專利名稱：黑客攻擊檢測裝置、集成電路和檢測黑客攻擊嘗試的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
示例實(shí)施例涉及半導(dǎo)體裝置。更具體地，示例實(shí)施例涉及黑客攻擊檢測裝置、集成電路和檢測黑客攻擊嘗試的方法。
背景技術(shù)：
集成電路(IC)卡(例如，智能卡)能夠執(zhí)行雙向通信、信息保護(hù)等，因而IC卡已被廣泛使用在各種應(yīng)用，例如，在線銀行、自動(dòng)取款機(jī)、付費(fèi)電視、移動(dòng)電話等。包括在IC卡中的集成電路(例如，智能卡芯片、微控制器、微處理器等)可處理需要被保護(hù)的數(shù)據(jù)(例如，加密密鑰、敏感數(shù)據(jù)等)，因而需要對(duì)集成電路進(jìn)行保護(hù)。已經(jīng)嘗試以各種方式進(jìn)行未授權(quán)的訪問(例如，篡改)以從集成電路提取數(shù)據(jù)。例如，入侵攻擊可通過對(duì)芯片包進(jìn)行解包，并通過物理地或化學(xué)地移除鈍化層(passivation layer)或者形成穿過鈍化層的孔，來測量在集成電路中處理的信號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
一些示例實(shí)施例提供了一種能夠精確地檢測黑客攻擊嘗試的黑客攻擊檢測裝置。一些示例實(shí)施例提供了一種包括能夠精確地檢測黑客攻擊嘗試的黑客攻擊檢測裝置的集成電路。一些示例實(shí)施例提供了一種檢測黑客攻擊嘗試的方法。本發(fā)明總體構(gòu)思的另外的方面和優(yōu)點(diǎn)將在以下描述中被部分地闡述，其部分通過描述將是清楚的，或者可通過本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)踐而得知?？赏ㄟ^提供一種黑客攻擊檢測裝置來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/其它方面以及用途，該黑客攻擊檢測裝置可包括包括金屬線電容器、電荷提供單元、電荷存儲(chǔ)單元和黑客攻擊判定單元。金屬線電容器具有第一金屬線和第二金屬線。電荷提供單元周期性地對(duì)金屬線電容器充電。電荷存儲(chǔ)單元儲(chǔ)集周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷，并產(chǎn)生與儲(chǔ)集的電荷的量對(duì)應(yīng)的輸出電壓。黑客攻擊判定單元基于電荷存儲(chǔ)單元的輸出電壓確定金屬線電容器是否暴露。第一金屬線和第二金屬線可形成在集成電路所包括的多個(gè)層中的一個(gè)層。
形成有第一金屬線和第二金屬線的所述一個(gè)層可以是所述多個(gè)層中的最上層。第一金屬線和第二金屬線可以是包括在所述一個(gè)層中的多條金屬線中兩條相鄰的金屬線。電荷提供單元可包括開關(guān)，被構(gòu)造為響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)周期性地將第一內(nèi)部供電電壓結(jié)合到金屬線電容器。開關(guān)可包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓的漏極和結(jié)合到第一金屬線的源極。電荷提供單元還可包括反相器，被構(gòu)造為通過將時(shí)鐘信號(hào)反相來周期性地提升金屬線電容器的電壓。反相器可包括PM0S晶體管，包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓的源極和結(jié)合到第二金屬線的漏極；NMOS晶體管，包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極、 結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的源極和結(jié)合到第二金屬線的漏極。電荷存儲(chǔ)單元可包括儲(chǔ)集電容器，被構(gòu)造為儲(chǔ)集被周期性存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷；轉(zhuǎn)接開關(guān)，被構(gòu)造為響應(yīng)于反相的時(shí)鐘信號(hào)周期性地將金屬線電容器結(jié)合到儲(chǔ)集電容器；復(fù)位開關(guān)，被構(gòu)造為響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)將儲(chǔ)集電容器放電。儲(chǔ)集電容器的一端可通過轉(zhuǎn)接開關(guān)結(jié)合到第一金屬線，儲(chǔ)集電容器的另一端可結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓。儲(chǔ)集電容器可以是晶體管電容器。儲(chǔ)集電容器可包括NM0S晶體管，包括通過轉(zhuǎn)接晶體管結(jié)合到第一金屬線的柵極、結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的漏極和結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的源極。 儲(chǔ)集電容器的電容可大于金屬線電容器的電容。轉(zhuǎn)接開關(guān)可包括PM0S晶體管，包括反相的時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極，該P(yáng)MOS晶體管結(jié)合在金屬線電容器和儲(chǔ)集電容器之間；NMOS晶體管，包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極，該NMOS晶體管與所述PMOS晶體管并聯(lián)地結(jié)合在金屬線電容器和儲(chǔ)集電容器之間。