壓力傳感器及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種壓力傳感器及其制作方法，本發(fā)明的壓力傳感器基于SOI絕緣硅襯底，在正面通過光刻和刻蝕技術形成惠斯特電橋結構，背面用體硅腐蝕技術形成壓力敏感膜，并且通過正硅-玻璃的陽極鍵合形成密封腔體，背面采用硅-玻璃鍵合達到應力平衡，器件采用獨特的單芯片封裝方式達到高可靠性。本發(fā)明的器件和方法能夠保證所形成的擴散硅壓阻壓力傳感器能夠在高溫環(huán)境下正常工作，尤其能夠在-55℃到175℃之間工作，能夠廣泛應用于各種工業(yè)自控環(huán)境，設計石油管道、水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、石化、油井、電力、鍋爐等眾多行業(yè)。
【專利說明】壓力傳感器及其制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導體器件及其制備方法，尤其涉及一種壓力傳感器及其制作方法。
【背景技術】
[0002]壓力傳感器通?？煞譃闄C械量壓力傳感器和微電子機械系統(tǒng)(Micro ElectroMechanical System,簡稱:MEMS)壓力傳感器。MEMS壓力傳感器是一種可以用類似集成電路(IC)設計和制造工藝進行高精度、低成本量產(chǎn)的器件。傳統(tǒng)的機械量壓力傳感器是基于金屬彈性體受力變形，由機械量彈性變形到電量轉換輸出。其不能像MEMS壓力傳感器做得那么小。因此，MEMS壓力傳感器得到了廣泛的應用。
[0003]MEMS壓力傳感器包括兩大類，分別是硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器，兩者都是在硅片上生成的微機電傳感器。
[0004]硅壓阻式壓力傳感器工作原理是在一個方形或者圓形的硅應變薄膜上通過擴散或者離子注入的方式在應力集中區(qū)制作四個壓力敏感電阻，四個電阻互聯(lián)構成惠斯頓電橋。當有外界壓力施加在硅應變膜上，壓敏電阻區(qū)域由于應變膜彎曲產(chǎn)生應力，通過壓敏電阻的壓阻特性，將應力轉換為電阻值的變化，最后通過惠斯頓電橋將電阻值的變化轉換為輸出電壓，通過對輸出電壓與壓力值進行標定可以實現(xiàn)對壓力的測量。
[0005]中國專利(CN101929898A)公開了一種壓力傳感器件，包括:一個娃基片，所述娃基片由狹縫分割為內(nèi)板和外板；至少3個應力集中器，所述內(nèi)板和外板之間經(jīng)應力集中器連接；至少一個壓電結橋內(nèi)建于所述應力集中器，構成壓力傳感器件的電傳感部件。
[0006]中國專利(CN102032970B)公開了一種MEMS壓力傳感器，包括:具有壓力傳感器諧振器元件的諧振MEMS器件，所述壓力傳感器諧振器元件包括開口陣列。諧振MEMS器件的諧振頻率是空腔中的壓力的函數(shù)，諧振頻率隨壓力而增大。在O到0.1kPa的壓力范圍上，頻率的平均相對變化是至少10_6/Pa。
[0007]現(xiàn)有技術中的擴散硅壓阻式壓力傳感器采用P-N結隔離應變電橋與應變膜，P-N結漏電流隨著溫度升高而急劇增大導致基于P-N結隔離的壓力傳感器難于在高于80°C高溫情況下工作，上述兩個專利也并沒有解決該問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供一種壓力傳感器及其制作方法，克服了現(xiàn)有技術中擴散硅壓阻式壓力傳感器采用P-N結隔離應變電橋與應變膜，P-N結漏電流隨著溫度升高而急劇增大導致基于P-N結隔離的壓力傳感器難于在高于80°C高溫情況下工作的問題。
[0009]本發(fā)明解決技術問題所采用的技術方案為:
[0010]一種壓力傳感器的制造方法，其中，采用如下步驟:
[0011]SI，提供一 SOI襯底，所述SOI襯底包括由下至上的第一體硅層、第一絕緣層、第二
體硅層、第二絕緣層和第三體硅層；[0012]S2，對所述第三體硅層進行摻雜形成電阻層，于所述電阻層上形成一第三絕緣層，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻；
[0013]S3，刻蝕所述第三絕緣層的兩端分別形成接觸孔，于所述接觸孔內(nèi)形成金屬電極；
[0014]S4,提供一正面玻璃，所述正面玻璃包括通孔和空腔，將所述正面玻璃鍵合在形成金屬電極后的第三絕緣層上，所述通孔對準所述金屬電極，所述空腔與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分的空間對準形成一密封腔體；
[0015]S5，去除所述第一體硅層，刻蝕位于所述壓阻下方位置的第一絕緣層和第二體硅層形成質量塊和承壓膜，去除所述第一絕緣層，形成芯片結構；
[0016]S6，提供一基座，所述基準包括底座、底座玻璃板和金屬絲，于所述通孔中填充導體后將所述芯片結構倒插入所述基座，所述基座內(nèi)的金屬絲對準插入所述通孔內(nèi)的導體中，高溫燒結固化；
[0017]S7，提供一背面玻璃，所述背面玻璃包括背面通孔，將所述背面玻璃鍵合在所述芯片結構的第二體硅層上，所述背面通孔對準所述質量塊和承壓膜。
[0018]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:刻蝕所述第三絕緣層的中心部分至所述電阻層，旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
