專利名稱：檢測裝置、傳感器設(shè)備以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及檢測裝置、傳感器設(shè)備以及電子設(shè)備等。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有技術(shù)中，已知有一種使用熱電元件的紅外線檢測裝置。例如，從人體輻射出波長為10 μ m左右的紅外線，通過對其進(jìn)行檢測從而可以通過非接觸的方式獲得人體存在或溫度的信息。因此，通過使用這樣的紅外線檢測電路從而可以實(shí)現(xiàn)入侵檢測或物理量的測量。作為紅外線檢測裝置的現(xiàn)有技術(shù)，眾所周知有例如在專利文獻(xiàn)I中所公開的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)I的現(xiàn)有技術(shù)中，使用斬波器(Chopper)，邊反復(fù)對熱電元件照射/遮斷紅外線，邊變化熱電元件的溫度以產(chǎn)生熱電流，通過該熱電流對熱電元件本身進(jìn)行充電來檢測電壓信號。但是，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，由于熱電元件所使用的鐵電體的相對介電常數(shù)非常高， 所以必然熱電元件的電容會變大，從而無法獲得較大的電壓信號。其結(jié)果導(dǎo)致出現(xiàn)難以提高檢測裝置的靈敏度的問題。專利文獻(xiàn)I :特開昭59142427號公報

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的幾個實(shí)施方式，可以提供一種可提高檢測靈敏度的檢測裝置、傳感器設(shè)備以及電子設(shè)備等。本發(fā)明的一個實(shí)施方式涉及檢測裝置，其包括串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)和第一電源節(jié)點(diǎn)之間的第一熱電元件至第n(n是大于等于2的整數(shù))熱電元件；以及與所述檢測節(jié)點(diǎn)連接的檢測電路，所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向。根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施方式，通過串聯(lián)將極化方向設(shè)定為相同方向的η個熱電兀件，從而在檢測紅外線時可以獲得是從一個熱電元件獲得的電壓的η倍的電壓信號。其結(jié)果，可以不改變例如熱電元件的材料、膜厚就可以提高檢測裝置的靈敏度，能夠諸如進(jìn)一步提聞檢測精度等。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，還可以包括極化電路，所述極化電路進(jìn)行將所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理。據(jù)此，通過極化電路可以將η個熱電元件的極化方向調(diào)整為相同方向。其結(jié)果，可以在例如工廠出貨時、開始使用之前進(jìn)行極化處理，且可將η個熱電元件的極化方向整理為相同的方向。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，所述極化電路也可以對所述第一熱電元件一端的節(jié)點(diǎn)、即第一連接節(jié)點(diǎn)施加使所述第一熱電元件至所述第η熱電元件向相同方向極化的極化用電壓。據(jù)此，由于向串聯(lián)的η個熱電元件的各熱電元件施加分壓后的極化電壓，所以可以將η個熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，所述極化電路包括設(shè)置在極化用電壓供給節(jié)點(diǎn)和所述第一連接節(jié)點(diǎn)之間的第一開關(guān)元件；以及設(shè)置在所述第一連接節(jié)點(diǎn)和所述檢測節(jié)點(diǎn)之間的第二開關(guān)元件，在檢測期間，所述極化電路將所述第一開關(guān)元件設(shè)定為斷開狀態(tài)， 并將所述第二開關(guān)元件設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，在所述極化處理期間，所述極化電路將所述第一開關(guān)元件設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，并將所述第二開關(guān)元件設(shè)定為斷開狀態(tài)。據(jù)此，在檢測期間，在不對η個熱電元件施加極化電壓的狀態(tài)下，可以向檢測電路輸入來自熱電元件的電壓信號。另一方面，在極化處理期間，在不向檢測電路輸入極化電壓的狀態(tài)下，可以進(jìn)行熱電元件的極化處理。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，還可以包括設(shè)置在所述第一連接節(jié)點(diǎn)和所述第一電源節(jié)點(diǎn)之間且極化方向與所述第一熱電元件至所述第η熱電元件不同的至少一個熱電元件。據(jù)此，在存在干擾、環(huán)境溫度變化的情況下，由于從極化方向不同的熱電元件產(chǎn)生相反方向的熱電流，所以可以降低干擾、環(huán)境溫度的變化。其結(jié)果，可以穩(wěn)定且更高精度地進(jìn)行紅外線檢測等，而不受干擾、環(huán)境溫度的影響。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，所述極化電路包括監(jiān)視是否正常進(jìn)行了所述極化處理的極化監(jiān)視電路。據(jù)此，在未正常進(jìn)行極化處理的情況下，由于可以再次進(jìn)行極化處理，所以可以進(jìn)行可靠性高的紅外線檢測等。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，還可以包括支撐所述第一熱電元件至所述第 η熱電元件的共用支撐部件，所述第一熱電元件至所述第η熱電元件形成在所述共用支撐部件上。據(jù)此，由于在共用支撐部件上設(shè)置了 η個熱電元件，所以可以減小一個傳感器的面積。其結(jié)果，在多個傳感器單元陣列狀配置的傳感器陣列中，可以諸如高密度地配置傳感器單元等。