專利名稱：快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電磁場(chǎng)的場(chǎng)均勻性的校準(zhǔn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)通常需要頻繁移動(dòng)用于支撐和固定探頭的支架的位置；并且支架的位置固定后，還需要反復(fù)調(diào)整探頭在支架上的具體位置。因此，現(xiàn)有技術(shù)的校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)存在校準(zhǔn)過程復(fù)雜、繁瑣，校準(zhǔn)速度慢，校準(zhǔn)耗時(shí)長(zhǎng)的問題。目前，非常需要ー種過程簡(jiǎn)便、速度快、耗時(shí)短的瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的校準(zhǔn)方法及系統(tǒng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供ー種快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)。本發(fā)明的另ー目的是提供ー種快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法。本發(fā)明提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)包括支撐桿、轉(zhuǎn)軸、測(cè)試桿、定位裝置、探頭和示波器，所述轉(zhuǎn)軸設(shè)于所述支撐桿的頂端，所述測(cè)試桿的一端安裝于所述轉(zhuǎn)軸上且能夠繞所述轉(zhuǎn)軸轉(zhuǎn)動(dòng)，所述探頭固定于所述測(cè)試桿的自由端，且所述探頭與所述示波器電連接，所述測(cè)試桿與所述轉(zhuǎn)軸的連接處設(shè)有所述定位裝置，所述定位裝置用于將所述測(cè)試桿限定在所述測(cè)試桿所在的ー個(gè)平面內(nèi)，且能夠使所述測(cè)試桿在任意位置固定。優(yōu)選地，所述系統(tǒng)還包括與所述支撐桿的底端固接的底座。優(yōu)選地，所述支撐桿的高度可調(diào)。優(yōu)選地，所述系統(tǒng)還包括設(shè)于所述測(cè)試桿上的長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置，用于調(diào)節(jié)所述測(cè)試桿的長(zhǎng)度。本發(fā)明提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法采用所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)，該方法包括如下步驟選定矩形校準(zhǔn)平面的頂點(diǎn)為測(cè)量點(diǎn)；將所述轉(zhuǎn)軸置于校準(zhǔn)平面的中心，通過所述調(diào)節(jié)定位裝置使得所述測(cè)試桿被限定在校準(zhǔn)平面內(nèi)，通過選擇所述測(cè)試桿的長(zhǎng)度使得所述探頭能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處；在校準(zhǔn)平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)所述測(cè)試桿，使得所述探頭分別位于校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處，通過所述探頭測(cè)量得到校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值。優(yōu)選地，通過所述長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述測(cè)試桿的長(zhǎng)度使得所述探頭能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)。優(yōu)選地，所述矩形校準(zhǔn)平面包括正方形校準(zhǔn)平面。本發(fā)明具有如下有益效果(I)與現(xiàn)有技術(shù)的校準(zhǔn)方法和系統(tǒng)相比，所述方法及系統(tǒng)不需要頻繁移動(dòng)用于支撐和固定探頭的支架的位置，并且支架的位置固定后，也不需要反復(fù)調(diào)整探頭在支架上的具體位置；(2)所述方法及系統(tǒng)的校準(zhǔn)過程簡(jiǎn)便，校準(zhǔn)速度快，校準(zhǔn)耗時(shí)短。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例I提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法及系統(tǒng)的示意圖；圖2為本發(fā)明各實(shí)施例提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法的流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例2提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法及系統(tǒng)的示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例3提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法及系統(tǒng)的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容作進(jìn)一步的描述。實(shí)施例I :本實(shí)施例提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)包括支撐桿I、轉(zhuǎn)軸2、測(cè)試桿3、定位裝置4、底座5、探頭6和示波器7，如圖I所示。轉(zhuǎn)軸2設(shè)于支撐桿I的頂端。支撐桿I的底端與底座5固接。在本實(shí)施例中，支撐桿I的高度例如可調(diào)。測(cè)試桿3的一端安裝于轉(zhuǎn)軸2上且能夠繞轉(zhuǎn)軸2轉(zhuǎn)動(dòng)。