亚洲成年人黄色一级片,日本香港三级亚洲三级,黄色成人小视频,国产青草视频,国产一区二区久久精品,91在线免费公开视频,成年轻人网站色直接看

一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路的制作方法

文檔序號(hào):5891471閱讀:117來源:國知局
專利名稱:一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域,特別涉及一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路。
背景技術(shù)
當(dāng)今的許多便攜式電子設(shè)備都需要具備在采用不同電源的情況下正常運(yùn)作的能力,設(shè)計(jì)一款能夠與多類電源相兼容的功率轉(zhuǎn)換解決方案至關(guān)重要。在DC/DC轉(zhuǎn)換器中,尤其是升壓轉(zhuǎn)換器中,由于內(nèi)部驅(qū)動(dòng)模塊是由內(nèi)部供電電路供電,要求內(nèi)部供電電路在較寬的電源輸入范圍內(nèi)都有較強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力和較強(qiáng)的穩(wěn)定電壓的能力
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目地是提供一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路,電路采用一種開關(guān)算法,保證了電路在較寬輸入電源范圍內(nèi),給內(nèi)部電路提供穩(wěn)定的電壓進(jìn)行供電,通過在電源電壓較低時(shí),給內(nèi)部電路提供的供電電壓與電源電壓相同,在電源電壓較高時(shí),給內(nèi)部電路提供的供電電壓穩(wěn)定在一個(gè)合理的電壓值。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路,其特征在于,包括電源電壓判斷單元和產(chǎn)生內(nèi)部供電的Regulator電路,具體為一個(gè)電流源,十三個(gè)P型MOS管、九個(gè)N型MOS管、兩個(gè)電容、八個(gè)電阻和兩個(gè)齊納二極管,其中所述電源電壓判斷單元包括六個(gè)電阻、四個(gè)NMOS管和五個(gè)PMOS管,電阻R1、電阻R2與電阻R3是電源VIN的分壓電阻,第一 N型MOS管麗I是使能開關(guān)管,第一 N型雙極型晶體管NI、第二 N型雙極型晶體管N2、第一 P型MOS管MP1、第二 P型MOS管MP2、電阻R4和電阻R5是電源電壓判斷單元的主體結(jié)構(gòu),第一 N型雙極型晶體管NI與第二 N型雙極型
晶體管N2為匹配關(guān)系,比例為N : 1,當(dāng)電源VIN的分壓聞?dòng)?br> 權(quán)利要求
1.一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路,其特征在于,包括電源電壓判斷單元和產(chǎn)生內(nèi)部供電的Regulator電路,具體為一個(gè)電流源,十三個(gè)P型MOS管、九個(gè)N型MOS管、兩個(gè)電容、八個(gè)電阻和兩個(gè)齊納二極管,其中 所述電源電壓判斷單元包括六個(gè)電阻、四個(gè)NMOS管和五個(gè)PMOS管,電阻R1、電阻R2與電阻R3是電源VIN的分壓電阻,第一 N型MOS管MNl是使能開關(guān)管,第一 N型雙極型晶體管NI、第二 N型雙極型晶體管N2、第一 P型MOS管MP1、第二 P型MOS管MP2、電阻R4和電阻R5是電源電壓判斷單元的主體結(jié)構(gòu),第一 N型雙極型晶體管NI與第二 N型雙極型晶體 管N2為匹配關(guān)系,比例為N 1,當(dāng)電源VIN的分壓高于