[0019]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:于所述第三絕緣層上旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠、所述第三絕緣層和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
[0020]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成數(shù)量大于等于2的偶數(shù)個壓阻。
[0021]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，所述正面玻璃的制作方法為:提供一正面玻璃板，于所述正面玻璃板的底部中心位置形成一與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分位置相適配的空腔，于所述正面玻璃板的兩側分別形成與所述金屬電極位置相適配并使所述金屬電極能夠全部暴露出來的通孔，得到所述正面玻璃。
[0022]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，所述背面玻璃的制作方法為:提供一背面玻璃板，于所述背面玻璃板的中心位置形成一與所述質量塊和承壓膜位置相適配并使所述質量塊和承壓膜能夠全部暴露出來的背面通孔，得到所述背面玻璃。
[0023]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，所述基座的制作方法為:提供一底座和一底座玻璃板，將所述底座玻璃板上燒結連接金屬絲，使所述金屬絲的一端垂直穿過所述底座玻璃板；將連接金屬絲后的底座玻璃板燒結連接于所述底座內(nèi)近底部開口處，使所述金屬絲的另一端穿過所述底座的底部開口 ；于連接在所述底座內(nèi)的底座玻璃板的表面涂覆一層玻璃漿料，得到所述基座。
[0024]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，在所述步驟S2中，對所述第三體硅層進行高劑量的硼離子摻雜，形成濃硼電阻層。
[0025]一種壓力傳感器的制造方法，其中，采用如下步驟:
[0026]SI，提供一 SOI襯底，所述SOI襯底包括由下至上的第一體硅層、第一絕緣層、第二
體硅層、第二絕緣層和第三體硅層；[0027]S2，對所述第三體硅層進行摻雜形成電阻層，于所述電阻層上形成一第三絕緣層，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻；
[0028]S3，刻蝕所述第三絕緣層的兩端分別形成一接觸孔，于所述接觸孔內(nèi)形成金屬電極；
[0029]S4,提供一正面玻璃，所述正面玻璃包括通孔和空腔，將所述正面玻璃鍵合在形成金屬電極后的第三絕緣層上，所述通孔對準所述金屬電極，所述空腔與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分的空間對準形成一密封腔體；
[0030]S5，去除所述第一體硅層，刻蝕位于所述壓阻下方位置的第一絕緣層和第二體硅層形成質量塊和承壓膜，去除所述第一絕緣層；
[0031]S6,于所述正面玻璃、所述通孔的側壁和底部以及所述金屬電極的表面形成一層
金屬層；
[0032]S7，提供一背面玻璃，所述背面玻璃包括背面通孔，將所述背面玻璃鍵合在所述第二體硅層的下表面上，使所述背面通孔對準所述質量塊和承壓膜，去除所述金屬層，形成芯片結構；
[0033]S8，提供一基座，所述基準包括底座、底座玻璃板和金屬絲，于所述通孔中填充導體后將所述芯片結構倒插入所述基座，所述基座內(nèi)的金屬絲對準插入所述通孔內(nèi)的導體中，高溫燒結固化。
[0034]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:刻蝕所述第三絕緣層的中心部分至所述電阻層，旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
[0035]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:于所述第三絕緣層上旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠、所述第三絕緣層和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
[0036]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成數(shù)量大于等于2的偶數(shù)個壓阻。
[0037]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，所述正面玻璃的制作方法為:提供一正面玻璃板，于所述正面玻璃板的底部中心位置形成一與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分位置相適配的空腔，于所述正面玻璃板的兩側均形成與所述金屬電極位置相適配并使所述金屬電極能夠全部暴露出來的通孔，得到所述正面玻璃。
[0038]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，所述背面玻璃的制作方法為:提供一背面玻璃板，于所述背面玻璃板的中心位置形成一與所述質量塊和承壓膜位置相適配并使所述質量塊和承壓膜能夠全部暴露出來的背面通孔，得到所述背面玻璃。
