專利名稱：Mems器件以及設(shè)計(jì)用于經(jīng)歷測(cè)試操作的mems器件的條帶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及MEMS (微機(jī)電系統(tǒng))器件以及用于MEMS器件的測(cè)試條帶。
背景技術(shù)：
MEMS器件因其減小的尺寸和功耗而在電子行業(yè)(尤其是在便攜式電子設(shè)備的消費(fèi)電子領(lǐng)域)中扮演著日益重要的角色。眾所周知，MEMS器件包括包封在封裝體中的半導(dǎo)體材料的一個(gè)或多個(gè)裸片(例如，在MEMS傳感器器件的情形中，第一裸片集成有機(jī)械感測(cè)結(jié)構(gòu)，而第二裸片集成有形成為ASIC(專用集成電路)的相關(guān)電子接口)，該封裝體保護(hù)和覆蓋裸片并且提供去往外部的合適電連接(例如用于焊接至外部印刷電路板)。常用的封裝體是所謂的BGA(球柵陣列)或LGA(柵格陣列)封裝體，其提供減少的面積占用和高密度的電連接。圖1示意性地示出了以附圖標(biāo)記I整體表示的MEMS器件，其具有BGA或LGA封裝體2。封裝體2包括基板3，基板3具有MEMS器件的裸片所附接至的內(nèi)部表面3a，以及承載去往封裝體2的外部的合適電連接元件4的外部表面3b，該電連接元件4的形式為(在BGA封裝體的情形下的)“焊球”或“凸塊”的陣列或(在如圖1所示的LGA封裝體情形下的)“焊區(qū)”的陣列?；?通常由多層結(jié)構(gòu)制成，該多層結(jié)構(gòu)包括經(jīng)由電介質(zhì)層分隔的若干層導(dǎo)電材料(通常為金屬)；提供穿過基板3的電跡線以將裸片連接至外部電連接元件
4。在基板3上提供通常為模塑 化合物5的覆蓋和保護(hù)材料，并且該材料覆蓋裸片，從而保護(hù)裸片免受外部環(huán)境影響。具體而言，在圖1所示的示例中，MEMS器件I包括傳感器裸片6和ASIC裸片7，傳感器裸片6包括微機(jī)械檢測(cè)結(jié)構(gòu)，而ASIC裸片7包括有關(guān)的接口電子器件。裸片6和裸片7由形式為接線(使用所謂的“接線鍵合”技術(shù))的合適電連接而堆疊，該接線被設(shè)計(jì)用于將傳感器裸片6電連接至ASIC裸片7并且將ASIC裸片7電連接至基板3 ;此外，提供穿過基板3的各種層的過孔8和合適的跡線以在ASCI裸片7和電連接元件4之間路由信號(hào)(這些信號(hào)可以是檢測(cè)信號(hào)或電源信號(hào)、或是MEMS器件I和外部器件之間交換的任何其他類型的信號(hào))。顯然，對(duì)于裸片6和裸片7而言，其它布置是可能的，裸片6和裸片7可以并列布置在基板3上；或者可以使用倒裝芯片技術(shù)將傳感器芯片6附接至ASIC裸片7，從而在這兩個(gè)裸片之間提供直接的電連接。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，為了評(píng)估最終產(chǎn)品的電性能和機(jī)械性能，尤其是由于需要為用于執(zhí)行所需測(cè)試操作提供的時(shí)間量和昂貴的系統(tǒng)及設(shè)備，MEMS器件的測(cè)試占據(jù)制造成本的相當(dāng)大一部分。測(cè)試一般構(gòu)思提供(例如，以物理應(yīng)力形式的)激勵(lì)給MEMS器件并且檢測(cè)由MEMS器件響應(yīng)于該激勵(lì)而生成的輸出電信號(hào)。為了減少測(cè)試成本以及增加總體效率，提出了所謂的“條帶(strip)測(cè)試”過程，其構(gòu)思了對(duì)根據(jù)矩陣布局布置在條帶中的多個(gè)MEMS器件進(jìn)行同時(shí)并行測(cè)試，而非單獨(dú)地測(cè)試單個(gè)MEMS器件。這些測(cè)試過程允許實(shí)現(xiàn)大的產(chǎn)率改進(jìn)和用于測(cè)試所需的時(shí)間的減少，并且因而減少最終制造成本。