多分析器角度的光譜橢圓偏光儀的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示具有改善穩(wěn)定性的橢圓偏光儀系統(tǒng)及橢圓偏光儀數(shù)據(jù)收集方法。根據(jù)本發(fā)明，利用多個(gè)預(yù)定、離散分析器角度來(lái)收集用于單一測(cè)量的橢圓偏光儀數(shù)據(jù)，且基于在這些預(yù)定、離散分析器角度處收集到的所述橢圓偏光儀數(shù)據(jù)執(zhí)行數(shù)據(jù)回歸。針對(duì)單一測(cè)量利用多個(gè)離散分析器角度改善了橢圓偏光儀系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】多分析器角度的光譜橢圓偏光儀

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明大體上涉及表面檢查的領(lǐng)域，且特定來(lái)說(shuō)，涉及橢圓偏光儀工具。

【背景技術(shù)】
[0002]例如硅晶片及類似物的薄拋光板是現(xiàn)代技術(shù)的極其重要的部分。例如，晶片可指代用于制作集成電路及其它裝置的半導(dǎo)體材料的薄切片。薄拋光板/膜的其它實(shí)例可包含磁盤襯底、規(guī)塊及類似物。雖然此處描述的技術(shù)主要指代晶片，但應(yīng)了解所述技術(shù)同樣也可適用于其它類型的拋光板及膜。在本發(fā)明中可交替使用術(shù)語(yǔ)晶片及術(shù)語(yǔ)薄拋光板及/或膜。
[0003]大體上，可針對(duì)晶片的介電性質(zhì)制定某些要求。橢圓偏光儀為用于研究晶片的介電性質(zhì)的光學(xué)技術(shù)。在分析反射離開樣本(例如，晶片表面)的光的偏光的改變之后，橢圓偏光儀可產(chǎn)生關(guān)于所述樣本的信息。橢圓偏光儀可探測(cè)復(fù)合折射率或介電函數(shù)張量，這準(zhǔn)許獲取基本物理參數(shù)且與包含形態(tài)、晶體質(zhì)量、化學(xué)組成或?qū)щ娦缘母鞣N樣本性質(zhì)相關(guān)。橢圓偏光儀通常用以特征化從幾?；驇资{米到若干微米的單層或復(fù)合多層堆疊的膜厚度。
[0004]光譜的橢圓偏光儀為運(yùn)用涵蓋某一光譜范圍(例如，在紅外線、可見(jiàn)光或紫外線光譜區(qū)域中)的寬帶光源的橢圓偏光儀的一種類型。通過(guò)涵蓋光譜范圍，可獲得在對(duì)應(yīng)光譜區(qū)域中的復(fù)合折射率或介電函數(shù)張量，這準(zhǔn)許獲取大量基本物理性質(zhì)。
[0005]然而，測(cè)試結(jié)果指示在某些情況下現(xiàn)存橢圓偏光儀工具獲得的測(cè)量并不穩(wěn)定。此處存在對(duì)具有改善測(cè)量穩(wěn)定性的橢圓偏光儀工具的需要。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明涉及一種橢圓偏光儀系統(tǒng)。所述橢圓偏光儀系統(tǒng)可包含經(jīng)配置用以支撐晶片的支撐機(jī)構(gòu)及經(jīng)配置用以朝向所述晶片傳遞入射光束的照明源。入射光束可反射離開晶片，借此形成反射光束。所述橢圓偏光儀系統(tǒng)還可包含經(jīng)配置用以使反射光束偏光的分析器。所述分析器的偏光方向可旋轉(zhuǎn)到多個(gè)預(yù)定、離散角位置?？衫脵z測(cè)器來(lái)基于行進(jìn)穿過(guò)分析器的反射光束來(lái)收集一組光譜數(shù)據(jù)。所收集到的所述組光譜數(shù)據(jù)的每一光譜數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于所述組預(yù)定、離散角位置中的一者。一旦收集到所述組光譜數(shù)據(jù)，便可利用處理器模塊對(duì)所述組光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
[0007]本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例涉及用于檢查晶片的橢圓偏光儀方法。所述方法可包含:朝向晶片傳遞入射光束，其中所述入射光束反射離開晶片，借此形成反射光束；利用分析器使反射光束偏光，所述分析器具有可旋轉(zhuǎn)到一組預(yù)定、離散角位置的偏光方向；基于行進(jìn)通過(guò)所述分析器的反射光束收集一組光譜數(shù)據(jù)，當(dāng)所述分析器的偏光方向指向所述組預(yù)定、離散角位置中的一者時(shí)，收集所述組光譜數(shù)據(jù)的每一光譜數(shù)據(jù)；及對(duì)收集到的所述組光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