[0039]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，所述基座的制作方法為:提供一底座和一底座玻璃板，將所述底座玻璃板上燒結連接金屬絲，使所述金屬絲的一端垂直穿過所述底座玻璃板；將連接金屬絲后的底座玻璃板燒結連接于所述底座內(nèi)近底部開口處，使所述金屬絲的另一端穿過所述底座的底部開口 ；于連接在所述底座內(nèi)的底座玻璃板的表面涂覆一層玻璃漿料，得到所述基座。
[0040]上述的壓力傳感器的制造方法，其中，在所述步驟S2中，對所述第三體硅層進行高劑量的硼離子摻雜，形成濃硼電阻層。[0041]一種壓力傳感器，其中，包括基座和設置于所述基座內(nèi)的芯片；所述芯片包括中間層，與所述中間層的上表面連接的背面玻璃，以及與所述中間層的下表面連接的正面玻璃；
[0042]所述中間層由上至下依次包括第二體硅層、第二絕緣層、電阻層和第三絕緣層，所述第三絕緣層和所述電阻層的中心部分設有一開槽，所述開槽內(nèi)設有壓阻，所述第三絕緣層的兩端分別設有金屬電極；所述第二體硅層中位于所述壓阻上方的部分包括兩個對稱的倒梯形開口，設于所述倒梯形開口下方的承壓膜，以及設于兩個倒梯形開口之間的質量塊；
[0043]所述正面玻璃的上表面中間處設有一空腔，所述空腔與所述開槽形成密封所述壓阻的真空腔體，所述正面玻璃的兩端還分別設有與所述金屬電極位置相適配的通孔，所述通孔與所述金屬電極對準，所述通孔內(nèi)還設有導體；
[0044]所述背面玻璃的中心位置設有與所述承壓膜和所述質量塊位置相適配的背面通孔，所述背面通孔使所述承壓膜和所述質量塊全部暴露出來；
[0045]所述基座包括上下開口且中空的底座，設置于所述底座內(nèi)近底部的底座玻璃板，以及設置于所述底座玻璃板上的金屬絲，所述金屬絲垂直于所述底座玻璃板，所述金屬絲的一端穿過所述底座玻璃板并插入所述通孔內(nèi)的導體中，所述金屬絲的另一端從所述底座的下開口伸出。
[0046]上述的壓力傳感器，其中，所述壓阻為采用電阻層材料的單層結構，其厚度與所述電阻層相同。
[0047]上述的壓力傳感器，其中，所述壓阻為分別采用電阻層材料和第三絕緣層材料的雙層結構，其厚度分別與所述電阻層和第三絕緣層相同。
[0048]本技術方案具有如下優(yōu)點或有益效果:
[0049]本發(fā)明的壓力傳感器基于SOI絕緣硅襯底，在正面通過光刻和刻蝕技術形成惠斯特電橋結構，背面用體硅腐蝕技術形成壓力敏感膜，并且通過正硅-玻璃的陽極鍵合形成真空腔體，背面采用硅-玻璃鍵合達到應力平衡，器件采用獨特的單芯片封裝方式達到高可靠性。
[0050]本發(fā)明的MEMS壓力傳感器的制造方法中通過采用絕緣體上硅技術，能夠保證所形成的擴散硅壓阻壓力傳感器能夠在高溫環(huán)境下正常工作，尤其能夠在_55°C到175°C之間工作，能夠廣泛應用于各種工業(yè)自控環(huán)境，設計石油管道、水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、石化、油井、電力、鍋爐等眾多行業(yè)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0051]參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構成對本發(fā)明范圍的限制。
[0052]圖1?16是本發(fā)明實施例1中壓力傳感器制備工藝的剖面結構示意圖；
[0053]圖17?19是本發(fā)明實施例2中壓力傳感器制備工藝的剖面結構示意圖
[0054]圖20?22是本發(fā)明實施例1中正面玻璃制備工藝的剖面結構示意圖；
[0055]圖23?24是本發(fā)明實施例1中背面玻璃制備工藝的剖面結構示意圖；
[0056]圖25?27是本發(fā)明實施例1中基座制備工藝的剖面結構示意圖；[0057]圖28?30是本發(fā)明實施例3和4中壓力傳感器制備工藝的剖面結構示意圖?！揪唧w實施方式】
[0058]本發(fā)明提供一種壓力傳感器及其制作方法，尤其涉及一種能夠在高溫(即高于80°c )環(huán)境中正常使用的MEMS壓力傳感器。本領域的技術人員應該理解，本發(fā)明的壓力傳感器并不局限于僅在高于80°C的環(huán)境中正常使用。需要說明的是，本發(fā)明的壓力傳感器能夠在-55°C至175°C之間正常工作，并可應用于各種工業(yè)自控環(huán)境中，如設計石油管道、水利水電、鐵路交通、智能建筑、生產(chǎn)自控、航空航天、石化、油井、電力、鍋爐等眾多行業(yè)。
[0059]本發(fā)明的壓力傳感器是基于SOI絕緣硅襯底之上，在器件的正面通過光刻和刻蝕技術形成惠斯通電橋結構，器件的背面則采用體硅腐蝕技術形成壓力敏感膜，并且正面通過硅-玻璃的陽極鍵合形成真空腔體，背面采用硅-玻璃鍵合達到應力平衡，正面采用干膜工藝和金屬濺射工藝形成金屬電極，器件采用獨特的單芯片封裝方式達到高可靠性。
[0060]下面結合具體實施例子對本發(fā)明的壓力傳感器結構及其制作方法進行詳細說明。
[0061]實施例1:
[0062]本實施例的壓力傳感器可由芯片和基座構成。
[0063]芯片的制備:
[0064]首先，準備一絕緣體上娃(silicon on insulator,簡稱:SOI)襯底,如圖1所示，該絕緣體上硅襯底包括第一體硅層I，在第一體硅層I的上表面覆蓋一層第一絕緣層2’，在該第一絕緣層2’的上表面覆蓋一層第二體娃層3’，在該第二體娃層3’的上表面覆蓋一層第二絕緣層4,在第二絕緣層4的上表面覆蓋一層第三體娃層5。其中，第一體娃層1、第二體硅層3’和第三體硅層5的厚度依次減??；第一絕緣層2’的厚度比第二絕緣層4厚，其中，第一絕緣層2’在后續(xù)工藝中腐蝕第二體硅層3形成質量塊時起到阻擋掩蔽的作用。
