發(fā)熱點檢測方法及發(fā)熱點檢測裝置制造方法
【專利摘要】發(fā)熱點檢測方法包含：步驟（S01、S02），其對集成電路（S）施加低頻率的偏壓，并取得對應(yīng)于此而自集成電路（S）檢測的發(fā)熱檢測信號；步驟（S03、S04），其對集成電路（S）提供高頻率的偏壓，并取得對應(yīng)于此而自集成電路（S）檢測的發(fā)熱檢測信號；步驟（S05～S07），其檢測低頻率的偏壓與發(fā)熱檢測信號之間的相位差、及高頻率的偏壓與發(fā)熱檢測信號之間的相位差；及步驟（S08），其基于這些相位差，算出相對于偏壓的頻率的平方根的相位差的變化率，并根據(jù)變化率獲得發(fā)熱點的深度信息。
【專利說明】發(fā)熱點檢測方法及發(fā)熱點檢測裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用以檢測集成電路的發(fā)熱點的深度的發(fā)熱點檢測方法及發(fā)熱點檢測
>J-U ρ?α裝直。
【背景技術(shù)】
[0002]一直以來，作為LSI封裝等的集成電路的不良解析方法，已知有對集成電路施加周期性的脈沖電壓而檢測熱響應(yīng)的方法。例如，下述非專利文獻I中公開有檢測電性激發(fā)與局部熱響應(yīng)之間的相位差△ Φ并根據(jù)該相位差△ Φ決定缺陷的深度。
[0003]非專利文獻1:C.Schmidt et al., “Lock-1n-Thermography for3-dimensionallocalization of electrical defects inside complex packaged devices，，，ISTFA2008:Proceedings from the34th International Symposium for Testing and FailureAnalysys，美國，2008 年 11 月，p.102-107

【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]發(fā)明所要解決的問題
[0005]然而，在上述現(xiàn)有的解析方法中，因為發(fā)熱量根據(jù)激發(fā)信號的大小或缺陷點的狀態(tài)而不同，或者缺陷點與集成電路的表面之間的熱容量根據(jù)缺陷點的位置而不同，因此，除了缺陷點的深度以外，相位差△ Φ也依賴于發(fā)熱量、集成電路的構(gòu)造或缺陷點的位置。因此，在根據(jù)相位差Λ φ評估缺陷的深度的情況下，存在其評估值的誤差較大的趨勢。
[0006]因此，本發(fā)明是有鑒于上述問題而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種發(fā)熱點檢測方法及發(fā)熱點檢測裝置，其能夠?qū)⒓呻娐分械陌l(fā)熱點的深度不依賴于其狀態(tài)或位置而精度良好地進行檢測。
[0007]解決問題的技術(shù)手段
[0008]為了解決上述問題，本發(fā)明的一個側(cè)面所涉及的發(fā)熱點檢測方法是檢測集成電路的發(fā)熱點的深度的發(fā)熱點檢測方法，其包含:第I步驟，對集成電路提供以第I頻率增減的周期性電信號，并取得對應(yīng)于此而自集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第I檢測信號；第2步驟，其對集成電路提供以與第I頻率不同的第2頻率增減的周期性電信號，并取得對應(yīng)于此而自集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第2檢測信號；第3步驟，其檢測第I頻率的周期性電信號與第I檢測信號之間的第I相位差、及第2頻率的周期性電信號與第2檢測信號之間的第2相位差；及第4步驟，其基于第I及第2相位差，算出相對于自周期性電信號的頻率算出的變量的周期性電信號與檢測信號之間的相位差的變化率，并根據(jù)變化率獲得發(fā)熱點的深度信息。
