1。在樣品臂19_1的前端安裝樣品探頭21-1。樣品臂19-1可以上下移動地支撐樣品探頭21-1。另外，樣品臂19-1沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐樣品探頭21-1。樣品探頭21-1的轉(zhuǎn)動軌跡通過樣品盤13上的樣品吸入位置、反應(yīng)盤11上的樣品吐出位置。樣品探頭21-1從配置在樣品盤13上的樣品吸入位置處的樣品容器33吸入檢測體，把檢測體吐出到配置在反應(yīng)盤11上的檢測體吐出位置處的檢查容器31。
[0079]在反應(yīng)盤11的外周附近配置第一試劑臂19-2。在第一試劑臂19-2的前端安裝第一試劑探頭21-2。第一試劑臂19-2可以上下移動地支撐第一試劑探頭21-2。另外,第一試劑臂19-2沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐第一試劑探頭21-2。第一試劑探頭21-2的轉(zhuǎn)動軌跡通過第一試劑庫15上的第一試劑吸入位置和反應(yīng)盤11上的第一試劑吐出位置。第一試劑探頭21-2從配置在第一試劑庫15上的第一試劑吸入位置處的第一試劑容器35吸入第一試劑，把第一試劑吐出到配置在反應(yīng)盤11上的第一試劑吐出位置處的檢查容器31。
[0080]在反應(yīng)盤11與第二試劑庫17之間配置第二試劑臂19-3。在第二試劑臂19_3的前端安裝第二試劑探頭21-3。第二試劑臂19-3可以上下移動地支撐第二試劑探頭21-3。另外，第二試劑臂19-3沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐第二試劑探頭21-3。第二試劑探頭21-3的轉(zhuǎn)動軌跡通過第二試劑庫17上的第二試劑吸入位置和反應(yīng)盤11上的第二試劑吐出位置。第二試劑探頭21-3從配置在第二試劑庫17上的第二試劑吸入位置處的第二試劑容器37吸入第二試劑，把第二試劑吐出到配置在反應(yīng)盤11上的第二試劑吐出位置處的檢查容器31。
[0081]在反應(yīng)盤11的外周附近配置攪拌臂23。在攪拌臂23的前端安裝攪拌器25。攪拌臂23可以上下移動地支撐攪拌器25。另外，攪拌臂23沿著圓弧狀的轉(zhuǎn)動軌跡可轉(zhuǎn)動地支撐攪拌器25。攪拌器25攪拌配置在反應(yīng)盤11上的攪拌位置處的檢查容器31內(nèi)的檢測體和第一試劑的混合液、或檢測體和第一試劑和第二試劑的混合液。以下，把這些混合液稱為檢查液。
[0082]像圖1所示的那樣，在反應(yīng)盤11附近設(shè)置測光機構(gòu)27。測光機構(gòu)27根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制進行動作。具體地，測光機構(gòu)27具有光源210和檢測器220。光源210朝著位于反應(yīng)盤11內(nèi)的測光位置處的檢查容器31內(nèi)的檢查液照射光。檢測器220配置在夾著位于測光位置處的檢查容器31與光源對置的位置處。檢測器220檢測從光源照射并透過了檢查容器31和檢查液的光、被檢查容器31和檢查液反射的光、或被檢查容器31和檢查液散射的光。檢測器220生成具有與檢測到的光的強度對應(yīng)的測量值的數(shù)據(jù)(以下，稱為測光數(shù)據(jù))。生成的測光數(shù)據(jù)向解析部4供給。
[0083]在反應(yīng)盤11的外周設(shè)置清洗機構(gòu)29。清洗機構(gòu)29根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制進行動作。具體地，清洗機構(gòu)29安裝有清洗噴嘴和干燥噴嘴。清洗機構(gòu)29用清洗噴嘴清洗、用干燥噴嘴干燥位于反應(yīng)盤11的清洗位置處的檢查容器31。
[0084]分析機構(gòu)控制部3根據(jù)系統(tǒng)控制部8的控制使分析機構(gòu)2的各裝置、機構(gòu)進行動作。解析部4基于測光數(shù)據(jù)算出源自磁性粒子的檢查液的吸光度，或者基于算出的吸光度算出濁度。另外，解析部4基于算出了的檢查液的濁度、吸光度，對與檢查項目對應(yīng)的檢查對象的分子進行定量分析。顯示部5具有例如CRT顯示器、液晶顯示器、有機EL顯示器、等離子體顯示器等的顯示器件。顯示部5顯示解析部的解析結(jié)果。操作部6接收來自操作者的經(jīng)由輸入設(shè)備輸入的各種指令、信息輸入。作為輸入設(shè)備可以適當利用鼠標、軌跡球等的指針器件，開關(guān)按鈕等的選擇器件，或鍵盤等的輸入器件。存儲部7存儲檢測體檢查裝置I的動作程序等。系統(tǒng)控制部8作為檢測體檢查裝置I的中樞起作用。系統(tǒng)控制部8從存儲部7讀出動作程序，根據(jù)動作程序控制各部3、4、5、7。
[0085]以下，詳細說明根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I。
[0086]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I具有用來對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場的磁體。根據(jù)本實施方式的磁體具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的整個檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置(geometry)。
[0087]圖2是示意地示出反應(yīng)盤11中的檢查容器31和磁體41的排列例的圖。圖3是示意地示出測光機構(gòu)27、檢查容器31和磁體41的位置關(guān)系的圖。測光機構(gòu)27的光源210和檢測器220固定在檢測體檢查裝置I的筐體內(nèi)部的預(yù)定位置。從光源210朝著檢測器220照射光。在此，把光的照射方向規(guī)定為Y方向。在從光源210到檢測器220的光路上的預(yù)定位置處設(shè)置測光位置。以在測光位置處以大致直角橫切來自光源210的光的方式每隔預(yù)定的時間間隔，由反應(yīng)盤11轉(zhuǎn)動檢查容器31。每次橫切測光位置時用測光機構(gòu)27光學(xué)測量檢查容器31內(nèi)的檢查液。在此，把沿著檢查容器31的長軸Al的方向規(guī)定為Z方向，把與Y方向和Z方向都正交的方向規(guī)定為X方向。
[0088]作為光源210可以用鹵素燈、LED (發(fā)光二極管)或激光發(fā)生器等。優(yōu)選地，從光源210照射的光包含能夠測量檢查液的濁度或吸光度的波段的光。光源210是LED、激光發(fā)生器等的單色光源時，被照射的單色光的波長包含在能夠測量磁性粒子的濁度或吸光度的波段中即可。光源210用鹵素燈等的白色光源時，由于磁性粒子的濁度或吸光度的檢測靈敏度提高，所以根據(jù)需要在檢測器的前級設(shè)置光學(xué)濾波器、分光器等的波長辨別器即可。檢測器220檢測能夠測量檢查液的濁度或吸光度的波段的光，把檢測到的光的強度變換成電氣信號。具體地，作為檢測器220，用光電子倍增管、光電二極管、或陣列化的光電子增倍管、光電二極管。由于檢測到的S/N比良好，所以也可以根據(jù)需要在光源210與檢測器220之間配置光學(xué)窗、集光器。
[0089]檢查容器31是用來收存檢查液的容器。在反應(yīng)盤11中多個檢查容器31以預(yù)定的間距排列成圓周狀。優(yōu)選地，檢查容器31的面中的至少光的入射面和出射面光學(xué)地透明且平滑，以使得可以用測光機構(gòu)27光學(xué)測量。另外，優(yōu)選地，檢查容器31用不被檢測體、試齊U、清洗液等腐蝕或污染的材質(zhì)形成。具體地，檢查容器31優(yōu)選由光學(xué)玻璃、透明樹脂等形成。
[0090]為了對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場，將磁體41設(shè)置在反應(yīng)盤11上。磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。在本實施方式中，幾何學(xué)配置指磁體41的尺寸、形狀、與檢查容器31的相對位置關(guān)系、磁體41間的相對位置關(guān)系。磁體41配置在反應(yīng)盤11內(nèi)的檢查容器31的附近，以在與光入射方向(Y方向)正交的Z方向或X方向上施加磁場。例如，像圖2和圖3所示的那樣，以在左右夾著檢查容器31的方式配置兩個磁體41。此時，兩個磁體41可以沿著水平地與Y方向正交的X方向施加磁場。為了對檢查液施加具有良好的磁場分布的磁場，以連結(jié)磁體的中心間的線A2通過檢查容器31內(nèi)的檢查液的方式配置一對磁體41。另外，磁體41的配置不限于此。例如，也可以以夾著檢查容器31的上下的方式配置兩個磁體41，以沿著鉛直地與Y方向正交的Z方向施加磁場。
[0091]與在檢查容器31的上下配置磁體41時相比，在檢查容器31的左右配置磁體41時可以減小磁場朝檢查容器31的上下方向的泄漏。另外，在檢查容器31的左右配置磁體41時，無須在檢查容器31的上方處配置磁體41，檢查容器31的開口部附近可以一直打開。因此，可以不會妨礙向檢查容器31吐出檢測體、試劑等地簡化裝置構(gòu)成。
[0092]作為根據(jù)本實施方式的磁體41也可以使用現(xiàn)有的各種磁體。例如,作為根據(jù)本實施方式的磁體41，希望用鐵氧體磁體、鋁鎳鈷磁鐵、釤鈷磁體、釹磁體等的永磁體。以夾著檢查容器31的方式配置的一對永磁體被SN對置磁化，以在X方向上施加磁場。另外,作為磁體41，可以使用把永磁體與其它磁性材料組合得到的磁體。而且，磁體41也可以包含金屬、合金、氧化物等的鐵磁性體。此時，一對鐵磁性體的一部分在X方向或Z方向上夾著檢查容器31對置。一對鐵磁性體的其它部分在遠離檢查容器31的位置與永磁體(或電磁體)連接。這樣,一對鐵磁性體和永磁體構(gòu)成磁體41(磁回路)。以在X方向上夾著檢查容器31的方式配置一對鐵磁性體時，沿X方向施加磁場；以在Z方向上夾著檢查容器31的方式配置一對鐵磁性體時，沿Z方向施加磁場。而且,磁體41也可以包含電磁體。此時,與上述的鐵磁性體同樣地,構(gòu)成由電磁體、永磁體或其它磁性體構(gòu)成的磁體41 (磁回路)。