在這方面，圖2a和圖2b示意地示出了 MEMS器件的條帶10，該MEMS器件同樣由附圖標(biāo)記I表示(每個(gè)MEMS器件例如為如圖1所示的傳感器器件或任何其它種類的已知MEMS器件)。MEMS器件I為沿xy平面的第一方向x和第二方向y對(duì)準(zhǔn)的矩陣布置:在該示例中的條帶10具有沿第一方向X的主延伸。測(cè)試系統(tǒng)可以被設(shè)計(jì)用于若干器件(例如如圖2a中虛線框所包圍示出的器件群組)的并行測(cè)試。如圖2b中所描繪的，各種MEMS器件I在制造之后(但是在最終的單片化步驟之前)被包封在相同的模制化合物5中并且附接至相同的基板3 ;因此，考慮基板3包括多個(gè)部分，各個(gè)部分對(duì)應(yīng)于單個(gè)MEMS器件，各個(gè)部分通過邊界區(qū)域而彼此分隔，在該邊界區(qū)域處將執(zhí)行在單片化期間的最終切割。然而，尤其是在MEMS傳感器的情形中，按條帶布置的器件的并行測(cè)試隱含著一些困難，這是因?yàn)樾枰跍y(cè)試期間對(duì)各種傳感器執(zhí)行合適的物理激勵(lì)(例如，提供對(duì)加速度傳感器的測(cè)試加速度，或壓力傳感器的測(cè)試壓力)，以及尤其是因?yàn)槿缦率聦?shí):作用于條帶形式的器件上的應(yīng)力不同于作用于與其他器件分隔的單個(gè)器件上的應(yīng)力。此外，要求條帶中的各個(gè)器件電絕緣，以便對(duì)單個(gè)器件執(zhí)行電測(cè)試。通過使用被配置成在器件上施加特定應(yīng)力的合適的測(cè)試設(shè)備(例如，構(gòu)思使用提供沿多個(gè)軸的加速度的支撐臺(tái))實(shí)現(xiàn)在測(cè)試期間對(duì)各個(gè)器件的物理激勵(lì)。

實(shí)用新型內(nèi)容已提出 了各種解決方案以解決與作用于處于條帶形式的器件上的應(yīng)力以及它們的電絕緣有關(guān)的問題。具體而言，提出的解決方案首先構(gòu)思了各種MEMS器件I的單片化，并且繼而它們?cè)诤线m的承載結(jié)構(gòu)(或托盤)中的布置，該承載結(jié)構(gòu)具有多個(gè)殼體，每個(gè)殼體適于容納相應(yīng)的單片化的器件。在承載結(jié)構(gòu)中的殼體被布置成限定MEMS器件I的條帶，該條帶可以經(jīng)歷并行測(cè)試過程。該方法是有利的，這是因?yàn)樵诓⑿袦y(cè)試操作期間沒有不期望的應(yīng)力施加在單片化的MEMS器件I上。然而，其也需要巨大的投入以用于制備容納各種MEMS器件I所需的支撐結(jié)構(gòu)，該支撐結(jié)構(gòu)必須被設(shè)計(jì)和制造用于各個(gè)可能的封裝體尺寸；此外，需要承載結(jié)構(gòu)的連續(xù)維護(hù)以確保在測(cè)試期間MEMS器件I的正確對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明人已運(yùn)用了又一測(cè)試過程，該過程是所謂的“切割前”方法，如圖3示意示出地，其構(gòu)思了從外部表面3b切除共同的基板3和切除其之上的模制化合物5的一部分，以便創(chuàng)建延伸穿過整個(gè)基板3并且穿過模制化合物5的一部分的溝槽(或開口，或切口部分)11。這些溝槽11以圖3中未示出的方式在條帶10中沿第一方向X和第二方向y延伸，以便限定連續(xù)的中空部分，從而分隔和包圍MEMS器件I。該切割過程還將各個(gè)MEMS器件I彼此電絕緣并且允許按相同器件的條帶的形式測(cè)試，這些相同器件經(jīng)由模制化合物5的剩余部分仍保持在一起；具體而言，要求該剩余部分(從其初始地未接觸基板3的內(nèi)部表面3a的表面開始)的厚度具有充足的剛性以實(shí)現(xiàn)在處理和測(cè)試操作期間將MEMS器件I保持在一起的結(jié)果。