[0009]或者，本發(fā)明的另一個側(cè)面所涉及的發(fā)熱點檢測裝置是檢測集成電路的發(fā)熱點的深度的發(fā)熱點檢測裝置，其包含:電信號提供部，其對集成電路提供電信號；控制部，其以對集成電路提供以第I頻率增減的周期性電信號、及以與第I頻率不同的第2頻率增減的周期性電信號的方式，控制電信號提供部；檢測部，其取得對應(yīng)于第I頻率的周期性電信號的提供而自集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第I檢測信號，并且取得對應(yīng)于第2頻率的周期性電信號的提供而自集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第2檢測信號；相位差檢測部，其檢測第I頻率的周期性電信號與第I檢測信號之間的第I相位差、及第2頻率的周期性電信號與第2檢測信號之間的第2相位差；及運算部，其基于第I及第2相位差，算出相對于自周期性電信號的頻率算出的變量的周期性電信號與檢測信號之間的相位差的變化率，并根據(jù)變化率獲得發(fā)熱點的深度信息。
[0010]根據(jù)如此的發(fā)熱點檢測方法或者發(fā)熱點檢測裝置，自集成電路，檢測對應(yīng)于第I頻率的周期性電信號的提供的顯示發(fā)熱量的變化的第I檢測信號，并檢測對應(yīng)于第2頻率的周期性電信號的提供的顯示發(fā)熱量的變化的第2檢測信號。接著，檢測第I頻率的周期性電信號與第I檢測信號之間的第I相位差、及第2頻率的周期性電信號與第2檢測信號之間的第2相位差，根據(jù)相對于自周期性電信號的頻率算出的變量的相位差的變化率，獲得發(fā)熱點的深度信息。由此，因為根據(jù)發(fā)熱點的位置而變化的發(fā)熱量的時間變化的偏移(offset)部分得以抵消而可計算深度信息，因此，不依賴于發(fā)熱點的位置而可獲得高精度的深度信息。另外，通過獲得相對于自周期性電信號的頻率算出的變量的相位差的變化率，從而也能夠獲得不依賴于發(fā)熱點的發(fā)熱量、集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、及周期性電信號的頻率的深度信息。
[0011]發(fā)明的效果
[0012]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⒓呻娐分械陌l(fā)熱點的深度不依賴于其狀態(tài)或位置而精度良好地進行檢測。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1是顯示本發(fā)明的優(yōu)選的一個實施方式所涉及的集成電路故障解析裝置的概略構(gòu)成的方塊圖。
[0014]圖2是顯示由圖1的集成電路故障解析裝置I進行的關(guān)于集成電路S的故障解析動作的順序的流程圖。
[0015]圖3是顯示由圖1的電壓施加部14施加的偏壓的時間變化的圖。
[0016]圖4(a)是顯示偏壓的時間變化的圖；(b)是顯示由低熱容量/低熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料構(gòu)成的集成電路S中檢測的發(fā)熱檢測信號的時間變化的圖；(C)是顯示由高熱容量/高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料構(gòu)成的集成電路S中檢測的發(fā)熱檢測信號的時間變化的圖。
[0017]圖5(a)是顯示以低頻率施加的偏壓的時間變化的圖；(b)是顯示集成電路S中檢測的發(fā)熱檢測信號的時間變化的圖；(C)是顯示以高頻率施加的偏壓的時間變化的圖；(d)是顯示集成電路S中檢測的發(fā)熱檢測信號的時間變化的圖。
[0018]圖6是顯示圖1的集成電路故障解析裝置中對集成電路S施加的偏壓的角頻率的平方根與觀測的相位延遲bx的關(guān)系的圖表。
【具體實施方式】
