專利名稱：提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法、以及采用了該提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法的雙極型晶體管測(cè)試方法。
背景技術(shù)：
雙極型晶體管(Bipolar Transistor)是由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。雙極型晶體管有兩種基本結(jié)構(gòu)PNP型和NPN型。在這3層半導(dǎo)體中，中間ー層稱基區(qū)，外側(cè)兩層分別稱發(fā)射區(qū)和集電區(qū)。當(dāng)基區(qū)注入少量電流時(shí)，在發(fā)射區(qū)和集電區(qū)之間就會(huì)形成較大的電流，這就是晶體管的放大效應(yīng)。雙極型晶體管是ー種電流控制器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。
圖I示意性地示出了雙極型晶體管的截面結(jié)構(gòu)。圖2示意性地示出了雙極型晶體管的俯視圖。如圖I和圖2所示，集電極3之上的發(fā)射極I和基極2之間存在重疊電容Cbeo以及結(jié)電容。因此，發(fā)射極I和基極2之間的總電容=發(fā)射極I和基極2之間的重疊電容+發(fā)射極I和基極2之間的結(jié)電容。其中，發(fā)射極I和基極2之間的重疊電容Cbeo隨著發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的寬度ew和長(zhǎng)度el的影響。在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，可以通過(guò)電容測(cè)量用來(lái)監(jiān)控半導(dǎo)體的制造エ藝的穩(wěn)定性，控制制造エ藝流程。而且，有時(shí)候需要測(cè)量的不僅僅是單純的電容值，還有電容隨電壓，溫度的變化趨勢(shì)，曲線的形狀。某些エ藝步驟可能僅僅與結(jié)電容隨電壓變化的曲線相關(guān)。但是單純的直接測(cè)量我們無(wú)法分開(kāi)發(fā)射極和基極之間的結(jié)電容以及重疊電容。盡管重疊電容在總電容中占的比例可能很小(比如6%)，但是通過(guò)計(jì)算得到重疊電容，得到純粹的結(jié)電容隨電壓的變化關(guān)系，可以更方便準(zhǔn)確地進(jìn)行エ藝檢測(cè)。而且，如果另外某些エ藝只和重疊電容有關(guān)于結(jié)電容關(guān)系不大，這樣計(jì)算出重疊電容的意義更明顯。除了上述エ藝監(jiān)測(cè)方面的原因之外，對(duì)于器件的工作過(guò)程，電容會(huì)決定晶體管的交流特性，而不同類型的電容對(duì)交流特性的影響不一樣，単獨(dú)地提取出發(fā)射極和基極之間的重疊電容，可以方便電路設(shè)計(jì)人員研究器件的性能。因此，希望能夠提供一種有效地提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供ー種能夠有效地提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法、以及采用了該提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法的雙極型晶體管測(cè)試方法。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其包括第一步驟，用于為雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度取多個(gè)不同的值，并且將所取的不同的值代入雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的總電容的函數(shù)方程式CBE_total=cjeb*ew*el*/ (1-Vbe/vde) "pe+(cjes/(1-Vbe/vde) ~pe+cbeos) *2* (el+ew),同時(shí)測(cè)量寬度和長(zhǎng)度的不同的值下實(shí)際的總電容CBE_total的各個(gè)取值，從而得到方程來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)cjeb、參數(shù)vde、參數(shù)pe、參數(shù)cjes和參數(shù)cbeos的值；其中，參數(shù)ew和參數(shù)el分別表示雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度，Vbe表示基極與發(fā)射極之間的電壓，cjeb表示發(fā)射極和基極結(jié)電容的底面部分単位面積電容，cjes表示發(fā)射極和基極結(jié)電容的周長(zhǎng)部分的電容；pe和vde是結(jié)電容模型的與PN結(jié)的尺寸無(wú)關(guān)而與結(jié)的種類相關(guān)的參數(shù)。優(yōu)選地，所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法還包括第二步驟,用于將提取出來(lái)的參數(shù)cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2*(ew+el)以提取其中射極和基極之間的接觸區(qū)域的長(zhǎng)度為el且寬度為ew的待測(cè)量雙極型晶體管器件的的發(fā)射極與基極之間的重疊電容。優(yōu)選地，所述第一步驟包括取具有不同的長(zhǎng)度值且寬度相同的兩個(gè)雙極型晶 體管，從而得到這雙極型晶體管各自的第一總電容值CBE_totall和第二總電容值CBE_total2 CBE_totall=cjeb*ew*ell+(cjes+cbeos)*2*(ell+ew)；CBE_total2=cjeb*ew*el2+(cjes+cbeos)*2*(el2+ew)。優(yōu)選地,所述第一步驟還包括通過(guò)計(jì)算CBE_total2與CBE_totall的差值,利用Δ =cjeb* (el2-ell)*ew+C計(jì)算總電容差值Λ, C是與寬度ew無(wú)關(guān),與長(zhǎng)度差有關(guān)的常數(shù)。優(yōu)選地，所述第一步驟還包括發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度取第一寬度值ewl和第二寬度值ew2這兩個(gè)不同的值,從而獲取第一總電容差值Λ I和第二總電容差值Λ 2 Δ l=cjeb*(el2_elI)*ewl+C ；Λ 2=cjeb*(el2_ell)*ew2+C。