復(fù)位開關(guān)可包括NM0S晶體管，包括復(fù)位信號(hào)所施加到的柵極、結(jié)合到儲(chǔ)集電容器的漏極和結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的源極。黑客攻擊判定單元可包括反相器，被構(gòu)造為通過將輸出電壓反相來產(chǎn)生檢測信號(hào)。如果輸出電壓高于或等于預(yù)定電壓，則反相器可產(chǎn)生指示金屬線電容器沒有暴露的檢測信號(hào)，如果輸出電壓低于所述預(yù)定電壓，則反相器可產(chǎn)生指示金屬線電容器暴露的檢測信號(hào)。黑客攻擊判定單元可包括比較器，通過將輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較來產(chǎn)生檢測信號(hào)。如果輸出電壓高于或等于參考電壓，則比較器可產(chǎn)生指示金屬線電容器沒有暴露的檢測信號(hào)，如果輸出電壓低于所述參考電壓，則比較器可產(chǎn)生指示金屬線電容器暴露的檢測信號(hào)?？墒褂肅MOS工藝來形成電荷提供單元、電荷存儲(chǔ)單元和黑客攻擊判定單元。還可通過提供一種集成電路來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/其它方面和用途， 所述集成電路可包括黑客攻擊檢測裝置和處理器。黑客攻擊檢測裝置周期性地對(duì)具有第一金屬線和第二金屬線的金屬線電容器充電，儲(chǔ)集周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷， 并通過基于儲(chǔ)集的電荷的量確定金屬線電容器是否暴露來產(chǎn)生檢測信號(hào)。處理器響應(yīng)于檢測信號(hào)被復(fù)位。黑客攻擊檢測裝置可形成在集成電路的標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中。第一金屬線和第二金屬線可被排列為與形成在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中的金屬線平行或垂直，第一金屬線和第二金屬線均具有與形成在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中的每條金屬線的寬度基本相同的寬度。集成電路可被實(shí)現(xiàn)為智能卡芯片。還可通過提供一種根據(jù)具有第一金屬線和第二金屬線的金屬線電容器中的電荷檢測黑客攻擊嘗試的方法來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/其它方面和用途。儲(chǔ)集周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷?；趦?chǔ)集的電荷的量確定金屬線電容器是否暴露?？芍芷谛缘靥嵘饘倬€電容器的電壓。還可通過提供一種黑客攻擊檢測裝置來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/其它方面和用途，所述黑客攻擊檢測裝置包括金屬線電容器；電荷提供單元，周期性地對(duì)金屬線電容器充電；檢測單元，連接到金屬線電容器以根據(jù)金屬線電容器的多個(gè)周期性電荷來檢測金屬線電容器的特性。電荷提供單元可交替地對(duì)金屬線電容器充電和放電，從而所述多個(gè)周期性電荷從金屬線電容器被輸出到檢測單元。電荷提供單元可重復(fù)將電勢提供給金屬線電容器和停止提供電勢，當(dāng)電荷提供單元停止將電勢提供給金屬線電容器時(shí)，檢測單元可接收所述多個(gè)周期性電荷。檢測單元可儲(chǔ)集所述多個(gè)周期性電荷以根據(jù)儲(chǔ)集的周期性電荷確定金屬線電容器的特性。檢測單元可接收第一組多個(gè)周期性電荷，周期性地將接收的第一組多個(gè)周期性電荷復(fù)位以接收第二組的多個(gè)周期性電荷。電荷提供單元可周期性地在多個(gè)周期中的每個(gè)周期對(duì)金屬線電容器充電，檢測單元可在所述多個(gè)周期之間檢測金屬線電容器的特性。金屬線電容器可包括第一金屬線、第二金屬線以及布置在第一金屬線和第二金屬線之間的結(jié)構(gòu)。所述多個(gè)周期性電荷可以是根據(jù)相對(duì)于時(shí)間軸的金屬線電容器的結(jié)構(gòu)的改變的變量。金屬線電容器可包括第一金屬線、第二金屬線以及布置在第一金屬線和第二金屬線之間的結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)周期性電荷的組表示與參考模式不同的模式。檢測單元可根據(jù)所述模式和所述參考模式來確定作為黑客攻擊的特性。還可通過提供一種集成電路來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的上述和/其它方面和用途， 所述集成電路包括多個(gè)金屬線電容器；電荷提供單元，周期性地對(duì)所述多個(gè)金屬線電容器之一充電；檢測單元，連接到一個(gè)金屬線電容器以根據(jù)所述一個(gè)金屬線電容器的多個(gè)周期性電荷來檢測該金屬線電容器的特性改變。所述多個(gè)金屬線電容器可具有相同的結(jié)構(gòu)和尺寸，所述特性改變對(duì)應(yīng)于結(jié)構(gòu)和尺寸的改變。電荷提供單元可周期性地對(duì)多于兩個(gè)的金屬線電容器充電，所述多于兩個(gè)的金屬線電容器被布置為相對(duì)于所述多個(gè)金屬線電容器的平面在空間上彼此分離。檢測單元可不從所述多個(gè)金屬線電容器的另一金屬線電容器檢測所述一個(gè)金屬線電容器的特性。