[0019]以下，參照附圖，詳細地說明本發(fā)明所涉及的發(fā)熱點檢測裝置及使用其的發(fā)熱點檢測方法的優(yōu)選的實施方式。還有，在附圖的說明中，對相同或相當(dāng)?shù)牟糠謽俗⑾嗤姆?，省略重?fù)的說明。[0020]圖1是顯示本發(fā)明的優(yōu)選的一個實施方式所涉及的發(fā)熱點檢測裝置即集成電路故障解析裝置的概略構(gòu)成的方塊圖。該圖所示的集成電路故障解析裝置I是檢測LSI封裝等的集成電路S的發(fā)熱點的位置并進行故障解析的故障解析裝置。該集成電路故障解析裝置I具備試料平臺(stage) 10、驅(qū)動試料平臺10的平臺驅(qū)動部12、電壓施加部(電信號提供部)14、攝像裝置18、控制部20、及圖像處理部30而構(gòu)成。
[0021]成為解析對象的集成電路S載置于使用可分別在X軸方向、Y軸方向(水平方向)及Z軸方向(垂直方向)驅(qū)動的XYZ平臺的試料平臺10上。該試料平臺10以通過平臺驅(qū)動部12而可在X、Y、Z方向上驅(qū)動的方式構(gòu)成，由此，可進行相對于集成電路S的攝像的對焦、攝像位置的定位等。在試料平臺10的上方設(shè)置有取得集成電路S的2維圖像的攝像機構(gòu)即攝像裝置18。作為攝像裝置18，適宜使用為了取得由集成電路S的表面的發(fā)熱像形成的圖像而對規(guī)定的波長區(qū)域具有靈敏度的攝像裝置、例如對紅外光的波長區(qū)域具有靈敏度的紅外攝像裝置。
[0022]在試料平臺10與攝像裝置18之間的光軸上設(shè)置有將集成電路S的表面的圖像引導(dǎo)至攝像裝置18的物鏡等的導(dǎo)光光學(xué)系統(tǒng)16。還有，也可以在導(dǎo)光光學(xué)系統(tǒng)16上設(shè)置XYZ平臺等的驅(qū)動機構(gòu)，并能夠由該驅(qū)動機構(gòu)進行相對于集成電路S的攝像的對焦、攝像位置的定位等。
[0023]另外，設(shè)置有對試料平臺10上的集成電路S提供電壓信號的電壓施加部14。電壓施加部14是在進行由發(fā)熱點檢測進行的故障解析時對集成電路S內(nèi)的電子電路施加必要的偏壓的電壓施加機構(gòu)，包含電壓施加用的電源而構(gòu)成。詳細而言，電壓施加部14施加作為偏壓的周期性增減的矩形波的電壓信號(周期性電信號)。由此，對集成電路S周期性地施加高電壓與低電壓。另外，電壓施加部14以由控制部20的控制而能夠變更施加的偏壓的頻率(重復(fù)周期)的方式構(gòu)成。另外，電壓施加部14以由控制部20的控制而能夠變更施加的偏壓的高電壓值與低電壓值的方式構(gòu)成。
[0024]攝像裝置18以時間序列取得多個通過電壓施加部14對集成電路S施加偏壓的狀態(tài)下的解析圖像。由此取得的解析圖像是包含集成電路S的表面的發(fā)熱像的圖像。還有，攝像裝置18的攝像頻率(幀率)也可以基于由電壓施加部14對集成電路S施加的偏壓的頻率來設(shè)定。例如，攝像裝置18的攝像頻率可以是與施加于集成電路S的偏壓的頻率相同的周期，也可以以與偏壓的頻率成比例的方式設(shè)定。由此，即使偏壓的頻率不同，也可取得比較相同的發(fā)熱狀態(tài)的發(fā)熱像。
[0025]再有，在集成電路故障解析裝置I中設(shè)置有對這些試料平臺10、平臺驅(qū)動部12、電壓施加部14、導(dǎo)光光學(xué)系統(tǒng)16、及攝像裝置18控制它們的動作的控制部20。該控制部20具有攝像控制部21、平臺控制部22、及同步控制部23而構(gòu)成。
[0026]攝像控制部21通過控制電壓施加部14的偏壓的施加動作、及攝像裝置18的圖像取得動作，從而控制集成電路S的解析圖像的取得。另外，平臺控制部22控制試料平臺10及平臺驅(qū)動部12的動作(試料平臺10上的集成電路S的移動動作)。另外，同步控制部23進行用于在攝像控制部21及平臺控制部22、與針對攝像裝置18設(shè)置的圖像處理部30之間取得必要的同步的控制。即，同步控制部23相對于平臺控制部22以移動至用以進行集成電路S的故障解析的規(guī)定位置的方式進行控制之后，以使偏壓的頻率以規(guī)定間隔依序變更的方式控制攝像控制部21。另外，同步控制部23控制周期性施加的偏壓的高電壓的值與低電壓的值。另外，同步控制部23以配合偏壓的頻率的變更時機而區(qū)分并取得集成電路S的解析圖像的方式控制攝像控制部21。