此外，在條帶10中的MEMS器件I之間實(shí)現(xiàn)的所得物理分隔限制了測(cè)試期間的相互應(yīng)力的量。[0018]本申請(qǐng)人已認(rèn)識(shí)到，該測(cè)試過程雖然是有利的，但是其受一些缺陷制約。具體而言，在“切割前”過程中，在按條帶形式測(cè)試各種MEMS器件I之后執(zhí)行各種MEMS器件I的最終完全分隔(所謂的“單片化”操作)。單片化過程釋放由模制化合物5的剩余部分施加在器件上的應(yīng)力，從而使器件偏移之前的校準(zhǔn)值；實(shí)際上，切割前過程在校準(zhǔn)步驟期間留下作用于器件上的某些量的剩余應(yīng)力，并且在單片化之后，偏移分布廣泛擴(kuò)散，從而可能將集群的一部分逐出期望規(guī)范。該偏移因而意味著需要提供在單片化操作之后的第二測(cè)試過程，該第二測(cè)試過程被設(shè)計(jì)用于確保所有的最終MEMS器件I位于指定容差值內(nèi)。本申請(qǐng)人已認(rèn)識(shí)到，該第二測(cè)試步驟代表了非增值過程，這是因?yàn)閮H因條帶測(cè)試/校準(zhǔn)過程期間施加在MEMS器件I上的剩余應(yīng)力而要求執(zhí)行該過程。尤其是當(dāng)增加MEMS產(chǎn)量時(shí)，對(duì)條帶測(cè)試設(shè)備和第二測(cè)試設(shè)備的投入同樣相應(yīng)地增加，并且可以代表總制造成本的極大部分。因此，顯然需要允許按條帶形式測(cè)試MEMS器件的測(cè)試過程，同時(shí)減少或可能避免在單片化之后執(zhí)行又一測(cè)試步驟的需要，從而顯著改善總的測(cè)試成本和時(shí)間。本實(shí)用新型的目的因此在于提供用于MEMS器件的條帶測(cè)試方法，其具有改善的總性能和成本，從而允許至少部分地解決上面結(jié)合已知測(cè)試方法論述的問題。根據(jù)本實(shí)用新型，因此在本實(shí)用新型的一個(gè)方面中，提供一種設(shè)計(jì)用于經(jīng)歷測(cè)試操作的MEMS器件的條帶，其中所述MEMS器件至少包括耦合至共同的基板的內(nèi)部表面并且由保護(hù)材料覆蓋的半導(dǎo)體材料的相應(yīng)裸片，并且其中鄰接的MEMS器件在所述條帶中至少部分地分隔；其特征在于，其包括在所述鄰接的MEMS器件之間的分隔溝槽，所述分隔溝槽延伸穿過所述保護(hù)材料的整個(gè)厚度并且穿過所述基板的、從其所述內(nèi)部表面開始的表面部分。根據(jù) 實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，其中所述分隔溝槽在所述基板中的高度并不高于所述基板的厚度的一半。根據(jù)實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，該條帶包括在所述鄰接的MEMS器件之間的、所述基板的、限定其外部表面的剩余部分；其中所述MEMS器件被設(shè)計(jì)成在所述測(cè)試操作期間由所述基板的所述剩余部分保持在一起。根據(jù)實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，其中所述基板的所述剩余部分并不承載所述鄰接的MEMS器件之間的任何電連接。根據(jù)實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，其中所述MEMS器件是傳感器器件，每個(gè)傳感器器件包括集成有檢測(cè)結(jié)構(gòu)的MEMS裸片和集成有耦合至所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)的接口電子器件的ASIC裸片。在本實(shí)用新型的另一個(gè)方面中，提供一種根據(jù)前述條帶的MEMS器件。。