通過以下結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述，本發(fā)明總體構(gòu)思的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚和更容易理解，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置的電路圖。圖2是包括圖1的黑客攻擊檢測裝置的集成電路的透視圖。圖3A和圖IBB是分別示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊嘗試之前和黑客攻擊嘗試之后的金屬線電容器的示圖。圖4是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置的操作的時(shí)序圖。圖5A到圖5C是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置的電荷提供單元中包括的開關(guān)的示例的電路圖。圖6是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置的電荷存儲(chǔ)單元中包括的轉(zhuǎn)接開關(guān)的示例的電路圖。圖7是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置的電荷存儲(chǔ)單元中包括的復(fù)位開關(guān)的示例的電路圖。圖8是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置的電荷存儲(chǔ)單元中包括的儲(chǔ)集電容器 (accumulating capacitor)的示例的電路圖。圖9是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置的黑客攻擊判定單元中包括的反相器的示例的電路圖。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置的電路圖。圖11是示出圖10的黑客攻擊檢測裝置的操作的時(shí)序圖。圖12是示出圖10的黑客攻擊檢測裝置的電荷提供單元中包括的反相器的示例的電路圖。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置的電路圖。圖14是示出圖13的黑客攻擊檢測裝置的操作的時(shí)序圖。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的檢測黑客攻擊嘗試的方法的流程圖。圖16是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的檢測黑客攻擊嘗試的方法的流程圖。圖17是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路的示圖。圖18是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路中的黑客攻擊檢測裝置的位置的示例的示圖。圖19是示出包括根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路的智能卡的分解透視圖。圖20是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的包括黑客攻擊檢測裝置的系統(tǒng)的框圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)參照本發(fā)明總體構(gòu)思的實(shí)施例，本發(fā)明總體構(gòu)思的示例在附圖中示出，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的部件。以下為了在參照附圖的同時(shí)解釋本發(fā)明總體構(gòu)思描述了實(shí)施例。在附圖中，為了清晰起見層和區(qū)域的大小和相對(duì)大小可能被夸大。應(yīng)理解，當(dāng)部件或?qū)颖环Q為“在”另一部件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一部件或?qū)訒r(shí)，該部件或?qū)涌芍苯釉谠摿硪徊考驅(qū)由?、直接連接到或結(jié)合到該另一部件或?qū)樱?或者可存在中間部件或?qū)?。相反，?dāng)部件被稱為“直接在”另一部件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”另一部件或?qū)訒r(shí)，不存在中間部件或?qū)?。相同的?biāo)號(hào)始終表示相同的部件。如在此使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)的任意和所有組合。應(yīng)理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可在此用于描述多個(gè)部件、組件、區(qū)域、層和/ 或區(qū)間，但是這些部件、組件、區(qū)域、層和/或區(qū)間不被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于區(qū)分一個(gè)部件、組件、區(qū)域、層或區(qū)間與另一部件、組件、區(qū)域、層或區(qū)間。因此，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的教導(dǎo)的情況下，以下討論的第一部件、組件、區(qū)域、層或區(qū)間可被稱為第二部件、組件、區(qū)域、層或區(qū)間?？臻g關(guān)系術(shù)語(例如，“在...之下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之上”、“上面