[0065]然后，如圖2所示，在上述的第三體硅層5中進行濃硼摻雜工藝，以使得高劑量的硼離子被摻雜到第三體硅層5中。在該步驟中，對于硼離子的摻雜可優(yōu)選采用離子注入工藝或者爐管擴散的方式進行。經(jīng)過摻雜了均勻的濃硼離子之后的第三體硅層成為濃硼電阻層6’。
[0066]如圖3所示，制備一第三絕緣層7’覆蓋濃硼電阻層6’的上表面，以保護位于其下方的濃硼電阻層6’。其中，該第三絕緣層7’優(yōu)選為氧化層，對于該層的制備可采用熱氧化生長，也可以采用化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱:CVD)或其他沉積工藝方法的方法進行制備。
[0067]然后，制備一層光刻膠覆蓋上述的第三絕緣層V的上表面，該光刻膠可采用旋涂或其他工藝方法進行涂覆，之后，對該光刻膠進行光刻工藝，即采用一具有圖案的光掩膜板對該光刻膠進行曝光和顯影工藝，使得在該光刻膠中形成圖案，然后以具有該圖案的光阻為掩膜對下方的第三絕緣層V和濃硼電阻層6’進行刻蝕，并使刻蝕停止于第二絕緣層4的上表面，該刻蝕可采用干法刻蝕或濕法刻蝕等。如圖4所示，經(jīng)過刻蝕之后，在第三絕緣層V和濃硼電阻層6’中形成位于結構兩端的剩余的第三絕緣層7和濃硼電阻層6所構成的兩個復合層以及在該兩個復合層之間形成的若干個壓阻71，壓阻71的數(shù)量可根據(jù)實際工藝需要進行調整，在本實施例中，壓阻的數(shù)量為4個。在每一個壓阻中，均包括上下兩層的結構，其中，下層結構為濃硼摻雜的硅，上層結構為絕緣材料。然后，去除之前光刻工藝中剩余的光刻膠，即去除覆蓋于每個壓阻71頂部以及通過刻蝕后剩余的第三絕緣層7上表面的光刻膠。
[0068]在形成了上述的壓阻71之后，同樣的，如圖5所示，采用現(xiàn)有的光刻、刻蝕方法，在第三絕緣層7的兩端分別形成接觸孔72 (該接觸孔72共形成有四個，由于圖5為剖視圖，僅能看到兩個接觸孔72)。接著，在第三絕緣層7以及接觸孔72的側壁和底部上淀積一復合金屬電極層，刻蝕該復合金屬電極層，僅剩余部分覆蓋在第三絕緣層7上近接觸孔處和接觸孔的側壁、底部上的金屬電極8，如圖6所示，該金屬電極8由第一金屬電極81及其上的第二金屬電極82組成，其中第一金屬電極81的材質可優(yōu)選采用鈦(Ti)或鎳(Ni)，第二金屬電極82的材質可優(yōu)選米用鉬(Pt)或鉻(Cr),而米用第一金屬電極81和第二金屬電極82能夠增加金屬電極的導電率，同時防止后續(xù)工藝中的金屬擴散。其中，該復合金屬電極采用磁控濺射和liftoff工藝形成。
[0069]接著，如圖7所示，在上述結構的頂部自對準鍵合一正面玻璃9，該鍵合為陽極鍵合。在該正面玻璃9底部的中心位置具有一空腔91，該空腔91的寬度與兩個復合層之間的間距相等，且該空腔91的邊緣為倒角或者直角型設計，空腔與包括若干個壓阻的上述兩個復合層之間的空間對準形成用于密封壓阻的密封腔體，該密封腔體可為真空或者非真空腔體；在該正面玻璃9中，還設置有兩個分別位于兩個復合層上方的通孔92，在鍵合時該通孔92對準上述金屬電極，使金屬電極8暴露出來。
[0070]對于該正面玻璃的制備可以分為以下幾個步驟:如圖20所示，對于正面玻璃的制備，首先，提供一厚度均勻的正面玻璃板9’，然后對該正面玻璃進行刻蝕工藝(干法刻蝕或濕法刻蝕)，以在該正面玻璃板底部的中央位置處形成一頂部帶有倒角或者直角(采用干法刻蝕時是倒角，采用濕法刻蝕時是直角)的如圖21中所示的空腔91，空腔91的深度可以根據(jù)具體工藝需要進行確定。然后采用激光工藝或噴砂工藝作用于該正面玻璃板9’上，使得該正面玻璃板9’中位于空腔91的兩側形成截面為圓形或者多邊形的通孔92 (通孔92同樣為四個，且位置與金屬電極8的位置相適配)，如圖22所示。
[0071]之后，采用減薄工藝和/或體硅腐蝕工藝去除第一體硅層1，如圖8所示。
[0072]隨后,采用反應離子刻蝕(Reactive 1n Etching,簡稱:RIE)工藝或者濕法刻蝕工藝對第一絕緣層2’進行刻蝕，控制刻蝕停止于第二體硅層3’的下表面，以在第一絕緣層2’中形成用于后續(xù)刻蝕形成承壓膜和質量塊的圖形開口。在刻蝕的過程中，優(yōu)選的，可先涂覆一層光刻膠，然后通過光刻在該光刻膠定義出圖形開口區(qū)域的圖案，并以該具有該圖案的光刻膠為掩膜對第一絕緣層2’進行刻蝕。如圖9所示，經(jīng)過刻蝕之后的第一絕緣層中形成了兩個用于形成承壓膜和質量塊的開口 21。
[0073]接著，以形成開口的第一絕緣層2為掩膜對第二體硅層3’進行濕法刻蝕，在刻蝕過程中控制刻蝕的深度，如圖10所示，以使得在第二體硅層3’中形成兩個梯形的凹槽，由于在刻蝕的過程中在兩個開口的中間有未被刻蝕掉的第一絕緣層2存在，所以在開口位置處的第二體硅層中形成的兩個梯形凹槽之間的體硅就自然形成一個倒梯形的形狀，兩個梯形凹槽上方的部分第二體硅層3構成壓力傳感器的承壓膜31，其之間的一個倒梯形的體硅部分構成壓力傳感器的質量塊32。其中，對于本步驟中的濕法刻蝕，可采用具有高腐蝕性的強堿溶液為反應原料，如氫氧化鉀溶液(Κ0Η)、四甲基氫氧化銨(THAM)溶液等。此外，還可以采用ICP (Inductively Coupled Plasma,感應稱合等離子體)干法刻蝕深娃BOSCH工藝形成質量塊32和承壓膜31。
[0074]然后，對上述工藝形成后的整個結構進行濕法刻蝕，以去除暴露的部分的所有絕緣層，即所有剩余的第一絕緣層2和被正面玻璃中每個通孔所暴露的部分第三絕緣層，形成如圖11所示的結構。
[0075]如圖12所示，采用金屬濺射的方式制備一層金屬層10覆蓋于圖11所示結構的上表面，即覆蓋正面玻璃9的頂部表面和每個通孔92的側壁表面，以及覆蓋濃硼電阻層6暴露的表面和第三絕緣層7暴露的側表面，以起到在后續(xù)的工藝過程中對其下方的結構進行適當保護的作用。在該步驟中所制備的金屬層10的材質可優(yōu)選為鋁。
