一種新型半導(dǎo)體p、n類型非接觸測試裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置,包括傳感器,用于激發(fā)半導(dǎo)體表面生成光生電荷并收集生成電荷信號傳送給電荷放大器;電荷放大器,用于將接收的電荷信號進(jìn)行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器;整形放大器,用于將接收的放大電荷信號進(jìn)行整形生成電平信號傳送給控制器;控制器,用于驅(qū)動傳感器、以及接收電平信號判斷半導(dǎo)體的P、N類型。本發(fā)明傳感器激發(fā)半導(dǎo)體表面誘發(fā)產(chǎn)生光生電荷并生成相應(yīng)的電荷信號,電荷信號依次經(jīng)過電荷放大器、整形放大器后傳送給控制器,從而分別出半導(dǎo)體的P、N類型,采用紅外激發(fā)二極管在感應(yīng)距離不超過0.15mm也可達(dá)到較高的準(zhǔn)確度,不需要直接與半導(dǎo)體接觸。
【專利說明】一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體測試領(lǐng)域,尤其涉及一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于半導(dǎo)體具有摻雜性可控導(dǎo)電特性的物理效應(yīng),使其具有熱敏性、光敏性、磁敏性、及電子放大、突變能力等特點(diǎn),因此在非電量電測信息電子技術(shù)、電子光學(xué)成像技術(shù)、通信、固體信息儲存器等具有很高的實用價值。
[0003]不同電學(xué)類型的半導(dǎo)體材料具有不同的載流子特性,在應(yīng)用中也有不同需求。現(xiàn)有檢測半導(dǎo)體材料的P、N類型大多使用接觸式冷熱探針法,極易損傷半導(dǎo)體材料以致造成隱性缺陷。
[0004]因此,亟需一種非接觸的測試半導(dǎo)體P、N類型的裝置。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置。
[0006]實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是:一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置,包括: 傳感器,其輸入端與下述控制器連接,其輸出端與下述電荷放大器連接,用于激發(fā)半導(dǎo)
體表面生成光生電荷并收集生成電荷信號傳送給電荷放大器;
電荷放大器,其輸出端與下述整形放大器連接,用于將接收的電荷信號進(jìn)行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器;
整形放大器,其輸出端與下述控制器連接,用于將接收的放大電荷信號進(jìn)行整形生成電平信號傳送給控制器;
控制器,其輸出端與所述傳感器輸入端、所述整形放大器輸出端連接,用于驅(qū)動所述傳感器、以及接收所述電平信號判斷半導(dǎo)體的P、N類型。
[0007]進(jìn)一步的,所述傳感器包括殼體、以及設(shè)置于所述殼體內(nèi)的紅外激發(fā)二極管和電荷感應(yīng)電極,所述紅外激發(fā)二極管輸入端與所述控制器輸出端連接,所述電荷感應(yīng)電極輸出端與所述電荷放大器輸入端連接。
[0008]進(jìn)一步的,還包括第一 LED燈和第二 LED燈,所述第一 LED燈和第二 LED燈分別與所述控制器輸出端連接。
[0009]本發(fā)明具有積極的效果:本發(fā)明控制器驅(qū)動電路驅(qū)動傳感器激發(fā)半導(dǎo)體表面誘發(fā)產(chǎn)生微弱的光生電荷并生成相應(yīng)的電荷信號,根據(jù)N型半導(dǎo)體為電子型載流子,表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài),因此電荷感應(yīng)電極生成一個脈動正電荷信號,而P型半導(dǎo)體為空穴型載流子,表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài),因此電荷感應(yīng)電極生成一個脈動負(fù)電荷信號;電荷放大器接收上述電荷信號進(jìn)行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器;整形放大器接收放大電荷信號進(jìn)行整形生成電平信號傳送給控制器由控制器判斷出半導(dǎo)體的P、N類型;本發(fā)明中采用紅外激發(fā)二極管在感應(yīng)距離不超過0.15mm也可達(dá)到較高的準(zhǔn)確度,不需要直接與半導(dǎo)體接觸。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解,下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖,對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明,其中:圖1為本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)框圖;