的”等)可在此用于方便說明來描述如附圖所示的一個(gè)部件或特征與另一部件或特征的關(guān)系。應(yīng)理解，空間關(guān)系術(shù)語旨在包含裝置在使用或操作時(shí)除附圖中描繪的朝向之外的不同朝向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為“在其它部件或特征下面”或“在其它部件或特征之下”的部件將隨后朝向?yàn)椤霸谄渌考蛱卣髦稀薄Ｒ虼?，示例性術(shù)語“在...下面”可包含上下兩個(gè)朝向。裝置還可以是其它朝向(旋轉(zhuǎn)90度或其它朝向)以及在此使用的相應(yīng)解釋的空間關(guān)系描述方式。在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述特定示例實(shí)施例，而不在于限制本發(fā)明構(gòu)思。 如在此使用的，單數(shù)形式旨在還包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文另有明確指出。還應(yīng)理解，當(dāng)在此說明書中使用時(shí)，術(shù)語“包括”和/或“包含，，說明提到的特征、整體、步驟、操作、部件和 /或組件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、部件、組件和/或它們的組的存在或添加。在此參照截面圖描述示例實(shí)施例，所述截面圖是理想化的示例實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意性示圖。這樣，將預(yù)料到由于例如制造技術(shù)和/或公差產(chǎn)生的示圖的形狀的變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)被解釋為限于在此示出的區(qū)域的特定形狀，而是包括由于例如制造而產(chǎn)生的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入的區(qū)域在其邊緣將通常具有圓形或曲線特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元改變。同樣地，通過注入形成的隱埋區(qū)可造成隱埋區(qū)與發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域的一些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)是示意性的，它們的形狀不在于示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，并且不在于限制本發(fā)明構(gòu)思的范圍。除非另外限定，在此使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明構(gòu)思所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員的通常理解相同的含義。還應(yīng)理解，例如在常用詞典中定義的術(shù)語應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)被理想化或過于正式地解釋，除非特別地在此定義。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa的電路圖。參照?qǐng)D1，黑客攻擊檢測裝置IOOa包括金屬線電容器110、電荷提供單元120a、電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140a。
金屬線電容器110包括第一金屬線和第二金屬線。第一金屬線可結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn) m，第二金屬線可結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS (例如，接地電壓)。第一金屬線和第二金屬線可以形成在相同的金屬線層中，第一金屬線和第二金屬線可以是相鄰的。以下將參照?qǐng)D2到圖;3B描述第一金屬線和第二金屬線的位置以及由于黑客攻擊嘗試造成的金屬線電容器110的電容改變。電荷提供單元120a可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK周期性地對(duì)金屬線電容器110充電。 電荷提供單元120a可包括結(jié)合在第一內(nèi)部供電電壓VDD與金屬線電容器110的第一金屬線之間的開關(guān)121。開關(guān)121可接收時(shí)鐘信號(hào)CLK作為開關(guān)信號(hào)，并可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK 周期性地將第一內(nèi)部供電電壓VDD結(jié)合到金屬線電容器110的第一金屬線。如果第一內(nèi)部供電電壓VDD結(jié)合到第一金屬線，則金屬線電容器110可存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于第一內(nèi)部供電電壓VDD 和第二內(nèi)部供電電壓VSS之間的電壓差的電荷。電荷存儲(chǔ)單元130a可儲(chǔ)集被周期性存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷，并可在第二節(jié)點(diǎn)N2處輸出與儲(chǔ)集的電荷相應(yīng)的電壓。金屬線電容器110可包括轉(zhuǎn)接開關(guān)131，結(jié)合在第一節(jié)點(diǎn)m和第二節(jié)點(diǎn)N2之間；復(fù)位開關(guān)132，結(jié)合在第二節(jié)點(diǎn)N2和第二內(nèi)部供電電壓VSS之間；儲(chǔ)集電容器133，結(jié)合在第二節(jié)點(diǎn)N2和第二內(nèi)部供電電壓VSS之間。儲(chǔ)集電容器133的一端可結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2，儲(chǔ)集電容器133的另一端可結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS。