一種發(fā)射天線選擇器和磁共振成像系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)射天線選擇器和磁共振成像系統(tǒng)。其中，所述發(fā)射天線選擇器，包括一控制電路、一體線圈信號輸出接口和一局部線圈信號輸出接口、一射頻信號輸入接口、一假負載，其中，所述控制電路包括多個二極管，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述射頻信號輸入接口與所述體線圈輸出信號接口導(dǎo)通或與所述局部線圈信號輸出接口導(dǎo)通或與所述假負載導(dǎo)通。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)射天線選擇器性能穩(wěn)定，成本低廉，適合長期使用。
【專利說明】一種發(fā)射天線選擇器和磁共振成像系統(tǒng)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及磁共振成像【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種發(fā)射天線選擇器和磁共振成像系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]磁共振成像(Magnetic Resonance Imaging, MRI)是利用磁共振現(xiàn)象進行成像的一種技術(shù)。磁共振現(xiàn)象的原理主要包括:包含單數(shù)質(zhì)子的原子核，例如人體內(nèi)廣泛存在的氫原子核，其質(zhì)子具有自旋運動，猶如一個小磁體，并且這些小磁體的自旋軸沒有一定的規(guī)律，如果施加外在磁場，這些小磁體將按外在磁場的磁力線重新排列，具體為在平行于或反平行于外在磁場磁力線的兩個方向排列，將上述平行于外在磁場磁力線的方向稱為正縱向軸，將上述反平行于外在磁場磁力線的方向稱為負縱向軸；原子核只具有縱向磁化分量，該縱向磁化分量既具有方向又具有幅度。用特定頻率的射頻(Radio Frequency, RF)脈沖激發(fā)處于外在磁場中的原子核，使這些原子核的自旋軸偏離正縱向軸或負縱向軸，產(chǎn)生共振，這就是磁共振現(xiàn)象。上述被激發(fā)的原子核的自旋軸偏離正縱向軸或負縱向軸之后，該原子核就具有了橫向磁化分量。停止發(fā)射射頻脈沖后，被激發(fā)的原子核發(fā)射回波信號，將吸收的能量逐步以電磁波的形式釋放出來，其相位和能級都恢復(fù)到激發(fā)前的狀態(tài)，將原子核發(fā)射的回波信號經(jīng)過空間編碼等進一步處理即可重建圖像。
[0003]在現(xiàn)有技術(shù)中，磁共振成像系統(tǒng)一般用許多各種射頻(RF)天線(下文中稱為線圈)操作，所述射頻天線用于傳輸和接收射頻脈沖以便激發(fā)原子核以放射磁共振信號和/或用于采集所誘發(fā)的磁共振信號。磁共振成像(MRI)系統(tǒng)中包括多種線圈，例如覆蓋全身范圍的體線圈和只覆蓋身體某個部位的接收線圈等等。磁共振系統(tǒng)一般具有大型整體線圈(體線圈)，其永久地安裝在磁共振掃描儀中。所述整體線圈通常圍繞患者采集腔以圓柱形方式布置(例如，使用一種稱為鳥籠結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu))，在所述患者采集腔中患者在測量期間被支撐在一張床(通常也稱為患者定位臺)上。
[0004]一般來說，發(fā)射天線選擇器(TAS, Transmit Antenna Selector)提供了把射頻信號切換傳輸?shù)絻蓚€輸出路徑，局部線圈和本體線圈?，F(xiàn)有技術(shù)中，TAS使用機械式開關(guān)，這些機械開關(guān)是由直流信號控制。鑒于總輸出路徑數(shù)是2，因此現(xiàn)有技術(shù)的TAS需要兩個機械開關(guān)，導(dǎo)致成本較高。此外，機械開關(guān)的使用壽命也較為有限，取決于開/關(guān)次數(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例的目的在于提供一種發(fā)射天線選擇器，性能穩(wěn)定，成本低廉，適合長期使用，從而取代機械開關(guān)。
[0006]本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)射天線選擇器，包括一控制電路、一體線圈信號輸出接口和一局部線圈信號輸出接口、一射頻信號輸入接口、一假負載，其中，所述控制電路包括多個二極管，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述射頻信號輸入接口與所述體線圈輸出信號接口導(dǎo)通或與所述局部線圈信號輸出接口導(dǎo)通或與所述假負載導(dǎo)通。[0007]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管和一第三二極管，所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第一二極管的陰極與所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陰極與所述假負載連接。
[0008]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管和一第三二極管，所述第一二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第一二極管的陰極接地，所述第二二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述假負載連接，所述第三二極管的陰極接地，其中，所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述射頻信號輸入接口和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述假負載和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
[0009]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間、所述射頻信號輸入接口和所述第三二極管的陽極之間以及所述假負載和所述第三二極管的陽極之間分別包括一電感，從而分別具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
