專利名稱：一種使用低壓器件檢測高電壓的電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及電壓檢測技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種使用低壓器件檢測高電壓的電路。
背景技術(shù)：
在電壓檢測過程中，如果被測電壓高于檢測芯片的供電電壓，則無法直接將被測電壓輸入到檢測芯片，以免燒毀芯片。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型的目的在于提供一種使用低壓器件檢測高電壓的電路，利用分立器件來比例降低被測電壓，且同時被測電壓保持驅(qū)動能力。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種使用低壓器件檢測高電壓的電路，待測信號SI通過電阻Rl接三極管Ql的基極，三極管Ql的基極同時通過電阻R2接地，三極管Ql的集電極接地，發(fā)射極作為信號輸出端，信號輸出端通過電阻R3接VCC。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對待測電壓的降低，保證檢測芯片的安全性。

附圖為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進行更詳盡的說明。如圖所示，本實用新型為一種使用低壓器件檢測高電壓的電路，待測信號SI通過電阻Rl接三極管Ql的基極，三極管Ql的基極同時通過電阻R2接地，三極管Ql的集電極接地，發(fā)射極作為信號輸出端，信號輸出端通過電阻R3接VCC。本實用新型輸入電壓VIN經(jīng)過電阻R1\R2的分壓后，作用于三極管Ql的基極，使得三極管Ql的射極電壓，即V0UT=Sl*R2/(Rl+R2)+0.7V，從這個公式上可以看出，當(dāng)SI超出VCC供電時，VOUT和SI成比例的變化。利用于此就可以使用較低VCC供電的芯片來檢測SI等比VCC電壓高的信號。該電路中需要注意的是，SI經(jīng)過R1\R2的分壓后，其Ql的基極電壓必須小于VCC，否則Ql不能導(dǎo)通，電路不能發(fā)揮作用。由于有Ql的存在，相對于高阻Rl和R2分壓后的電壓驅(qū)動能力強了很多，利于檢測信號驅(qū)動相關(guān)電路動作?，F(xiàn)有方案中由于沒有Ql等元件，使得SI信號不能直接被VCC供電的芯片檢測，功能無法實現(xiàn)。[0014]本實用新型的電路完全由三極管、電阻、電容組成，被測試信號SI通過轉(zhuǎn)換，形成VOUT輸入到檢測芯片，保證檢測的準(zhǔn)確性和電路的安全性。
權(quán)利要求1.一種使用低壓器件檢測高電壓的電路，其特征在于，待測信號SI通過電阻Rl接三極管Ql的基極，三極管Ql的基極同時通過電阻R2接地，三極管Ql的集電極接地，發(fā)射極作為信號輸出端，信號輸出端通過電阻R3接VCC。
專利摘要一種使用低壓器件檢測高電壓的電路，待測信號S1通過電阻R1接三極管Q1的基極，三極管Q1的基極同時通過電阻R2接地，三極管Q1的集電極接地，發(fā)射極作為信號輸出端，信號輸出端通過電阻R3接VCC，本實用新型能夠?qū)崿F(xiàn)對待測電壓的降低，保證檢測芯片的安全性。
文檔編號G01R15/04GK203025232SQ20122063608
公開日2013年6月26日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
發(fā)明者李程 申請人:西安威正電子科技有限公司