[0093]像上述那樣，磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。下面，詳細說明該幾何學(xué)配置。[0094]圖4是重疊示出檢查容器31和磁體41的圖。像圖4所示的那樣，磁體41的面中的面對檢查容器的面(以下，磁體正面)41f在橫方向上具有寬度wm、在縱方向上具有長度hm。檢查容器31的與磁體41對置的內(nèi)壁中的與檢查液接觸的面(以下，檢查液接觸面)31c在橫方向上具有寬度ws，在縱方向上具有長度hs。為了減小磁通密度的梯度，在整個檢查液中使磁通密度平坦，磁體41以磁體正面41f的面積比檢查液接觸面31c的面積大的方式形成。例如，以寬度wm比寬度ws長、且長度hm比長度hs長的方式形成磁體41。在磁體正面41f與檢查液接觸面31c重疊時，磁體41相對于檢查容器31配置成磁體正面41f包含檢查液接觸面31c。
[0095]檢查液的液量隨檢測體、磁性粒子、其它試劑的量而變化，或者隨檢查項目變化。在檢查容器31中以最小液量與最大液量之間的液量收存檢查液。另外，最大液量是對檢測體檢查裝置I設(shè)定的液量，是可以進行檢查液的檢查的最大的液量。最小液量是對檢測體檢查裝置I設(shè)定的液量，是可以進行檢查液的檢查的最小的液量。為了通過檢查液的液量消除磁體正面41f的面積比檢查液接觸面31c的面積小的情況，可以把寬度ws和高度hs分別設(shè)定為檢查容器31中收存最大液量的檢查液時的值。
[0096]圖5A和圖5B不意地不出從相對于檢查容器31大小不同的兩個磁體產(chǎn)生的磁場的磁力線的分布。圖5A和圖5B是從上方看檢查容器31時的圖。圖5A示出來自根據(jù)本實施方式的磁體41 (磁體正面41f比檢查液接觸面31c大的磁體)的磁力線的空間分布，圖5B示出來自根據(jù)現(xiàn)有例的磁體410 (磁體正面410f比檢查液接觸面31c小的磁體410)的磁力線的空間分布。
[0097]來自磁體的磁力線具有磁體的周邊部比中央部在空間上更畸曲的物理性質(zhì)。另一方面，根據(jù)本實施方式的磁體41以磁體正面41f比檢查容器31的檢查液接觸面31c大的方式形成，根據(jù)現(xiàn)有例的磁體410的磁體正面410f比檢查液接觸面31c小。因此，來自圖5A的磁體41的磁場的磁通密度與來自圖5B的磁體410的磁場的磁通密度相比，在檢查容器31的整個檢查液中在空間上大致均勻。為了使磁體間的磁場的磁通密度的梯度更小，優(yōu)選地，各磁體接近檢查容器地設(shè)置。
[0098]另外，像圖2所示的那樣，磁體41和檢查容器31例如在反應(yīng)盤11中沿著圓周交互排列。各磁體41朝著檢查容器31在X方向上帶磁。優(yōu)選地,各磁體41的磁化方向?qū)τ诜磻?yīng)盤11上的所有磁體41都是相同方向。另外，在上述的說明中，磁體41和檢查容器31沿著圓周交互排列。但是，只要可以由兩個磁體41夾著檢查容器31，就不限于該排列。圖6是示意地示出反應(yīng)盤11中的檢查容器31和磁體41的其它排列例的圖。也可以像圖6所示的那樣，為了由兩個磁體41夾著各檢查容器，對一個檢查容器31設(shè)置兩個磁體41。此時，由于夾著檢查容器31的兩個磁體41可以相互平行地配置，所以可以減輕磁通密度的空間分布的畸曲。
[0099]本發(fā)明人為了驗證磁體正面41f比檢查液接觸面31c大的磁體41的效果進行了模擬。以下說明模擬的各種條件，說明模擬的結(jié)果。
[0100]檢查液中的磁性粒子受磁場的磁力、重力、檢查液的浮力、檢查液的粘性阻力等而運動。通過把受到了這些作用的磁性粒子的運動程式化，計算濃度分布從均勻的初始狀態(tài)經(jīng)過任意時間后磁性粒子的位置，可以以數(shù)值方式估計檢查液中的磁性粒子的濃度分布變化。在磁性粒子的運動計算中，磁性粒子的粒徑、磁性粒子中的磁性體占的比率、密度、t匕帶磁率、飽和磁化等的磁性粒子的物性值、檢查液的密度、粘性系數(shù)成為參數(shù)。參考文獻值，以與本發(fā)明人實際施加磁場來測量磁性粒子的濃度變化得到的結(jié)果整合的方式，確定了這些參數(shù)。在通常的條件下，針對在檢查液中移動的磁性粒子的運動的檢查液的雷諾(ReynoIds)數(shù)Re為Re < I。即，檢查液的阻力用斯托克斯定律表達。另外，檢查液中的粒子的粒徑為I μ m左右，所以在模擬中，忽略了熱能、粒子間相互作用的影響。
[0101]對檢查液沿Z方向施加磁場時，只要磁力比重力足夠大，沿Z方向的磁性粒子的濃度分布就會與X方向同樣地變化。為了簡化，假設(shè)對檢查液沿X方向施加磁場，模擬中使用的磁場分布為沿X方向的一維的磁場分布。在夾著檢查液使平板狀的兩個磁體SN對置地配置時，檢查液內(nèi)部中的X方向的磁通密度分布近似地用坐標X的二次函數(shù)表示。在該模擬中，檢查容器內(nèi)的檢查液沿X方向的寬度為4_。另外，檢查容器內(nèi)的檢查液的X方向上的中心的X坐標設(shè)為O。
[0102]圖7示出把從根據(jù)本實施方式的磁體和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的磁通密度[T]的沿X方向的分布重疊示出的曲線圖。圖7的虛線示出現(xiàn)有例的磁通密度[T]的沿X方向的分布，圖7的實線示出本實施方式的磁通密度[T]的沿X方向的分布。另外，現(xiàn)有例指磁體正面與檢查液接觸面相比相對較小的情況，本實施方式指磁體正面與檢查液接觸面相比相對較大的情況。像圖7所示的那樣，與現(xiàn)有例相比，本實施方式的沿X方向的檢查液的中央部分的磁通密度的凹陷小。另外，與現(xiàn)有例相比，本實施方式整體上磁通密度大。這樣，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置通過利用具有與檢查液接觸面相比相對較大的磁體正面的磁體，與利用具有與檢查液接觸面相比相對較小的磁體正面的磁體時相比，可以沿與光入射方向(Y方向)正交的X方向施加梯度小、平坦的磁通密度。
[0103]圖8A和圖8B單獨地示出展示施加了從根據(jù)本實施方式的磁體和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線圖。圖8A的曲線圖示出根據(jù)本實施方式的濃度分布隨時間的變化，圖8B的曲線圖示出根據(jù)現(xiàn)有例的濃度分布隨時間的變化。在圖8A和圖8B中，在初始狀態(tài)下磁性粒子在檢查液中均勻地分散。檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度用初始狀態(tài)的濃度歸一化。濃度分布以30秒間隔計算，各時間的濃度分布用不同線種示出。由于磁性粒子因磁力而被吸附到檢查容器的壁面上，所以隨著時間經(jīng)過，濃度整體上降低。另外，在計算中不考慮壁面上所吸附的磁性粒子。
[0104]像圖SB所示的那樣，發(fā)現(xiàn)了在用磁體正面與檢查液接觸面相比相對較小的磁體施加磁場的現(xiàn)有例的情況下，濃度的降低速度在檢查液的中央比在內(nèi)壁附近慢，因此，磁性粒子的濃度分布伴隨著時間經(jīng)過而變得不均勻。本發(fā)明人改變磁場分布的磁通密度的梯度而進行了同樣的計算。其結(jié)果，發(fā)現(xiàn)磁通密度梯度越大，磁性粒子的濃度分布的不均勻越嚴重。作用在磁性粒子上的磁力與磁性粒子的位置處的磁通密度和磁通密度梯度的積成正t匕。由于磁通密度和磁通密度梯度這二者在檢查液中央比在內(nèi)壁附近小，所以磁力在檢查液中央比在內(nèi)壁附近小。在根據(jù)現(xiàn)有例的磁場分布那樣的檢查液中央的磁通密度嚴重凹陷的分布中，在檢查液中央與在檢查容器的內(nèi)壁附近該磁力的差大，所以內(nèi)壁附近的濃度下降快，濃度分布會變得不均勻。
[0105]像圖8A所示的那樣，在用磁體正面31c與檢查液接觸面41f相比相對較大的磁體41施加磁場的本實施方式的情況下，檢查液中央的磁通密度的降低量小。為了以與現(xiàn)有例的磁場分布同等程度的速度把磁性粒子吸引到內(nèi)壁，施加磁通密度高、梯度小的磁場即可。由此，作用到檢查液中央與檢查容器31的內(nèi)壁附近的磁性粒子上的磁力的差減小，伴隨著時間經(jīng)過濃度的降低速度無論檢查液中的哪個位置都變得均勻。像圖8A所示的那樣，通過利用具有比檢查液接觸面31c大的磁體正面41f的磁體41，伴隨著時間經(jīng)過整體上濃度降低，但在各時刻沿X方向濃度值大致恒定，磁性粒子的濃度分布可以在整個檢查液中保持大致均勻。
[0106]本發(fā)明人改變磁性粒子的粒徑、磁性粒子內(nèi)的磁性體占的比率、檢查液的粘性系數(shù)等的物性值而進行了同樣的計算。發(fā)現(xiàn)磁性粒子的濃度的隨時間的變化程度根據(jù)這些物性值變化，但磁性粒子的濃度分布的均勻性基本上不隨這些物性值變化。即，通過利用磁體正面41f比檢查液接觸面31c相對較大的磁體41向檢查液施加磁場，磁性粒子的濃度分布的均勻性提高，其結(jié)果，可以減小與空間位置對應(yīng)的檢查液的吸光度、濁度等的測量值的偏差。
[0107]有時檢查容器31與磁體41的相對的位置關(guān)系因檢查容器31的尺寸、設(shè)置位置的偏差而偏離。本發(fā)明人模擬了檢查容器31與磁體41的相對的位置在X方向上偏離時的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化。