優(yōu)選地，所述第一步驟還包括利用公式Λ’ =cjeb*(el2-ell)*(ew2-ewl)/(1-Vbe/vde) ~pe計(jì)算第二總電容差值Λ 2與第一總電容差值Λ I的差值Λ’。優(yōu)選地，所述第一步驟還包括根據(jù)公式Λ’ =cjeb*(el2-ell)*(ew2-ewl)/(1-Vbe/vderpe，針對(duì)多個(gè)不同的待測(cè)量雙極型晶體管器件，通過(guò)測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的接觸區(qū)域的不同的寬度及不同的長(zhǎng)度、以及測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的不同的總電容值，從而通過(guò)將上述多個(gè)組合代入公式Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/(1-Vbe/vde) 'pe,由Λ’ 隨電壓(Vbe)的變化來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)cjeb，vde和參數(shù)pe這三個(gè)常數(shù)。優(yōu)選地，所述第一步驟還包括將提取出的待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)vde和參數(shù)pe代入公式CBE_total=cjeb*ew*el*/(1-Vbe/vde)'pe+(cjes/(1-Vbe/vde)~pe+cbeos)*2*(el+ew) 并且，在針對(duì)多個(gè)不同的待測(cè)量雙極型晶體管器件，通過(guò)測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的接觸區(qū)域的不同的寬度及不同的長(zhǎng)度、以及測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的不同的總電容值，從而通過(guò)將上述多個(gè)組合代入上面的式子來(lái)提取出參數(shù)cjes和參數(shù)cbeos。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種采用了根據(jù)本發(fā)明的第一方面所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法的雙極型晶體管測(cè)試方法。根據(jù)本發(fā)明，能夠精確地并且有效地提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容。


結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中圖I示意性地示出了雙極型晶體管的截面結(jié)構(gòu)。圖2示意性地示出了雙極型晶體管的俯視圖。圖3示意性地示出了提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法 的流程圖。需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。由于發(fā)射極與基極之間的重疊電容Cbeo隨著發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度的影響，更具體地說(shuō)，發(fā)射極與基極之間的重疊電容Cbeo正比于發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的周長(zhǎng)，因此可以通過(guò)下面的式子(I)來(lái)提取發(fā)射極與基極之間的重疊電容Cbeo Cbeo=cbeos*2* (ew+el) (I)其中，cbeos表示發(fā)射極與基極之間的重疊電容的單位電容值，ew表示發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的寬度，el表示發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的長(zhǎng)度，如圖I和圖2所示。因此，通過(guò)獲取發(fā)射極與基極之間的重疊電容的単位電容值cbeos，并測(cè)量發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的周長(zhǎng)，即可提取出發(fā)射極與基極之間的重疊電容Cbeo。下面描述獲取發(fā)射極與基極之間的重疊電容的單位電容值cbeos的具體步驟。發(fā)射極I和基極2之間的結(jié)電容CBE與基極與發(fā)射極之間的電壓Vbe有關(guān)，具體地說(shuō)可由下面的式子(2)來(lái)表示CBE(Vbe)=Cjeb(Vbe)+Cjes (Vbe)=cjeb*ew*el*/(1-Vbe/vde)~pe+cjes*2*(ew+el)/(1-Vbe/vde)'pe(2)其中，Vbe表示基極與發(fā)射極之間的電壓，Cjeb表示發(fā)射極和基極結(jié)電容的接觸部分(底面部分)的電容，Cjes表示發(fā)射極和基極結(jié)電容的外周部分(周長(zhǎng)部分)的電容；從而有 CBE (Vbe) =Cjeb (Vbe) +Cjes (Vbe)。此外，pe和vde都是結(jié)電容模型的與PN結(jié)的尺寸無(wú)關(guān)而與結(jié)的種類相關(guān)的參數(shù)，具體地說(shuō)，不管是周長(zhǎng)相關(guān)電容還是底面相關(guān)電容都可以用類似下面的公式表示c=co/(1-Vbe/vde) ~pe,其中CO (具體地是cjeb或者cjes,在本實(shí)施例中為cjeb)、vde和pe是與電壓值Vbe無(wú)關(guān)的常數(shù)，這三個(gè)常數(shù)與PN結(jié)的尺寸無(wú)關(guān)，與PN結(jié)的種類(發(fā)射極與基極的PN結(jié)或者是基極和襯底的PN結(jié))有夫。下文將描述獲取CO(cjeb，cjes)、vde和pe的值的方法。發(fā)射極I和基極2之間的總電容CBE_total可通過(guò)下面的式子(3)來(lái)計(jì)算CBE_total = cjeb*ew*el* / (1-Vbe / vde) 'pe + (cjes / ( I - V b e /vde) pe+cbeos)*2*(el+ew)(3)其中，各個(gè)參數(shù)與前面的公式相同。