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，還可以包括支撐所述第一熱電元件至所述第 η熱電元件的第一支撐部件至第η支撐部件，所述第一熱電元件至所述第η熱電元件分別形成在對應(yīng)的所述第一支撐部件至所述第η支撐部件上。據(jù)此，可以減小η個支撐部件的各支撐部件的面積，所以可以降低熱電元件的熱容量。其結(jié)果，可以諸如提高紅外線檢測的靈敏度等。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，可以包括所述第一支撐部件至所述第η支撐部件共用的共用空腔區(qū)域，所述共用空腔區(qū)域設(shè)置在所述第一支撐部件至所述第η支撐部件的下方。據(jù)此，可以將η個熱電元件及η個支撐部件與基板熱分離。其結(jié)果，可以提高諸如紅外線檢測的靈敏度等。并且，在本發(fā)明的一個實(shí)施方式中，還可以包括與所述第一支撐部件至所述第η 支撐部件對應(yīng)的第一空腔區(qū)域至第η空腔區(qū)域，所述第一空腔區(qū)域至所述第η空腔區(qū)域分別形成在對應(yīng)的所述第一支撐部件至所述第η支撐部件的下方。據(jù)此，可以將各熱電元件及各支撐部件與基板熱分離。其結(jié)果，可以諸如提高紅外線檢測的靈敏度等。并且，本發(fā)明的另一實(shí)施方式涉及包括上述任一項(xiàng)記載的檢測裝置的傳感器設(shè)備。并且，本發(fā)明的其他實(shí)施方式涉及傳感器設(shè)備，其包括具有多個傳感器單元的傳感器陣列；一條或多條行線；一條或多條列線；與所述一條或多條行線連接的行選擇電路； 以及與所述一條或多條列線連接的讀出電路，所述多個傳感器單元的各傳感器單元包括: 串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)和第一電源節(jié)點(diǎn)之間的第一熱電元件至第n(n是大于等于2的整數(shù)) 熱電元件；與所述檢測節(jié)點(diǎn)連接的檢測電路；以及極化電路，所述極化電路進(jìn)行將所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理。根據(jù)本發(fā)明的其他實(shí)施方式，通過串聯(lián)極化方向相同的η個熱電元件，從而可以獲得是從一個熱電元件獲得的信號的η倍的電壓電平的信號。其結(jié)果，由于可以提高傳感器設(shè)備的檢測靈敏度，所以可以實(shí)現(xiàn)例如高靈敏度的紅外線照相機(jī)等。本發(fā)明的其他實(shí)施方式涉及包括上述任一項(xiàng)記載的傳感器設(shè)備的電子設(shè)備。


圖I是檢測裝置的基本構(gòu)成例。圖2是示出入射紅外線的功率和輸出信號之間的關(guān)系的坐標(biāo)圖。圖3的(A)、⑶是檢測電路的第一、第二構(gòu)成例。圖4是熱電元件的第一構(gòu)成例。圖5的(A)、⑶是熱電元件的第一構(gòu)成例的截面圖。圖6的(A)、⑶是熱電元件的第二、第三構(gòu)成例。圖7是檢測裝置的變形例。圖8的(A)、⑶是傳感器設(shè)備的構(gòu)成例。圖9是傳感器陣列的詳細(xì)構(gòu)成例。圖10是包括傳感器設(shè)備的電子設(shè)備的構(gòu)成例。
具體實(shí)施例方式下面，對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。以下所說明的本實(shí)施方式并不是對權(quán)利要求書所記載的本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行的不當(dāng)限定，并不是全部在本實(shí)施方式中說明的結(jié)構(gòu)作為本發(fā)明的解決手段都是必須的。I.熱電元件在本實(shí)施方式的檢測裝置中，使用熱電元件(熱傳感器元件、紅外線檢測元件、熱式光檢測元件、鐵電體元件)作為檢測紅外線等的元件。熱電元件例如是使用鋯鈦酸鉛 (PZT)等鐵電體的元件，其使用由于熱電元件的溫度變化而產(chǎn)生的熱電流來檢測紅外線。具體而言，通過斬波器等周期性地遮斷向熱電元件照射的紅外線，從而使熱電元件的溫度變化以產(chǎn)生熱電流，通過該熱電流對熱電元件本身進(jìn)行充電來檢測電壓信號。該電壓信號越大，檢測裝置的靈敏度越高，且也能提高檢測精度。下面，對用于增大所檢測的電壓信號的條件進(jìn)行說明。如果將通過熱電流對熱電元件進(jìn)行充電的總電荷量設(shè)為Q，將熱電元件的電容(capacitance)設(shè)為C,則通過下式計算所檢測的電壓信號M。Δ V = Q/C (I)如果將熱電元件的溫度變化設(shè)為AT，將熱電系數(shù)設(shè)為P，將熱電元件的面積設(shè)為 S，則通過下式計算總電荷量Q。Q = pXSXAT (2)并且，如果將鐵電體(熱電體)的相對介電常數(shù)設(shè)為ε，將真空介電常數(shù)設(shè)為 ε 0，將鐵電體的膜厚設(shè)為d，則通過下式計算熱電元件的電容C。C= ε X ε OXS/d (3)根據(jù)式⑴ (3)，電壓信號AV如下所示。AV = pX ATXd/( ε X ε O) (4)根據(jù)式(4)可知，為了增大電壓信號AV，需要增大熱電系數(shù)P、溫度變化AT及鐵電體的膜厚d，并減小鐵電體的相對介電常數(shù)ε。熱電系數(shù)P相當(dāng)于鐵電體的自發(fā)極化相對于溫度變化的變化量，其大小依賴于材料，且只要是低于居里點(diǎn)的溫度則大致是一定的。例如，在是鋯鈦酸鉛(PZT)的情況下，熱電系數(shù)P是50nC/K/cm2這樣優(yōu)選的值。溫度變化Λ T是接收紅外線前后的熱電元件的溫度差。為了增大溫度變化AT，則需要減小包括熱電元件的整個傳感器的熱容量，且抑制傳感器與其周圍之間的熱傳導(dǎo)，以便易于提高熱電元件的溫度。例如，使用以下的構(gòu)造為了減小熱容量，而形成薄膜(IOOnm 左右)的ΡΖΤ，并通過MEMS技術(shù)熱分離包括熱電元件的傳感器。對于鐵電體的膜厚d而言，根據(jù)式(4)可知，為了增大電壓信號AV而優(yōu)選增大膜厚d。但是，如果增大膜厚d，則存在導(dǎo)致增大包括熱電元件的整個傳感器的熱容量的問題。雖然鐵電體的相對介電常數(shù)ε由材料而確定，但例如在PZT的情況下，由于有時是1000左右，所以導(dǎo)致存在電容C增大這樣的問題。這樣，為了增大溫度變化Λ Τ，如果減小熱容量而形成薄的膜厚d，則導(dǎo)致電容C增大。由于電容C增大，結(jié)果電壓信號AV無法增大。