為了更好地理解本實(shí)用新型，現(xiàn)在僅通過非限制示例的方式并且參考所附附圖描述本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，其中:圖1顯示了已知MEMS器件的示意截面圖；圖2a示意性地顯示了 MEMS器件的條帶的頂視圖；[0033]圖2b顯示了穿過圖2a的條帶的示意截面；圖3顯示了設(shè)計(jì)用于已知“切割前”測(cè)試方法的穿過MEMS器件的條帶的示意截面；圖4顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的穿過MEMS器件的條帶的示意截面；圖5顯示了穿過圖4的條帶的基板的一部分的更為具體的截面；圖6a顯示了本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的兩個(gè)鄰接的MEMS器件的基板部分的示意頂視圖；圖6b和圖6c分別顯示了圖6a的基板部分在切除過程之前和之后的截面部分；以及圖7顯示了與條帶的MEMS器件的測(cè)試性能有關(guān)的曲線圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明人已認(rèn)識(shí)到，圍繞測(cè)試條帶中各種MEMS器件的共同模制化合物是作用于相同的器件和使測(cè)試過程偏移的剩余應(yīng)力的原因。因此，如圖4中所示(其中相同的標(biāo)記表示與上面公開的相同的元件，這在下文中不再描述)，本實(shí)用新型的第一方面構(gòu)思了在執(zhí)行測(cè)試操作之前，例如經(jīng)由切割或切除操作移除圍繞條帶10的MEMS器件I的整個(gè)厚度的模制化合物5。執(zhí)行的切割還延伸穿過基板3的(始于MEMS器件I的裸片布置在其上的內(nèi)部表面3a)的內(nèi)部表面部分,該部分被移除，從而僅留下在鄰接的MEMS器件I之間由12表示的剩余基板部分。這些剩余基板部分12 (由基板3的外部表面部分構(gòu)成,始于與內(nèi)部表面3a相對(duì)的外部表面3b)在按條帶形式測(cè)試期間將各種MESM器件I保持在一起。具體而言，移除操作因此限定此處以14表示的將各個(gè)MEMS器件I分隔(并·且布置在鄰接的MESM器件I之間，并且圍繞各個(gè)MEMS器件I)的分隔溝槽，從而延伸穿過模制化合物5的整個(gè)厚度并且穿過基板3的內(nèi)部表面部分。這些分隔溝槽14以未示出的方式在條帶10中沿第一方向X和第二方向y延伸，以便限定連續(xù)的中空(或切除)部分。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，分隔溝槽14可以從內(nèi)部表面3a直至相同的基板3的厚度的一半延伸穿過基板3。分隔溝槽14的存在不僅允許減少作用于各種MEMS器件I上的應(yīng)力(發(fā)明人確實(shí)已認(rèn)識(shí)到剩余基板部分12在MEMS器件I上引起較少的應(yīng)力，并且因此在器件后續(xù)的完全單片化期間釋放較少的應(yīng)力)，還允許通過移除基板中的器件之間的任何可能的電連接而使條帶10中的各種MEMS器件I電絕緣。實(shí)際上，這些電連接可以方便地布置在各個(gè)MEMS器件邊界處的基板3的內(nèi)部表面部分中，邊界在限定分隔溝槽14的材料移除過程中移除。基板3的剩余部分12繼而不承載鄰接的MEMS器件I之間的任何電連接，使得相同的MEMS器件電絕緣并且準(zhǔn)備好供測(cè)試。考慮到一般而言基板3由多個(gè)層(導(dǎo)電和電介質(zhì)堆疊層)制成，因此所論述的移除操作被設(shè)計(jì)為僅影響這些層中的一些層，具體而言是第一層，即更為靠近MEMS器件I的裸片所附接至的內(nèi)部表面3a的層。具體而言，已知基板的多層結(jié)構(gòu)包括中間層，并且在中間層之上和之下的對(duì)稱堆疊的導(dǎo)電層和電介質(zhì)層；例如經(jīng)由蝕刻過程限定各個(gè)導(dǎo)電層(由例如銅的金屬材料制成)，以創(chuàng)建穿過基板的電連接的期望圖案，并且各個(gè)導(dǎo)電層借助于連續(xù)的電介質(zhì)層(例如由BT或FR-4制成)與其他導(dǎo)電層分隔。