針對(duì)上面的各個(gè)式子，可以為寬度ew和長(zhǎng)度el取多個(gè)不同的值，并且將所取的不同的值代入方程 CBE_total=cjeb*ew*el*/(1-Vbe/vde)'pe+(cjes/ (1-Vbe/ vde) "pe+cbeos)*2*(el+ew),同時(shí)測(cè)量寬度ew和長(zhǎng)度el的不同的值下實(shí)際的CBE_total的各個(gè)取值，從而得到方程來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的cjeb、vde、pe、cjes和cbeos等參數(shù)的值(參見(jiàn)圖3的步驟SI)。下面將描述本發(fā)明的具體實(shí)施例。首先，發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的長(zhǎng)度el取兩個(gè)不同的長(zhǎng)度值(第一長(zhǎng)度值ell和第二長(zhǎng)度值el2)，即取具有不同的長(zhǎng)度值的兩個(gè)雙極型晶體管，從而得到這雙極型晶體管各自的總電容值(第一總電容值CBE_totall和第二總電容值CBE_total2)CBE_totall=cjeb*ew*ell+(cjes+cbeos)*2*(ell+ew) (4)CBE_total2=cjeb*ew*el2+(cjes+cbeos)*2*(el2+ew) (5)通過(guò)計(jì)算CBE_total2與CBE_totall的差值,計(jì)算總電容差值Λ,如下面的式子(6)所示:Λ =cjeb*(el2_ell)*ew+C (6)發(fā)射極I和基極2之間的接觸區(qū)域的寬度取兩個(gè)不同的值(第一寬度值ewl和第ニ寬度值ew2)，從而獲取第一總電容差值Λ I和第二總電容差值Λ 2 Δ l=cjeb* (el 2-el I) *ewl+C (7)Λ 2=cjeb*(el2_ell)*ew2+C (8)此后，通過(guò)下面的式子(9)計(jì)算第二總電容差值Λ 2與第一總電容差值Λ I的差值Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/(1-Vbe/vde) ~pe (9)根據(jù)上面的式子(9)，針對(duì)多個(gè)不同的待測(cè)量雙極型晶體管器件，通過(guò)測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的接觸區(qū)域的不同的寬度及不同的長(zhǎng)度、以及測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的不同的總電容值(即，獲取寬度值、長(zhǎng)度值以及總電容值的多個(gè)組合)，從而通過(guò)將上述多個(gè)組合得到式子(9)來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)cjeb，vde和pe這些與尺寸和電壓無(wú)關(guān)的常數(shù)。將根據(jù)上面的式子(9)提取出的待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)vde和參數(shù)pe代入式子(3)CBE_total = cjeb*ew*el* / (1-Vbe / vde) 'pe + (cjes / (1-Vbe/vde)'pe+cbeos)*2*(el+ew)
(3)類似地，在針對(duì)多個(gè)不同的待測(cè)量雙極型晶體管器件，通過(guò)測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的接觸區(qū)域的不同的寬度及不同的長(zhǎng)度、以及測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的不同的總電容值(即，獲取寬度值、長(zhǎng)度值以及總電容值的多個(gè)組合)，從而通過(guò)將上述多個(gè)組合代入上面的式子(3)來(lái)提取出參數(shù)cjes和參數(shù)cbeos。最后，將提取出來(lái)的參數(shù)cbeos代入下面的式子(I)以提取其中射極和基極之間的接觸區(qū)域的長(zhǎng)度為el且寬度為ew的待測(cè)量雙極型晶體管器件的的發(fā)射極與基極之間的重疊電容Cbeo (參見(jiàn)圖3的步驟S2)Cbeo=cbeos*2* (ew+el) (I)由此，通過(guò)上述步驟，能夠有效地提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容。根據(jù)本發(fā)明的另ー優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明還提供一種采用了在上述實(shí)施例中描述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法的雙極型晶體管測(cè)試方法?？梢岳斫獾氖牵m然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述掲示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等 同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于包括第一步驟，用于為雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度取多個(gè)不同的值，并且將所取的不同的值代入雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的總電容的函數(shù)方程式 CBE_total=c jeb*ew*el*/ (1-Vbe/vde) 'pe+ (c jes/ (1-Vbe/vde) ~pe+cbeos)*2*(el+ew),同時(shí)測(cè)量寬度和長(zhǎng)度的不同的值下實(shí)際的總電容CBE_total的各個(gè)取值，從而得到方程來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)cjeb、參數(shù)vde、參數(shù)pe、參數(shù)cjes和參數(shù)cbeos的值； 其中，參數(shù)ew和參數(shù)el分別表示雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度，Vbe表示基極與發(fā)射極之間的電壓，cjeb表示發(fā)射極和基極結(jié)電容的底面部分的單位面積電容，cjes表示發(fā)射極和基極結(jié)電容的周長(zhǎng)部分的單位電容；pe和vde是結(jié)電容模型的與PN結(jié)的尺寸無(wú)關(guān)而與結(jié)的種類相關(guān)的參數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于還包括第二步驟，用于將提取出來(lái)的參數(shù)cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2* (ew+el)以提取其中射極和基極之間的接觸區(qū)域的長(zhǎng)度為el且寬度為ew的待測(cè)量雙極型晶體管器件的的發(fā)射極與基極之間的重疊電容。