相反，如果減小電容C而增厚膜厚d，則熱容量增大，溫度變化AT減小，其結(jié)果電壓信號AV無法增大。對于減小相對介電常數(shù)ε，例如在PZT的情況下，通過材料的組成比的變更、成膜工藝最優(yōu)化等雖然能夠降低相對介電常數(shù)，但難以顯著降低相對介電常數(shù)ε。并且，作為 PZT以外的相對介電常數(shù)低的鐵電體材料，雖然可列舉出聚偏氟乙烯(PVDF)等有機(jī)鐵電體等，但由于材料的可靠性存在問題、熱電系數(shù)與PZT相比低一位數(shù)以上等，而存在無法期待足夠的性能等問題。2.檢測裝置圖I中示出了本實(shí)施方式的檢測裝置的基本構(gòu)成例。本實(shí)施方式的檢測裝置包括第一至第η (η是大于等于2的整數(shù))的熱電元件PYl ΡΥη、檢測電路20、極化電路30。此外，本實(shí)施方式的檢測裝置并不僅限于圖I的構(gòu)成，也可以是將其構(gòu)成要素的一部分省略或置換為其他的構(gòu)成要素、或追加其他構(gòu)成要素等各種變形實(shí)施方式。第一至第η熱電元件PYl PYn串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)ND和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS之間。并且，第一至第η熱電元件PU PYn的極化方向被設(shè)定為相同方向。檢測電路20與檢測節(jié)點(diǎn)ND連接，其檢測基于第一至第η熱電元件PYl PYn的熱電流的電壓信號，輸出檢測信號VDET。將在后面對檢測電路20的具體構(gòu)成進(jìn)行說明。極化電路30進(jìn)行將第一至第η熱電元件PYl PYn的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理。具體地說，極化電路30對第一熱電元件PYl —端的節(jié)點(diǎn)即第一連接節(jié)點(diǎn)NI 施加使第一至第η熱電元件PYl PYn向相同方向極化的極化用電壓VP0L。更為具體地說，極化電路30包括設(shè)置在極化用電壓供給節(jié)點(diǎn)NP和第一連接節(jié)點(diǎn) NI之間的第一開關(guān)元件SW1、以及設(shè)置在第一連接節(jié)點(diǎn)NI和檢測節(jié)點(diǎn)ND之間的第二開關(guān)元件SW2。此外，極化電路30包括對第一、第二開關(guān)元件進(jìn)行控制的開關(guān)控制電路SWCL。在檢測紅外線的期間即檢測期間，極化電路30將第一開關(guān)元件SWl設(shè)定為斷開狀態(tài)，將第二開關(guān)元件SW2設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)。這樣，在檢測期間，基于第一至第η熱電元件 PYl PYn的熱電流的電壓信號通過第二開關(guān)元件SW2被輸入給檢測電路20。并且，在極化處理的期間，極化電路30將第一開關(guān)元件SWl設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，將第二開關(guān)元件SW2設(shè)定為斷開狀態(tài)。這樣，在極化處理期間，使第一至第η熱電元件PYl PYn向相同方向極化的極化用電壓VPOL通過第一開關(guān)元件SWl被施加給第一連接節(jié)點(diǎn)NI。 分壓后的極化電壓(例如VPOL/n電壓)被施加給第一至第η熱電元件PYl PYn的各熱電元件，通過該電壓，各熱電元件的極化方向被設(shè)定為同一方向。此外，在圖I中，通過箭頭示出了各熱電元件的極化方向。雖然在圖I中箭頭標(biāo)記為向下，但在以各熱電元件的檢測節(jié)點(diǎn)ND側(cè)的電極為上部電極并以第一電源節(jié)點(diǎn)VSS側(cè)的電極為下部電極的情況下，該極化方向是在上部電極側(cè)產(chǎn)生負(fù)(_)的極化電荷且在下部電極側(cè)產(chǎn)生正(+)的極化電荷的極化方向。該極化處理也可以在例如工廠出貨時進(jìn)行，或者也可以在用戶開始使用之前進(jìn)行。如圖I所示，在本實(shí)施方式的檢測裝置中，串聯(lián)有η個熱電元件PYl PYn，此時的整體電容Ctot通過下式表示。Ctot = C/n (5)這里，C是一個熱電元件的電容。因此，串聯(lián)了 η個熱電元件時的電壓信號AVtot如下所示。Δ Vtot = nX(pXATXd/(e X ε O))= nX AV (6)如上所述，通過串聯(lián)極化方向相同的η個熱電元件，從而可以獲得從一個熱電元件獲得的電壓信號AV的η倍的電壓信號。此外，在本實(shí)施方式的檢測裝置中，極化電路30也可以包括極化監(jiān)視電路PMT。該極化監(jiān)視電路PMT監(jiān)視是否正常進(jìn)行了極化處理。具體地說，極化監(jiān)視電路PMT在極化監(jiān)視期間，通過開關(guān)控制電路SWCL分別將第一開關(guān)元件SWl設(shè)定為斷開狀態(tài)，將第二開關(guān)元件SW2設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，根據(jù)檢測電路20的檢測結(jié)果監(jiān)視是否正常進(jìn)行了極化處理。也就是說，通過判斷來自檢測電路20的檢測信號VDET是否是規(guī)定的電壓，從而監(jiān)視是否正常進(jìn)行了極化處理。在未正常進(jìn)行極化處理的情況下，可以再次進(jìn)行極化處理。圖2是示出入射紅外線的功率和輸出信號(電壓信號)之間的關(guān)系的坐標(biāo)圖。在圖2中示出了串聯(lián)了十個熱電元件的情況和一個熱電元件的情況。根據(jù)圖2可知，串聯(lián)十個熱電元件時的輸出信號增加為一個時的大致十倍。