[0008]本發(fā)明的額外實(shí)施例還涉及用于檢查晶片的橢圓偏光儀方法。所述方法可包含:朝向晶片傳遞入射光束，其中所述入射光束反射離開晶片，借此形成反射光束；利用分析器使反射光束偏光，所述分析器具有指向第一預(yù)定、離散角位置的偏光方向；當(dāng)分析器的偏光方向指向第一預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)分析器的反射光束；旋轉(zhuǎn)分析器，其中分析器的偏光方向經(jīng)旋轉(zhuǎn)以指向第二預(yù)定、離散角位置；當(dāng)分析器的偏光方向指向第二預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)分析器的反射光束；及對(duì)在分析器的偏光方向指向第一預(yù)定、離散角位置時(shí)及在分析器的偏光方向指向第二預(yù)定、離散角位置時(shí)收集到的光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
[0009]應(yīng)了解，先前的大體描述及以下的詳細(xì)描述兩者均僅為示范性及闡釋性的且并不一定對(duì)本發(fā)明具有限制性。并入本說(shuō)明書中且構(gòu)成本說(shuō)明書的一部分的【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的標(biāo)的物。描述及圖式一起用以闡釋本發(fā)明的原理。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0010]參考附圖，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可更好地了解本發(fā)明的眾多優(yōu)點(diǎn)，其中:
[0011]圖1為描述根據(jù)本發(fā)明的橢圓偏光儀系統(tǒng)的說(shuō)明的等角視圖；
[0012]圖2為描繪相對(duì)于反射光束的橫截面視圖的多個(gè)預(yù)定、離散角位置的說(shuō)明；
[0013]圖3為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的用于檢查晶片的橢圓偏光儀方法的流程圖；以及
[0014]圖4為說(shuō)明用于根據(jù)多個(gè)預(yù)定、離散角位置收集光譜數(shù)據(jù)的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]現(xiàn)將詳細(xì)參考在附圖中說(shuō)明的所揭示的標(biāo)的物。
[0016]本發(fā)明涉及具有改善穩(wěn)定性的橢圓偏光儀系統(tǒng)及橢圓偏光儀數(shù)據(jù)收集方法。根據(jù)本發(fā)明，利用多個(gè)預(yù)定、離散分析器角度收集用于單一測(cè)量的橢圓偏光儀數(shù)據(jù)，且基于在這些預(yù)定、離散分析器角度處收集的橢圓偏光儀數(shù)據(jù)執(zhí)行數(shù)據(jù)回歸。針對(duì)單一測(cè)量利用多個(gè)離散分析器角度改善橢圓偏光儀系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
[0017]參考圖1及2，展示描繪根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的橢圓偏光儀系統(tǒng)100的說(shuō)明。橢圓偏光儀系統(tǒng)100可包含經(jīng)配置用以支撐晶片104的支撐機(jī)構(gòu)102。橢圓偏光儀系統(tǒng)100還可包含照明源106，其經(jīng)配置用以通過(guò)偏光器110傳遞入射光束108朝向晶片104，從而照明晶片104的至少一部分。入射光束108可反射離開晶片104，從而形成如圖1中所展示的反射光束112。入射光束108及反射光束112橫跨通常稱為入射平面的平面。
[0018]接著反射光束112行進(jìn)到稱為分析器114的第二偏光器，且落入到檢測(cè)器116中。分析器114及檢測(cè)器116可共同稱為分析器模塊，所述分析器模塊沿入射平面中的反射光束112的光學(xué)路徑而定位。根據(jù)本發(fā)明，利用多個(gè)分析器角度來(lái)收集用于單一測(cè)量的橢圓偏光儀數(shù)據(jù)，從而改善橢圓偏光儀系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
[0019]更具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)分析器114的偏光方向(圖1中的向量A)指向各種預(yù)定、離散角位置時(shí)，可收集橢圓偏光儀數(shù)據(jù)。在一個(gè)示范性實(shí)施方案中，可針對(duì)固定角位置中的每一者使分析器114的方向從一個(gè)離散位置步進(jìn)/旋轉(zhuǎn)到下一個(gè)離散位置，從而允許檢測(cè)器116在每一固定角位置處收集橢圓偏光儀數(shù)據(jù)。