[0010]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述發(fā)射天線選擇器還包括一體線圈信號輸入接口，所述射頻信號輸入接口與所述體線圈輸出信號接口導(dǎo)通時，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述體線圈信號輸入接口和與所述假負載導(dǎo)通。
[0011]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管、一第三二極管和一第四二極管，所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第一二極管的陰極與所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陰極與所述假負載和所述第四二極管的陽極連接，所述第四二極管的陰極與所述體線圈信號輸入接口連接。
[0012]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管、一第三二極管和一第四二極管，所述第一二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第一二極管的陰極接地，所述第二二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口、所述假負載和所述第四二極管的陽極連接，所述第三二極管的陰極接地，所述第四二極管的陰極與所述體線圈信號輸入接口連接，其中，所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述射頻信號輸入接口和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述假負載和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述第四二極管的陽極和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
[0013]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述第一二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口、所述假負載和所述第四二極管的陽極之間分別包括一電感，從而分別具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
[0014]在本發(fā)明的一種實施方式中，所述控制電路還包括分別與所述多個二極管并聯(lián)的多個保護電路和分別與所述多個二極管串聯(lián)的多個電源，所述保護電路包括串聯(lián)的一電容和一電感，所述電源用于控制所述二極管導(dǎo)通或截止。
[0015]本發(fā)明實施例提供的磁共振成像系統(tǒng)，包括上述任一一種發(fā)射天線選擇器。
[0016]可以看出，根據(jù)本發(fā)明的具體實施例的發(fā)射天線選擇器性能穩(wěn)定，成本低廉，適合長期使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的發(fā)射天線選擇器的電路示意圖。
[0018]圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的發(fā)射天線選擇器的二極管的電路圖。
【具體實施方式】
[0019]為了使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下舉例對本發(fā)明實施例進行進一步的詳細說明。
[0020]為了解決【背景技術(shù)】中提出的問題，本發(fā)明提出了一種發(fā)射天線選擇器，包括一控制電路、一體線圈信號輸出接口和一局部線圈信號輸出接口、一射頻信號輸入接口、一假負載，其中，所述控制電路包括多個二極管，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述射頻信號輸入接口與所述體線圈輸出信號接口導(dǎo)通或與所述局部線圈信號輸出接口導(dǎo)通或與所述假負載導(dǎo)通。利用二極管替代機械式開關(guān)，本發(fā)明可以有效的提高產(chǎn)品使用壽命，增強產(chǎn)品穩(wěn)定性能并且降低產(chǎn)品制造成本。
[0021]此外，針對為正在運行的服務(wù)進行測試和校準(zhǔn)循環(huán)，根據(jù)本發(fā)明的具體實施例的天線還可以包括15KW (PEP, Peak Envelope Power,峰值包絡(luò)功率)的50 Ω的假負載,從而阻斷 BCCS (Body Coil Channel Selector,體線圈通道選擇器)和 RFPA (RadioFrequencyPower Amplifier,射頻放大器)的信號之間的90°混合。
[0022]第一具體實施例
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的發(fā)射天線選擇器的電路示意圖，根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的發(fā)射天線選擇器，如圖1所示，一控制電路100、一體線圈信號輸出接口 BCCS_1、一局部線圈信號輸出接口 LC_0ut、一射頻信號輸入接口 RFPA和一假負載DL，其中，所述控制電路包括多個二極管，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述射頻信號輸入接口 RFPA與所述體線圈輸出信號接口 BCCS_1或與所述局部線圈信號輸出接口 LC_0ut導(dǎo)通或與所述假負載DL導(dǎo)通。
[0024]圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的發(fā)射天線選擇器的電路示意圖。如圖1所示，發(fā)射天線選擇器的控制電路100包括一第一二極管PIN D10DE3、一第二二極管PIND10DE4和一第三二極管PIN D10DE1，所述第一二極管PIN D10DE3的陽極與所述射頻信號輸入接口 RFPA和所述局部線圈信號輸出接口 LC_0ut連接，所述第一二極管PIN D10DE3的陰極接地，所述第二二極管PIN D10DE4的陰極與所述體線圈信號輸出接口 BCCS_1連接，所述第三二極管PIN D10DE1的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述假負載連接，所述第三二極管PIND10DE1的陰極接地。其中，所述射頻信號輸入接口 RFPA和所述第一二極管PIND10DE3的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述射頻信號輸入接口 RFPA和所述第三二極管PIN D10DE1的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述假負載DL和所述第三二極管PIN D10DE1的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。1/4波長的奇數(shù)倍的相位差可以通過所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間的電感實現(xiàn)，還有其他多種實現(xiàn)1/4波長的奇數(shù)倍的相位差的方式，此處不一一贅述。