這樣，根據(jù)本實(shí)施方式的檢測裝置，通過串聯(lián)極化方向相同的η個熱電元件，從而可以獲得從一個熱電元件獲得的輸出信號的η倍的輸出信號。其結(jié)果，不改變熱電體(鐵電體)材料、膜厚就可以提高檢測裝置的靈敏度，并可提高檢測精度。3.檢測電路圖3(A)、圖3(B)示出了本實(shí)施方式的檢測裝置中使用的檢測電路20的第一及第二構(gòu)成例。本實(shí)施方式的檢測電路20并不僅限于圖3(A)、圖3(B)的構(gòu)成，也可以是其構(gòu)成要素的一部分被省略或置換為其他構(gòu)成要素、或追加其他構(gòu)成要素等各種變形實(shí)施方式。如圖3(A)所示的第一構(gòu)成例包括N型耗盡晶體管TN以及電阻R。N型耗盡晶體管TN和電阻R串聯(lián)在第二電源節(jié)點(diǎn)VCC(高電位側(cè)電源節(jié)點(diǎn))和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS(低電位側(cè)電源節(jié)點(diǎn))之間，且構(gòu)成源輸出電路(source follower circuit)。在N型晶體管TN的柵極(檢測節(jié)點(diǎn)ND)被輸入來自熱電元件的電壓信號AV，N 型晶體管TN的源極與電阻R的一端連接。由這些晶體管TN和電阻R構(gòu)成源輸出電路，其增益大致為I。并且，從與N型晶體管TN的源極相對應(yīng)的輸出節(jié)點(diǎn)NQ輸出隨電壓信號Λ V 變化的檢測信號VDET (輸出電壓)。第一構(gòu)成例的檢測電路具有容易受到制造誤差的影響的缺點(diǎn)。所謂制造誤差是指例如晶體管TN的電流供給能力的誤差、閾值的誤差、形狀的誤差、電阻R的薄層電阻值的誤差、電阻R的形狀的誤差等。此外，一般在IC基板上制造的電阻的特性誤差與晶體管的特性誤差相比變動更大。并且，依賴于制造條件變動的電阻特性變動與晶體管的特性變動不關(guān)聯(lián)。因此，第一構(gòu)成例的檢測電路的輸出電壓VDET的誤差變大。此外，要使由晶體管TN和電阻R構(gòu)成的源輸出電路操作，晶體管TN穩(wěn)定導(dǎo)通是必要的。并且，晶體管TN的柵極電壓是大致0V。因此，為了導(dǎo)通晶體管ΤΝ，需要設(shè)計為晶體管TN的源極電壓、即檢測電路的輸出電路VDET為與晶體管TN的閾值的絕對值相比十分低的電壓。在IC基板上形成傳感器陣列的情況下，接收檢測電路的輸出的放大電路、A/D轉(zhuǎn)換器通過CMOS工藝被設(shè)計成連接于與檢測電路的GND端子(VSS端子)相同電位的GND端子的小型電路。此時，如果這些電路的輸入電壓接近0V( = GND端子電位)，則會發(fā)生電路的能力降低或不工作等問題。如圖3(B)所示的第二構(gòu)成例的檢測電路是能解決上述問題的電路，其包括串聯(lián)在第二電源節(jié)點(diǎn)VCC和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS之間的第一 P型晶體管TPl和第二 P型晶體管 TP2。這些第一 P型晶體管TP1、第二 P型晶體管TP2構(gòu)成源輸出電路。也就是說，針對來自熱電元件的電壓信號的小信號振幅變化，增益大致為I的振幅的電壓被作為檢測信號 VDET (輸出電壓)輸出。第一 P型晶體管TPl (P型MOS晶體管)設(shè)置在檢測電路的輸出節(jié)點(diǎn)NQ和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS(低電位側(cè)電源節(jié)點(diǎn))之間。例如，在圖3中，TPl的源極與輸出節(jié)點(diǎn)NQ連接， 漏極與第一電源節(jié)點(diǎn)VSS連接，來自熱電元件的電壓信號AV被輸入給柵極。第二 P型晶體管TP2 (P型MOS晶體管)設(shè)置在第二電源節(jié)點(diǎn)VCC (高電位側(cè)電源節(jié)點(diǎn))和輸出節(jié)點(diǎn)NQ之間。例如，在圖3(B)中，TP2的源極與第二電源節(jié)點(diǎn)VCC連接，漏極與輸出節(jié)點(diǎn)NQ連接,柵極被設(shè)定為基準(zhǔn)電壓VR = Vcc-Vconsto這里,Vcc表示高電位側(cè)電源VCC的電壓，Vconst是恒壓(固定電壓)。
并且，P型晶體管TPl的基板電位被設(shè)定為TPl的源極電位。例如，在圖3(B)中， TPl的基板電位與輸出節(jié)點(diǎn)NQ連接。并且，P型晶體管TP2的基板電位被設(shè)定為TP2的源極電位。例如，在圖3(B)中，TP2的基板電位與第二電源節(jié)點(diǎn)VCC連接。這樣，P型晶體管TP1、TP2的基板電位被設(shè)定為其源極電位，從而可以防止由于基板偏壓效果引起的TP1、 TP2的閾值電壓的變動，所以可以使TPl和TP2的閾值電壓更接近。此外，也可以實(shí)施將P 型晶體管TP1、TP2的基板電位都設(shè)定為VCC電位的變形。此外，P型晶體管TPl和TP2的柵極長度及柵極寬度至少有一個是相同的。更優(yōu)選TPl和TP2的柵極長度和柵極寬度兩者都相同。這樣，可以使P型晶體管TP1、TP2的閾值電壓等元件特性接近，可以抑制由于制造工藝變動等引起的檢測信號VDET(輸出電壓) 的變動。下面，對第二構(gòu)成例的檢測電路的操作進(jìn)行更為詳細(xì)的說明。如圖3(B)所示，晶體管TP2的柵極被設(shè)定為基準(zhǔn)電壓VR = Vcc-Vconst0因此，晶體管TP2的柵極-源極間電壓是Vconst，TP2在飽和區(qū)域動作，所以幾乎全部由柵極-源極間電壓Vconst和閾值電壓確定的電流Il流入TP2。另一方面，由于晶體管TPl與晶體管TP2串聯(lián)，所以在TPl也流動有相同的電流 II。此外，晶體管TPl的基板電位與晶體管TP2同樣地被設(shè)定為源極電位。因此，可以使晶體管TPl的閾值電壓和晶體管TP2的閾值電壓相等。此外，如果晶體管TPl在飽和區(qū)域動作且晶體管TPl和TP2是相同晶體管尺寸(柵極寬度、柵極長度相同)，則TPl的柵極-源極間電壓變?yōu)榕cTP2的柵極-源極間電壓、即Vconst幾乎相同的電壓。并且，由于晶體管 TPl的柵極與熱電元件連接且在TPl的柵極的檢測節(jié)點(diǎn)ND和VSS之間存在熱電元件的電阻，所以檢測節(jié)點(diǎn)ND穩(wěn)定地被設(shè)定為OV (VSS電平)。因此，晶體管TPl的源極節(jié)點(diǎn)、即檢測電路的輸出節(jié)點(diǎn)NQ的電壓VDET被穩(wěn)定地設(shè)定為與Vconst幾乎相同的電壓。在這種狀態(tài)下，如果向熱電元件照射紅外線且熱電元件的溫度變化，則由于所產(chǎn)生的熱電流，晶體管TPl的柵極(柵極電容)被過度充電，電壓變動△ V。此時，在晶體管TPl 由于流動有來自晶體管TP2的電流II，所以TPl的源極電壓即VDET是VDET = Vconst+Λ V。 也就是說，由晶體管ΤΡ1、ΤΡ2構(gòu)成的電路作為增益=I的源輸出電路而動作。