[0020]舉例來(lái)說(shuō)，可將在入射平面的每一側(cè)上對(duì)稱偏移的一對(duì)分析器角度α及-α界定為預(yù)定、離散角位置。可首先旋轉(zhuǎn)分析器114使得分析器114的方向(向量Α)指向分析器角度α。當(dāng)向量A指向分析器角度α?xí)r，檢測(cè)器116可收集反射離開晶片104而行進(jìn)穿過(guò)分析器114的光譜。當(dāng)檢測(cè)器116收集光譜時(shí)，分析器114的方向(向量A)可保持不變(即，指向分析器角度α)達(dá)預(yù)定持續(xù)時(shí)間。隨后，可相對(duì)于反射光束112旋轉(zhuǎn)分析器114，使得分析器114的方向(向量Α)指向分析器角度-α。接著，當(dāng)向量A指向分析器角度-α?xí)r，檢測(cè)器116可收集反射離開晶片104而行進(jìn)穿過(guò)分析器114的光譜。當(dāng)檢測(cè)器116收集光譜時(shí)，分析器114的方向(向量Α)可保持不變(即，指向分析器角度-α)達(dá)預(yù)定持續(xù)時(shí)間。
[0021]預(yù)期在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的情況下，α的值可變化且可針對(duì)每一特定應(yīng)用而決定。此外，分析器角度(即，角位置)不限于以上實(shí)例中描繪的兩個(gè)?？稍诓幻撾x本發(fā)明的精神及范圍的情況下界定兩個(gè)以上離散角位置。
[0022]還預(yù)期，不要求分析器114從一個(gè)離散點(diǎn)步進(jìn)到下一個(gè)離散點(diǎn)。在替代實(shí)施方案中，分析器114可連續(xù)旋轉(zhuǎn)通過(guò)一系列角度，且檢測(cè)器116可在分析器114的方向(向量Α)指向預(yù)定分析器角度的中一者時(shí)收集反射離開晶片104的光譜。在又另一實(shí)施方案中，分析器114可連續(xù)旋轉(zhuǎn)通過(guò)一系列角度且檢測(cè)器116可收集反射離開晶片104的光譜數(shù)據(jù)，但僅在分析器114的方向(向量Α)指向預(yù)定分析器角度中的一者時(shí)收集到的數(shù)據(jù)可用于/饋送到隨后的處理步驟(即，不使用從其它角度收集的數(shù)據(jù))。
[0023]可利用與檢測(cè)器116通信地耦合的處理器模塊處理根據(jù)本發(fā)明收集的橢圓偏光儀數(shù)據(jù)。所述處理器模塊可經(jīng)實(shí)施為處理單元、計(jì)算裝置、集成電路或任何與檢測(cè)器116通信的控制邏輯(單獨(dú)式或嵌入式)。所述處理器模塊可定位成接近于檢測(cè)器116或經(jīng)定位在別處，且經(jīng)由有線或無(wú)線通信手段與檢測(cè)器116通信。
[0024]所述處理器模塊可經(jīng)配置以用于對(duì)如上文描述利用多個(gè)分析器角度收集的橢圓偏光儀數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。對(duì)橢圓偏光儀來(lái)說(shuō)，基于模型的測(cè)量為典型的方式。為了更好的精確度，可代替平均化使用單個(gè)分析器角度光譜的測(cè)量結(jié)果而同時(shí)處理具有不同分析器角位置的多個(gè)光譜。根據(jù)本發(fā)明的雙/多分析器角度測(cè)量的優(yōu)點(diǎn)中的一者為最小化系統(tǒng)的光學(xué)設(shè)計(jì)及數(shù)學(xué)模型中存在的系統(tǒng)性誤差，使得模型擬合(model fit)后的所得誤差圍繞零誤差的理想狀態(tài)對(duì)稱分布，從而改善橢圓偏光儀系統(tǒng)100的穩(wěn)定性。
[0025]另外，處理器模塊還可經(jīng)配置以有助于用以選擇針對(duì)分析器114的最佳角度的校準(zhǔn)過(guò)程。例如，可通過(guò)可移動(dòng)/可旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)支撐分析器114。首先，可建立分析器114的方向(向量A)使其指向角度α，接著從-α的起始位置謹(jǐn)慎地調(diào)諧第二角度，以此方式最大化測(cè)量模型擬合后的殘余誤差的對(duì)稱。即，兩個(gè)分析器角度無(wú)需相對(duì)于入射平面完全對(duì)稱。