[0025]所述發(fā)射天線選擇器進一步包括一體線圈信號輸入接口 BCCS_7，所述控制電路100根據(jù)控制信號利用二極管將所述體線圈信號輸入接口 BCCS_7和所述射頻信號輸入接口 RFPA切換與所述假負載DL導(dǎo)通，同時切斷射頻信號輸入接口 RFPA與所述體線圈輸出信號接口 BCCS_1和所述局部線圈信號輸出接口 LC_0ut之間的連接。
[0026]由此，所述控制電路100進一步包括一第四二極管PIN D10DE2，所述第三二極管PIND10DE1的陽極與所述射頻信號輸入接口 RFPA、所述假負載DL和所述第四二極管PIND10DE2的陽極連接，所述第三二極管PIN DIODEl的陰極接地，所述第四二極管PIN D10DE2的陰極與所述體線圈信號輸入接口 BCCS_7連接，其中，所述射頻信號輸入接口 RFPA和所述第一二極管PIN D10DE3的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述射頻信號輸入接口 RFPA和所述第三二極管PIN DIODEl的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述假負載DL和所述第三二極管PIN DIODEl的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述第四二極管PIN D10DE2的陽極和所述第三二極管PIN DIODEl的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。1/4波長的奇數(shù)倍的相位差可以分別通過所述第三二極管PIN DIODEl的陽極與所述射頻信號輸入接口 RFPA、所述假負載DL和所述第四二極管PIN D10DE2的陽極之間的電感實現(xiàn)，還有其他多種實現(xiàn)1/4波長的奇數(shù)倍的相位差的方式，此處不一一贅述。假負載DL的電阻值是50歐姆。
[0027]圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例的發(fā)射天線選擇器的二極管及其電源和保護電路的電路圖，如圖2所示，控制電路還包括分別與所述多個二極管并聯(lián)的多個保護電路和分別與所述多個二極管串聯(lián)的多個電源，所述保護電路包括串聯(lián)的一電容和一電感，所述電源用于控制所述二極管導(dǎo)通或截止。具體而言，上述第一二極管PIN D10DE3、第二二極管PIN D10DE4、第三二極管PIN DIODEl和第四二極管PIN D10DE2及其電源和保護電路包括一個二極管PIN Diode，與二極管PIN Diode串聯(lián)的直流電源DC以及與二極管PINDiode并聯(lián)的保護電路，其中，通過直流電源DC對二極管的正向偏置和反向偏置進行控制；該保護電路包括串聯(lián)的電容L和電感C。當(dāng)直流電源DC提供200mA電流時，二極管正向偏置；直流電源DC提供-800V電壓時，二極管是反向偏置的。
[0028]具體而言，所述射頻信號輸入接口 RFPA和第一二極管PIN D10DE3的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，這使得所述射頻信號輸入接口 RFPA和所述第一二極管PIND10DE3的陽極之間反向正交。也就是說，當(dāng)?shù)谝欢O管PIN D10DE3對于交流信號導(dǎo)通時，所述射頻信號輸入接口 RFPA和局部線圈信號輸出接口 LC_0ut之間對于交流信號截止；同理亦然。
[0029]以及所述第三二極管PIN DIODEl的陽極與所述射頻信號輸入接口 RFPA、所述假負載DL和所述第四二極管PIN D10DE2的陽極之間分別具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，這使得第三二極管PIN DIODEl的陽極與射頻信號輸入接口 RFPA、假負載DL和第四二極管PIN D10DE2的陽極之間反向正交。也就是說，這使得第三二極管PIN DIODEl的陽極對于交流信號導(dǎo)通時，射頻信號輸入接口 RFPA和第三二極管PIN DIODEl的陽極之間對于交流信號截止；同理亦然。
[0030]從工作原理角度而言，磁共振成像系統(tǒng)的發(fā)射天線選擇器包括三種工作狀態(tài)，具體根據(jù)本發(fā)明的第一具體實施例來說，如圖1所示:
[0031]第一，體線圈工作狀態(tài)。此時，二極管PIN DIODEUPIN D10DE2、PIN D10DE3 和 PIND10DE4通過200mA電流正向偏置，從而來自射頻信號輸入接口 RFPA的信號通過體線圈信號輸出接口 BCCS_1傳輸?shù)襟w線圈，同時BCCS_7連接到50歐姆的假負載。
[0032]第二，局部線圈工作狀態(tài)。此時，二極管PIN D10DE2, PIN D10DE3和PIN D10DE4具有-800V電壓反向偏置，二極管PIN DIODEl具有200mA電流正向偏置，來自射頻信號輸入接口 RFPA的信號傳送到局部線圈信號輸出接口 LC_0ut。
[0033]第三，測試工作狀態(tài)。此時，二極管PIN DIODEl和PIN D10DE4具有-800V電壓反向偏置，二極管PIN D10DE2和PIN D10DE3具有200mA電流正向偏置，即二極管PIN DIODEl和PIN D10DE4截止，二極管PIN D10DE2和PIN D10DE3導(dǎo)通，從而來自射頻信號輸入接口RFPA的信號傳輸?shù)?0歐姆的假負載而不通過體線圈信號輸出接口 BCCS_1傳輸至體線圈。
[0034]第二具體實施例
[0035]根據(jù)本發(fā)明的第二具體實施例的發(fā)射天線選擇器的控制電路可以通過二極管的簡單連接構(gòu)成，例如，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管、一第三二極管和一第四二極管，所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第一二極管的陰極與所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陰極與所述假負載和所述第四二極管的陽極連接，所述第四二極管的陰極與所述體線圈信號輸入接口連接。