[0108]圖9A和圖9B單獨地示出展示檢查容器31在X方向上偏離了 0.4mm時的、施加了從根據(jù)本實施方式的磁體41和根據(jù)現(xiàn)有例的磁體產(chǎn)生的磁場的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布隨時間的變化的曲線圖。圖9A的曲線圖示出根據(jù)本實施方式的濃度分布隨時間的變化，圖9B的曲線圖示出根據(jù)現(xiàn)有例的濃度分布隨時間的變化。像圖9B所示的那樣，在根據(jù)現(xiàn)有例的磁場分布中，隨著檢查容器31在橫向從磁場分布的中心偏離，磁性粒子的濃度分布的不均勻程度會進一步增加。其結(jié)果，在現(xiàn)有例的情況下，隨著檢查容器31從磁場分布的中心離開，測量結(jié)果的偏差會增大。與此相對，像圖9A所示的那樣，在根據(jù)本實施方式的磁場分布中，即使在檢查容器31在橫向從磁場分布的中心偏離時，也可以保持磁性粒子的濃度分布的均勻性。S卩，利用磁體正面41f與檢查液接觸面31c相比相對較大的磁體41時，與利用磁體正面與檢查液接觸面相比相對較小的磁體時相比，可以減小因檢查容器31與磁體41的相對的位置偏離造成的濃度分布的不均勻性和與此伴隨的測量值的偏差。
[0109]像上述那樣，作用在磁性粒子上的磁力與該位置處的磁通密度和磁通密度梯度的積成正比。因此，為了保持濃度分布的均勻性，隨著磁通密度梯度減小，磁力減弱，濃度變化速度變慢，檢查時間會增加。為了迅速實施檢測體檢查，必須增大磁通密度。本發(fā)明人模擬了變更了磁通密度時的檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布。通過該模擬，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使通過對置的磁體的中央的X軸上的磁通密度[T]大于等于0.1T，即使在X軸上以外的區(qū)域也可以較高地保持足夠的磁通密度，可以確保檢查液內(nèi)的磁性粒子的濃度分布的均勻性且在短時間內(nèi)使?jié)舛茸兓?。因此，根?jù)本實施方式的磁體41優(yōu)選為可以施加磁通密度[T]大于等于0.1T的磁場的構(gòu)成和配置。由此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以縮短檢查時間。
[0110]通過變更磁通密度和磁通密度梯度，可以通過模擬計算向檢查液施加的磁場的各種各樣的磁場分布。本發(fā)明人一邊變更磁通密度和磁通密度梯度，一邊模擬了磁性粒子的濃度分布。模擬的結(jié)果，本發(fā)明人確認了以下的趨勢，即，磁通密度的梯度越小，濃度分布的均勻性越高，相反，磁通密度的梯度越大，磁性粒子的濃度分布的不均勻性越高。另外，通過模擬，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過使通過對置的磁體的中央的X軸上的磁通密度的變動小于等于0.04T/mm,即使在X軸上以外的區(qū)域也可以減小磁通密度的梯度，可以在檢查液中較高地保持濃度分布的均勻性。因此，根據(jù)本實施方式的磁體41優(yōu)選為可以施加沿X方向的磁通密度的變動[T/mm]小于等于0.04T/mm的磁場的構(gòu)成和配置。由此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以保持磁性粒子的濃度分布的均勻性，減小測量偏差。
[0111]然后，說明與磁體的尺寸和形狀的不同對應(yīng)的磁場分布的變化。本發(fā)明人計算了具有不同尺寸和形狀的多個磁體產(chǎn)生的磁場分布。作為磁體使用方型釹磁體(NeoMag (公司)、材質(zhì):N48M、厚度:3.0mm)，該兩個方型釹磁體以夾著檢查容器31的方式SN對置地設(shè)置。方型釹磁體間的距離設(shè)定為6mm。作為檢查容器31,使用了 X方向的寬度為6mm、Y方向的寬度為7mm的方型玻璃比色皿。另外，玻璃比色皿的玻璃厚度為1mm。因此，玻璃比色皿內(nèi)的檢查液X方向的寬度為4mm、Y方向的寬度為5mm。
[0112]在磁場分布的計算中磁體的磁體正面的形狀采用了正方形和長方形。圖1OA和圖1OB是示出具有正方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場分布的計算結(jié)果的圖。圖1OA示出具有正方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系，圖1OB是示出圖1OA的磁體產(chǎn)生的磁通密度的X方向上的空間分布的曲線圖。像圖1OA所示的那樣，沿磁體正面的Z方向的長度為Sa，沿磁體正面的Y方向的長度為Sb。在圖1OB的曲線圖中示出長度Sa和長度Sb分別為3、5、8、10mm時的磁通密度。圖1OB的磁通密度示出貫通一對方型釹磁體的中央的軸A2上的磁通密度。像圖1OB所示的那樣，隨著長度Sa和Sb變短，磁通密度在檢查容器31的X方向的中央部急劇降低，隨著長度Sa和Sb變長，磁通密度趨于均勻。像上述那樣，隨著從磁體的中心向周緣部延伸,磁場分布發(fā)生畸曲。邊長為3mm的磁體的情況下，檢查液接觸面比磁體正面大。因此，邊長為3mm的磁體的情況下，由于在面對磁體的周緣部或周緣部的外側(cè)的檢查液的區(qū)域中磁通密度會急劇降低，所以磁性粒子的濃度分布嚴重不均勻。與此相對，在邊長為IOmm的磁體中，例如，如果檢查液的高度比IOmm足夠低，就可以使磁體正面比檢查液接觸面大。此時，不僅在A2上，而且在其它區(qū)域中磁通密度分布也趨于平坦，所以使磁性粒子的濃度分布無論時間經(jīng)過多久都在整個檢查液中保持均勻。
[0113]圖1lA和圖1lB是示出具有長方形的磁體正面的磁體產(chǎn)生的磁場分布的模擬結(jié)果的圖。圖1lA示出具有長方形的磁體正面的磁體與檢查容器的位置關(guān)系，圖1lB是示出圖1lA的磁體產(chǎn)生的磁通密度的X方向上的空間分布的曲線圖。在圖1lA和圖1lB中，示出磁體的Z方向的長度Sa都為20mm，Y方向的長度Sb分別為3、5、8、10mm的磁場分布。圖1lB的磁通密度示出貫通一對方型釹磁體的中央的軸A2上的磁通密度。隨著長度Sb變短，軸A2上的磁通密度在檢查容器31的中央部急劇降低，隨著長度Sb變長，軸A2上的磁通密度變得大致均勻。在配置了像長度Sb為3mm的磁體那樣的、磁體正面比檢查液接觸面小的磁體時，磁性粒子的濃度分布發(fā)生嚴重畸曲。與此相對，例如，在配置了像長度Sb為IOmm的磁體那樣的、磁體正面比檢查液接觸面大的磁體時，磁通密度在整個檢查液中大致均勻。與此相伴，在配置了磁體正面比檢查液接觸面大的磁體時，可以使磁性粒子的濃度分布無論時間經(jīng)過多久都在整個檢查液中保持均勻。
[0114]像上述那樣，如果磁性粒子的濃度分布不均勻，檢查液的吸光度、濁度等的測量結(jié)果隨檢查液的液量的變化而變化。本發(fā)明人改變磁體的幾何學(xué)配置和檢查液的液量而光學(xué)地測量了吸光度。以下，詳細說明該吸光度測量。
[0115]在該吸光度測量中，本發(fā)明人使用了檢測體，使用了空白的緩沖液作為第一試劑，使用了用緩沖液稀釋Chisso (公司)(Magnabeat公司)的磁性粒子Therma-Max (R)得到的產(chǎn)物作為第二試劑。對于浸潰在37°C的恒溫槽中的檢查容器31，首先吐出并攪拌了檢測體和第一試劑，然后吐出并攪拌了第二試劑。磁性粒子Therma-Max (R)在低溫保管狀態(tài)下粒徑為IOOnm左右，但隨著溫度上升相互凝集，變得容易被磁力吸取。本發(fā)明人在向檢查容器31吐出了磁性粒子之后，光學(xué)地測量檢查液的吸光度，測量了磁性粒子的濃度變化。
[0116]在吸光度測量中，作為磁體的幾何學(xué)配置，考慮磁體的尺寸和磁體在檢查容器上的設(shè)置位置，作為磁體的尺寸采用了 lX5X5mm (正方形)和I X 5 X IOmm (長方形)。作為磁體，使用方型釹磁體。本發(fā)明人在各磁體配置中使檢查液的總液量變化而測量了吸光度的隨時間的變化。在本測量中，在圖12中示出的4階段中設(shè)定檢查液的總液量。圖12示出4階段的每個檢查液的總液量[μ L]的檢測體的液量[μ L]、第一試劑的液量[μ L]、第二試劑的液量[μ L]、補充水的液量[μ L]和液高[mm]。像圖12所示的那樣，檢查液的總液量被設(shè)定為110 μ L、165 μ L、220 μ L、275 μ L。在各總液量中檢查液中的磁性粒子的混合比率保持恒定。測量波長設(shè)定為416nm。測光位置設(shè)定為從檢查容器31的內(nèi)底面即檢查液的底面算起2.5mm的高度處。檢查容器31的內(nèi)壁的尺寸為X方向XY方向=4X5mm。各總液量中的檢查液的高度(液高)如圖12所示。
[0117]圖13A和圖13B示出在檢查容器31的外底面上配置磁體A (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=5X5Xlmm)時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。圖14A和圖14B示出在檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上配置磁體A時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。圖15A和圖15B示出在檢查容器的與檢查液接觸面對置的外壁面上配置磁體B (X方向長度XY方向長度XZ方向長度=lX5X10mm)時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。另外，在該吸光度測量中，關(guān)于各幾何學(xué)配置，本發(fā)明人準備了 5組磁體與檢查容器的組合。針對5組組合中的每一組合測量了 4個總液量下的吸光度。圖13B、圖14B和圖15B示出的隨時間變化曲線示出5組時間變化曲線的平均值。另外，發(fā)現(xiàn)在相同的幾何學(xué)配置下的5組之間，時間變化曲線的偏差十分小，相同的幾何學(xué)配置下的5組之間沒有明顯差異。另一方面，像圖13B、圖14B和圖15B所示的那樣，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，總液量不同時，時間變化曲線有明顯不同。以下，詳細說明各幾何學(xué)配置下的吸光度的隨時間的變化。
