偏振光的檢測(cè)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種偏振光的檢測(cè)方法，具體包括以下步驟：提供一偏振光檢測(cè)系統(tǒng)，其包括一光敏電阻、一電源及一檢測(cè)裝置，所述光敏電阻包括一第一電極層和一光敏材料層，所述檢測(cè)裝置包括一電流檢測(cè)元件及一計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)；將一待測(cè)光照射到所述光敏電阻的表面；利用所述光敏電阻對(duì)該待測(cè)光進(jìn)行偏振識(shí)別；利用所述電流檢測(cè)元件檢測(cè)所述光敏電阻中的電流變化；以及利用所述計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)分析得到該待測(cè)光的偏振信息。
【專利說明】偏振光的檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種偏振光的檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]偏振光的檢測(cè)需要有特定的偏振光檢測(cè)系統(tǒng)來執(zhí)行，一般的偏振光檢測(cè)系統(tǒng)包括一光敏電阻、一設(shè)置于該光敏電阻前的偏振片、一電源及一檢測(cè)裝置。利用所述偏振片可識(shí)別待測(cè)光的偏振信息，利用所述光敏電阻可探測(cè)待測(cè)光的強(qiáng)度和分布等信息。
[0003]由于需要設(shè)置額外的偏振片，因此，一般的偏振光檢測(cè)方法都較為繁雜，檢測(cè)效率較低。
[0004]另外，為了獲得高的靈敏度，一般的光敏電阻的電極常采用梳狀圖案，它是在一定的掩膜下向光敏材料薄膜的同一表面上蒸鍍金、銅、鋁等金屬形成的。然而，由于這個(gè)金屬電極本身不透光，光線只能通過梳狀金屬電極之間的空隙照射到光敏材料上，所述電極之間的空隙狹小，即該光敏電阻的受光面積較小，透光率較差，因此，對(duì)于微弱光探測(cè)的靈敏度不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，確有必要提供一種偏振光的檢測(cè)方法，該方法不僅簡(jiǎn)單易操作，可提高檢測(cè)效率，還可用于微弱光的探測(cè)。
[0006]一種偏振光的檢測(cè)方法，其包括以下具體步驟:
Si，提供一偏振光檢測(cè)系統(tǒng)，其包括一光敏電阻、一電源及一檢測(cè)裝置，所述光敏電阻、電源和檢測(cè)裝置通過導(dǎo)線電連接形成一電流回路，所述光敏電阻包括一第一電極層和一光敏材料層，所述檢測(cè)裝置包括一電流檢測(cè)元件及一計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)；
S2，將一待測(cè)光照射到所述光敏電阻的第一電極層的表面；
S3，利用所述光敏電阻對(duì)該待測(cè)光進(jìn)行偏振識(shí)別；
S4，利用所述電流檢測(cè)元件檢測(cè)步驟S3中的電流變化；以及 S5，利用所述計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)分析得到該待測(cè)光的偏振信息。
[0007]進(jìn)一步地，所述光敏電阻包括一第二電極層，所述第一電極層、光敏材料層和第二電極層層疊設(shè)置，構(gòu)成一三明治結(jié)構(gòu)，所述第一電極層和第二電極層分別設(shè)置于所述光敏材料層相對(duì)的兩個(gè)表面上，且分別與所述光敏材料層電接觸。
[0008]進(jìn)一步地，所述第一電極層包括一第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)，所述第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)均勻分布的碳納米管，所述多個(gè)碳納米管沿同一方向擇優(yōu)取向排列。
[0009]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的偏振光的檢測(cè)方法具有以下優(yōu)點(diǎn):其一，由于所述光敏電阻的第一電極層中的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)具有各向異性的特點(diǎn)，即，所述第一電極層既具有電極的作用，又具有偏振片的作用，因此，本發(fā)明的檢測(cè)方法不需要用到額外的偏振片，具有操作方便，高效的特點(diǎn)；其二，由于所述光敏電阻的第一電極層中的碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)具有較高的透光率，因此，可以提高光敏電阻的靈敏度，即，本發(fā)明的檢測(cè)方法可用于微弱光的探測(cè)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明提供的光敏電阻的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2為圖1的光敏電阻中第一種碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的爆破圖。
[0012]圖3為圖1的光敏電阻中第二種碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)的爆破圖。
[0013]圖4為圖1的光敏電阻中單層碳納米管拉膜的掃描電鏡照片。
[0014]圖5為圖1的光敏電阻應(yīng)用于偏振光檢測(cè)系統(tǒng)的不意圖。
[0015]圖6為利用圖5的偏振光檢測(cè)系統(tǒng)對(duì)偏振光進(jìn)行檢測(cè)的方法流程圖。
[0016]主要元件符號(hào)說明_
【權(quán)利要求】
1.一種偏振光的檢測(cè)方法，其包括以下具體步驟: a)提供一偏振光檢測(cè)系統(tǒng)，其包括一光敏電阻、一電源及一檢測(cè)裝置，所述光敏電阻、電源和檢測(cè)裝置通過導(dǎo)線電連接形成一電流回路，所述光敏電阻包括一第一電極層和一光敏材料層，所述檢測(cè)裝置包括一電流檢測(cè)元件及一計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)； b)將一待測(cè)光照射到所述光敏電阻的第一電極層的表面； c)利用所述光敏電阻對(duì)該待測(cè)光進(jìn)行偏振識(shí)別； d)利用所述電流檢測(cè)元件檢測(cè)步驟c中的電流變化；以及 e)利用所述計(jì)算機(jī)分析系統(tǒng)分析得到該待測(cè)光的偏振信息。
2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述光敏電阻進(jìn)一步包括一第二電極層，所述第一電極層、光敏材料層和第二電極層層疊設(shè)置，構(gòu)成一三明治結(jié)構(gòu)，所述第一電極層和第二電極層分別設(shè)置于所述光敏材料層相對(duì)的兩個(gè)表面上，且分別與所述光敏材料層電接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第一電極層包括一第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)，所述第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)包括多個(gè)均勻分布的碳納米管，所述多個(gè)碳納米管沿同一方向擇優(yōu)取向排列。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第一碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)包括至少一碳納米管拉膜，所述碳納米管拉膜包括多個(gè)沿同一方向擇優(yōu)取向排列的碳納米管，且相鄰的兩個(gè)碳納米管之間通過范德華力相連。
5.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述碳納米管拉膜的透光率在80%~90%之間。
6.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第二電極層包括一第二碳納米管薄膜結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第二電極層包括一金屬薄膜。
8.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述光敏材料層的厚度在5微米飛OO微米之間。
9.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述光敏電阻進(jìn)一步包括相互間隔設(shè)置的第一引出電極及第二引出電極，所述第一引出電極與所述第一電極層電連接，所述第二引出電極與所述第二電極層電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第一引出電極設(shè)置于所述第一電極層沿著所述碳納米管擇優(yōu)取向排列的方向的一端。
11.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)方法，其特征在于，所述第二引出電極設(shè)置于所述第二電極層沿著所述碳納米管擇優(yōu)取向排列的方向的一端。
12.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于，步驟c中，所述利用所述光敏電阻對(duì)該待測(cè)光進(jìn)行偏振識(shí)別，是指通過調(diào)整該待測(cè)光的發(fā)光源與所述光敏電阻的方位關(guān)系，使該待測(cè)光透過所述第一電極層照射到所述光敏材料層上。
【文檔編號(hào)】G01J4/04GK103968948SQ201310042255
【公開日】2014年8月6日 申請(qǐng)日期:2013年2月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月4日
【發(fā)明者】劉軍庫, 李關(guān)紅, 李群慶, 范守善 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司