圖2為本發(fā)明傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的結(jié)構(gòu)框圖。
[0011]其中:1、外殼,2、電荷感應(yīng)電極,3、紅外激發(fā)二極管。
【具體實施方式】
[0012]實施例1
如圖1至圖2所示,本發(fā)明第一優(yōu)選實施例提供一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置,包括:傳感器,其輸入端與控制器連接,其輸出端與電荷放大器連接,用于激發(fā)半導(dǎo)體表面生成光生電荷并收集生成電荷信號傳送給電荷放大器;
電荷放大器,其輸出端與整形放大器連接,用于將接收的電荷信號進(jìn)行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器;
整形放大器,其輸出端與控制器連接,用于將接收的放大電荷信號進(jìn)行整形生成電平信號傳送給控制器;
控制器,其輸出端與傳感器輸入端、整形放大器輸出端連接,用于驅(qū)動傳感器、以及接收電平信號判斷半導(dǎo)體的P、N類型。
[0013]上述實施例中傳感器包括殼體1、以及設(shè)置于殼體I內(nèi)的紅外激發(fā)二極管3和電荷感應(yīng)電極2,紅外激發(fā)二極管3輸入端與紅外發(fā)射激勵脈沖驅(qū)動電路輸出端連接,電荷感應(yīng)電極2輸出端與電荷放大器輸入端連接。
[0014]下面對本實施例的工作原理作進(jìn)一步說明:1.控制器驅(qū)動紅外激發(fā)二極管3激發(fā)半導(dǎo)體表面誘發(fā)產(chǎn)生微弱的光生電荷;
2.電荷感應(yīng)電極2采集到光生電荷并生成相應(yīng)的電荷信號,根據(jù)N型半導(dǎo)體為電子型載流子,表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài),因此電荷感應(yīng)電極2生成一個脈動正電荷信號,而P型半導(dǎo)體為空穴型載流子,表面受光的誘激下產(chǎn)生相反電勢的表面本征態(tài),因此電荷感應(yīng)電極2生成一個脈動負(fù)電荷信號;
3.電荷放大器接收上述電荷信號進(jìn)行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器;
4.整形放大器接收上述放大電荷信號進(jìn)行整形生成電平信號傳送給控制器由控制器判斷出半導(dǎo)體的P、N類型。
[0015]本實施例中采用紅外激發(fā)二極管3在感應(yīng)距離不超過0.15mm也可達(dá)到較高的準(zhǔn)確度,不需要直接與半導(dǎo)體接觸。
[0016]實施例2
如圖3所示,作為第二優(yōu)選實施例,其余與實施例1相同,不同之處在于,還包括第一LED燈和第二 LED燈,第一 LED燈和第二 LED燈分別與控制器輸出端連接。
[0017]本實施例中控制器判斷出半導(dǎo)體的P、N類型后分別由第一 LED燈或第二 LED燈點(diǎn)売識別。
[0018]以上所述的具體實施例,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置,其特征在于,包括:傳感器,其輸入端與下述控制器連接,其輸出端與下述電荷放大器連接,用于激發(fā)半導(dǎo)體表面生成光生電荷并收集生成電荷信號傳送給電荷放大器; 電荷放大器,其輸出端與下述整形放大器連接,用于將接收的電荷信號進(jìn)行放大生成放大電荷信號傳送給整形放大器; 整形放大器,其輸出端與下述控制器連接,用于將接收的放大電荷信號進(jìn)行整形生成電平信號傳送給控制器; 控制器,其輸出端與所述傳感器輸入端、所述整形放大器輸出端連接,用于驅(qū)動所述傳感器、以及接收所述電平信號判斷半導(dǎo)體的P、N類型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置,其特征在于,所述傳感器包括殼體、以及設(shè)置于所述殼體內(nèi)的紅外激發(fā)二極管和電荷感應(yīng)電極,所述紅外激發(fā)二極管輸入端與所述控制器輸出端連接,所述電荷感應(yīng)電極輸出端與所述電荷放大器輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型半導(dǎo)體P、N類型非接觸測試裝置,其特征在于,還包括第一 LED燈和第二 LED燈,所述第一 LED燈和第二 LED燈分別與所述控制器輸出端連接。
【文檔編號】G01R31/26GK103698681SQ201310699473
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】趙丹, 顏友鈞, 鄭鈺 申請人:江蘇瑞新科技股份有限公司