[0036]根據(jù)第二具體實施例的發(fā)射天線選擇器的控制電路同樣能夠完成本發(fā)明的技術(shù)方案，但是根據(jù)第二具體實施例的發(fā)射天線選擇器的控制電路使用的反向偏置電壓高達-800V，所以穩(wěn)定性強在復(fù)雜信號情況下也不會受到干擾。
[0037]以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護范圍。在具體的實施過程中可對根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行適當(dāng)?shù)母倪M，以適應(yīng)具體情況的具體需要。因此可以理解，本文所述的本發(fā)明的【具體實施方式】只是起示范作用，并不用以限制本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)射天線選擇器，包括一控制電路、一體線圈信號輸出接口和一局部線圈信號輸出接口、一射頻信號輸入接口、一假負載，其中， 所述控制電路包括多個二極管，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述射頻信號輸入接口與所述體線圈輸出信號接口導(dǎo)通或與所述局部線圈信號輸出接口導(dǎo)通或與所述假負載導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管和一第三二極管，所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第一二極管的陰極與所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陰極與所述假負載連接。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管和一第三二極管，所述第一二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第一二極管的陰極接地，所述第二二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述假負載連接，所述第三二極管的陰極接地，其中，所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述射頻信號輸入接口和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述假負載和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
4.如權(quán)利要求3 所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間、所述射頻信號輸入接口和所述第三二極管的陽極之間以及所述假負載和所述第三二極管的陽極之間分別包括一電感，從而分別具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述發(fā)射天線選擇器還包括一體線圈信號輸入接口，所述射頻信號輸入接口與所述體線圈輸出信號接口導(dǎo)通時，所述控制電路根據(jù)控制信號利用所述二極管將所述體線圈信號輸入接口和與所述假負載導(dǎo)通。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管、一第三二極管和一第四二極管，所述第一二極管、所述第二二極管和所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第一二極管的陰極與所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陰極與所述假負載和所述第四二極管的陽極連接，所述第四二極管的陰極與所述體線圈信號輸入接口連接。
7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述控制電路包括一第一二極管、一第二二極管、一第三二極管和一第四二極管，所述第一二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口和所述局部線圈信號輸出接口連接，所述第一二極管的陰極接地，所述第二二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口連接，所述第二二極管的陰極與所述體線圈信號輸出接口連接，所述第三二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口、所述假負載和所述第四二極管的陽極連接，所述第三二極管的陰極接地，所述第四二極管的陰極與所述體線圈信號輸入接口連接，其中，所述射頻信號輸入接口和所述第一二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述射頻信號輸入接口和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述假負載和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差，所述第四二極管的陽極和所述第三二極管的陽極之間具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述第一二極管的陽極與所述射頻信號輸入接口、所述假負載和所述第四二極管的陽極之間分別包括一電感，從而分別具有1/4波長的奇數(shù)倍的相位差。
9.如權(quán)利要求1-8任一所述的發(fā)射天線選擇器，其特征在于，所述控制電路還包括分別與所述多個二極管并聯(lián)的多個保護電路和分別與所述多個二極管串聯(lián)的多個電源，所述保護電路包括串聯(lián)的一電容和一電感，所述電源用于控制所述二極管導(dǎo)通或截止。
10.一種磁共振成像系統(tǒng)，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一所述的發(fā)射天線選擇器。
【文檔編號】G01R33/36GK103926545SQ201310009092
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2013年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月10日
【發(fā)明者】汪堅敏, 王瀾, 波特·斯特凡, 程鴻 申請人:西門子(深圳)磁共振有限公司, 西門子公司