[0076]然后，在圖13所示的結構中的第二體硅層3的下表面上鍵合上背面玻璃12，該背面玻璃覆蓋于除承壓膜31和質量塊32以外的第二體硅層3的下表面，即背面玻璃的中間形成有一背面通孔121，該背面通孔121的寬度與左側的承壓膜的左邊緣到右側的承壓膜的右邊緣之間距離相等。其中，對于該背面玻璃12的制備可分為兩個步驟:步驟一，如圖23所示，提供一厚度相同且平整的背面玻璃板12’ ；步驟二，如圖24所示，對該背面玻璃板12’進行刻蝕形成背面通孔121，背面通孔121的寬度與左側的承壓膜的左邊緣到右側的承壓膜的右邊緣之間距離相等。
[0077]在上述的背面玻璃12鍵合的過程中，位于芯片結構上表面的金屬層10對其下方的結構進行了保護，并且在后續(xù)的工藝過程中其已經(jīng)沒有存在的意義，因此，需要將其進行去除，去除該金屬層后的結構如圖14所示。
[0078]以上是本實施例中對芯片進行制備的詳細步驟，下面對基座的制作方法進行說明。
[0079]基座的制備:
[0080]首先，提供一如圖25所示的底座16，該底座16為上下開口的中空結構，且其截面為倒凸形，然后，如圖26所示，將一底座玻璃板17與金屬絲18進行燒結，使得該金屬絲18垂直于底座玻璃板17并與該底座玻璃板17進行固定，金屬絲18共設有四根，且每根金屬絲18均有一小部分穿過所述底座玻璃板17的上表面，用于后續(xù)工藝中與芯片的電連接。同時，在該燒結的過程中，需要保證金屬絲18之間的間距與芯片內(nèi)通孔之間的間距相等，接著，如圖27所示，將固定有金屬絲的底座玻璃板的兩端與底座16內(nèi)部兩側的上表面進行燒結，使底座16和固定有金屬絲18的底座玻璃板17進行固定。最終，底座玻璃板17、金屬絲18和底座16三者都被固定在一起，形成基座。
[0081]對于本實施例中的壓力傳感器，最后，需要進行封裝工藝，即將制備完成的芯片固定于基座內(nèi)。
[0082]該封裝工藝包括:
[0083]如圖15所示，在芯片中的覆蓋有金屬電極的通孔內(nèi)灌入耐高溫的導體19，在該過程中，灌入導體直至位于通孔內(nèi)的導體的表面與正面玻璃的頂部表面齊平。在本實施例中該耐高溫的導體為流體材質，優(yōu)選為銀漿。
[0084]然后，將芯片自對準倒插入基座內(nèi)，并保證基座內(nèi)的兩根金屬絲18分別插入至兩個灌有導體19的通孔內(nèi)，同時保證基座中的底座玻璃板的表面與芯片中正面玻璃的表面相接觸，此時，進行高溫燒結固化工藝，使得基座與芯片之間形成固定連接，待工藝完成后，形成如圖16所示的結構。[0085]至此，本實施例中的壓力傳感器的制造方法已經(jīng)完全結束。
[0086]下面對本實施例中的壓力傳感器的結構進行詳細說明。
[0087]如圖16所示，本實施例中的壓力傳感器主要包括芯片和基座，芯片位于基座的內(nèi)部，芯片與基座之間為固定連接。
[0088]其中，基座的剖面為軸對稱圖形，對稱軸為壓力傳感器的中線?；饕ǖ鬃鸵贿B接有金屬絲的玻璃。底座為一個半開放式的容器，其頂部和底部為敞開，側面為封閉，以保護位于其中的芯片；該連接有金屬絲的底座玻璃板包括一厚度均勻的平直的底座玻璃板17和部分固定于該底座玻璃板17內(nèi)的金屬絲18,每根該金屬18絲均垂直于該底座玻璃板17進行固定，且每根金屬絲18均貫穿該底座玻璃板17。
[0089]芯片的剖面結構為軸對稱圖形，對稱軸為壓力傳感器的中線。芯片主要包括正面玻璃9、背面玻璃12和中間層，背面玻璃的上表面與中間層的底部表面鍵合，正面玻璃的下表面與中間層的頂部表面鍵合。其中，中間層的結構由下至上依次為，第二體硅層3、第二絕緣層4、濃硼電阻層6、第三絕緣層7。在第二體硅層3中設置有兩個承壓膜31和一個質量塊32，質量塊32位于第二體硅層3的中間，兩個承壓膜31位于該質量塊32的兩側，并關于該質量塊32對稱，質量塊32的剖面呈倒梯形，位于每個承壓膜31的下方的剖面為鏤空的梯形；在濃硼電阻層6和第三絕緣層7的中間部分形成有4個包括濃硼電阻材料和第三絕緣材料的壓阻,其中，兩個位于中線的左邊,另外兩個位于中線的右邊；正面玻璃9中設置有一空腔91，該空腔91使得壓阻71與正面玻璃9之間存在一定的距離，空腔91與濃硼電阻層6和第三絕緣層7之間的具有壓阻的空間對準形成密封的真空腔體，在正面玻璃9中的兩側還各設置有一個內(nèi)部設置有導體和金屬電極的通孔92。兩端的第三絕緣層7還各設有一接觸孔72，以及部分覆蓋在第三絕緣層7上近接觸孔處和接觸孔的側壁、底部上的金屬電極8,該金屬電極8為雙層結構,包括第一金屬層81和第二金屬層82,金屬電極8和通孔92對準，該通孔92內(nèi)的剩余空間被導體19填滿。
[0090]基座通過其內(nèi)部玻璃17的下表面與芯片內(nèi)正面玻璃9的上表面燒結實現(xiàn)與芯片的固定連接?；鶅?nèi)的金屬絲18的一端伸入芯片內(nèi)通孔92中，實現(xiàn)金屬線18與濃硼電阻層6之間的電連接。
[0091]實施例2:
[0092]在本實施例中，最終所形成的器件結構與實施例1中相同，區(qū)別僅在制作方法上。下面對本實施例中區(qū)別于實施例1的步驟進行詳細說明。
[0093]在本實施例的制作方法中，與實施例1所不同的是，當芯片的制備工藝進行到如圖11所示的結構時，將實施例1中背面玻璃鍵合的工藝步驟調整到芯片與基座的封裝工藝中去進行，并且將該背面玻璃鍵合的步驟調整至封裝工藝的最后一步進行，這樣做的優(yōu)勢在于，背面玻璃與芯片的鍵合是在最后芯片與基座燒結在一起后才進行的，此時的芯片的正面玻璃以及通孔已經(jīng)與基座燒結在一起，因此，在背面鍵合前無需對芯片的正面覆蓋金屬層加以保護，這樣相對于實施例1中的工藝步驟而言，就省略了如圖12、14所示的覆蓋金屬層、去除金屬層的工藝步驟，而僅在工藝的最后增加一步背面玻璃與芯片的鍵合即可。