復(fù)位開關(guān)132可接收復(fù)位信號(hào)RST作為開關(guān)信號(hào)，并可響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)RST將儲(chǔ)集電容器133放電。復(fù)位信號(hào)RST可包括具有預(yù)定周期的脈沖。復(fù)位信號(hào) RST的預(yù)定周期可以與黑客攻擊檢測裝置IOOa的黑客攻擊檢測操作的周期基本相同。轉(zhuǎn)接開關(guān)131可接收反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK作為開關(guān)信號(hào)，并可響應(yīng)于反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK將金屬線電容器110結(jié)合到儲(chǔ)集電容器133。因此，在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平時(shí)，金屬線電容器110可改變。在反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK具有高電平時(shí)，存儲(chǔ)在充電后的金屬線電容器110中的電荷可被轉(zhuǎn)移到儲(chǔ)集電容器133?？芍芷谛缘刂貜?fù)這樣的充電和轉(zhuǎn)移， 從而儲(chǔ)集電容器133可儲(chǔ)集被周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷。黑客攻擊判定單元140a可基于電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓(S卩，第二節(jié)點(diǎn)N2 的電壓)來確定金屬線電容器110是否暴露于未授權(quán)的訪問或破壞黑客攻擊檢測裝置IOOa 或黑客攻擊檢測裝置IOOa的用戶的攻擊。黑客攻擊判定單元140a可包括反相器141，反相器141具有結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2的輸入端和輸出檢測信號(hào)DET的輸出端。反相器141可通過對(duì)電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓(即，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓)反相來產(chǎn)生檢測信號(hào)DET。 如果第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓高于或等于預(yù)定電壓，則反相器141可產(chǎn)生指示金屬線電容器110 沒有暴露的檢測信號(hào)DET，如果第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓低于所述預(yù)定電壓，則反相器141可產(chǎn)生指示金屬線電容器110暴露的檢測信號(hào)DET。例如，所述預(yù)定電壓可以是使反相器141輸出低電平信號(hào)的最小輸入電壓。當(dāng)黑客嘗試黑客攻擊(例如，入侵攻擊)時(shí)，金屬線電容器110的第一金屬線和第二金屬線之間的絕緣材料會(huì)被部分或完全移除，因此金屬線電容器110的電容會(huì)減少。如果金屬線電容器110的電容器減少，則存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷的量會(huì)減少，并且儲(chǔ)集在電荷存儲(chǔ)單元130a中的電荷的量會(huì)減少。如果儲(chǔ)集在電荷存儲(chǔ)單元130a中的電荷的量減少，則第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓會(huì)降低，從而第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓會(huì)低于使反相器141輸出低電平信號(hào)的最小輸入電壓。因此，反相器141可通過輸出高電平的檢測信號(hào)DET來通知處理器(未示出)金屬線電容器110暴露。如上所述，根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa可檢測金屬線電容器110的電容改變而不用將金屬線電容器110的電容與參考電容器的電容進(jìn)行比較。在黑客嘗試通過同時(shí)移除金屬線電容器110和參考電容器(未示出)的部分來躲避黑客攻擊檢測的情況下，傳統(tǒng)的黑客攻擊檢測裝置不容易檢測到黑客攻擊嘗試。然而，即使黑客嘗試進(jìn)行黑客攻擊來同時(shí)移除金屬線電容器110的絕緣材料和參考電容器的絕緣材料，也可在包括根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa的集成電路中檢測到黑客攻擊。此外，根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例，可精確地檢測到對(duì)具有金屬線電容器Iio的黑客攻擊檢測裝置使用聚焦式離子束(FIB)方法的黑客攻擊嘗試。當(dāng)使用FIB的黑客攻擊嘗試已經(jīng)結(jié)束時(shí)，F(xiàn)IB會(huì)移除或切除參考電容器的至少一個(gè)電極，因此參考電容器的電容會(huì)減少。因此，傳統(tǒng)的黑客攻擊檢測裝置不容易檢測到黑客攻擊嘗試。然而，由于黑客攻擊檢測裝置IOOa檢測金屬線電容器110的尺寸或特征改變(例如，電容改變)而不是對(duì)金屬線電容器110與參考電容器進(jìn)行比較，因此在包括根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa的集成電路中可檢測到使用FIB的黑客攻擊嘗試。