[0118]像圖13A所示的那樣，在檢查容器31的外底面上貼附了磁體A時，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量比較小，而且，檢查液的液量越多，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量越小。由于該磁體貼附在檢查容器31的外底面，所以檢查液中的磁性粒子朝著磁體吸引到下方。磁體A貼附在檢查容器31的外底面時，隨著從檢查液的外底面離開，磁場急劇衰減。與此相伴，隨著從檢查容器31的外底面離開，檢查液中的磁通密度衰減，磁性粒子的移動速度變慢。因此，在檢查容器31的外底面上貼附了磁體時，與在檢查容器31的外壁面上貼附了磁體時相比，位于測光位置上方的磁性粒子通過測光位置并到達檢查容器31的外底面所需的時間長，吸光度的降低速度慢。另外，隨著檢查液的總液量增加，從測光位置的上方向下方移動的磁性粒子的數(shù)量增加。換言之，隨著總液量增加，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量減小。
[0119]像圖14A所示的那樣，在檢查容器31的與檢查液接觸面對應(yīng)的外壁下部貼附了磁體A時，也與圖13A同樣地，隨著檢查液的總液量增加，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量減小。但是，總液量為110 μ L時，與總液量大于等于165 μ L時相比，伴隨著時間經(jīng)過吸光度急劇降低。其理由如下?？傄毫繛镮io μ L時，檢查液的液面的高度為5.5mm，與磁體A的上端的高度大致相等。與此相對，總液量大于等于165 μ L時，檢查液的液面的高度為8.3mm,比磁體A的上端的高度高。S卩，總液量為110 μ L時，在測光位置上方存在的磁性粒子很少；總液量大于等于165 μ L時,測光位置上方有很多磁性粒子。總液量大于等于165 μ L時,在磁體A上方分布的磁性粒子伴隨著時間經(jīng)過向下方移動。因此，總液量大于等于165 μ L時，測光位置中的磁性粒子的濃度比總液量100 μ L時大。換言之，總液量大于等于165 μ L時，與總液量110 μ L時相比，伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量減小。
[0120]像圖15Α所示的那樣，在檢查容器31的檢查液接觸面上貼附了磁體B時，不管在哪個總液量下，伴隨著時間經(jīng)過吸光度急劇變化。另外，總液量110 μ L和總液量165 μ L下時間變化曲線大致一致?？傄毫縄lOyL時，檢查液的高度為5.5mm;總液量165yL時，檢查液的高度為8.3mm。S卩，總液量110 μ L和總液量165 μ L時，檢查液的高度比磁體B的高度低。因此，總液量110 μ L和總液量165 μ L時，在比磁體B高的位置不存在磁性粒子，磁性粒子不會從測光位置的上方朝著測光位置移動，結(jié)果盡管總液量不同，吸光度也大致相同。即，通過使磁體B的高度比檢查液的高度高，可以防止磁性粒子從測光位置的上方朝著測光位置移動，減小總液量的變化造成的吸光度的偏差。
[0121]基于上述的預(yù)備測量試驗結(jié)果，本發(fā)明人制作了具有在檢查容器31內(nèi)的整個檢查液中施加磁通密度均勻的磁場的磁體41的檢測體檢查裝置I。以下,說明根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I的詳細的結(jié)構(gòu)。
[0122]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I具有對各檢查容器31搭載具有上述的幾何學(xué)配置的磁體41的磁場施加模塊。
[0123]圖16是磁場施加模塊43的立體圖。像圖16所示的那樣，磁場施加模塊43具有磁體41和隔離物45。以沿X方向夾著檢查容器的方式SN對置地配置兩個磁體41。磁體41由永磁體411和軟磁性板413構(gòu)成。例如，作為永磁體411，像上述那樣使用釹磁體等。在永磁體411與檢查容器31之間設(shè)置軟磁性板413。典型地，軟磁性板413貼附在永磁體411的檢查容器31側(cè)的面上。通過把軟磁性材料成形加工成板狀而形成軟磁性板413。作為軟磁性材料，可以使用鐵、鎳、鈷等的金屬、坡莫合金(permalloy )、超坡莫合金(Super-mal 1y)等的合金、磁性不銹鋼等。另外,在上述中磁體41由永磁體411和軟磁性板413構(gòu)成。但是，本實施方式不限于此。例如，磁體41也可以具有電磁體來替代永磁體411。
[0124]為了提高從永磁體411產(chǎn)生的磁場的均勻度而設(shè)置軟磁性板413。以下，說明提高軟磁性板413產(chǎn)生的磁場的均勻度的機制。永磁體411尤其是包含稀土類元素的永磁體411可以產(chǎn)生強的磁場強度。但是,材質(zhì)的偏差、帶磁的偏差導(dǎo)致磁場分布畸曲。磁場分布的畸曲造成磁性粒子的濃度分布不均勻，每個檢查容器31的測量值會產(chǎn)生偏離。軟磁性板413由具有高透磁率的軟磁性材料形成。通過以從永磁體411產(chǎn)生的磁力線通過軟磁性板413的方式在永磁體411與檢查容器31之間配置軟磁性板413，可以提高磁體41的正面的磁通密度的均勻性。其結(jié)果，可以減小檢查液中的磁場分布的畸曲，可以減小磁性粒子的濃度分布的不均勻化和每個檢查容器31的測量結(jié)果的偏差。為了提高磁體411的正面的磁通密度的均勻性，優(yōu)選地，軟磁性板413與永磁體411的相互面對的面具有大致相同的面積。另外，軟磁性板413可以設(shè)置在永磁體411的與檢查容器31相反側(cè)的面上，也可以設(shè)置在永磁體411的兩面上。例如，在本實施方式中，優(yōu)選地，永磁體411的材質(zhì)為N48M (信越化學(xué)制)、尺寸為X方向長度XY方向長度XZ方向長度=1.5X10X22mm(磁化為X方向)，軟磁性板413的尺寸為X方向長度XY方向長度XZ方向長度=0.3X10X22mm。在永磁體411的面對檢查容器31的面上貼附軟磁性板413而形成了磁體41。
[0125]兩個磁體41以具有上述的幾何學(xué)配置的方式隔著隔離物45結(jié)合。具體地，沿X方向的磁體41的間隔設(shè)定為6.2mm。即，沿X方向的隔離物45的寬度與沿X方向的磁體41的間隔大致相同，為約6.2mm。隔離物45具有例如第一隔離物45_1、第二隔離物45_2和第三隔離物45-3。為了以兩個磁體41之間具有預(yù)定間隔進行固定，兩個磁體41隔著第一隔離物45-1、第二隔離物45-2和第三隔離物45-3結(jié)合。在兩個磁體41的上部，為了形成可以把檢查容器31插入磁場施加模塊43的空間，與第一隔離物45-1和第二隔離物45-2相結(jié)合。在兩個磁體41的下部，與可以載置檢查容器31的第三隔離物45-3結(jié)合。在由磁體41和各隔離物45包圍的空間中收存檢查容器。以各磁體41的下端比第三隔離物45-3的上表面朝下方突出2mm的方式，使兩個磁體41隔著第三隔離物45_3結(jié)合。通過該結(jié)構(gòu)，在檢查容器31插入磁場施加模塊43時，磁體41的下端從檢查容器100的外底面朝下方突出2mm。另外，以關(guān)于Y方向的順方向和逆方向磁體比檢查容器分別朝外側(cè)突出Imm和2mm的方式，兩個磁體隔著隔離物結(jié)合。磁場施加模塊43安裝到弓形板47上時，由于以圓周狀排列，所以有磁場在圓周外側(cè)比內(nèi)側(cè)低的趨勢。于是，以隔離物的Y方向的長度在45-1處為1mm、在45-2處為2mm、隔離物45-2位于外周側(cè)的方式,把磁場施加模塊43安裝到弓形板上。由此，可以抑制圓周外側(cè)處的磁場的降低，提高Y方向的磁場均勻性。由于檢查容器的底板的厚度為1_，所以通過使從檢查容器31的內(nèi)底面到檢查液的液面的高度收攏到小于等于約19mm,可以使磁體正面比檢查液接觸面大。
[0126]反應(yīng)盤11搭載以圓周狀排列的多個弓形板47。圖17是弓形板47的立體圖。像圖17所示的那樣，各弓形板47具有弓形形狀，是可以裝卸地保持多個磁場施加模塊43的支撐件。弓形板47與反應(yīng)盤11的曲率設(shè)定成大致相同，以使得可以把弓形板47收存到反應(yīng)盤11。多個磁場施加模塊43在各弓形板47中以等間隔排列。例如，各弓形板47具有可以保持15個磁場施加模塊43的結(jié)構(gòu)。各磁場施加模塊43中相互面對地排列磁體41，以使得來自光源210的光可以通過磁體41之間。
[0127]各弓形板47具體地由第一板471和第二板472構(gòu)成。第一板471是支撐檢查容器31的上方的支撐件，第二板472是支撐檢查容器31的下方的支撐件。在第一板471上形成用來使檢查容器31從磁場施加模塊43出入的開口 471a。開口 471a的排列間距設(shè)定成與磁場施加模塊43的排列間距大致相同。第一板471和第二板472以從上下方向夾著多個檢查容器31的狀態(tài)固定。在把磁場施加模塊43安裝在弓形板47上的狀態(tài)下，把弓形板47收存到反應(yīng)盤11中。由此,可以把磁場施加模塊43固定到反應(yīng)盤11內(nèi)。通過把磁場施加模塊43固定到反應(yīng)盤11內(nèi)，可以減小伴隨磁場施加模塊43的位置偏離的測量值的偏差。
[0128]另外，在上述的說明中，磁場施加模塊43安裝在弓形板47上。但是，本實施方式不限于此。只要磁場施加模塊43可以直接地固定在反應(yīng)盤11上，也可以不在弓形板47上安裝磁場施加模塊43，而是把磁場施加模塊43直接地配置在反應(yīng)盤11內(nèi)。
[0129]本發(fā)明人對一個弓形板47上保持的15個檢查容器31的每一個光學(xué)地測量了吸光度。對圖12的4階段的檢查液的總液量進行了吸光度的測量。針對每個檢查容器31實施了 3次吸光度測量。在保持在弓形板47的兩端的兩個檢查容器中，與剩余的13個檢查容器相比，測量值不同。關(guān)于弓形板47的兩端以外的剩余的13個檢查容器，每次測量的測量值的偏差、檢查容器31間的偏差落在了允許范圍內(nèi)。