在圖5中顯示了再次以3表示的基板的示例性多層結(jié)構(gòu)，其中，由電介質(zhì)材料(例如BT或FR-4)制成的中間層由20表示；合適地限定的導(dǎo)電層由21表示；而其他電介質(zhì)層由22表示(如圖所示，各個(gè)電介質(zhì)層22布置于兩個(gè)導(dǎo)電層21之間以便將它們分隔)。第一導(dǎo)電層21被考慮為布置于基板3的內(nèi)部表面3a處,而最后一個(gè)導(dǎo)電層21被考慮為布置在相同的基板3的外部表面3b處。穿過基板3方便地提供導(dǎo)電通孔(此處由24表示)，以便限定內(nèi)部表面3a上的內(nèi)部導(dǎo)電焊盤25和外部表面3b上的外部連接元件4之間的電連接。在各種導(dǎo)電層21中方便地提供導(dǎo)電跡線26以將信號(hào)路由穿過基板3 ;類似地，提供內(nèi)部過孔27以將在基板3內(nèi)的各種導(dǎo)電層21連接。此外，在基板3的內(nèi)部表面3a之上的第一導(dǎo)電層21上提供第一保護(hù)層28a (所謂的“焊料掩?！?以在除了期望訪問相同的第一導(dǎo)電層21的地方(例如鍵合焊盤30(所謂的鍵合指狀物，其經(jīng)由接線鍵合技術(shù)布置在內(nèi)部表面3a處以用于鍵合至此處未示出的MEMS器件I的ASIC裸片7))之外覆蓋和保護(hù)在其中提供的跡線和焊盤。類似地，在基板3的外部表面3b之上的最后一個(gè)導(dǎo)電層21上在除了期望訪問的相同的最后一個(gè)導(dǎo)電層21的地方(例如在外部電連接4處)之外提供第二焊料掩模層28b。如之前論述的那樣，在每個(gè)MEMS器件11的外圍處(即，在鄰接的MEMS器件之間的、在基 板3的邊界部分中)形成的分隔溝槽14可以具有在與基板3的內(nèi)部表面3a垂直的方向上的高度h，以便至少延伸穿過整個(gè)第一導(dǎo)電層21，并且直至到達(dá)中間層20 (延伸經(jīng)過相同的中間層20的一部分)；出于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的原因，分隔溝槽14未被設(shè)計(jì)成在中間層20之下延伸。因此可以根據(jù)哪個(gè)分隔溝槽14可以具有穿過基板3的不同延伸來構(gòu)思各種設(shè)計(jì)可能性，使得通過切割操作移除或保留不同數(shù)目的基板層(圖5中的雙箭頭表示分隔溝槽14在基板3內(nèi)的高度h的變化性的示例性范圍)。圖6a至圖6c通過示例顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例的關(guān)于兩個(gè)鄰接的MEMS器件I的、基板3的一部分(然而，顯然在相同基板3中提供更多數(shù)目的器件，并且這些器件屬于測(cè)試條帶10)。此處基板3包括:中間層20 ;第一導(dǎo)電層，此處以Ml (如其在本領(lǐng)域中通常的那樣)表示，其與基板3的內(nèi)部表面3a鄰接；以及第二導(dǎo)電層，此處以M2表示，其與相同的基板3的外部表面3b鄰接。在第一導(dǎo)電層Ml中提供導(dǎo)電跡線26，例如以限定鍵合焊盤30、以及內(nèi)部導(dǎo)電焊盤25和導(dǎo)電通孔24之間的電連接。還在第二導(dǎo)電層M2中提供導(dǎo)電跡線26，以限定通孔24與在襯底3的外部表面3b處的外部電連接之間的電連接，該外部電連接在此的形式為焊區(qū)并且同樣由4表示。此外，以已知的方式在第一導(dǎo)電層Ml中限定鍍覆跡線32以提供第一導(dǎo)電跡線26 (和/或鍵合焊盤30和/或內(nèi)部導(dǎo)電焊盤25和/或?qū)щ娡?4)與鍍覆條34之間的電連接。