探頭6固定于測(cè)試桿3的自由端，且探頭6與示波器7電連接。測(cè)試桿3與轉(zhuǎn)軸2的連接處設(shè)有定位裝置4。定位裝置4用于將測(cè)試桿3限定在測(cè)試桿3所在的一個(gè)平面內(nèi)，且能夠使測(cè)試桿3在任意位置固定。在本實(shí)施例中，測(cè)試桿3的長(zhǎng)度例如不可調(diào)，需要根據(jù)校準(zhǔn)平面的尺寸選擇測(cè)試桿3的長(zhǎng)度。如圖I和圖2所示，本實(shí)施例提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法采用上述系統(tǒng)，該方法包括如下步驟SI :選定矩形校準(zhǔn)平面AB⑶的四個(gè)頂點(diǎn)即A、B、C和D點(diǎn)為測(cè)量點(diǎn)；S2 :將上述校準(zhǔn)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)軸2置于矩形校準(zhǔn)平面AB⑶的中心，通過調(diào)節(jié)定位裝置4使得測(cè)試桿3被限定在校準(zhǔn)平面ABCD內(nèi)，通過選擇測(cè)試桿3的長(zhǎng)度使得探頭6能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面ABCD的各頂點(diǎn)處；S3 :在校準(zhǔn)平面AB⑶內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)試桿3，使得探頭6分別位于校準(zhǔn)平面AB⑶的各頂點(diǎn)處，通過探頭6分別測(cè)量得到校準(zhǔn)平面AB⑶各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值Ea、Eb、Ec和Ed。所述方法得到的校準(zhǔn)平面ABCD的各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值Ea、Eb、E。和Ed用于分析和評(píng)價(jià)校準(zhǔn)平面ABCD的瞬變電磁場(chǎng)的場(chǎng)均勻性。實(shí)施例2:本實(shí)施例提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)包括支撐桿I、轉(zhuǎn)軸2、測(cè)試桿3、定位裝置4、底座5、探頭6、示波器7和長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置8，如圖3所示。轉(zhuǎn)軸2設(shè)于支撐桿I的頂端。支撐桿I的底端與底座5固接。在本實(shí)施例中，支撐桿I的高度例如可調(diào)。測(cè)試桿3的一端安裝于轉(zhuǎn)軸2上且能夠繞轉(zhuǎn)軸2轉(zhuǎn)動(dòng)。探頭6固定于測(cè)試桿3的自由端，且探頭6與示波器7電連接。測(cè)試桿3與轉(zhuǎn)軸2的連接處設(shè)有定位裝置4。定位裝置4用于將測(cè)試桿3限定在測(cè)試桿3所在的ー個(gè)平面內(nèi)，且能夠使測(cè)試桿3在任意位置固定。長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置8設(shè)于測(cè)試桿3上，用于調(diào)節(jié)測(cè)試桿3的長(zhǎng)度。如圖2和圖3所示，本實(shí)施例提供的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法采用上述系統(tǒng)，該方法包括如下步驟SI :選定例如正方形校準(zhǔn)平面FGHI的四個(gè)頂點(diǎn)即F、G、H和I點(diǎn)為測(cè)量點(diǎn)；S2 :將上述校準(zhǔn)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)軸2置于校準(zhǔn)平面FGHI的中心，通過調(diào)節(jié)定位裝置4使得測(cè)試桿3被限定在校準(zhǔn)平面FGHI內(nèi)，通過調(diào)節(jié)測(cè)試桿3的長(zhǎng)度使得探頭6能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面FGHI的各頂點(diǎn)處；S3 :在校準(zhǔn)平面FGHI內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)試桿3，使得探頭6分別位于校準(zhǔn)平面FGHI的各頂點(diǎn)處，通過探頭6分別測(cè)量得到校準(zhǔn)平面FGHI各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值Ef、Eg, Eh和E1 ；所述方法得到的校準(zhǔn)平面FGHI的各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值EF、Ee、EH和E1用于分析和評(píng) 價(jià)校準(zhǔn)平面FGHI的瞬變電磁場(chǎng)的場(chǎng)均勻性。實(shí)施例3 本實(shí)施例采用與實(shí)施例2相同的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)。如圖4所示，選定例如正方形的第一校準(zhǔn)平面JKLM，并針對(duì)該校準(zhǔn)平面采用實(shí)施例2所述的校準(zhǔn)方法得到J、K、L和M點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值Ep EK、El和Em。選定正方形的第二校準(zhǔn)平面N0PQ，且第二校準(zhǔn)平面NOPQ的四個(gè)頂點(diǎn)例如分別為第一校準(zhǔn)平面JKLM的各邊的中點(diǎn)。針對(duì)第二校準(zhǔn)平面N0PQ，采用實(shí)施例2所述的校準(zhǔn)方法得到Ν、0、Ρ和Q點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值En、E0, Ep和Eq。所述方法得到的場(chǎng)強(qiáng)值Ep EK、El, Em、En、E0, Ep和Eq用于分析和評(píng)價(jià)第一校準(zhǔn)平面JKLM的瞬變電磁場(chǎng)的場(chǎng)均勻性。