如上所述，在第二構(gòu)成例的檢測電路中，在供給Vcc作為高電位側(cè)電源電壓的情況下，P型晶體管ΤΡ2的柵極被設(shè)定為基準(zhǔn)電壓VR = Vcc-Vconst0并且，P型晶體管TPl 以與Vconst相對應(yīng)的設(shè)定電壓為基準(zhǔn)，將來自熱電兀件的隨電壓信號AV變化的電壓輸出給其源極。例如，如果熱電元件的溫度變化且來自熱電元件的電壓從OV變化AV，則輸出電壓VDET也以與Vconst相對應(yīng)的設(shè)定電壓為基準(zhǔn)變化Λ V,這里，與Vconst相對應(yīng)的設(shè)定電壓可以是Vconst本身，也可以是與Vconst少許不同的電壓。并且，在將P型晶體管TP2 (TPl)的閾值電壓設(shè)定為Vth的情況下，優(yōu)選將電壓 Vconst設(shè)定成Vth ^ Vconst ^ Vcc-Vth。也就是說,將這樣的關(guān)系成立的基準(zhǔn)電壓VR = Vcc-Vconst輸入給P型晶體管TP2的柵極。這樣，可以使晶體管TP1、TP2在飽和區(qū)域動作。 并且，由于作為輸出電壓VDET的設(shè)定電壓的Vconst大于等于閾值電壓Vth，所以可以穩(wěn)定地對后段的放大電路、A/D轉(zhuǎn)換器輸入閾值電壓Vth以上的電壓。因此，可以使后段的放大電路、A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計變?nèi)菀?，且可以使用小型且簡單的電路作為放大電路、A/D轉(zhuǎn)換器。4.熱電元件的結(jié)構(gòu)
圖4示出了本實(shí)施方式的檢測裝置所使用的熱電元件的第一構(gòu)成例。圖4是從上方看串聯(lián)的四個熱電元件PYl PY4的俯視圖。這里，所謂上方是指垂直于基板的方向上形成有熱電元件、晶體管等的一側(cè)(形成有電路的一側(cè))的方向。并且，所謂下方是指與上方相反的方向。圖4的第一構(gòu)成例包括第一至第四(廣義上說是第η)熱電元件PYl ΡΥ4、一個隔膜(廣義上說是支撐部件)ΜΒ、一個空腔區(qū)域(空腔部)CA、元件間配線LAl LA3以及配線LB1、LB2。這樣，下面在本實(shí)施方式中，將支撐熱電元件的部件(支撐部件)稱為隔膜。熱電元件PYl PY4分別包括上部電極EA、鐵電體(熱電體)FE、下部電極EB。鐵電體(熱電體)FE設(shè)置在上部電極EA和下部電極EB之間。熱電元件PYl PY4形成在一個隔膜MB (廣義上說是共用支撐部件)上。隔膜MB (支撐部件)例如是氧化硅膜(SiO2),其用于在空腔區(qū)域CA的上方支撐熱電元件PYl PY4?？涨粎^(qū)域CA是設(shè)置在隔膜MB下方的區(qū)域，其用于將熱電元件PYl PY4與基板 (硅基板)SUB熱分離。元件間配線LAl LA3是用于將第一至第四熱電元件PYl PY4的元件間電連接的配線，其例如由鋁等金屬形成。具體地說，例如，元件間配線LAl與第一熱電元件PYl的下部電極EB和第二熱電元件PY2的上部電極EA電連接。配線LBl、LB2是用于將第一至第四熱電元件PYl PY4與其他電路電連接的配線，其例如由鋁等金屬形成。例如，配線LBl是與第一連接節(jié)點(diǎn)NI (圖I)相對應(yīng)且連接第一熱電元件PYl的上部電極EA和極化電路30的配線。并且，配線LB2是連接第四熱電元件PY4的下部電極EB和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS的配線。圖5(A)、圖5(B)是如圖4所示的熱電元件的第一構(gòu)成例的截面圖。圖5(A)示出了沿圖4的A-A’的截面，圖5 (B)示出了沿圖4的B-B’的截面。如圖5(A)所示，配線LBl的一端與極化電路30的第二開關(guān)元件SW2的一端連接。 并且，第二開關(guān)元件SW2的另一端通過配線LBD與檢測電路20連接。此外，雖然未圖示，但配線LBl的一端也與極化電路30的第一開關(guān)元件SWl的一端連接，第一開關(guān)元件SWl的另一端與極化用電壓供給節(jié)點(diǎn)NP連接。第一開關(guān)元件SW1、第二開關(guān)元件SW2可以由例如形成在硅基板上的MOS晶體管等構(gòu)成。如圖5(B)所示,熱電元件PYl PY4分別包括上部電極EA、鐵電體(熱電體)FE、 下部電極EB，鐵電體(熱電體)FE設(shè)置在上部電極EA和下部電極EB之間。并且，元件間配線LA2與第二熱電元件PY2的下部電極EB和第三熱電元件PY3的上部電極EA電連接。圖6 (A)、圖6 (B)示出了本實(shí)施方式的檢測裝置所使用的熱電元件的第二、第三構(gòu)成例。圖6(A)、圖6(B)是從上方看串聯(lián)的四個熱電元件PYl PY4的俯視圖。圖6(A)所示的第二構(gòu)成例包括用于支撐第一至第四(廣義上說第η)熱電元件 PYl ΡΥ4的第一至第四(廣義上說第η)隔膜(廣義上說支撐部件)ΜΒ1 ΜΒ4及共用的共用空腔區(qū)域CA。第一至第四熱電元件PYl ΡΥ4形成在第一至第四隔膜MBl ΜΒ4上。 并且，在第一至第四隔膜MBl ΜΒ4的下方設(shè)置有共用空腔區(qū)域CA。在圖6(B)所示的第三構(gòu)成例中，包括用于支撐第一至第四(廣義上說第η)熱電元件PYl PY4的第一至第四隔膜(廣義上說支撐部件)MBl MB4，還包括與第一至第四隔膜MBl MB4相對應(yīng)的第一至第四(廣義上說是第η)空腔區(qū)域CAl CA4。第一至第四空腔區(qū)域CAl CA4分別設(shè)置在對應(yīng)的第一至第四隔膜MBl ΜΒ4的下方。也就是說，熱電元件PYl ΡΥ4分別形成在單個隔膜上，在各隔膜的下方分別設(shè)置有單個的空腔區(qū)域。在第二、第三構(gòu)成例中，與第一構(gòu)成例相比較，由于可以減小隔膜的面積，所以可以降低熱容量。其結(jié)果是，可以進(jìn)一步提高檢測裝置的靈敏度，且可以諸如進(jìn)一步提高檢測精度等。另一方面，在第一構(gòu)成例中，由于可以在一個隔膜上設(shè)置多個熱電元件，所以可以減小一個傳感器(傳感器單元)的面積。其結(jié)果，在將多個傳感器單元陣列狀配置的傳感器陣列中，可以高密度地配置傳感器單元。5.檢測裝置的變形例圖7中示出了本實(shí)施方式的檢測裝置的變形例。該變形例包括至少一個設(shè)置在第一連接節(jié)點(diǎn)NI和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS之間且與第一至第η熱電元件PYl PYn的極化方向不同的熱電元件PYR。在圖7中，通過箭頭表示各熱電元件的極化方向。