鍍覆條34布置在各個(gè)MEMS器件I的外圍處，并且限定鄰接的器件(在圖6a的實(shí)施例中，鍍覆條34限定圍繞每個(gè)MEMS器件I的方形環(huán))之間的邊界。以已知的方式在第一導(dǎo)電層Ml中限定鍍覆條34，并且鍍覆條34還可以在第二導(dǎo)電層M2中限定，并且其在電鍍過程期間由合適的電壓偏置，以便經(jīng)由化學(xué)離子化過程使用保護(hù)材料的薄層來鍍覆導(dǎo)電跡線26、鍵合焊盤30、內(nèi)部導(dǎo)電焊盤25和/或?qū)щ娡?4。根據(jù)本實(shí)施例的一個(gè)特定方面，所有的鍍覆跡線32形成于第一導(dǎo)電層Ml中，并且沒有鍍覆跡線形成于第二導(dǎo)電層M2中，使得在相同的第二導(dǎo)電層M2中未提供去往鍍覆條34的電連接。由于鍍覆條34為所有MEMS器件I共同的，因此其存在將不同器件的電路跡線和焊盤電短路。然而，限定分隔溝槽14的移除過程被設(shè)計(jì)為移除各個(gè)MEMS器件I之間的邊界區(qū)域中的第一導(dǎo)電層Ml (對(duì)應(yīng)于鍍覆條34)，因此移除相同的鍍覆條34和連接至鍍覆條34的鍍覆跡線32至少一部分；以此方式，在按條帶形式測(cè)試之前在MEMS器件I之間提供電絕緣。在圖6c中示意性地顯示選擇性移除第一導(dǎo)電層Ml的部分的結(jié)果，其中分隔溝槽14和基板3的剩余部分12被顯示為在鄰接的MEMS器件I之間。顯然，當(dāng)基板3包括較高數(shù)目層時(shí)適用類似的考慮，在該情形中，連接至鍍覆條34的鍍覆跡線32被設(shè)計(jì)為僅在將在按條帶形式測(cè)試MEMS器件I之前的移除操作中移除的導(dǎo)電層21中。因此，如果(例如在具有五層的基板的情形中)在切割操作中移除第一導(dǎo)電層21和第二導(dǎo)電層21的外圍部分，則要求所有的鍍覆跡線32在相同的第一導(dǎo)電層21和第二導(dǎo)電層21中布線，以便在執(zhí)行測(cè)試之前實(shí)現(xiàn)在各個(gè)MEMS器件I之間的電絕緣。本發(fā)明人已通過測(cè)試和仿真證實(shí)，本解決方案允許實(shí)現(xiàn)在條帶測(cè)試期間的改進(jìn)的性能(其中故障次數(shù)減少，并且位于期望規(guī)范之外的器件的數(shù)目減少)；具體而言，可以避免在MEMS器件I的單片化之后的第二測(cè)試過程。圖7顯示了在與期望規(guī)范值偏移的方面與測(cè)試性能有關(guān)的曲線圖；將根據(jù)本解決方案的MEMS器件I的分布與 使用“切割前方法”測(cè)試的器件的分布(以虛線示出)和在第二測(cè)試過程之后的經(jīng)單片化的器件的分布(以點(diǎn)劃線示出)相比較。圖7還以框顯示了期望的規(guī)范外部界限，使得顯然的是，本解決方案即使在第二測(cè)試過程未執(zhí)行時(shí)也允許滿足規(guī)范，這與之前已知的方法形成對(duì)照。 根據(jù)已描述和示出的內(nèi)容，本解決方案允許實(shí)現(xiàn)的優(yōu)勢(shì)是顯然的。具體而言，在此強(qiáng)調(diào)，在條帶測(cè)試期間，基板3的剩余部分12在MEMS器件I上施加較少的應(yīng)力，因此提供在器件的校準(zhǔn)和最終性能之間最小偏移；甚至可以避免第二測(cè)試過程，從而顯著改進(jìn)MEMS器件的測(cè)試的成本。在測(cè)試期間不需要承載，并且條帶10中的各種器件的布置容差僅與基板制造容差(該容差通常非常低)有關(guān)。即使可能要求通常的基板設(shè)計(jì)在鍍覆跡線32的布置方面(其必須集中于基板3的在測(cè)試之前被部分地移除的層中)的修改，這并不使得增加設(shè)計(jì)和制造復(fù)雜性。最終，顯然，可以對(duì)已在此描述和示出的內(nèi)容做出修改和變化，而不脫離在所附權(quán)利要求書中限定的本實(shí)用新型的范圍。具體而言，基板3的結(jié)構(gòu)(例如在層的數(shù)目和構(gòu)成材料方面)可以與之前顯示和論述的具體實(shí)施例不同；此外，可以相應(yīng)地改變分隔溝槽14在基板中的深度和延伸(以及相同的基板的表面部分的移除程度)。[0067]此外，當(dāng)按條帶形式測(cè)試任何種類的MEMS器件時(shí)，可以應(yīng)用所論述的測(cè)試解決方案，甚至在MEMS傳感器的情形中這尤其 有利(測(cè)試操作期間剩余應(yīng)力可以極大地影響MEMS傳感器)。