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于，所述第一步驟包括取具有不同的長(zhǎng)度值且寬度相同的兩個(gè)雙極型晶體管，從而得到這雙極型晶體管各自的第一總電容值CBE_totall和第二總電容值CBE_total2 CBE—totall=cjeb*ew*el1+(cjes+cbeos) *2*(ell+ew)；CBE—total2=cjeb*ew*el2+(cjes+cbeos)*2*(el2+ew)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于，所述第一步驟還包括通過(guò)計(jì)算CBE_total2與CBE_totall的差值,利用Δ =Cjeb* (el2-ell) *ew+C計(jì)算總電容差值Λ，其中C是與寬度ew無(wú)關(guān)，與長(zhǎng)度差有關(guān)的常數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于，所述第一步驟還包括發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度取第一寬度值ewl和第二寬度值ew2這兩個(gè)不同的值,從而獲取第一總電容差值Λ I和第二總電容差值Δ 2 Δ l=cjeb*(el2_ell)*ewl+C ；Δ 2=cjeb* (el2_ell)*ew2+C。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于，所述第一步驟還包括利用公式Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/ (I-Vbe/vde) ~pe計(jì)算第二總電容差值Λ 2與第一總電容差值Λ I的差值Λ’。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于，所述第一步驟還包括根據(jù)公式Λ’ =cjeb*(el2_ell)*(ew2_ewl)/(I-Vbe/vderpe，針對(duì)多個(gè)不同的待測(cè)量雙極型晶體管器件，通過(guò)測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的接觸區(qū)域的不同的寬度及不同的長(zhǎng)度、以及測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的不同的總電容值，從而通過(guò)將上述多個(gè)組合代入公式Λ’ =cjeb*(el2-ell)*(ew2_ewl)/(1-Vbe/vde) "pe來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)vde和參數(shù)pe這兩個(gè)常數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法，其特征在于，所述第一步驟還包括將提取出的待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù) vde 和參數(shù) pe 代入公式 CBE_total=c jeb*ew*el*/ (1-Vbe/vde) 'pe+ (cjes/ (1-Vbe/vde)~pe+cbeos)*2*(el+ew)并且，在針對(duì)多個(gè)不同的待測(cè)量雙極型晶體管器件，通過(guò)測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的接觸區(qū)域的不同的寬度及不同的長(zhǎng)度、以及測(cè)量多個(gè)待測(cè)量雙極型晶體管器件的各自的射極和基極之間的不同的總電容值，從而通過(guò)將上述多個(gè)組合代入上面的式子來(lái)提取出參數(shù)cjes和參數(shù)cbeos。
9.一種采用了根據(jù)權(quán)利要求I至8之一所述的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法的雙極型晶體管測(cè)試方法。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的提取雙極型晶體管的發(fā)射極與基極之間的重疊電容的方法包括第一步驟，用于為雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的寬度和長(zhǎng)度取多個(gè)不同的值，并且將所取的不同的值代入雙極型晶體管器件的發(fā)射極和基極之間的總電容的函數(shù)方程式，同時(shí)測(cè)量寬度和長(zhǎng)度的不同的值下實(shí)際的總電容CBE_total的各個(gè)取值隨電壓變化關(guān)系，從而得到方程來(lái)提取出待測(cè)量雙極型晶體管器件的參數(shù)cjeb、參數(shù)vde、參數(shù)pe、參數(shù)cjes和參數(shù)cbeos的值；以及第二步驟，用于將提取出來(lái)的參數(shù)cbeos代入式子Cbeo=cbeos*2*(ew+el)以提取其中發(fā)射極和基極之間的接觸區(qū)域的長(zhǎng)度為el且寬度為ew的待測(cè)量雙極型晶體管器件的發(fā)射極與基極之間的重疊電容。
文檔編號(hào)G01R31/26GK102692567SQ201210143458
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年5月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月9日
發(fā)明者范象泉 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司