雖然在圖7中第一至第η熱電元件PYl PYn的極化方向以向下的箭頭表示,但在以各熱電元件的檢測節(jié)點(diǎn)ND側(cè)的電極為上部電極且以第一電源節(jié)點(diǎn)VSS側(cè)的電極為下部電極的情況下，該極化方向是在上部電極側(cè)產(chǎn)生負(fù)(_)的極化電荷、在下部電極側(cè)產(chǎn)生正(+)的極化電荷的極化方向。并且，以向上的箭頭表示了熱電元件PYR的極化方向，該極化方向是在上部電極側(cè)產(chǎn)生正(+)的極化電荷、在下部電極側(cè)產(chǎn)生負(fù)(_)的極化電荷的極化方向。極化方向不同的熱電元件PYR用于補(bǔ)償干擾、環(huán)境溫度的變化，并被構(gòu)成為不向熱電元件PYR入射紅外線。通過第一至第η熱電元件PU PYn進(jìn)行紅外線檢測,在存在干擾、環(huán)境溫度變化的情況下，由于從極化方向不同的熱電元件PYR產(chǎn)生相反方向的熱電流， 所以可以降低干擾、環(huán)境溫度的變化。這樣，根據(jù)如圖7所示的本實(shí)施方式的檢測裝置的變形例，通過設(shè)置極化方向不同的熱電元件，從而可以降低干擾、環(huán)境溫度的變化。其結(jié)果是，可以穩(wěn)定且更高精度地檢測紅外線，而不受干擾、環(huán)境溫度的影響。在圖7中，雖然示出了一個極化方向不同的熱電元件PYR，但也可以設(shè)置多個極化方向不同的熱電元件。并且，極化方向不同的熱電元件PYR只要處于第一連接節(jié)點(diǎn)NI和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS之間，則其可以被設(shè)置在任意節(jié)點(diǎn)。例如，可以設(shè)置在第一熱電元件ΡΥ1、第二熱電元件ΡΥ2之間，也可以設(shè)置在第η熱電元件PYn和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS之間。6.傳感器設(shè)備圖8(A)示出了本實(shí)施方式的傳感器設(shè)備的構(gòu)成例。該傳感器設(shè)備包括傳感器陣列100、行選擇電路(行驅(qū)動器)110、讀出電路120。并且，還可以包括A/D轉(zhuǎn)換部130、列掃描電路140、控制電路150。通過使用該傳感器設(shè)備，從而可以實(shí)現(xiàn)用于例如夜視設(shè)備等的紅外線照相機(jī)等。在傳感器陣列100 (焦點(diǎn)面陣列)上排列(配置)有多個傳感器單元。并且，設(shè)置有多個行線(字線、掃描線)和多個列線(數(shù)據(jù)線)。此外，行線及列線中的一個條數(shù)也可以是一條。例如在行線是一條的情況下，在圖8(A)中，沿行線的方向(橫向)排列有多個傳感器單元。另一方面，在列線是一條的情況下，沿列線的方向(縱向)排列有多個傳感器單元。如圖8(B)所示，傳感器陣列100的各傳感器單元配置(形成)在與各行線和各列線的交叉位置對應(yīng)的地方。例如，圖8(B)的傳感器單元配置在與行線WLl和列線DLl的交叉位置對應(yīng)的地方。其他傳感器單元也是同樣的。行選擇電路110與一條或多條行線連接。并且，進(jìn)行各行線的選擇操作。例如，如果以圖8(B)所示的QVGA(320X240像素)的傳感器陣列100(焦點(diǎn)面陣列)為例，則進(jìn)行依次選擇(掃描)行線WLO、WL1、WL2……WL239的操作。也就是說，將選擇這些行線的信號(字選擇信號)輸出給傳感器陣列100。讀出電路120與一條或多條列線連接。并且，進(jìn)行各列線的讀出操作。如果以QVGA 的傳感器陣列100為例，則進(jìn)行讀出來自列線DLO、DLU DL2……DL319的檢測信號(檢測電流、檢測電荷)的操作。A/D轉(zhuǎn)換部130進(jìn)行將在讀出電路120獲得的檢測電壓(測量電壓、到達(dá)電壓)A/ D轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的處理。并且，輸出A/D轉(zhuǎn)換后的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)D0UT。具體地說，在A/D轉(zhuǎn)換部130對應(yīng)多個列線中的各列線而設(shè)置有各A/D轉(zhuǎn)換器。并且，各A/D轉(zhuǎn)換器在對應(yīng)的列線進(jìn)行通過讀出電路120獲取的檢測電壓的A/D轉(zhuǎn)換處理。此外，也可以對應(yīng)多個列線設(shè)置一個A/D轉(zhuǎn)換器，使用該一個A/D轉(zhuǎn)換器，分時地對多個列線的檢測電壓進(jìn)行A/D轉(zhuǎn)換。列掃描電路140進(jìn)行依次選擇(掃描)各列(column)并將各列的A/D轉(zhuǎn)換后的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)作為時序數(shù)據(jù)輸出的操作。此外，也可以不設(shè)置列掃描電路140而并列(平行) 輸出各列的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)?？刂齐娐?50(定時生成電路)生成各種控制信號，并輸出給行選擇電路110、讀出電路120、A/D轉(zhuǎn)換部130、列掃描電路140。例如，生成并輸出充電、放電(復(fù)位)的控制信號。或者，生成并輸出控制各電路的定時的信號。圖9示出了傳感器陣列100的詳細(xì)構(gòu)成例。各傳感器單元包括串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)ND和第一電源節(jié)點(diǎn)VSS之間的第一至第 η (η是大于等于2的整數(shù))熱電元件PYl ΡΥη、與檢測節(jié)點(diǎn)ND連接的檢測電路20、以及進(jìn)行用于將第一至第η熱電元件PYl PYn的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理的極化電路30。第一至第η熱電兀件PU PYn的極化方向被設(shè)定為相同方向。如下所述地從各傳感器單元讀出檢測信號。例如，在選擇行線WLO的情況下，柵極連接于行線WLO的晶體管TW處于導(dǎo)通狀態(tài)。并且，與行線WLO對應(yīng)的一個或多個傳感器單元分別與對應(yīng)的列線DL(DL0 DL319)電連接。此時，行線WLO以外的行線WL(WLl WL239)處于非選擇狀態(tài)。這樣,針對每列(column)讀出與行線WLO對應(yīng)的一個或多個傳感器單元發(fā)出的檢測信號。然后，依次選擇其他行線WL(WL1 WL239)，并與上述同樣地從各傳感器單元讀出檢測信號。根據(jù)本實(shí)施方式的傳感器設(shè)備，通過串聯(lián)極化方向相同的η個熱電元件，從而可以獲得是從一個熱電元件獲得的檢測信號的η倍的電壓電平的檢測信號。其結(jié)果是，不改變熱電體(鐵電體)材料、膜厚就可以提高傳感器設(shè)備的檢測靈敏度，所以可以實(shí)現(xiàn)例如高靈敏度的紅外線照相機(jī)等。7.電子設(shè)備