[0027]圖像處理部30是對由攝像裝置18取得的圖像進行集成電路S的故障解析所需要的圖像處理的圖像處理機構(gòu)。本實施方式中的圖像處理部30包含圖像存儲部31、發(fā)熱信號取得部(檢測部)32、電壓相位取得部33、相位延遲取得部(相位差檢測部)34、深度信息運算部35而構(gòu)成。由攝像裝置18取得的集成電路S的圖像被輸入至圖像處理部30，且根據(jù)需要而被存儲、蓄積于圖像存儲部31中。
[0028]發(fā)熱信號取得部32基于以時間序列獲得的多個解析圖像，取得在集成電路S的表面的多點檢測的顯示發(fā)熱量的時間變化的發(fā)熱檢測信號。
[0029]電壓相位取得部33自同步控制部23接收由電壓施加部14施加的偏壓的波形，并取得偏壓的相位的信息。還有，偏壓的相位的信息也可以由電壓施加部14或控制部20取得，并被提供至電壓相位取得部33。
[0030]相位延遲取得部34基于由發(fā)熱信號取得部32所取得的顯示發(fā)熱量的時間變化的發(fā)熱檢測信號、及由電壓相位取得部33所取得的相位信息，取得以由電壓施加部14施加的偏壓的相位的信息為基準的發(fā)熱檢測信號的相位的信息。該發(fā)熱檢測信號的相位的信息相當(dāng)于偏壓與施加該偏壓時所檢測出的發(fā)熱檢測信號的相位差，具體而言，相位延遲取得部34計算由發(fā)熱信號取得部32所取得的發(fā)熱檢測信號的相位、與由電壓相位取得部33所取得的相位信息的差。此處，相位延遲取得部34對變更成多個頻率的偏壓，檢測各個偏壓與發(fā)熱檢測信號的相位差。還有，相位延遲取得部34也可以以發(fā)熱檢測信號的波形與偏壓的波形為對象，通過鎖定處理直接獲得相位差。在該情況下，通過對鎖定檢測器分別輸入發(fā)熱檢測信號與偏壓信號，可獲得關(guān)于相位差的輸出信號。
[0031 ] 深度信息運算部35基于與由相位延遲取得部34所檢測出的多個頻率的偏壓對應(yīng)的多個相位差，運算集成電路S中的發(fā)熱點的深度信息。即，深度信息運算部35算出相對于自偏壓的頻率算出的變量即頻率的平方根的相位差的變化率，將該變化率或?qū)ψ兓食艘砸?guī)定常數(shù)后的值作為深度信息進行算出。該規(guī)定常數(shù)作為與依賴于集成電路S的材料的物性的熱傳導(dǎo)相關(guān)的系數(shù)而預(yù)先設(shè)定。由此所算出的深度信息表示遍及集成電路S的多點而檢測的發(fā)熱點的深度，被用于集成電路S的故障解析。
[0032]如此的圖像處理部30例如使用計算機而構(gòu)成。另外，針對該圖像處理部30，連接有輸入裝置36及顯示裝置37。輸入裝置36由例如鍵盤或鼠標等構(gòu)成，使用于集成電路故障解析裝置I中的圖像取得動作、故障解析動作的執(zhí)行所需信息或動作指示的輸入等。另夕卜，顯示裝置37由例如CRT顯示器或液晶顯示器等構(gòu)成，使用于集成電路故障解析裝置I中的圖像及關(guān)于故障解析的深度信息等的各種信息的顯示等。
[0033]還有，關(guān)于該圖像處理部30，也可以為與控制部20 —起由單一的控制裝置(例如單一的計算機)實現(xiàn)的構(gòu)成。另外，關(guān)于連接于圖像處理部30的輸入裝置36及顯示裝置37，同樣，可作為不僅連接于圖像處理部30，也連接于控制部20的輸入裝置及顯示裝置而發(fā)揮功能。
[0034]接著，說明關(guān)于集成電路故障解析裝置I的集成電路S的故障解析動作的順序，并且詳細敘述本實施方式所涉及的發(fā)熱點檢測方法。圖2是顯示關(guān)于集成電路故障解析裝置I的集成電路S的故障解析動作的順序的流程圖，圖3?圖5是顯示由集成電路故障解析裝置I故障解析動作時處理的信號波形的時間變化的圖。
[0035]首先，由同步控制部23以自電壓施加部14對集成電路S施加以低頻率(例如IHz)增減的偏壓的方式予以控制(步驟S01)。由此，對集成電路S周期性地施加高電壓與低電壓。與此相對，由攝像控制部21以區(qū)分并取得對應(yīng)于低頻率的偏壓的施加時機的圖像的方式控制攝像裝置18。例如，攝像控制部21以在與施加于集成電路S的低頻率同頻率或與低頻率成比例的攝像頻率(幀率)下進行攝像的方式，控制攝像裝置18。由此所取得的集成電路S的圖像暫時存儲于圖像存儲部31之后，通過利用發(fā)熱信號取得部32進行處理，取得顯示多點的發(fā)熱量的時間變化的發(fā)熱檢測信號(步驟S02)。