[0094]具體步驟為:
[0095]如圖1?11所示，本實施例的方法在形成圖11結構之前的工藝步驟與實施例1相同，可參見實施例1，在此處不再進行贅述。[0096]然后，進行后續(xù)芯片與基座的封裝工藝步驟，如圖17所示，在芯片中的覆蓋有金屬電極的通孔內(nèi)灌入耐高溫的導體19，在該過程中，灌入導體直至位于通孔內(nèi)的導體的表面與正面玻璃的頂部表面齊平。在本實施例中該耐高溫的導體的材質優(yōu)選為銀漿。
[0097]然后，將芯片自對準倒插入基座內(nèi)，并保證基座內(nèi)的兩根金屬絲18分別插入至兩個灌有導體19的通孔內(nèi)，同時保證基座中的底座玻璃板的表面與芯片中正面玻璃的表面相接觸，此時，進行高溫燒結固化工藝，使得基座與芯片之間形成固定連接，待工藝完成后，形成如圖18所示的結構。
[0098]最后，在倒裝后的芯片的第二體硅層3的表面鍵合背面玻璃12，如圖19所示，由于背面玻璃的制作方法與實施例1相同，故在此處不再進行贅述。
[0099]至此，本實施例中的壓力傳感器的制造方法已經(jīng)完全結束。
[0100]由于本實施例中的壓力傳感器結構與實施例1中的相同，所以在此不進行贅述。
[0101]實施例3:
[0102]本實施例區(qū)別于實施例1之處是，所形成的壓阻的結構中僅包含濃硼電阻層的部分，而并不包含位于其上方的第三絕緣層的部分，其余工藝步驟均與實施例1相同。
[0103]下面對本實施例中的壓力傳感器結構及其方法進行詳細說明。
[0104]本實施例的壓力傳感器可由芯片和基座構成。
[0105]如圖1-3所示，本實施例的方法在形成圖3結構之前的工藝步驟與實施例1相同，可參見實施例1，在此處不再進行贅述。
[0106]然后，制備一層光刻膠覆蓋第三絕緣層7’的上表面，該光刻膠可采用旋涂或其他工藝方法進行涂覆，之后，對該光刻膠進行光刻工藝，即采用一具有圖案的光掩膜板對該光刻膠進行曝光和顯影工藝，使得在該光刻膠中形成圖案，然后以具有該圖案的光阻為掩膜對下方的第三絕緣層V進行刻蝕，并使刻蝕停止于濃硼電阻層6’的上表面，該刻蝕可采用干法刻蝕或濕法刻蝕等。如圖28所示，經(jīng)過刻蝕之后，第三絕緣層7 ’的中間部分被刻蝕掉，剩下兩端的部分，并去除剩余的光刻膠，隨后，繼續(xù)采用光刻和刻蝕工藝在濃硼電阻層6’上形成若干個壓阻61，如圖29所示，壓阻61的數(shù)量可根據(jù)實際工藝需要進行調整，在本實施例中，壓阻的數(shù)量為4個。由于壓阻是通過對濃硼電阻層6’進行刻蝕后形成的，因此，壓阻的材料與濃硼電阻層的材料相同。
[0107]在形成了上述的壓阻61之后，進行后續(xù)工藝步驟，后續(xù)工藝步驟無論是芯片正面玻璃、背面玻璃的鍵合還是與基座之間的封裝，均與實施例1相同，最終形成了如圖30所示的壓力傳感器。
[0108]至此，本實施例中的壓力傳感器的制造方法已經(jīng)完全結束。
[0109]下面對本實施例中的壓力傳感器的結構進行詳細說明。
[0110]如圖30所示，本實施例中的壓力傳感器主要包括芯片和基座，芯片位于基座的內(nèi)部，芯片與基座之間為固定連接。
[0111]其中，基座的剖面為軸對稱圖形，對稱軸為壓力傳感器的中線。基座主要包括底座和一連接有兩根金屬絲的玻璃。底座為一個半開放式的容器，其頂部和底部為敞開，側面為封閉，以保護位于其中的芯片；該連接有兩根金屬絲的底座玻璃板包括一厚度均勻的平直的底座玻璃板17和部分固定于該底座玻璃板17內(nèi)的兩根金屬絲18，每根該金屬18絲均垂直于該底座玻璃板17進行固定，且每根金屬絲18均貫穿該底座玻璃板17。[0112]芯片的剖面結構為軸對稱圖形，對稱軸為壓力傳感器的中線。芯片主要包括正面玻璃9、背面玻璃12和中間層，背面玻璃的上表面與中間層的底部表面鍵合，正面玻璃的下表面與中間層的頂部表面鍵合。其中，中間層的結構由下至上依次為，第二體硅層3、第二絕緣層4、濃硼電阻層6、第三絕緣層7。在第二體硅層3中設置有兩個承壓膜31和一個質量塊32，質量塊32位于第二體硅層3的中間，兩個承壓膜31位于該質量塊32的兩側，并關于該質量塊32對稱，質量塊32的剖面呈倒梯形，位于每個承壓膜31的下方的剖面為鏤空的梯形；在濃硼電阻層6和第三絕緣層7的中間部分形成有4個僅包括濃硼電阻材料的壓阻，其中，兩個位于中線的左邊，另外兩個位于中線的右邊；正面玻璃9中設置有一空腔91，該空腔91使得壓阻71與正面玻璃9之間存在一定的距離，空腔91與濃硼電阻層6和第三絕緣層7之間的具有壓阻的空間對準形成密封的真空腔體，在正面玻璃9中的兩側還各設置有一個內(nèi)部設置有導體和金屬電極的通孔92。兩端的第三絕緣層7還各設有一接觸孔72，以及部分覆蓋在第三絕緣層7上近接觸孔處和接觸孔的側壁、底部上的金屬電極8，該金屬電極8為雙層結構，包括第一金屬層81和第二金屬層82，金屬電極8和通孔92對準，該通孔92內(nèi)的剩余空間被導體19填滿。
[0113]基座通過其內(nèi)部玻璃17的下表面與芯片內(nèi)正面玻璃9的上表面燒結實現(xiàn)與芯片的固定連接?；鶅?nèi)的金屬絲18的一端伸入芯片內(nèi)通孔92中，實現(xiàn)金屬線18與濃硼電阻層6之間的電連接。
[0114]實施例4:
[0115]在本實施例中，最終所形成的器件結構與實施例3中相同，區(qū)別僅在制作方法上。下面對本實施例中區(qū)別于實施例3的步驟進行詳細說明。