在根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa中，可使用通常的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CM0Q標(biāo)準(zhǔn)晶格(cell)工藝來形成電荷提供單元120a、電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140a。此外，第一內(nèi)部供電電壓VDD和第二內(nèi)部供電電壓VSS可以是包括黑客攻擊檢測裝置IOOa的集成電路的內(nèi)部供電電壓，并且例如可以是提供給集成電路的標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)的供電電壓。因此，黑客不容易知道黑客攻擊檢測裝置IOOa的位置，并且相對(duì)于傳統(tǒng)黑客攻擊檢測裝置，黑客攻擊檢測裝置IOOa可具有較小的尺寸。此外，雖然金屬線電容器110具有較小的尺寸和較低的電容，但是由于金屬線電容器110被重復(fù)充電，因此根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa 可精確地檢測到黑客的黑客攻擊嘗試。圖2是示出包括圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa的集成電路200的透視圖。參照?qǐng)D1和圖2，集成電路200包括基底210和第一到第三金屬線層220、230和 2400雖然圖2示出了在集成電路200中形成三個(gè)金屬線層220、230和240的示例，但是在集成電路200中可形成一個(gè)或多個(gè)金屬線層。在集成電路200中可形成至少一個(gè)黑客攻擊檢測裝置100a。黑客攻擊檢測裝置 IOOa的電荷提供單元120a、電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140a可形成在基底 210中。此外，包括在金屬線層220、230和MO中的任意兩條金屬線可用作金屬線電容器 110的第一電極和第二電極。用作金屬線電容器110的第一電極和第二電極的兩條金屬線也可包括在相同的金屬線層中。例如，包括在第三金屬線層240中的任意兩條金屬線可用作金屬線電容器110 的第一電極和第二電極。在一些實(shí)施例中，兩條相鄰的金屬線111和112可分別用作第一電極和第二電極。例如，包括兩條相鄰的金屬線111和112的金屬線電容器110可具有大約3fF到大約4fF的電容。用作第一電極和第二電極的金屬線可被包括在金屬線層220、230和240中的最上面的金屬線層對(duì)0。因此，黑客攻擊檢測裝置IOOa可有效地檢測黑客攻擊嘗試。
圖3A和圖:3B是分別示出在嘗試黑客攻擊之前和嘗試黑客攻擊之后的金屬線電容器的示圖。參照?qǐng)D3A，絕緣材料113可形成在金屬線電容器110的第一金屬線111和第二金屬線112之間。例如，絕緣材料113可包括氧化硅和氮化硅等。黑客可使得探測器或微探測器接觸包括在圖2中示出的金屬線層220、230和240 中的一條或多條金屬線，以測量通過金屬線220、230和240傳輸?shù)男盘?hào)。當(dāng)探測器或微探測器與金屬線接觸時(shí)，金屬線之間的絕緣材料113會(huì)被部分地或完全移除，或者可形成穿過絕緣材料113的孔。有可能絕緣材料113或金屬線電容器110的結(jié)構(gòu)會(huì)變形或改變。例如，如圖:3B所示，第一金屬線111和第二金屬線112之間的絕緣材料113會(huì)被部分地移除以形成接觸?？墒褂玫仁健癈= ε S/d”來計(jì)算金屬線電容器110的電容，其中， C表示金屬線電容器110的電容，ε表示絕緣材料113的介電常數(shù)，S表示第一金屬線111 和第二金屬線112彼此重疊的區(qū)域的大小，d表示第一金屬線111和第二金屬線112之間的間隔。如果絕緣材料113被移除，則第一金屬線111和第二金屬線112之間的空間或材料的平均介電常數(shù)會(huì)減小，因此金屬線電容器110的電容會(huì)減小。根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa可通過檢測由于黑客攻擊嘗試而引起的金屬線電容器110的電容的減少，來確定金屬線電容器110 是否暴露于其外部。因此，可通過檢測黑客的黑客攻擊嘗試來保護(hù)集成電路200免受黑客攻擊。由于集成電路200的金屬線電容器110可能損壞、變形，或者特性、電容、尺寸(形狀、面積或高度)等可能改變，因此具有黑客攻擊檢測裝置IOOa或集成電路200的裝置可檢測如上所述的黑客攻擊嘗試和其上的損壞。圖4是示出圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa的操作的時(shí)序圖。參照?qǐng)D1和圖4，時(shí)鐘信號(hào)CLK可周期性地從高電平轉(zhuǎn)換到低電平，或從低電平轉(zhuǎn)換到高電平。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平時(shí)，電荷提供單元120a的開關(guān)121可被接通，第一內(nèi)部供電電壓VDD可結(jié)合到金屬線電容器110的第一金屬線。因此，金屬線電容器110 可存儲(chǔ)與第一內(nèi)部供電電壓VDD和第二內(nèi)部供電電壓VSS之間的電壓差對(duì)應(yīng)的電荷。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有低電平時(shí)，電荷提供單元120a的開關(guān)121可被斷開，電荷存儲(chǔ)單元130a的轉(zhuǎn)接開關(guān)131可被接通。如果轉(zhuǎn)接開關(guān)131被接通，則金屬線電容器110可結(jié)合到電荷存儲(chǔ)單元130a的儲(chǔ)集電容器133。因此，存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷可從具有相對(duì)高電壓V_N1的金屬線電容器110轉(zhuǎn)移到具有相對(duì)低電壓V_N2的儲(chǔ)集電容器 110?？