[0036]接著，由同步控制部23以自電壓施加部14對集成電路S施加以高頻率(例如2Hz)增減的偏壓的方式予以控制(步驟S03)。由此，對集成電路S周期性地施加高電壓與低電壓。與此相對，由攝像控制部21以區(qū)分并取得對應(yīng)于高頻率的偏壓的施加時機的圖像的方式控制攝像裝置18。例如，攝像控制部21以在與施加于集成電路S的高頻率同頻率或與高頻率成比例的攝像頻率(幀率)下進行攝像的方式，控制攝像裝置18。由此所取得的集成電路S的圖像暫時存儲于圖像存儲部31之后，通過利用發(fā)熱信號取得部32進行處理，取得多點的發(fā)熱檢測信號(步驟S04)。還有，步驟SO1、S03中施加的偏壓的頻率可適當(dāng)變更，但若成為過高頻率，則會導(dǎo)致出現(xiàn)熱傳導(dǎo)性或發(fā)熱量的場所依賴性，因此，優(yōu)選設(shè)定于IOHz以下。另外，變更的偏壓的頻率并不限定于2種，也可以變更成3種以上并對應(yīng)于此取得發(fā)熱檢測信號。
[0037]圖3中顯示步驟SO1、S03中施加的偏壓的時間變化。如同圖所示，由同步控制部23以與低頻率的期間Pl連續(xù)且持續(xù)高頻率的期間P2的方式予以控制，在該期間Pl與期間P2的各個中取得發(fā)熱檢測信號的期間，為了使集成電路S中的溫度在這些期間之間成為一定且發(fā)熱量不改變，以自各個期間PU P2的偏壓的施加開始經(jīng)過某程度的時間的方式進行設(shè)定。還有，也可在期間Pl與期間P2之間設(shè)置不施加電壓的期間。另外，矩形波的偏壓的最大電壓V1及最小電壓V2以使集成電路S的發(fā)熱時的條件成為同等的方式，在多個頻率間設(shè)定成同一值，偏壓的占空比也以使集成電路S中的發(fā)熱量成為同等的方式，在多個頻率間設(shè)定成同一值(例如50%、75%、…`)。其理由為，使集成電路S中的發(fā)熱量一定而使采樣的平均溫度一定。在該情況下，也可以使在該期間Pl與期間P2的各個中取得發(fā)熱檢測信號的期間連續(xù)。
[0038]返回至圖2，其后，以在步驟S01、03中對集成電路S所施加的低頻率及高頻率的偏壓的波形為對象，由電壓相位取得部33取得這些相位信息(步驟S05)。
[0039]接著，以步驟S02、S04中所取得的對應(yīng)于低頻率及高頻率的偏壓的施加的發(fā)熱檢測信號為對象，由相位延遲取得部34取得以步驟S05中所取得的偏壓的相位的信息為基準的這些相位信息，并檢測各個發(fā)熱檢測信號的相位差(步驟S06、S07)。具體而言，由相位延遲取得部34，基于步驟S02、S04中所取得的對應(yīng)于低頻率及高頻率的偏壓的施加的發(fā)熱檢測信號、及步驟S01、03中對集成電路S所施加的低頻率及高頻率的偏壓的波形的相位的信息，關(guān)于低頻率及高頻率的偏壓的各個，檢測與發(fā)熱檢測信號的相位差。接著，由深度信息運算部35，基于與2個頻率對應(yīng)的相位差，算出相對于頻率的平方根的相位差的變化率，對該變化率乘以規(guī)定常數(shù)，由此算出深度信息(步驟S08)。還有，該深度信息遍及集成電路S的表面的多點而算出。最后，所算出的深度信息作為故障解析信息被處理并被顯示于顯示裝置37 (步驟S09)。
[0040]此處，就集成電路故障解析裝置I的發(fā)熱點的深度信息的檢測的機制進行說明。
[0041]在圖4中，(a)顯示以某頻率施加的偏壓的時間變化，(b)顯示對應(yīng)于此在由低熱容量/低熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料構(gòu)成的集成電路S中檢測的發(fā)熱檢測信號的時間變化，(C)顯示對應(yīng)于此在由高熱容量/高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料構(gòu)成的集成電路S中檢測的發(fā)熱檢測信號的時間變化。由集成電路故障解析裝置I的相位延遲取得部34算出的相位差為D1，該相位差Dl中包含由集成電路S內(nèi)的發(fā)熱點的深度決定的相位的偏移(shift)部分D2、及由發(fā)熱的延遲與熱容量、熱傳導(dǎo)速度的差異所導(dǎo)致的相位的偏移部分D3。相位差Dl中，偏移部分D3受到集成電路S的熱傳導(dǎo)路徑的材料的大幅影響。