[0116]在本實施例的制作方法中，與實施例3所不同的是，當芯片的制備工藝進行鍵合正面玻璃后的結構時，將背面玻璃鍵合的工藝步驟調整到芯片與基座的封裝工藝中去進行，并且將該步驟調整至封裝工藝的最后一步進行，這樣做的優(yōu)勢在于，背面玻璃與芯片的鍵合是在最后芯片與基座燒結在一起后才進行的，此時的芯片的正面玻璃以及通孔已經(jīng)與基座燒結在一起，因此，在背面鍵合前無需對芯片的正面覆蓋金屬層加以保護，而僅在工藝的最后增加一步背面玻璃與芯片的鍵合即可。
[0117]在鍵合正面玻璃后，進行后續(xù)芯片與基座的封裝工藝步驟，在芯片中的覆蓋有金屬電極的通孔內(nèi)灌入耐高溫的導體19，在該過程中，灌入導體直至位于通孔內(nèi)的導體的表面與正面玻璃的頂部表面齊平。在本實施例中該耐高溫的導體的材質優(yōu)選為銀。
[0118]然后，將芯片自對準倒插入基座內(nèi)，并保證基座內(nèi)的兩根金屬絲18分別插入至兩個灌有導體19的通孔內(nèi)，同時保證基座中的底座玻璃板的表面與芯片中正面玻璃的表面相接觸，此時，進行高溫燒結固化工藝，使得基座與芯片之間形成固定連接。
[0119]最后，在倒裝后的芯片的第二體硅層3的表面鍵合背面玻璃12，形成如圖30所示的壓力傳感器的結構，由于背面玻璃的制作方法與實施例1相同，故在此處不再進行贅述。
[0120]至此，本實施例中的壓力傳感器的制造方法已經(jīng)完全結束。
[0121]由于本實施例中的壓力傳感器結構與實施例1中的相同，所以在此不進行贅述。
[0122]對于本領域的技術人員而言，閱讀上述說明后，各種變化和修正無疑將顯而易見。因此，所附的權利要求書應看作是涵蓋本發(fā)明的真實意圖和范圍的全部變化和修正。在權利要求書范圍內(nèi)任何和所有等價的范圍與內(nèi)容，都應認為仍屬本發(fā)明的意圖和范圍內(nèi)。
【權利要求】
1.一種壓力傳感器的制造方法，其特征在于，采用如下步驟: SI，提供一 SOI襯底，所述SOI襯底包括由下至上的第一體硅層、第一絕緣層、第二體硅層、第二絕緣層和第三體硅層； S2，對所述第三體硅層進行摻雜形成電阻層，于所述電阻層上形成一第三絕緣層，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻； S3，刻蝕所述第三絕緣層的兩端分別形成接觸孔，于所述接觸孔內(nèi)形成金屬電極； S4，提供一正面玻璃，所述正面玻璃包括通孔和空腔，將所述正面玻璃鍵合在形成金屬電極后的第三絕緣層上，所述通孔對準所述金屬電極，所述空腔與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分的空間對準形成一密封腔體； S5，去除所述第一體硅層，刻蝕位于所述壓阻下方位置的第一絕緣層和第二體硅層形成質量塊和承壓膜，去除所述第一絕緣層，形成芯片結構； S6，提供一基座，所述基準包括底座、底座玻璃板和金屬絲，于所述通孔中填充導體后將所述芯片結構倒插入所述基座，所述基座內(nèi)的金屬絲對準插入所述通孔內(nèi)的導體中，高溫燒結固化； S7，提供一背面玻璃，所述背面玻璃包括背面通孔，將所述背面玻璃鍵合在所述芯片結構的第二體硅層上，所述背面通孔對準所述質量塊和承壓膜。
2.如權利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:刻蝕所述第三絕緣層的中心部分至所述電阻層，旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
3.如權利要求1所述的壓力傳感器`的制作方法，其特征在于，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:于所述第三絕緣層上旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠、所述第三絕緣層和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
4.如權利要求2或3所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成數(shù)量大于等于2的偶數(shù)個壓阻。
5.如權利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述正面玻璃的制作方法為:提供一正面玻璃板，于所述正面玻璃板的底部中心位置形成一與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分位置相適配的空腔，于所述正面玻璃板的兩側分別形成與所述金屬電極位置相適配并使所述金屬電極能夠全部暴露出來的通孔，得到所述正面玻璃。
6.如權利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述背面玻璃的制作方法為:提供一背面玻璃板，于所述背面玻璃板的中心位置形成一與所述質量塊和承壓膜位置相適配并使所述質量塊和承壓膜能夠全部暴露出來的背面通孔，得到所述背面玻璃。
7.如權利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述基座的制作方法為:提供一底座和一底座玻璃板，將所述底座玻璃板上燒結連接金屬絲，使所述金屬絲的一端垂直穿過所述底座玻璃板；將連接金屬絲后的底座玻璃板燒結連接于所述底座內(nèi)近底部開口處，使所述金屬絲的另一端穿過所述底座的底部開口 ；于連接在所述底座內(nèi)的底座玻璃板的表面涂覆一層玻璃漿料，得到所述基座。
8.如權利要求1所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，對所述第三體硅層進行高劑量的硼離子摻雜，形成濃硼電阻層。