[0130]圖18示出利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體41時的、圖12的每個檢查液總液量的吸光度的隨時間變化曲線。另外，圖18的隨時間變化曲線是針對弓形板47的兩端以外的剩余的13個檢查容器的測量值的平均值。像圖18所示的那樣，利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體41時，無論總液量的差異如何，吸光度的隨時間變化曲線大致一致。與圖13、圖14和圖15的情況相比，在圖18的情況下，伴隨著檢查液的液量的變化，吸光度的偏差降低。即，磁體正面41f比檢查液接觸面31c相對較大時，與磁體正面4If比檢查液接觸面31c相對較小時相比，檢查液中的磁性粒子的濃度分布變得均勻，可以減小檢查液的液量的不同造成的吸光度的偏差。
[0131]像上述那樣，測光位置中的磁通密度隨與磁體的相對位置關(guān)系變化。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了可以降低與測光位置的變化對應(yīng)的磁通密度的變化的磁體41的幾何學(xué)配置。以下，詳細說明該幾何學(xué)配置。
[0132]圖19是示出磁體41與測光位置的位置關(guān)系的圖。像圖19所示的那樣，測光位置設(shè)定在使光通過檢查容器31內(nèi)的檢查液那樣的高度。在檢查容器31的X方向上的兩側(cè)配置兩個磁體41?？粘鼍嚯x間隔d地配置兩個磁體41。另外，測光位置的Z方向上的中心與磁體41的下端的高度差設(shè)定為h。為了使磁通密度在空間上大致均勻，磁體41具有比檢查液接觸面31c大的磁體正面41f。典型地，磁體正面41f具有Z方向上長的長方形。而且，為了減小測光位置處的磁通密度，優(yōu)選地，磁體41具有滿足d ( h那樣的幾何學(xué)配置。其理由如下。
[0133]使Z方向上長的兩個磁體41對置地配置時，在兩個磁體41之間的區(qū)域形成的磁場分布隨著磁體的Z方向上的長度Sa相對于磁體間的距離d變長，磁體41的Z方向上的中央部附近的磁通密度在Z方向上大致平坦。在磁體41的Z方向上的兩端部附近，磁力線朝著磁體41的外側(cè)發(fā)散，所以磁通密度降低。因此，在該磁體41間設(shè)置了檢查容器31時，為了不受磁體41的下端附近的磁通密度降低的影響地確保磁性粒子的濃度分布的均勻性，需要把檢查容器31的外底面設(shè)置在比磁體的下端高的位置。物理上看，在離磁體的下端的高度小于等于距離d的程度的區(qū)域磁通密度降低。即，如果以高度h大于等于距離d的方式設(shè)置磁體41和檢查容器31，則在檢查液內(nèi)的測光位置附近沿上下方向(Z方向)幾乎不產(chǎn)生磁通密度梯度。通過這樣設(shè)定磁體的幾何學(xué)配置，可以防止檢查液內(nèi)的測光位置附近的磁性粒子的濃度分布的不均勻化。
[0134]有時測光位置因檢測體檢查裝置I的設(shè)定而不同。因此，在設(shè)置磁體41時，如果在結(jié)構(gòu)上可以測光的最低測光位置(以下，最低測光位置)與磁體41的下端的高度的差為h，則優(yōu)選地，以滿足d < h的關(guān)系的方式設(shè)置磁體41。此時，由于即使測光位置變更成比最低測光位置高的位置也能保持d ( h的關(guān)系，所以可以把測光位置的變更對測量結(jié)果的影響抑制到最低限度。
[0135]本發(fā)明人測量了滿足d < h的關(guān)系時和不滿足d < h的關(guān)系時的吸光度。以下，說明該測量結(jié)果。[0136]圖20A和圖20B是單獨地示出利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體和具有根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的磁體時的、測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線的曲線圖。圖20A示出利用具有根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的磁體時的測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線，圖20B示出利用具有根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的磁體時的測光位置A和測光位置B處的吸光度的隨時間變化曲線。在圖20A和圖20B中，檢查液的總液量設(shè)定為220 μ L，檢查液內(nèi)的各溶液的液量根據(jù)圖12設(shè)定。圖20Α和圖20Β的隨時間變化曲線是弓形板47內(nèi)的15個檢查容器31中的除兩端以外的13個檢查容器31的隨時間變化曲線的平均值。另外，測量值的檢查容器31間的偏差落在了允許范圍內(nèi)。
[0137]首先，說明圖20Β中的根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置。作為磁體的永磁體使用了信越化學(xué)制的釹磁體。該釹磁體的材質(zhì)為Ν48Μ，尺寸為22Χ IOX 1.5mm，磁化方向為X方向(釹磁體的厚度方向)，鍍Ni。另外，作為軟磁性板使用了材質(zhì)SUS430、尺寸為22X10X0.3mm。檢查容器31的側(cè)壁的厚度為1.0_。磁體間的距離d設(shè)定為6.2_。以磁體的下端位于檢查容器31的外底面下方2_的方式配置了磁體。測光位置A設(shè)定在檢查容器31的檢查液接觸面的下端的上方2.5mm處。測光位置A的情況下，高度h為5.5mm。為了與測光位置A比較，在測光位置A上方2.7mm處設(shè)定測光位置B。即，測光位置B的情況下，高度h為
8.2mm。因此，圖20B的情況下，測光位置A是d > h，測光位置B是d≤h。
[0138]像圖20B所示的那樣，根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置的情況下，在測光位置A和測光位置B處隨時間變化曲線稍有偏離。與測光位置B處的隨時間變化曲線相比，測光位置A處的隨時間變化曲線伴隨著時間經(jīng)過吸光度的降低量更大。在同一測光位置，測量結(jié)束時刻的吸光度的檢查容器31間的偏差，按標準偏差為0.0035左右，不同測光位置處的平均吸光度的差為0.0315。即，不同測光位置處的平均吸光度的差比檢查容器31間的偏差大一位數(shù)左右，稱得上差異顯著。本發(fā)明人從以上的結(jié)果發(fā)現(xiàn)了，在根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置下測光位置的不同對測量結(jié)果有影響。
[0139]下面，說明圖20A中的根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置。作為永磁體411使用了信越化學(xué)制的釹磁體(材質(zhì)N48M)。永磁體尺寸為24X IOX 1.5mm，磁化方向為X方向(釹磁體的厚度方向)，鍍Ni。另外，作為軟磁性板413使用了材質(zhì)SUS430、尺寸為24X10X0.3mm。與現(xiàn)有例同樣地，檢查容器31的側(cè)壁的厚度為1.0mm。磁體41間的距離d設(shè)定為6.2mm。在根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置中，以磁體41的下端位于檢查容器31的外底面下方4_的方式配置了磁體41。測光位置A設(shè)定在檢查容器31的檢查液接觸面的下端的上方2.5mm處。測光位置A的情況下，高度h為7.5mm。測光位置B設(shè)定在測光位置A上方2.7mm處。即，測光位置B的情況下，高度h為10.2mm。因此，圖20A的情況下，測光位置A和測光位置B這二者都是d < h。 [0140]像圖20A所示的那樣，根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的情況下，根據(jù)測光位置A的吸光度的隨時間變化曲線和根據(jù)測光位置B的吸光度的隨時間變化曲線大致一致。同一測光位置處的吸光度的檢查容器間的偏差，與不同測光位置處的平均吸光度的差大致為同等程度。即，根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置的情況下，在不同測光位置處時間變化曲線沒有明顯差異。從上述的測量結(jié)果驗證了，通過利用具有滿足d ( h那樣的幾何學(xué)配置的磁體，可以防止伴隨著變更測光位置的測量結(jié)果的偏差。因此，通過利用具有滿足d(h那樣的幾何學(xué)配置的磁體41，可以得到與裝置構(gòu)成無關(guān)的穩(wěn)定的測量結(jié)果。
[0141]另外，在根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置下，測光位置A和測光位置B處時間變化曲線不同是因為測光位置A和測光位置B的磁場環(huán)境不同。本發(fā)明人通過磁場解析計算了 X方向上的磁通密度的沿Z方向的分布。