權(quán)利要求1.一種設(shè)計(jì)用于經(jīng)歷測(cè)試操作的MEMS器件(I)的條帶(10)，其中所述MEMS器件(I)至少包括耦合至共同的基板(3)的內(nèi)部表面(3a)并且由保護(hù)材料(5)覆蓋的半導(dǎo)體材料的相應(yīng)裸片(6 ;7)，并且其中鄰接的MEMS器件(I)在所述條帶(10)中至少部分地分隔； 其特征在于，其包括在所述鄰接的MEMS器件(I)之間的分隔溝槽(14)，所述分隔溝槽(14)延伸穿過所述保護(hù)材料(5)的整個(gè)厚度并且穿過所述基板(3)的、從其所述內(nèi)部表面(3a)開始的表面部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的條帶，其特征在于，其中所述分隔溝槽(14)在所述基板(3)中的高度(h)并不高于所述基板(3)的厚度的一半。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的條帶，其特征在于，包括在所述鄰接的MEMS器件(I)之間的、所述基板⑶的、限定其外部表面(3b)的剩余部分(12);其中所述MEMS器件⑴被設(shè)計(jì)成在所述測(cè)試操作期間由所述基板(3)的所述剩余部分(12)保持在一起。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的條帶，其特征在于，其中所述基板的所述剩余部分(12)并不承載所述鄰接的MEMS器件(I)之間的任何電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的條帶，其特征在于，其中所述MEMS器件(I)是傳感器器件，每個(gè)傳感器器件包括集成有檢測(cè)結(jié)構(gòu)的MEMS裸片(6)和集成有耦合至所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)的接口電子器件的ASIC裸片(7)。
6.一種MEMS器件(I)，其特征在于包括在根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的條帶(10)中 。
專利摘要本申請(qǐng)涉及MEMS器件以及設(shè)計(jì)用于經(jīng)歷測(cè)試操作的MEMS器件的條帶。更具體地，本申請(qǐng)涉及一種設(shè)計(jì)用于經(jīng)歷測(cè)試操作的MEMS器件(1)的條帶(10)，其中所述MEMS器件(1)至少包括耦合至共同的基板(3)的內(nèi)部表面(3a)并且由保護(hù)材料(5)覆蓋的半導(dǎo)體材料的相應(yīng)裸片(6；7)，并且其中鄰接的MEMS器件(1)在所述條帶(10)中至少部分地分隔；其特征在于，其包括在所述鄰接的MEMS器件(1)之間的分隔溝槽(14)，所述分隔溝槽(14)延伸穿過所述保護(hù)材料(5)的整個(gè)厚度并且穿過所述基板(3)的、從其所述內(nèi)部表面(3a)開始的表面部分。
文檔編號(hào)G01R31/00GK203133187SQ20122052342
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月30日
發(fā)明者M·阿佐帕迪, C·卡奇雅, S·波茲 申請(qǐng)人:意法半導(dǎo)體股份有限公司, 意法半導(dǎo)體(馬耳他)有限公司