9.一種壓力傳感器的制造方法，其特征在于，采用如下步驟: SI，提供一 SOI襯底，所述SOI襯底包括由下至上的第一體硅層、第一絕緣層、第二體硅層、第二絕緣層和第三體硅層； S2，對所述第三體硅層進行摻雜形成電阻層，于所述電阻層上形成一第三絕緣層，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻； S3，刻蝕所述第三絕緣層的兩端分別形成一接觸孔，于所述接觸孔內(nèi)形成金屬電極； S4，提供一正面玻璃，所述正面玻璃包括通孔和空腔，將所述正面玻璃鍵合在形成金屬電極后的第三絕緣層上，所述通孔對準所述金屬電極，所述空腔與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分的空間對準形成一密封腔體； S5，去除所述第一體硅層，刻蝕位于所述壓阻下方位置的第一絕緣層和第二體硅層形成質量塊和承壓膜，去除所述第一絕緣層； S6，于所述正面玻璃、所述通孔的側壁和底部以及所述金屬電極的表面形成一層金屬層； S7,提供一背面玻璃，所述背面玻璃包括背面通孔，將所述背面玻璃鍵合在所述第二體硅層的下表面上，使所述背面通孔對準所述質量塊和承壓膜，去除所述金屬層，形成芯片結構； S8，提供一基座，所述基準包括底座、底座玻璃板和金屬絲，于所述通孔中填充導體后將所述芯片結構倒插入所述基座，所述基座內(nèi)的金屬絲對準插入所述通孔內(nèi)的導體中，高溫燒結固化。
10.如權利要求9所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:刻蝕所述第三絕緣層的中心部分至所述電阻層，旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
11.如權利要求9所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成壓阻，具體為:于所述第三絕緣層上旋涂光刻膠，曝光、顯影后，刻蝕所述光刻膠、所述第三絕緣層和所述電阻層的中心部分形成壓阻，去除光刻膠。
12.如權利要求10或11所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，刻蝕第三絕緣層和電阻層的中心部分形成數(shù)量大于等于2的偶數(shù)個壓阻。
13.如權利要求9所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述正面玻璃的制作方法為:提供一正面玻璃板，于所述正面玻璃板的底部中心位置形成一與形成壓阻的第三絕緣層和電阻層的中心部分位置相適配的空腔，于所述正面玻璃板的兩側均形成與所述金屬電極位置相適配并使所述金屬電極能夠全部暴露出來的通孔，得到所述正面玻璃。
14.如權利要求9所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述背面玻璃的制作方法為:提供一背面玻璃板，于所述背面玻璃板的中心位置形成一與所述質量塊和承壓膜位置相適配并使所述質量塊和承壓膜能夠全部暴露出來的背面通孔，得到所述背面玻璃。
15.如權利要求9所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，所述基座的制作方法為:提供一底座和一底座玻璃板，將所述底座玻璃板上燒結連接金屬絲，使所述金屬絲的一端垂直穿過所述底座玻璃板；將連接金屬絲后的底座玻璃板燒結連接于所述底座內(nèi)近底部開口處，使所述金屬絲的另一端穿過所述底座的底部開口 ；于連接在所述底座內(nèi)的底座玻璃板的表面涂覆一層玻璃漿料，得到所述基座。
16.如權利要求9所述的壓力傳感器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S2中，對所述第三體硅層進行高劑量的硼離子摻雜，形成濃硼電阻層。
17.一種壓力傳感器，其中，包括基座和設置于所述基座內(nèi)的芯片；所述芯片包括中間層，與所述中間層的上表面連接的背面玻璃，以及與所述中間層的下表面連接的正面玻璃； 所述中間層由上至下依次包括第二體硅層、第二絕緣層、電阻層和第三絕緣層，所述第三絕緣層和所述電阻層的中心部分設有一開槽，所述開槽內(nèi)設有壓阻，所述第三絕緣層的兩端分別設有金屬電極；所述第二體硅層中位于所述壓阻上方的部分包括兩個對稱的倒梯形開口，設于所述倒梯形開口下方的承壓膜，以及設于兩個倒梯形開口之間的質量塊； 所述正面玻璃的上表面中間處設有一空腔，所述空腔與所述開槽形成密封所述壓阻的真空腔體，所述正面玻璃的兩端還分別設有與所述金屬電極位置相適配的通孔，所述通孔與所述金屬電極對準，所述通孔內(nèi)還設有導體； 所述背面玻璃的中心位置設有與所述承壓膜和所述質量塊位置相適配的背面通孔，所述背面通孔使所述承壓膜和所述質量塊全部暴露出來； 所述基座包括上下開口且中空的底座，設置于所述底座內(nèi)近底部的底座玻璃板，以及設置于所述底座玻璃板上的金屬絲，所述金屬絲垂直于所述底座玻璃板，所述金屬絲的一端穿過所述底座玻璃板并插入所述通孔內(nèi)的導體中，所述金屬絲的另一端從所述底座的下開口伸出。
18.如權利要求17所述的壓力傳感器，其特征在于，所述壓阻為采用電阻層材料的單層結構，其厚度與所述電阻層相同。
19.如權利要求17所述的壓力傳感器，其特征在于，所述壓阻為分別采用電阻層材料和第三絕緣層材料的雙層結構，其厚度分別與所述電阻層和第三絕緣層相同。
【文檔編號】G01L9/06GK103616123SQ201310603047
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年11月22日 優(yōu)先權日:2013年11月22日
【發(fā)明者】陳敏, 馬清杰 申請人:中航（重慶）微電子有限公司