[0042]該相位差Dl的材料所引起的差異可如下說明。自集成電路S內(nèi)部一維傳送的熱量Q，由下述式⑴表示:
[0043][數(shù)I]
[0044]Q=l+exp{_ax+i(wt_bx)}...(I)
[0045]此處，X表示自發(fā)熱源至觀察點(表面)的距離(=發(fā)熱點的深度)，Q表示通過觀測點而去的熱量、w表示角頻率(1/2 π Hz), b表示每單位長度的相位延遲、a表示每單位長度的衰減率。若設(shè)比熱為q，密度為P，則相對于該熱量Q的溫度T，作為變化量，由下述式
(2)表示。
[0046][數(shù)2]
[0047]
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)熱點檢測方法，其特征在于， 是檢測集成電路的發(fā)熱點的深度的發(fā)熱點檢測方法， 包含: 第I步驟，其對所述集成電路提供以第I頻率增減的周期性電信號，并取得對應(yīng)于此而自所述集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第I檢測信號； 第2步驟，其對所述集成電路提供以與所述第I頻率不同的第2頻率增減的周期性電信號，并取得對應(yīng)于此而自所述集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第2檢測信號； 第3步驟，其檢測所述第I頻率的周期性電信號與所述第I檢測信號之間的第I相位差、及所述第2頻率的周期性電信號與所述第2檢測信號之間的第2相位差；及 第4步驟，其基于所述第I及第2相位差，算出相對于自所述周期性電信號的頻率算出的變量的所述周期性電信號與所述檢測信號之間的相位差的變化率，并根據(jù)所述變化率獲得所述發(fā)熱點的深度信息。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)熱點檢測方法，其特征在于， 在所述第4步驟中，算出相對于作為所述頻率的平方根的所述變量的所述相位差的變化率。
3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)熱點檢測方法，其特征在于， 在所述第I步驟及第2步驟中提供的所述周期性電信號的占空比互相相等。
4.一種發(fā)熱點檢測裝置，其特征在于， 是檢測集成電路的發(fā)熱點的深度的發(fā)熱點檢測裝置， 包含: 電信號提供部，其對所述集成電路提供電信號； 控制部，其以對所述集成電路提供以第I頻率增減的周期性電信號、及以與所述第I頻率不同的第2頻率增減的周期性電信號的方式，控制所述電信號提供部； 檢測部，其取得對應(yīng)于所述第I頻率的周期性電信號的提供而自所述集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第I檢測信號，并且取得對應(yīng)于所述第2頻率的周期性電信號的提供而自所述集成電路檢測的顯示發(fā)熱量的變化的第2檢測信號； 相位差檢測部，其檢測所述第I頻率的周期性電信號與所述第I檢測信號之間的第I相位差、及所述第2頻率的周期性電信號與所述第2檢測信號之間的第2相位差；及 運算部，其基于所述第I及第2相位差，算出相對于自所述周期性電信號的頻率算出的變量的所述周期性電信號與所述檢測信號之間的相位差的變化率，并根據(jù)所述變化率獲得所述發(fā)熱點的深度信息。
【文檔編號】G01N25/72GK103688160SQ201280034675
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年7月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月13日
【發(fā)明者】中村共則 申請人:浜松光子學(xué)株式會社