身憫?yīng)于周期時(shí)鐘信號(hào)CLK重復(fù)這樣的充電和轉(zhuǎn)移。電荷存儲(chǔ)單元130a的復(fù)位開關(guān)132可響應(yīng)于具有預(yù)定周期的復(fù)位信號(hào)RST將儲(chǔ)集電容器133放電。復(fù)位信號(hào)RST的預(yù)定周期可與黑客攻擊檢測裝置IOOa的黑客攻擊檢測操作的周期對(duì)應(yīng)。在不存在黑客的黑客攻擊嘗試的情況下，在儲(chǔ)集電容器133中可儲(chǔ)集預(yù)定量的電荷，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓V_N2可具有高于預(yù)定電壓VREF (例如，使反相器141輸出低電平信號(hào)的最低輸入電壓)的電壓電平的電壓電平300。因此，黑客攻擊判定單元140a的反相器 141可輸出低電平320的檢測信號(hào)DET，其指示金屬線電容器110沒有暴露。在存在黑客的黑客攻擊嘗試的情況下，金屬線電容器110的電容會(huì)減小。因此，在時(shí)鐘信號(hào)CLK的每個(gè)周期中存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷的量會(huì)減少，因此儲(chǔ)集在儲(chǔ)集電容器133中的電荷的量會(huì)減少。第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓V_N2可具有低于預(yù)定電壓VREF的電壓電平的電壓電平310。因此，黑客攻擊判定單元140a的反相器141可輸出高電平330 的檢測信號(hào)DET，其指示金屬線電容器暴露。如上所述，根據(jù)示例實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOa可通過檢測金屬線電容器 110的電容改變來檢測黑客的黑客攻擊嘗試。雖然圖4示出了時(shí)鐘信號(hào)CLK的每五個(gè)周期執(zhí)行黑客攻擊檢測操作，但是黑客攻擊檢測操作的周期可與各種數(shù)量的時(shí)鐘周期對(duì)應(yīng)。圖5A到圖5C是示出包括在圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa的電荷提供單元120a 中的開關(guān)121的電路圖。參照?qǐng)D1和圖5A，電荷提供單元120a的開關(guān)121可包括匪OS晶體管121a。匪OS 晶體管121a可包括時(shí)鐘信號(hào)CLK所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓VDD的漏極和結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)m的源極。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平時(shí)，NMOS晶體管121a可將第一內(nèi)部供電電壓VDD結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)附。參照?qǐng)D1和圖5B，電荷提供單元120a的開關(guān)121可包括PMOS晶體管121b。PMOS 晶體管121b可包括反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓VDD 的源極和結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)W的漏極。在反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK具有低電平時(shí)，PMOS晶體管 121b可將第一內(nèi)部供電電壓VDD結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)附。參照?qǐng)D1和圖5C，電荷提供單元120a的開關(guān)121可包括NMOS晶體管121a和PMOS 晶體管121b。NMOS晶體管121a可包括時(shí)鐘信號(hào)CLK所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓VDD的漏極和結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)m的源極。PMOS晶體管121b可包括反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓VDD的源極和結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)m的漏極。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平且反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK具有低電平時(shí)，NMOS晶體管121a 和PMOS晶體管121b可將第一內(nèi)部供電電壓VDD結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)附。如圖5A到圖5C所示，可使用通常的CMOS工藝由NMOS晶體管121a和/或PMOS 晶體管121b來實(shí)現(xiàn)電荷提供單元120a的開關(guān)121。圖6是示出包括在圖1的電荷存儲(chǔ)單元130a中的轉(zhuǎn)接開關(guān)131的電路圖。參照?qǐng)D1和圖6，電荷存儲(chǔ)單元130a的轉(zhuǎn)接開關(guān)131可包括NMOS晶體管131a和 PMOS晶體管131b。