[0026]進(jìn)一步預(yù)期，橢圓偏光儀系統(tǒng)可包含一個(gè)以上的如上文描述的照明源用以朝向晶片傳遞(若干)額外入射光束。每一照明源可具有根據(jù)本發(fā)明而布置的對(duì)應(yīng)分析器模塊。應(yīng)了解，可針對(duì)每一照明源獨(dú)立配置具有如上文描述的分析器角度的測(cè)量的布置。即，如果橢圓偏光儀系統(tǒng)包含各自具有獨(dú)特光學(xué)設(shè)計(jì)的多個(gè)橢圓偏光計(jì)，那么使每一子系統(tǒng)來(lái)決定最佳測(cè)量分析器角度以便最大化其自身靈敏度是適當(dāng)?shù)摹?br> [0027]此外，應(yīng)了解，可將偏光器110配置為持續(xù)旋轉(zhuǎn)的偏光器。持續(xù)旋轉(zhuǎn)的偏光器可使傳遞到晶片的入射光束偏光，從而有效地提供光譜的橢圓偏光儀系統(tǒng)。所述光譜的橢圓偏光儀系統(tǒng)還可利用根據(jù)本發(fā)明的多角度分析器模塊以便改善其穩(wěn)定性及靈敏度。
[0028]預(yù)期根據(jù)本發(fā)明的橢圓偏光儀及光譜的橢圓偏光儀系統(tǒng)可提供檢查包含具有高介電常數(shù)的材料(也稱為高k應(yīng)用)的多種類型的晶片的改善穩(wěn)定性、精度及靈敏度。針對(duì)此類高k應(yīng)用，α的值可在范圍25°與37°之間變化。然而，應(yīng)了解，在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的情況下，此范圍可變化且可針對(duì)每一特定應(yīng)用而決定。
[0029]進(jìn)一步預(yù)期，可結(jié)合第5，608，526號(hào)美國(guó)專利及/或第6，813，026號(hào)美國(guó)專利(其如本文中充分闡述股以引用的方式并入本文中)中描述的類型的設(shè)備實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的橢圓偏光儀及光譜的橢圓偏光儀系統(tǒng)。
[0030]現(xiàn)參考圖3，展示用以檢查晶片的橢圓偏光儀方法300。步驟302可朝向晶片傳遞入射光束。所述入射光束可反射離開晶片，借此形成如上文描述的反射光束。可在步驟304中使用分析器使反射光束偏光。分析器的偏光方向可旋轉(zhuǎn)到一組預(yù)定、離散角位置。步驟306可基于行進(jìn)穿過(guò)分析器的反射光束收集一組光譜數(shù)據(jù)。所收集到的所述組光譜數(shù)據(jù)中的每一光譜數(shù)據(jù)可對(duì)應(yīng)于所述組預(yù)定、離散角位置中的一者。一旦收集到所述組光譜數(shù)據(jù)，步驟308便可對(duì)在這些預(yù)定、離散角位置處收集到的所述組光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
[0031]預(yù)期可利用各種方式收集所述組光譜數(shù)據(jù)。在一種示范性方式中，如圖4中說(shuō)明，步驟402可使分析器旋轉(zhuǎn)使得其偏光方向指向第一預(yù)定、離散角位置。接著，步驟404可在分析器的偏光方向指向第一預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)分析器的反射光束。隨后，步驟406可旋轉(zhuǎn)分析器使得其偏光方向指向第二預(yù)定、離散角位置。步驟408可在分析器的偏光方向指向第二預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)分析器的反射光束。步驟410可對(duì)在分析器的偏光方向指向第一預(yù)定、離散角位置及在分析器的偏光方向指向第二預(yù)定、離散角位置時(shí)所收集到的光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
[0032]然而，預(yù)期不要求分析器從一個(gè)離散點(diǎn)步進(jìn)到下一個(gè)離散點(diǎn)。在替代實(shí)施方案中，分析器可連續(xù)旋轉(zhuǎn)通過(guò)一系列角度且檢測(cè)器可在分析器的方向指向預(yù)定分析器角度中的一者時(shí)收集光譜數(shù)據(jù)。在又另一實(shí)施方案中，分析器可連續(xù)旋轉(zhuǎn)通過(guò)一系列角度范圍且檢測(cè)器可收集反射離開晶片的光譜數(shù)據(jù)，但僅在分析器的方向指向預(yù)定分析器角度中的一者時(shí)收集到的數(shù)據(jù)可用于同時(shí)回歸。
[0033]雖然上文的實(shí)例涉及晶片檢查，但預(yù)期根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)及方法在不脫離本發(fā)明的精神及范圍的情況下同樣適用于其它類型的拋光板。本發(fā)明中使用的術(shù)語(yǔ)晶片可包含用于制作集成電路及其它裝置的半導(dǎo)體材料的薄切片以及其它薄拋光板(例如磁盤襯底、規(guī)塊及類似物)。
[0034]可通過(guò)單個(gè)制造裝置及/或通過(guò)多個(gè)制造裝置將揭示的方法實(shí)施為指令集。此夕卜，應(yīng)了解，揭示的方法中的步驟的特定順序或階層為示范性方式的實(shí)例。應(yīng)了解，基于設(shè)計(jì)偏好可重新布置方法中的步驟的特定順序或階層，同時(shí)保持在本發(fā)明的范圍及精神中。所附方法權(quán)利要求以樣本順序呈現(xiàn)多種步驟的要素，且并不一定希望限制于所呈現(xiàn)的特定順序或階層。