圖10示出了包括本實(shí)施方式的傳感器設(shè)備的電子設(shè)備的構(gòu)成例。該電子設(shè)備例如是紅外線照相機(jī)，其包括光學(xué)系統(tǒng)200、傳感器設(shè)備210、圖像處理部220、處理部230、存儲部240、操作部250、顯示部260。本實(shí)施方式的電子設(shè)備并不僅限于圖10的構(gòu)成，也可以是省略其構(gòu)成要素的一部分(例如光學(xué)系統(tǒng)、操作部、顯示部等)或追加其他構(gòu)成要素等的各種變形實(shí)施方式。光學(xué)系統(tǒng)200包括例如一個或多個透鏡、驅(qū)動這些透鏡的驅(qū)動部等。并且，向傳感器設(shè)備210進(jìn)行物體圖像的成像等。并且，也根據(jù)需要進(jìn)行焦距調(diào)整等。傳感器設(shè)備210已在圖8(A)等中進(jìn)行了說明，其進(jìn)行物體圖像的攝像處理。圖像處理部220根據(jù)來自傳感器設(shè)備210的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)(圖像數(shù)據(jù))，進(jìn)行圖像校正處理等各種圖像處理。處理部230進(jìn)行整個電子設(shè)備的控制或電子設(shè)備內(nèi)的各組塊的控制。該處理部 230可以通過例如CPU等實(shí)現(xiàn)。存儲部240用于存儲各種信息，其作為例如處理部230和圖像處理部220的工作區(qū)域而發(fā)揮作用。操作部250是用于用戶操作電子設(shè)備的界面，其可以通過例如各種按鈕、⑶I (Graphical User Interface,用戶圖形界面)畫面等實(shí)現(xiàn)。顯示部260用于顯示例如通過傳感器設(shè)備210獲得的圖像、⑶I畫面等，其可以通過液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器等各種顯示器、投影式顯示裝置等實(shí)現(xiàn)。此外,本實(shí)施方式可以適用于使用了 FPA(Focal Plane Array :焦點(diǎn)面陣列)的紅外線照相機(jī)、使用了紅外線照相機(jī)的電子設(shè)備。作為使用了紅外線照相機(jī)的電子設(shè)備，可以設(shè)想有例如拍攝夜間物體圖像的夜視設(shè)備、獲取物體的溫度分布的熱成像儀、檢測人侵入的侵入檢測設(shè)備、分析(測量)物體的物理信息的分析設(shè)備(測量設(shè)備)、檢測火或發(fā)熱的安全設(shè)備、設(shè)置在工廠等中的FA(Factory Automation :工廠自動化)設(shè)備等。如果將夜視設(shè)備適用于車載設(shè)備，則在車輛行駛時可以檢測并顯示夜間的人等的身影。并且，如果適用于熱成像儀，則可以用于流感檢疫等。以上，雖然就本實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但是只要實(shí)質(zhì)上沒有脫離本發(fā)明的發(fā)明點(diǎn)及效果可以有很多的變形，這對本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是顯而易見的。因此，這樣的變形例也全部包括在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。例如，在說明書或附圖中，至少一次與更廣義或同義的不同術(shù)語同時記載的術(shù)語可以在說明書或附圖的任何地方替換成該不同用語。并且，檢測裝置、傳感器設(shè)備以及電子設(shè)備的構(gòu)成、操作也并不僅限于在本實(shí)施方式中所說明的內(nèi)容，可以實(shí)施各種變形。
0140]符號說明0141]20檢測電路30極化電路0142]100傳感器陣列110行選擇電路(行驅(qū)動器)0143]120讀出電路130A/D轉(zhuǎn)換部0144]140列掃描電路150控制電路0145]200光學(xué)系統(tǒng)210傳感器設(shè)備0146]220圖像處理部230處理部(CPU)0147]240存儲部250操作部0148]260顯示部PYl PYn熱電元件0149]PMT極化監(jiān)視電路SffU SW2開關(guān)元件
權(quán)利要求
1.一種檢測裝置，其特征在于，包括串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)和第一電源節(jié)點(diǎn)之間的第一熱電元件至第η熱電元件，其中，η是大于等于2的整數(shù)；以及與所述檢測節(jié)點(diǎn)連接的檢測電路，所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置包括極化電路，所述極化電路進(jìn)行將所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測裝置，其特征在于，所述極化電路對所述第一熱電元件一端的節(jié)點(diǎn)、即第一連接節(jié)點(diǎn)施加使所述第一熱電元件至所述第η熱電元件向相同方向極化的極化用電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測裝置，其特征在于，所述極化電路包括第一開關(guān)元件，設(shè)置在極化用電壓供給節(jié)點(diǎn)和所述第一連接節(jié)點(diǎn)之間；以及第二開關(guān)元件，設(shè)置在所述第一連接節(jié)點(diǎn)和所述檢測節(jié)點(diǎn)之間，在檢測期間，所述極化電路將所述第一開關(guān)元件設(shè)定為斷開狀態(tài)，并將所述第二開關(guān)元件設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，在所述極化處理的期間，所述極化電路將所述第一開關(guān)元件設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，并將所述第二開關(guān)元件設(shè)定為斷開狀態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置還包括至少一個設(shè)置在所述第一連接節(jié)點(diǎn)和所述第一電源節(jié)點(diǎn)之間且極化方向與所述第一熱電元件至所述第η熱電元件不同的熱電元件。