所述方法得到的場(chǎng)強(qiáng)值En、も、Ep和Eq用于分析和評(píng)價(jià)第二校準(zhǔn)平面NOPQ的瞬變電磁場(chǎng)的場(chǎng)均勻性。與現(xiàn)有技術(shù)的校準(zhǔn)方法和系統(tǒng)相比，所述方法及系統(tǒng)不需要頻繁移動(dòng)用于支撐和固定探頭的支架的位置，并且支架的位置固定后，也不需要反復(fù)調(diào)整探頭在支架上的具體位置。所述方法及系統(tǒng)的校準(zhǔn)過程簡(jiǎn)便，校準(zhǔn)速度快，校準(zhǔn)耗時(shí)短。應(yīng)當(dāng)理解，以上借助優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行的詳細(xì)說明是示意性的而非限制性的。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在閱讀本發(fā)明說明書的基礎(chǔ)上可以對(duì)各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)，其特征在干，該系統(tǒng)包括支撐桿(I)、轉(zhuǎn)軸(2)、測(cè)試桿(3)、定位裝置(4)、探頭(6)和示波器(7)，所述轉(zhuǎn)軸(2)設(shè)于所述支撐桿(I)的頂端，所述測(cè)試桿(3)的一端安裝于所述轉(zhuǎn)軸(2)上且能夠繞所述轉(zhuǎn)軸(2)轉(zhuǎn)動(dòng)，所述探頭(6)固定于所述測(cè)試桿(3)的自由端，且所述探頭(6)與所述示波器(7)電連接，所述測(cè)試桿(3)與所述轉(zhuǎn)軸(2)的連接處設(shè)有所述定位裝置(4)，所述定位裝置(4)用于將所述測(cè)試桿(3)限定在所述測(cè)試桿(3)所在的ー個(gè)平面內(nèi)，且能夠使所述測(cè)試桿(3)在任意位置固定。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括與所述支撐桿(I)的底端固接的底座(5)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)，其特征在于，所述支撐桿(I)的高度可調(diào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)，其特征在于，所述系統(tǒng)還包括設(shè)于所述測(cè)試桿(3)上的長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置(8)，用于調(diào)節(jié)所述測(cè)試桿(3)的長(zhǎng)度。
5.快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法，該方法采用權(quán)利要求I所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的系統(tǒng)，其特征在于，該方法包括如下步驟選定矩形校準(zhǔn)平面的頂點(diǎn)為測(cè)量點(diǎn)；將所述轉(zhuǎn)軸(2)置于校準(zhǔn)平面的中心，通過所述調(diào)節(jié)定位裝置(4)使得所述測(cè)試桿(3)被限定在校準(zhǔn)平面內(nèi)，通過選擇所述測(cè)試桿(3)的長(zhǎng)度使得所述探頭(6)能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處；在校準(zhǔn)平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)所述測(cè)試桿(3)，使得所述探頭(6)分別位于校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處，通過所述探頭(6)測(cè)量得到校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法，其特征在于，通過所述長(zhǎng)度調(diào)節(jié)裝置(8)調(diào)節(jié)所述測(cè)試桿(3)的長(zhǎng)度使得所述探頭(6)能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法，其特征在于，所述矩形校準(zhǔn)平面包括正方形校準(zhǔn)平面。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種快速校準(zhǔn)瞬變電磁場(chǎng)場(chǎng)均勻性的方法及系統(tǒng)，該方法包括如下步驟選定矩形校準(zhǔn)平面的頂點(diǎn)為測(cè)量點(diǎn)；將轉(zhuǎn)軸(2)置于校準(zhǔn)平面的中心，通過調(diào)節(jié)定位裝置(4)使得測(cè)試桿(3)被限定在校準(zhǔn)平面內(nèi)，通過選擇測(cè)試桿(3)的長(zhǎng)度使得探頭(6)能夠到達(dá)校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處；在校準(zhǔn)平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)測(cè)試桿(3)，使得探頭(6)分別位于校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處，通過探頭(6)測(cè)量得到校準(zhǔn)平面的各頂點(diǎn)處的場(chǎng)強(qiáng)值。所述方法及系統(tǒng)不需要頻繁移動(dòng)用于支撐和固定探頭的支架的位置，并且支架的位置固定后，也不需要反復(fù)調(diào)整探頭在支架上的具體位置和角度。所述方法及系統(tǒng)的校準(zhǔn)過程簡(jiǎn)便，校準(zhǔn)速度快，校準(zhǔn)耗時(shí)短。
文檔編號(hào)G01R29/08GK102830293SQ20121030948
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月27日
發(fā)明者姚利軍, 沈濤, 黃建領(lǐng) 申請(qǐng)人:北京無線電計(jì)量測(cè)試研究所