[0142]圖21示出根據(jù)比較例的幾何學(xué)配置(磁體的下端比檢查容器的外底面朝下方突出2mm)和根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置(磁體的下端比檢查容器的外底面朝下方突出4mm)下的X方向上的磁通密度的沿Z方向的位置變化曲線。在圖21中，Z=O對應(yīng)于檢查容器31的內(nèi)底面即檢查液的下端，以在檢查液的上側(cè)Z取正值的方式設(shè)定了 Z軸的坐標。測光位置A與Z=2.5相當、測光位置B與Z=5.2相當。像圖21所示的那樣，在比較例中，磁通密度從靠近檢查液的底的區(qū)域朝-Z方向開始下降。因此，靠近檢查液的底的區(qū)域的磁通密度梯度比它的十Z方向的區(qū)域中的磁通密度梯度大。因此，測光位置A的情況下，與測光位置B相比，磁性粒子被迅速吸引到磁體上，其結(jié)果，與時間經(jīng)過對應(yīng)的吸光度的降低量更大。為了減小與這樣的測光位置對應(yīng)的吸光度的隨時間變化的偏差，抑制檢查液的下端附近的磁通密度降低，增加沿Z方向具有平坦的磁場密度的區(qū)域即可。因此，設(shè)定滿足d ( h那樣的幾何學(xué)配置即可。像圖21所示的那樣，在根據(jù)本實施方式的幾何學(xué)配置下，磁場分布平坦的區(qū)域延伸到Z=0，顯然檢查液的下端附近的磁場分布的平坦性提高。
[0143]另外，像圖2所示的那樣，磁體41和檢查容器31沿圓周交互排列時，有時不能平行地配置夾著檢查容器31的一對的磁體41。此時，像圖22所示的那樣，磁體間距離d會因Y方向的位置而不同。此時，可以把通過檢查液的多個Y方向位置處的磁體間距離中的最大的磁體間距離設(shè)定為距離d。例如，考慮與檢查容器31的內(nèi)側(cè)面中的與X方向平行的面31x相接的直線Lx。該直線Lx與各磁體41的磁體正面41f的交點P1、P2間的距離可以設(shè)定為距離d。另外，像上述那樣，高度h可以設(shè)定為最低測光位置與磁體41的下端之間的距離。通過以這樣設(shè)定的距離d和高度h滿足d < h那樣的幾何學(xué)配置設(shè)置磁體41，可以抑制測光位置的不同造成的測量值的偏差。
[0144]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I包括:反應(yīng)盤11、磁體41和測光機構(gòu)27。反應(yīng)盤11收存包含檢測體和磁性粒子的檢查液用的檢查容器31。磁體41對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加磁場。測光機構(gòu)27具有光源210和檢測器220。光源210朝著檢查容器31內(nèi)的檢查液照射光。檢測器220設(shè)置在夾著檢查容器31與光源210對置的位置處，檢測來自檢查液的光。磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。具體地，作為磁體41利用磁體正面41f比檢查容器31的檢查液接觸面31c大的磁體。另外，以測光位置與磁體41的下端之間的高度差h比磁體間距離d大的方式配置磁體41。
[0145]通過上述的構(gòu)成，可以在檢查液中的磁性粒子的濃度分布保持均勻的情況下，利用磁體41的磁力從檢查液分離磁性粒子。其結(jié)果，可以減小檢查液的液量、測光位置的變化造成的測量值的偏差，可以抑制對測量結(jié)果的影響。因此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以得到高精度的檢查結(jié)果。另外，可以減小檢測體檢查裝置I的開發(fā)成本。另外，即使檢查容器31的尺寸、固定位置等的制作公差導(dǎo)致不同檢查容器31間檢查液與磁體41的相對位置關(guān)系發(fā)生了偏離，也可以減小不同檢查容器31間的檢查結(jié)果的偏差。
[0146]下面，說明根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置的應(yīng)用例。[0147][應(yīng)用例I]
[0148]上述的根據(jù)實施方式的檢測體檢查裝置I是一直對檢查容器31施加來自磁體41的磁場的構(gòu)成。此時,從剛剛向檢查容器31吐出磁性粒子后開始，磁性粒子被磁體41吸引到檢查容器31的內(nèi)壁上。因此，有時磁性粒子與測量對象的微量分子的反應(yīng)效率不夠。另夕卜，用清洗機構(gòu)29清洗檢查容器31時，磁性粒子被磁體41吸引到檢查容器31的內(nèi)壁上，所以難以從檢查容器31沖洗磁性粒子。
[0149]根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I具有可以切換對檢查容器31施加和不施加磁場的構(gòu)成。圖23是根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I的反應(yīng)盤11周邊的示意平面圖。像圖23所示的那樣，根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I在工作臺上的反應(yīng)盤11的外部搭載裝卸機構(gòu)51。另外，在圖23中，攪拌機構(gòu)23、清洗機構(gòu)29等的其它機構(gòu)省略。
[0150]裝卸機構(gòu)51具有可以對反應(yīng)盤11裝卸在反應(yīng)盤11上的裝卸位置Pa處配置的檢查容器31的構(gòu)成。裝卸機構(gòu)51內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使裝卸機構(gòu)51進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，裝卸機構(gòu)51根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，為了使檢查容器31從磁場退避而把檢查容器31從反應(yīng)盤11卸下，或者為了向檢查容器31施加磁場而把檢查容器31安裝到反應(yīng)盤11。更詳細地，裝卸機構(gòu)51根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制，把配置在裝卸位置Pa處的檢查容器31移動到反應(yīng)盤11外的退避位置Pb處。另外，根據(jù)分析機構(gòu)控制部3的控制，把配置在退避位置Pb處的檢查容器31移動到裝卸位置Pa處。由裝卸機構(gòu)51移動檢查容器31的移動手段只要是可以移動檢查容器31，什么樣的手段都可以。裝卸機構(gòu)51可以是可以裝卸一個檢查容器31，也可以像圖23所示的那樣，可以裝卸多個檢查容器31。可以裝卸多個檢查容器31時，裝卸機構(gòu)51可以使多個檢查容器一起移動，也可以使多個檢查容器一個一個地移動。
[0151]另外，裝卸機構(gòu)51的裝卸對象不僅限于檢查容器31。例如，裝卸機構(gòu)51也可以不裝卸檢查容器31而裝卸磁體41。此時，用裝卸機構(gòu)51裝卸夾著不被施加磁場的檢查容器31的一對的磁體41。另外，也可以把檢查容器31和磁體41 一起裝卸。
[0152]從反應(yīng)盤11上的裝卸位置Pa移動磁體41時，向配置在移動了的磁體41的周圍的目的外的檢查容器31施加的磁場的磁通密度會變動。其結(jié)果，目的外的檢查容器31內(nèi)的磁性粒子的濃度分布會變得不均勻，有時會對測量結(jié)果產(chǎn)生不良影響。因此，作為裝卸機構(gòu)51的裝卸對象，優(yōu)選檢查容器31，而不是磁體41。
[0153]另外，在上述的說明中，為了切換對檢查容器31施加和不施加磁場，檢測體檢查裝置I搭載了可以機械地移動檢查容器31、磁體41的裝卸機構(gòu)51。但是，根據(jù)本實施方式的切換施加和不施加磁場的手段不限于此。例如，磁體41由電磁體構(gòu)成時，作為切換施加和不施加磁場的手段，檢測體檢查裝置11可以搭載電流控制裝置。電流控制裝置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，控制對電磁體的電流供給。例如，電流控制裝置為了停止對目的檢查容器31施加磁場，停止對夾著目的檢查容器31的一對電磁體供給電流。另一方面，為了開始對目的檢查容器31施加磁場，電流控制裝置開始對夾著目的檢查容器31的一對電磁體供給電流。
[0154]像上述說明的那樣，根據(jù)應(yīng)用例I的檢測體檢查裝置I搭載切換對目的檢查容器31施加和不施加磁場的手段。由此，在向檢查容器31吐出磁性粒子之后，通過停止對該檢查容器31施加磁場，可以促進磁性粒子與測量對象的微量分子的反應(yīng)。另外，通過停止對清洗對象的檢查容器31施加磁場，可以高精度地進行該檢查容器的清洗。
[0155][應(yīng)用例2]
[0156]圖24是根據(jù)應(yīng)用例2的檢測體檢查裝置I的反應(yīng)盤11周邊的示意平面圖。像圖24所示的那樣，根據(jù)應(yīng)用例2的檢測體檢查裝置I在反應(yīng)盤11的外部搭載脫離機構(gòu)53、安裝機構(gòu)55和搬送機構(gòu)57。
[0157]脫離機構(gòu)53具有可以把在反應(yīng)盤11上的脫離位置Pc處配置的檢查容器31從反應(yīng)盤11卸下的構(gòu)成。脫離機構(gòu)53內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使脫離機構(gòu)53進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，脫離機構(gòu)53根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，為了使檢查容器31從磁場退避，從脫離位置Pc處卸下檢查容器，并配置到退避位置Pd處，該退避位置Pd配置在可以忽略來自磁體41的磁場的影響的位置處。退避位置Pd設(shè)置在搬送機構(gòu)57上。
[0158]安裝機構(gòu)55具有可以把配置在搬送機構(gòu)57上的待機位置Pe處的檢查容器31安裝到反應(yīng)盤11上的安裝位置Pf處的構(gòu)成。安裝機構(gòu)55內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使安裝機構(gòu)55進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，安裝機構(gòu)55根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，為了向檢查容器31施加磁場，把配置在待機位置Pe處的檢查容器31配置在安裝位置Pf處。待機位置Pe配置在可以忽略來自磁體41的磁場的影響的位置處。