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測裝置，其特征在于，所述極化電路包括監(jiān)視是否正常進(jìn)行了所述極化處理的極化監(jiān)視電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置包括支撐所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的共用支撐部件，所述第一熱電元件至所述第η熱電元件形成在所述共用支撐部件上。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置包括支撐所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的第一支撐部件至第η支撐部件，所述第一熱電元件至所述第η熱電元件分別形成在對應(yīng)的所述第一支撐部件至所述第η支撐部件上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置包括所述第一支撐部件至所述第η支撐部件共用的共用空腔區(qū)域，所述共用空腔區(qū)域設(shè)置在所述第一支撐部件至所述第η支撐部件的下方。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置包括與所述第一支撐部件至所述第η支撐部件對應(yīng)的第一空腔區(qū)域至第η空腔區(qū)域， 所述第一空腔區(qū)域至所述第η空腔區(qū)域分別形成在對應(yīng)的所述第一支撐部件至所述第η支撐部件的下方。
11.一種傳感器設(shè)備，其特征在于，包括具有多個傳感器單元的傳感器陣列；一條或多條行線；一條或多條列線；與所述一條或多條行線連接的行選擇電路；以及與所述一條或多條列線連接的讀出電路，所述多個傳感器單元中的各傳感器單元包括串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)和第一電源節(jié)點(diǎn)之間的第一熱電元件至第η熱電元件，其中，η是大于等于2的整數(shù)；與所述檢測節(jié)點(diǎn)連接的檢測電路；以及極化電路，所述極化電路進(jìn)行將所述第一熱電元件至所述第η熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理。
12.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求11所述的傳感器設(shè)備。
13.一種檢測裝置，其特征在于，包括在檢測節(jié)點(diǎn)和電源節(jié)點(diǎn)之間電串聯(lián)連接的多個熱電元件；與所述檢測節(jié)點(diǎn)連接、用于檢測所述多個熱電元件的電流的檢測電路；以及極化電路，所述極化電路進(jìn)行將所述多個熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向的極化處理。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢測裝置，其特征在于，所述極化電路在被提供極化用電壓的極化用電壓供給節(jié)點(diǎn)和所述連接節(jié)點(diǎn)之間具有第一開關(guān)元件，在所述連接節(jié)點(diǎn)和所述檢測節(jié)點(diǎn)之間具有第二開關(guān)元件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的檢測裝置，其特征在于，在檢測期間，所述極化電路將所述第一開關(guān)元件設(shè)定為斷開狀態(tài)，并將所述第二開關(guān)元件設(shè)定為連接狀態(tài)，在所述極化處理的期間，所述極化電路將所述第一開關(guān)元件設(shè)定為導(dǎo)通狀態(tài)，并將所述第二開關(guān)元件設(shè)定為斷開狀態(tài)
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置，其特征在于，在所述連接節(jié)點(diǎn)和所述電源節(jié)點(diǎn)之間，所述檢測裝置還包括極化方向與所述多個熱電元件不同的熱電元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的檢測裝置，其特征在于，所述極化電路包括監(jiān)視是否正常進(jìn)行了所述極化處理的極化監(jiān)視電路。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的檢測裝置，其特征在于，所述極化電路對所述多個熱電元件中一端的熱電元件的一端側(cè)的連接節(jié)點(diǎn)施加使所述多個熱電元件向相同方向極化的極化用電壓。
19.一種傳感器設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求13所述的檢測裝置。
20.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括權(quán)利要求19所述的傳感器設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提供了檢測裝置、傳感器設(shè)備以及電子設(shè)備。該檢測裝置包括串聯(lián)設(shè)置在檢測節(jié)點(diǎn)和第一電源節(jié)點(diǎn)之間的第一熱電元件至第n(n是大于等于2的整數(shù))熱電元件；以及與所述檢測節(jié)點(diǎn)連接的檢測電路，所述第一熱電元件至所述第n熱電元件的極化方向設(shè)定為相同方向。
文檔編號G01J5/14GK102589717SQ20111044003
公開日2012年7月18日 申請日期2011年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者吉崎圭 申請人:精工愛普生株式會社