[0035]據(jù)信，通過(guò)先前的描述將了解本發(fā)明的系統(tǒng)及方法及其許多附帶優(yōu)點(diǎn)，且將明白在不脫離揭示的標(biāo)的物的情況下或在不犧牲所有其材料優(yōu)點(diǎn)的情況下，可在組件的形式、構(gòu)造及布置中做出各種改變。描述的形式僅為闡釋性的。
【權(quán)利要求】
1.一種橢圓偏光儀系統(tǒng)，其包括: 支撐機(jī)構(gòu)，其經(jīng)配置用以支撐晶片； 照明源，其經(jīng)配置以用于朝向所述晶片傳遞入射光束，其中所述入射光束反射離開所述晶片，借此形成反射光束； 分析器，其經(jīng)配置以用于使所述反射光束偏光，所述分析器具有可旋轉(zhuǎn)到多個(gè)預(yù)定、離散角位置的偏光方向； 檢測(cè)器，其經(jīng)配置以用于基于行進(jìn)穿過(guò)所述分析器的所述反射光束收集一組光譜數(shù)據(jù)，當(dāng)所述分析器的所述偏光方向指向所述組預(yù)定、離散角位置中的一者時(shí)收集所述組光譜數(shù)據(jù)中的每一光譜數(shù)據(jù)；及 處理器模塊，其經(jīng)配置以用于對(duì)所收集到的所述組光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓偏光儀系統(tǒng)，其中所述分析器經(jīng)配置以從所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置中的一者步進(jìn)到所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置中的下一個(gè)預(yù)定、離散角位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓偏光儀系統(tǒng)，其中所述分析器經(jīng)配置以連續(xù)旋轉(zhuǎn)，且所述檢測(cè)器經(jīng)配置以在所述分析器的所述偏光方向處在所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置中的一者時(shí)收集光譜數(shù)據(jù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓偏光儀系統(tǒng)，其中所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置相對(duì)于由所述入射光束及所述反射光束界定的入射平面成對(duì)對(duì)稱。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的橢圓偏光儀系統(tǒng)，其中所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置包含第一角位置及第二角位置，所述第一角位置及所述第二角位置相對(duì)于所述入射平面實(shí)質(zhì)上對(duì)稱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓偏光儀系統(tǒng)，其中所述離散角位置可調(diào)整以最大化測(cè)量靈敏度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的橢圓偏光儀系統(tǒng)，其中所述照明源進(jìn)一步包含可旋轉(zhuǎn)偏光器，所述可旋轉(zhuǎn)偏光器經(jīng)配置以用于使朝向所述晶片傳遞的所述入射光束偏光。
8.一種用于檢查晶片的橢圓偏光儀方法，所述方法包括: 朝向所述晶片傳遞入射光束，其中所述入射光束反射離開所述晶片，借此形成反射光束； 利用分析器使所述反射光束偏光，所述分析器具有可旋轉(zhuǎn)到一組預(yù)定、離散角位置的偏光方向； 基于行進(jìn)穿過(guò)所述分析器的所述反射光束收集一組光譜數(shù)據(jù)，當(dāng)所述分析器的所述偏光方向指向所述組預(yù)定、離散角位置中的一者時(shí)收集所述組光譜數(shù)據(jù)中的每一光譜數(shù)據(jù)；及 對(duì)所收集到的所述組光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的橢圓偏光儀方法，其中所述分析器經(jīng)配置以從所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置中的一者步進(jìn)到所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置中的下一個(gè)預(yù)定、離散角位置。