[0159]搬送機構(gòu)57設(shè)置在工作臺上的反應(yīng)盤11的外部的、可以忽略來自磁體41的磁場的影響的位置處。搬送機構(gòu)57具有可以把配置在退避位置Pd處的檢查容器31搬送到待機位置Pe處的構(gòu)成。搬送機構(gòu)57內(nèi)置根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制使搬送機構(gòu)57進行動作的驅(qū)動裝置。具體地，搬送機構(gòu)57根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，以恒定的時間間隔反復(fù)移動和停止，把檢查容器31間歇性地從退避位置Pd搬送到待機位置Pe。作為搬送機構(gòu)57，用例如傳送帶實現(xiàn)。在搬送機構(gòu)57上的退避位置Pd與待機位置Pe之間，從退避位置Pd側(cè)依次設(shè)置清洗位置Pg和攪拌位置Ph。
[0160]清洗機構(gòu)29根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，用清洗液清洗配置在搬送機構(gòu)57上的清洗位置Pg處的檢查容器31。攪拌機構(gòu)23根據(jù)來自分析機構(gòu)控制部3的控制，用攪拌器25攪拌配置在搬送機構(gòu)57上的攪拌位置Ph處的檢查容器31內(nèi)的檢測體和磁性粒子。
[0161]下面，說明根據(jù)應(yīng)用例2的分析機構(gòu)控制部3進行的動作例。分析機構(gòu)控制部3以經(jīng)由操作部6指示開始測量對象的微量分子的定量處理為契機，開始根據(jù)應(yīng)用例2的處理。首先，在檢查容器31從磁體41產(chǎn)生的磁場退避了的狀態(tài)下，把包含測量對象的微量分子的檢測體和包含磁性粒子的試劑向檢查容器31內(nèi)吐出。檢測體和磁性粒子被吐出到例如搬送機構(gòu)57上。已被吐出了檢測體和磁性粒子的檢查容器31，被搬送機構(gòu)57反復(fù)移動和停止，同時搬送到攪拌位置Ph處。如果配置在攪拌位置Ph處，則利用攪拌機構(gòu)23以攪拌器25攪拌檢查容器31內(nèi)的檢測體和磁性粒子。攪拌之后的檢查容器31用搬送機構(gòu)57搬送到待機位置Pe處。如果配置在待機位置Pe處，則用安裝機構(gòu)55把檢查容器31安裝到反應(yīng)盤11上的安裝位置Pf處。通過安裝到反應(yīng)盤11上，從磁體41向檢查容器31施加磁場。像上述那樣，磁體41具有使磁通密度大致均勻的幾何學(xué)配置。因此，在檢查容器31內(nèi)的檢查液中磁性粒子的濃度分布在空間上仍然大致均勻地變化。安裝到安裝位置Pf處的檢查容器31被反應(yīng)盤11反復(fù)轉(zhuǎn)動和停止，同時以既定次數(shù)橫切反應(yīng)盤11上的測光位置。在檢查容器31每次橫切測光位置時，用測光機構(gòu)27對檢查容器31內(nèi)的檢查液進行光學(xué)測量。在既定次數(shù)的光學(xué)測量后，檢查容器31被反應(yīng)盤11反復(fù)轉(zhuǎn)動和停止，同時配置在反應(yīng)盤11上的脫離位置Pc處。用脫離機構(gòu)53把配置在脫離位置Pc處的檢查容器31從反應(yīng)盤11移動到搬送機構(gòu)57上的退避位置Pd處。通過從反應(yīng)盤11卸下，檢查容器31從來自磁體41的磁場退避。配置在退避位置Pd處的檢查容器31被搬送機構(gòu)57反復(fù)移動和停止，同時搬送到清洗位置Pg處。利用清洗機構(gòu)29用清洗液清洗配置在清洗位置Pg處的檢查容器31。
[0162]由此，結(jié)束利用分析機構(gòu)控制部3對檢查容器31進行的一次定量處理。分析機構(gòu)控制部3對各檢查容器并列地反復(fù)執(zhí)行上述的處理。由此，可以對多個檢查容器31并列地執(zhí)行測量對象的微量分子的定量處理。
[0163]像上述那樣，在從磁場脫離了的狀態(tài)下向檢查容器31吐出磁性粒子并攪拌。因此，可以提高檢測體中包含的微量分子與磁性粒子的反應(yīng)效率，提高微量分子的檢測靈敏度。通過在具有上述的幾何學(xué)配置的磁體41產(chǎn)生的磁場下執(zhí)行光學(xué)測量，可以在確保磁性粒子的濃度分布的均勻性的狀態(tài)下測量吸光度、濁度等測量值的隨時間的變化，可以與液量、測光位置無關(guān)地得到偏差小的測量結(jié)果。通過在從磁場脫離了的狀態(tài)下清洗檢查容器31，可以提高磁性粒子的清洗效率，防止試劑類的遺留。另外，由于在定量處理中的一連串工序之間磁體41的幾何學(xué)配置不變化，所以檢查容器31的裝卸對向反應(yīng)盤11上安裝的其它檢查容器31施加的磁場不施加影響。
[0164][變形例]
[0165]在此，說明根據(jù)本實施方式的變形例的檢測體檢查裝置。上述的根據(jù)實施方式的檢測體檢查裝置通過搭載磁體正面41f比檢查液接觸面31c大的磁體41，使檢查液中的磁場的磁通密度在空間上大致均勻。根據(jù)變形例的檢測體檢查裝置除了產(chǎn)生向檢查液施加的磁場的磁體以外，還搭載用來提高檢查液中的磁場的空間的均勻性的鐵磁性體。以下，說明根據(jù)變形例的檢測體檢查裝置。另外，在以下的說明中，對于具有與上述實施方式大致相同的功能的構(gòu)成要素賦予相同的附圖標記，只在必要時進行重復(fù)說明。
[0166]圖25A是示意地示出根據(jù)變形例的磁體61和鐵磁性體63的配置例的圖，是從Y方向看檢查容器31時的圖。圖25B是從X方向看圖25A的檢查容器31時的圖。另外，在圖25B中，為了簡化，磁力線的圖示省略。像圖25A和圖25B所示的那樣，以在X方向上夾著檢查容器31的方式配置兩個磁體61-1和磁體61-2。磁體61-1在N極帶磁,磁體61-2在S極帶磁。從磁體61-1到磁體61-2的磁力線沿著X軸行進是理想的。來自測光機構(gòu)27的光源210的光沿著Y軸行進。在此，把檢查容器31的四個側(cè)面中的與光路正交的兩個面稱為光路面，與光路平行的兩個面稱為非光路面。即，兩個磁體61-1和磁體61-2設(shè)置在檢查容器31的非光路面?zhèn)?。以下，在不區(qū)別磁體61-1和61-2時簡單地記為磁體61。
[0167]各磁體61具有與根據(jù)現(xiàn)有例的磁體大致相同的大小。S卩，磁體61的磁體正面的大小不比檢查液接觸面的大小大。因此,從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁力線在檢查容器31的周邊部嚴重畸曲。換言之,從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁場密度在檢查容器31的周邊部比中央部顯著劣化。
[0168]在變形例中，在檢查容器31的周圍配置用來提高磁通密度的空間的均勻性的鐵磁性體63。鐵磁性體63具有吸引從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁力線的物性。作為鐵磁性體63，也可以使用磁化率比較大的任何物質(zhì)。例如，作為鐵磁性體63可以使用鐵塊(以下稱為鐵片)。以提高從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁通密度的空間的均勻性的方式確定鐵片63的配置位置、大小、形狀、個數(shù)等的幾何學(xué)配置?？梢酝ㄟ^模擬等確定最優(yōu)化的鐵片63的幾何學(xué)配置。
[0169]例如，在圖25A、圖25B中，鐵片63設(shè)置在檢查容器31的底面?zhèn)?。由此，可以使從磁體61-1到磁體61-2的X軸方向上的磁力線為大致直線。另外，對鐵片63的配置位置沒有特別限定，除了檢查容器31的底面?zhèn)纫酝?，也可以配置在光路面?zhèn)取⒎枪饴访鎮(zhèn)群烷_口側(cè)中的某一側(cè)。但是，會遮斷來自測光機構(gòu)27的光源210的光。因此，在光路面?zhèn)扰渲描F片63時，可以以來自光源210的光可以到達檢測器220的方式確定鐵片63的配置位置、大小、形狀、個數(shù)等的幾何學(xué)配置。例如，也可以以不與光的光路相交的方式，在光路面?zhèn)葕A著光路在上側(cè)和下側(cè)的各側(cè)上配置鐵片63-1、63-2，也可以設(shè)置用來使光通過的貫通孔。
[0170]下面，參照圖26A和圖26B說明鐵片65的其它配置例。圖26A是示意地示出根據(jù)其它配置例的磁體61和鐵片65的配置例的圖，是從上方看檢查容器31時的圖。圖26B是從Y方向看圖26A的檢查容器31時的圖。像圖26A和圖26B示出的那樣，鐵片65具有使從磁體61產(chǎn)生的磁場的磁力線經(jīng)由磁體61和鐵片65形成閉合回路那樣的幾何學(xué)配置。具體地，鐵片65與磁體61-1和磁體61-2這二者接觸，以包圍檢查容器31的磁體配置面和底面的方式配置。閉合回路的情況下，與圖25A和圖25B的非閉合回路的情況相比，可以減小從磁體61向外部泄漏的磁場。因此，通過由鐵片65形成閉合回路，可以進一步提高磁通密度的空間的均勻性。
[0171]另外，在圖26A和圖26B中，鐵片65設(shè)置成包圍檢查容器31的磁體配置面和底面。但是，本實施方式不限于此。例如，鐵片65也可以設(shè)置成包圍檢查容器31的四個側(cè)面(磁體配置面和磁體非配置面)和底面。此時，可以如上所述，以遮斷來自測光機構(gòu)27的光源210的光的方式確定鐵片的幾何學(xué)配置。
[0172]這樣，如果利用變形例，則無須增大磁體就可以使來自磁體的磁場的磁通密度在空間上大致均勻。另外，該變形例的情況下，與增大磁體時相比，可以減小磁體的制造成本、廢棄成本等。