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路,其特征在于,所述電源電壓判斷單元電路連接方式為第一 P型MOS管MPl的源極與內(nèi)部供電電源VDD連接;第一 P型MOS管MPl的漏極、第一 P型MOS管MPl的柵極、第二 P型MOS管MP2的柵極與第一 N型雙極型晶體管NI的集電極連接;第二 P型MOS管MP2的源極與內(nèi)部供電電源VDD連接;第二 P型MOS管MP2的漏極、第二 N型雙極型晶體管N2的集電極、第三P型MOS管MP3的柵極連接;第三P型MOS管MP3的源極與內(nèi)部供電電源VDD連接;第三P型MOS管MP3的漏極、第四P型MOS管MP4的柵極、第四N型MOS管MN4的柵極與電阻R6的一端連接;第四P型MOS管MP4的源極與內(nèi)部供電電源VDD連接;第四P型MOS管MP4的漏極、第四N型MOS管MN4的漏極、第五P型MOS管MP5的柵極與第五N型MOS管麗5的柵極連接;第五P型MOS管MP5的源極與內(nèi)部供電電源VDD連接;第五P型MOS管MP5的漏極、第五N型MOS管麗5的漏極與第二 N型MOS管麗2的柵極連接,并且為模塊的輸出引腳。第一 N型MOS管麗I的源極與地GND連接 ’第一 N型MOS管麗I的柵極與EN引腳連接;第一 N型MOS管麗I的漏極與電阻R3的一端連接;第二 N型MOS管麗2的源極與地GND連接;第二 N型MOS管麗2的柵極、第五P型MOS管MP5的漏極與第五N型MOS管麗5的漏極連接;第二N型MOS管麗2的漏極與電阻R3的一端連接;第四N型MOS管MN4的源極與地GND連接;第四N型MOS管MN4的柵極、第三P型MOS管MP3的漏極、第四P型MOS管MP4的柵極與電阻R6的一端連接;第四N型MOS管MN4的漏極、第四P型MOS管MP4的漏極、第五P型MOS管MP5的柵極與第五N型MOS管麗5的柵極連接 ’第五N型MOS管麗5的源極與地GND連接。第一 N型雙極型晶體管NI的基極、第二 N型雙極型晶體管N2的基極、電阻Rl與電阻R2的一端連接;第一 N型雙極型晶體管NI的發(fā)射極與電阻R4的一端連接;第一 N型雙極型晶體管NI的集電極與第一 P型MOS管MPl的漏極、第一 P型MOS管MPl的柵極與第二 P型MOS管MP2的柵極連接;第二 N型雙極型晶體管N2的發(fā)射極、電阻R4的一端與電阻R5的一端連接;第二 N型雙極型晶體管N2的集電極、第二 P型MOS管MP2的漏極與第三P型MOS管MP3的柵極連接;電阻Rl的一端與VIN連接,電阻Rl的另一端、電阻R2的一端、第一N型雙極型晶體管NI的基極與第二 N型雙極型晶體管N2的基極連接;電阻R2的一端電阻、Rl的一端、第一 N型雙極型晶體管NI的基極與第二 N型雙極型晶體管N2的基極連接,電阻R2的另一端、電阻R3的一端與第二 N型MOS管麗2的漏極連接;電阻R3的一端、電阻 R2的一端與第二 N型MOS管麗2的漏極連接;電阻R3的另一端與第一 N型MOS管麗I的漏極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路,其特征在于,所述產(chǎn)生內(nèi)部供電的Regulator電路連接方式為第六P型MOS管MP6的源極與電源VIN連接;第六P型MOS管MP6的漏極、第六P型MOS管MP6的柵極、第七P型MOS管MP7的柵極、第八P型MOS管MP8的柵極與外部偏置電流電路連接;第七P型MOS管MP7的源極與電源VIN連接;第七P型MOS管MP7的漏極、第六N型MOS管MN6的柵極、第六N型MOS管MN6的漏極與第七N型MOS管MN7的柵極連接;第八P型MOS管MP8的源極與電源VIN連接;第八P型MOS管MP8的漏極、第二齊納二極管D2的陰極、電阻R7的一端、電容Cl的一端與第八N型MOS管MN8的柵極連接;第九P型MOS管MP9的源極與電源VIN連接;第九P型MOS管MP9的漏極、第八N型MOS管MN8的源極、電阻R8的一端與電容C2的一端連接;第九P型MOS管MP9的柵極、第十三P型MOS管MP13的源極、第十P型MOS管MPlO的柵極與第i^一P型MOS管MPll的漏極連接;第十P型MOS管MPlO的源極與電源VIN連接;第十P型MOS管MPlO的漏極、第i^一 P型MOS管MPll的柵極與第十二 P型MOS管MP12的源極連接;第十P型MOS管MPlO的柵極、第九P型MOS管MP9的柵極與第i^一 P型MOS管MPll的漏極連接;第^^一 P型MOS管MPll的源極與電源VIN連接;第^^一 P型MOS管MPll的漏極、第九P型MOS管MP9的柵極、第十三P型MOS管MP13的源極與第十P型MOS管MPlO的柵極連接;第^^一 P型MOS管MPlI的柵極、第十P型MOS管MPlO的漏極與第十二 