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的橢圓偏光儀方法，其中所述分析器經(jīng)配置以連續(xù)旋轉(zhuǎn)，且所述檢測(cè)器經(jīng)配置以在所述分析器的所述偏光方向處在所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置中的一者時(shí)收集光譜數(shù)據(jù)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的橢圓偏光儀方法，其中所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置相對(duì)于由所述入射光束及所述反射光束界定的入射平面成對(duì)對(duì)稱。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的橢圓偏光儀方法，其中所述多個(gè)預(yù)定、離散角位置包含第一角位置及第二角位置，所述第一角位置及所述第二角位置相對(duì)于所述入射平面實(shí)質(zhì)上對(duì)稱。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的橢圓偏光儀方法，其中所述離散角位置可調(diào)整以最大化測(cè)量靈敏度。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的橢圓偏光儀方法，其中連續(xù)地使朝向所述晶片傳遞的所述入射光束偏光。
15.一種用于檢查晶片的橢圓偏光儀方法，所述方法包括: 朝向所述晶片傳遞入射光束，其中所述入射光束反射離開所述晶片，借此形成反射光束； 利用分析器使所述反射光束偏光，所述分析器具有指向第一預(yù)定、離散角位置的偏光方向； 當(dāng)所述分析器的所述偏光方向指向所述第一預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)所述分析器的所述反射光束； 旋轉(zhuǎn)所述分析器，其中所述分析器的所述偏光方向經(jīng)旋轉(zhuǎn)以指向第二預(yù)定、離散角位置； 當(dāng)所述分析器的所述偏光方向指向所述第二預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)所述分析器的所述反射光束；及 對(duì)在所述分析器的所述偏光方向指向所述第一預(yù)定、離散角位置時(shí)及在所述分析器的所述偏光方向指向所述第二預(yù)定、離散角位置時(shí)收集到的光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的橢圓偏光儀方法，其中所述第一預(yù)定、離散角位置及所述第二預(yù)定、離散角位置相對(duì)于由所述入射光束及所述反射光束界定的入射平面實(shí)質(zhì)上對(duì)稱。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的橢圓偏光儀方法，其進(jìn)一步包括: 調(diào)整以下至少一者:所述第一預(yù)定、離散角位置及所述第二預(yù)定、離散角位置 '及 確定測(cè)量靈敏度是否已得到改善。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的橢圓偏光儀方法，其進(jìn)一步包括: 連續(xù)調(diào)整以下至少一者:所述第一預(yù)定、離散角位置及所述第二預(yù)定、離散角位置，直到所述測(cè)量靈敏度得到最大化為止。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的橢圓偏光儀方法，其中連續(xù)地使朝向所述晶片傳遞的所述入射光束偏光。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的橢圓偏光儀方法，其進(jìn)一步包括: 旋轉(zhuǎn)所述分析器，其中所述分析器的所述偏光方向經(jīng)旋轉(zhuǎn)以指向第三預(yù)定、離散角位置； 在所述分析器的所述偏光方向指向所述第三預(yù)定、離散角位置時(shí)收集行進(jìn)穿過(guò)所述分析器的所述反射光束；及 對(duì)在所述分析器的所述偏光方向指向所述第一預(yù)定、離散角位置時(shí)、在所述分析器的所述偏光方向指向所述第二預(yù)定、離散角位置時(shí)及在所述分析器的所述偏光方向指向所述第三預(yù)定、離散角位置時(shí)收集到的光譜數(shù)據(jù)執(zhí)行同時(shí)回歸。
【文檔編號(hào)】G01J4/00GK104169709SQ201280042918
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月7日
【發(fā)明者】欣東·郭, 沃德·狄克遜, 利奧尼德·波斯拉夫斯基, 托斯頓·卡克 申請(qǐng)人:科磊股份有限公司