[0173]另外，上述的鐵片的幾何學(xué)配置例不過是一例。只要可以提高來自磁體61的磁場的磁通密度的空間的均勻性，就可以任意確定鐵片的幾何學(xué)配置。例如，也可以以堵塞檢查容器31的開口的方式在檢查容器31的上部設(shè)置鐵片。此時，在對檢查容器31分注試樣等時、清洗時等，鐵片可以從檢查容器31的上部退避。
[0174]另外，為了進一步提高磁通密度的空間的均勻性，也可以不在鐵片上設(shè)置光路用的缺口等而用鐵片包圍檢查容器的周圍。此時，用測光機構(gòu)27進行的檢查液的光學(xué)測量可以不在反應(yīng)盤11上而在上述的搬送機構(gòu)57上進行。此時，在搬送機構(gòu)57上設(shè)置測光機構(gòu)
27。然后，可以使收存光學(xué)測量對象的檢查液的檢查容器31從反應(yīng)盤11移動到搬送機構(gòu)57，在搬送機構(gòu)57中用測光機構(gòu)27光學(xué)測量該檢查液。由此，可以進一步提高磁通密度的空間的均勻性。
[0175][總論]
[0176]根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置包括:反應(yīng)盤11、磁場產(chǎn)生部和測光機構(gòu)27。反應(yīng)盤11收存包含檢測體和磁性粒子的檢查液用的檢查容器31。磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生對檢查容器31內(nèi)的檢查液施加的磁場。測光機構(gòu)27具有光源210和檢測器220。光源210朝著檢查容器31內(nèi)的檢查液照射光。檢測器220設(shè)置在夾著檢查容器31與光源210對置的位置處，檢測來自檢查液的光。磁場產(chǎn)生部具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。具體地，磁場產(chǎn)生部大致有兩個類型。第一類型的磁場產(chǎn)生部具有磁體41。磁體41具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。作為磁體41利用磁體正面41f比檢查容器31的檢查液接觸面31c大的磁體。另夕卜，以測光位置與磁體41的下端之間的高度的差h比磁體間距離d大的方式配置磁體41。第二類型的磁場產(chǎn)生部具有磁體61和鐵磁性體63或鐵磁性體65。磁體61產(chǎn)生向檢查液施加的磁場，鐵磁性體63或鐵磁性體65具有使磁場的磁通密度在檢查容器31內(nèi)的檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。
[0177]通過上述的構(gòu)成，可以在使檢查液中的磁性粒子的濃度分布保持均勻的情況下，利用磁體41或磁體61的磁力從檢查液分離磁性粒子。其結(jié)果，可以減小檢查液的液量、測光位置的變化造成的測量值的偏差，可以抑制對測量結(jié)果的影響。因此，根據(jù)本實施方式的檢測體檢查裝置I可以得到高精度的檢查結(jié)果。另外，可以減小檢測體檢查裝置I的開發(fā)成本。另外，即使因檢查容器31的尺寸、固定位置等的制作公差而在不同檢查容器31之間檢查液與磁體41或磁體61的相對位置關(guān)系發(fā)生了偏離，也可以減小不同檢查容器31間的檢查結(jié)果的偏差。
[0178]這樣，根據(jù)本實施方式，在通過光學(xué)地測量源自磁性粒子自身的檢查液的濁度或吸光度來對檢測對象分子進行定量的檢測體檢查裝置中，得到高精度的檢查結(jié)果。
[0179]雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但這些實施方式都是作為例子提出的，并非用來限定本發(fā)明的范圍。這些新的實施方式可以以其它的各種方式實施，在不脫離發(fā)明的主要構(gòu)思的范圍內(nèi)，可以進行各種省略、改寫、變更。這些實施方式及其變形都包含在發(fā)明的范圍和主要構(gòu)思內(nèi)，且包含在權(quán)利要求書記載的發(fā)明及其等價的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測體檢查裝置，包括: 磁場產(chǎn)生部,產(chǎn)生向檢查容器中收存的包含檢測體和磁性粒子的檢查液施加的磁場；以及 測光機構(gòu)，具有:朝著上述檢查液照射光的光源、和設(shè)置在夾著上述檢查容器與上述光源對置的位置處的檢測來自上述檢查液的光的檢測器， 該檢測體檢查裝置的特征在于: 上述磁場產(chǎn)生部具有使上述磁場的磁通密度在上述檢查容器內(nèi)的上述檢查液中大致均勻的幾何學(xué)配置。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁場產(chǎn)生部具有用來對上述檢查液施加上述磁場的磁體； 上述磁體以在與來自上述光源的光的入射方向相交的施加方向上施加上述磁場的方式配置在上述檢查容器的附近。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述施加方向是與上述入射方向和上述檢查容器的長軸這二者相交的方向。
4.如權(quán)利要求2所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁體包含以夾著上述檢查容器的方式對置配置的第一磁體和第二磁體，上述第一磁體和上述第二磁體以由連結(jié)上述第一磁體的中心和上述第二磁體的中心的軸規(guī)定的上述施加方向與上述入射方向大致垂直的方式配置。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述檢查液中的上述軸上的上述磁場的磁通密度大于等于0.1T。
6.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述檢查液中的上述軸上的上述磁場的磁通密度的變動小于等于0.04T/mm。
7.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述第一磁體和上述第二磁體各自的與上述檢查容器對置的面比上述檢查容器的內(nèi)壁中的與上述檢查液接觸的接觸部分大。
8.如權(quán)利要求7所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述接觸部分是上述檢查容器的內(nèi)壁中的對上述檢測體檢查裝置設(shè)定的最大液量的上述檢查液所接觸的部分。
9.如權(quán)利要求7所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述第一磁體與上述第二磁體之間的距離小于等于上述檢查容器上的測光位置與上述第一磁體和上述第二磁體的下端之間的距離。
10.如權(quán)利要求7所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述第一磁體和上述第二磁體由永磁體和由軟磁性材料形成的軟磁性體構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求10所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述軟磁性體配置在上述永磁體的上述檢查容器側(cè)或上述檢查容器的相反側(cè)。
12.如權(quán)利要求4所述的檢測體檢查裝置，其特征在于， 還包括:保存上述檢查容器的盤； 上述檢查容器和上述第一磁體和上述第二磁體以在上述盤中上述第一磁體和上述第二磁體夾著上述檢查容器的方式交互排列為圓周狀。
13.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述檢查容器不含具有鐵磁性的材料。
14.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于，還包括: 保存上述檢查容器的盤；以及 能夠?qū)ι鲜霰P裝卸上述檢查容器的裝卸機構(gòu)。
15.如權(quán)利要求14所述的檢測體檢查裝置，其特征在于，還包括: 攪拌機構(gòu)，用來以攪拌器攪拌上述檢查容器內(nèi)的上述檢查液； 清洗機構(gòu)，用來清洗上述檢查容器；以及 控制部，控制上述測光機構(gòu)、上述裝卸機構(gòu)、上述攪拌機構(gòu)和上述清洗機構(gòu)， 上述控制部 控制上述攪拌機構(gòu)，用上述攪拌器攪拌從由上述磁場產(chǎn)生部產(chǎn)生的磁場退避了的檢查容器內(nèi)的檢測體和磁性粒子， 控制上述裝卸機構(gòu)，為了向攪拌了的上述檢查容器施加上述磁場而把攪拌了的上述檢查容器安裝到上述盤上， 控制上述測光機構(gòu)，光學(xué)測量安裝了的上述檢查容器內(nèi)的檢查液， 控制上述裝卸機構(gòu)，從上述盤卸下由上述測光機構(gòu)進行的光學(xué)測量結(jié)束了的檢查容器， 控制上述清洗機構(gòu)，清洗卸下了的上述檢查容器。
16.如權(quán)利要求1所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁場產(chǎn)生部具有: 磁體，用來產(chǎn)生向上述檢查液施加的磁場；以及 鐵磁性體，用來使從上述磁體產(chǎn)生的磁場的磁通密度在空間上大致均勻。
17.如權(quán)利要求16所述的檢測體檢查裝置，其特征在于: 上述磁體包含以夾著上述檢查容器的方式對置配置的第一磁體和第二磁體； 上述鐵磁性體以從上述第一磁體到上述第二磁體的磁力線為大致直線的方式配置在上述檢查容器的周圍。
【文檔編號】G01N35/02GK103765214SQ201380001543
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月31日
【發(fā)明者】內(nèi)川明日香, 金山省一, 池田成 申請人:株式會社東芝, 東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會社
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