P型MOS管MP12的源極連接;第十二 P型MOS管MP12的柵極、第十三P型MOS管MP13的柵極、第一齊納二極管Dl的陽極與第七N型MOS管麗7的漏極連接;第十二 P型MOS管MP12的漏極與第九N型MOS管MN9的漏極連接;第十二 P型MOS管MP12的源極、第i^一 P型MOS管MPll的柵極與第十P型MOS管MPlO的漏極連接;第十三P型MOS管MP13的柵極、第十二 P型MOS管MP12的柵極、第一齊納二極管Dl的陽極與第七N型MOS管麗7的漏極連接;第六N型MOS管MN6的源極與地GND連接;第六N型MOS管MN6的漏極、第七P型MOS管MP7的漏極、第六N型MOS管MN6的柵極與第七N型MOS管麗7的柵極連接;第七N型MOS管麗7的源極與地GND連接;第七N型MOS管麗7的漏極、第十三P型MOS管MP13的柵極、第十二 P型MOS管MP12的柵極與第一齊納二極管Dl的陽極連接;第八N型MOS管MN8的源極、第九P型MOS管MP9的漏極、電阻R8的一端與電容C2的一端連接;第八N型MOS管MN8的漏極與電源VIN連接;第八N型MOS管MN8的柵極、第八P型MOS管MP8的漏極、第二齊納二極管D2的陰極、電阻R7的一端與電容Cl的一端連接;第九N型MOS管MN9的源極與地GND連接;第九N型MOS管MN9的漏極與第十二 P型MOS管MP12的漏極連接;第九N型MOS管MN9的柵極與電源電壓判斷單元的輸出I連接;第十N型MOS管麗10的源極與地GND連接;第十N型MOS管麗10的漏極與第十三P型MOS管MP13的漏極連接;第十N型MOS管麗10的柵極與電源電壓判斷單元的輸出2連接;第一齊納二極管Dl的陰極與電源VIN連接;第一齊納二極管Dl的陽極、第七N型MOS管麗7的漏極、第十三P型MOS管MP13的柵極與第十二P型MOS管MP12的柵極連接;第二齊納二極管D2的陰極、第八N型MOS管MN8的柵極、第八P型MOS管MP8的漏極、電阻R7的一端與電容Cl的一端連接;第二齊納二極管D2的陽極與地GND連接;電阻R7的一端與地GND連接;電阻R7的另一端、第二齊納二極管D2的陰極、第八N型MOS管MN8的柵極、第八P型MOS管MP8的漏極與電容Cl的一端連接;電阻 R8的一端與地GND連接;電阻R8的另一端、第八N型MOS管MN8的源極、第九P型MOS管MP9的漏極與電容C2的一端連接,為內(nèi)部供電電源VDD的輸出;電容Cl的一端與地GND連接;電容Cl的另一端、電阻R7的一端、第二齊納二極管D2的陰極、第八N型MOS管MN8的柵極與第八P型MOS管MP8的漏極連接;電容C2的一端與地GND連接;電容C2的另一端、電阻R8的一端、第八N型MOS管MN8的源極與第九P型MOS管MP9的漏極連接,為內(nèi)部供電電源VDD的輸出。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于寬范圍電源輸入的內(nèi)部供電電路,它包括一個(gè)電源電壓判斷單元和一個(gè)產(chǎn)生內(nèi)部供電的調(diào)整電路單元,一共包含一個(gè)電流源,十三個(gè)P型MOS管、九個(gè)N型MOS管、兩個(gè)電容、八個(gè)電阻和兩個(gè)齊納二極管;電路采用一種開關(guān)算法,保證了電路在較寬輸入電源范圍內(nèi),給內(nèi)部電路提供穩(wěn)定的電壓進(jìn)行供電,通過在電源電壓較低時(shí),給內(nèi)部電路提供的供電電壓與電源電壓相同,在電源電壓較高時(shí),給內(nèi)部電路提供的供電電壓穩(wěn)定在一個(gè)合理的電壓值,即保證了電源電壓較低時(shí)芯片的效率,也保證了電源電壓較高時(shí)芯片的正常工作,提高了電源電壓的輸入范圍。
文檔編號(hào)G01R19/165GK102710136SQ201210172610
公開日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月30日
發(fā)明者夏雪, 王曉飛, 袁小云 申請(qǐng)人:西安航天民芯科技有限公司
網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
  • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
1