專利名稱：一種激光橢偏儀的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種激光橢偏儀，尤其涉及一種在硅太陽能電池片生產(chǎn)過程中用于測(cè)量電池片表面膜厚及折射率的激光橢偏儀。
背景技術(shù)：
在硅太陽電池的制工藝過程之中，通常需要采用薄膜沉積工藝進(jìn)行硅片的鍍膜， 例如可采用PECVD (plasma enhanced chemical vapor d印osition，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的沉積工藝對(duì)硅片進(jìn)行氮化硅的真空鍍膜，使在硅片表面形成防反射層。在鍍膜結(jié)束后我們需要測(cè)量硅片表面所鍍的減反射薄膜的折射率及膜厚是否達(dá)到我們工藝設(shè)定的要求，我們一般需要在硅片測(cè)試5個(gè)不同的點(diǎn)來確定薄膜是否合格。這 5個(gè)點(diǎn)分別為硅片中心點(diǎn)、硅片四角距離硅片邊緣Icm處。現(xiàn)用的激光橢偏儀有以下缺點(diǎn)1、通過手動(dòng)在載物臺(tái)上移動(dòng)硅片容易導(dǎo)致碎片；2、手動(dòng)移動(dòng)電池片不能夠準(zhǔn)確使硅片移動(dòng)到準(zhǔn)確位置，導(dǎo)致測(cè)量誤差；3、單晶及多晶切換測(cè)量時(shí)需要更換載物臺(tái)。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠可自動(dòng)定向定點(diǎn)移動(dòng)、適用于單多晶測(cè)量要求的激光橢偏儀。技術(shù)方案本實(shí)用新型所述的激光橢偏儀，包括硅片載物臺(tái)，還包括設(shè)置在所述硅片載物臺(tái)下方的正交導(dǎo)軌，所述正交導(dǎo)軌上設(shè)置有由步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的絲杠，由所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述絲杠轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)所述硅片載物臺(tái)沿所述正交導(dǎo)軌定向移動(dòng)，以方便測(cè)量電池片不同點(diǎn)的減反膜參數(shù)。所述硅片載物臺(tái)與水平臺(tái)面之間設(shè)置有可改變所述硅片載物臺(tái)傾斜角度的活動(dòng)支架，不用更換載物臺(tái)便能適用于單多晶測(cè)量要求的載物臺(tái)。根據(jù)檢測(cè)要求，在測(cè)試單晶硅片減反膜折射率及膜厚時(shí)載物臺(tái)需要傾斜45度，我們可以通過載物臺(tái)活動(dòng)支架調(diào)節(jié)載物臺(tái)角度。所述硅片載物臺(tái)表面設(shè)置有兩個(gè)用于固定硅片位置的突起的定位點(diǎn)，方便硅片的固定。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是1、本實(shí)用新型通過步進(jìn)電機(jī)控制硅片載物臺(tái)的移動(dòng)距離，增加了測(cè)試點(diǎn)選擇的準(zhǔn)確性，減少測(cè)量誤差；2、在測(cè)試單晶和多晶時(shí)不再需要根據(jù)測(cè)試要求更換載物臺(tái)，只需要通過載物臺(tái)支架更改傾斜角度，使用方便；3、本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，經(jīng)濟(jì)實(shí)用，和手動(dòng)移動(dòng)硅片相比減少了碎片的可能性。

圖1為本實(shí)用新型激光橢偏儀的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。實(shí)施例如圖1所示，本實(shí)用新型所述激光橢偏儀，包括硅片載物臺(tái)1，設(shè)置在所述硅片載物臺(tái)ι下方的正交導(dǎo)軌2，所述正交導(dǎo)軌2上設(shè)置有由步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的絲杠3，由所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述絲杠3轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)所述硅片載物臺(tái)1沿所述正交導(dǎo)軌2定向移動(dòng)；所述硅片載物臺(tái)1與水平臺(tái)面之間設(shè)置有可改變所述硅片載物臺(tái)1傾斜角度的活動(dòng)支架4 ；所述硅片載物臺(tái)1表面設(shè)置有兩個(gè)用于固定硅片位置的突起的定位點(diǎn)。工作時(shí)，步進(jìn)電機(jī)控制絲杠，絲杠帶動(dòng)載物臺(tái)沿導(dǎo)軌定向移動(dòng)，步進(jìn)電機(jī)精確控制載物臺(tái)移動(dòng)距離，使我們能夠測(cè)量載物臺(tái)上硅片的不同測(cè)試點(diǎn)。根據(jù)檢測(cè)要求，在測(cè)試單晶硅片減反膜折射率及膜厚時(shí)載物臺(tái)需要傾斜45度，我們可以通過隱藏在載物臺(tái)下面的支架調(diào)節(jié)載物臺(tái)角度，只需將支架拿出撐住載物臺(tái)即可。如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本實(shí)用新型，但其不得解釋為對(duì)本實(shí)用新型自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本實(shí)用新型的精神和范圍前提下，可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
權(quán)利要求1.一種激光橢偏儀，包括硅片載物臺(tái)(1)，其特征在于還包括設(shè)置在所述硅片載物臺(tái) (1)下方的正交導(dǎo)軌O)，所述正交導(dǎo)軌( 上設(shè)置有由步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的絲杠C3)，由所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述絲杠C3)轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)所述硅片載物臺(tái)(1)沿所述正交導(dǎo)軌( 定向移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光橢偏儀，其特征在于所述硅片載物臺(tái)(1)與水平臺(tái)面之間設(shè)置有可改變所述硅片載物臺(tái)(1)傾斜角度的活動(dòng)支架G)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的激光橢偏儀，其特征在于所述硅片載物臺(tái)(1)表面設(shè)置有兩個(gè)用于固定硅片位置的突起的定位點(diǎn)。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種激光橢偏儀，包括硅片載物臺(tái)(1)，還包括設(shè)置在所述硅片載物臺(tái)(1)下方的正交導(dǎo)軌(2)，所述正交導(dǎo)軌(2)上設(shè)置有由步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的絲杠(3)，由所述步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)所述絲杠(3)轉(zhuǎn)動(dòng)帶動(dòng)所述硅片載物臺(tái)(1)沿所述正交導(dǎo)軌(2)定向移動(dòng)。本實(shí)用新型通過步進(jìn)電機(jī)控制硅片載物臺(tái)的移動(dòng)距離，增加了測(cè)試點(diǎn)選擇的準(zhǔn)確性，減少測(cè)量誤差。
文檔編號(hào)G01B11/06GK202119404SQ20112019219
公開日2012年1月18日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者勾憲芳, 姜利凱, 孫晨財(cái), 王鵬, 陳呈, 高榮剛, 魏文文 申請(qǐng)人:中節(jié)能太陽能科技(鎮(zhèn)江)有限公司