NMOS晶體管131a可包括反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK所施加到的柵極、分別結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)m和第二節(jié)點(diǎn)N2的漏極和源極。PMOS晶體管131b可包括時(shí)鐘信號(hào)CLK所施加到的柵極、分別結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)W和第二節(jié)點(diǎn)N2的源極和漏極。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有低電平且反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK具有高電平時(shí)，NMOS晶體管131a和PMOS晶體管131b可將第一節(jié)點(diǎn)W結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2。雖然圖6示出了轉(zhuǎn)接晶體管131包括NMOS晶體管131a和PMOS晶體管131b的示例，但是轉(zhuǎn)接晶體管131也可以包括NMOS晶體管131a和PMOS晶體管131b之一。在這種情況下，NMOS晶體管131a和PMOS晶體管131b之一的柵極根據(jù)開關(guān)121連接到反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK或時(shí)鐘信號(hào)CLK，漏極和源極可分別連接到節(jié)點(diǎn)m和節(jié)點(diǎn)N2，從而將金屬線電容器110的電荷轉(zhuǎn)移到儲(chǔ)集電容器133。如圖6所示，可使用通常的CMOS工藝由NMOS晶體管13Ia和/或PMOS晶體管13Ib來實(shí)現(xiàn)電荷存儲(chǔ)單元130a的電荷存儲(chǔ)單元130a的轉(zhuǎn)接開關(guān)131。圖7是示出包括在圖1的電荷存儲(chǔ)單元130a中的復(fù)位開關(guān)132的示例的電路圖。參照?qǐng)D1和圖7，電荷存儲(chǔ)單元130a的復(fù)位開關(guān)132可包括NMOS晶體管132a。 NMOS晶體管13 可包括復(fù)位信號(hào)RST所施加到的柵極、結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2的漏極和結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS的源極。在復(fù)位信號(hào)RST具有高電平時(shí)，NMOS晶體管13 可將第二內(nèi)部供電電壓VSS結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2。雖然圖7示出了復(fù)位晶體管132包括NMOS晶體管13 的示例，但是復(fù)位晶體管 132也可以包括代替NMOS晶體管13 或與NMOS晶體管13 —起使用的PMOS晶體管。如圖7所示，可根據(jù)轉(zhuǎn)接開關(guān)131使用通常的CMOS工藝由NMOS晶體管13 和/ 或PMOS晶體管來實(shí)現(xiàn)電荷存儲(chǔ)單元130a的復(fù)位開關(guān)132。圖8是示出包括在圖1的電荷存儲(chǔ)單元130a中的儲(chǔ)集電容器133的示例的電路圖。參照?qǐng)D1和圖8，電荷存儲(chǔ)單元130a的儲(chǔ)集電容器133可包括晶體管電容器。晶體管電容器可以是NMOS晶體管133a，NMOS晶體管133a包括結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2的柵極、結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS的漏極和結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS的源極。由NMOS晶體管133a實(shí)現(xiàn)的晶體管電容器可具有比圖1中示出的金屬線電容器110的電容更大的電容。 例如，由NMOS晶體管133a實(shí)現(xiàn)的晶體管電容器可具有大約30fF的電容。雖然圖8示出了儲(chǔ)集電容器133包括NMOS晶體管133a的示例，但是儲(chǔ)集電容器 133也可以包括代替NMOS晶體管133a或與NMOS晶體管133a —起使用的PMOS晶體管。如圖8所示，可使用通常的CMOS工藝由NMOS晶體管133a和/或PMOS晶體管來實(shí)現(xiàn)電荷存儲(chǔ)單元130a的儲(chǔ)集電容器133。圖9是示出包括在圖1的黑客攻擊判定單元140a的反相器141的示例的電路圖。參照?qǐng)D1和圖9，黑客攻擊判定單元140a的反相器141可包括PMOS晶體管141a 和NMOS晶體管141b。PMOS晶體管141a可包括結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓VDD的源極和結(jié)合到輸出檢測信號(hào)DET的輸出端的漏極。NMOS晶體管141b可包括結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)N2的柵極、結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS的源極和結(jié)合到輸出檢測信號(hào)DET的輸出端的漏極。雖然圖9示出了反相器141包括PMOS晶體管141a和NMOS晶體管141b的示例，但是根據(jù)轉(zhuǎn)接開關(guān)131和/或復(fù)位開關(guān)132，反相器141也可包括PMOS晶體管141a和NMOS 晶體管141b之一。如圖9所示，可使用通常的CMOS工藝由PMOS晶體管141a和/或NMOS晶體管141b 來實(shí)現(xiàn)黑客攻擊判定單元140a的反相器141。如上所述，可使用通常的CMOS標(biāo)準(zhǔn)晶格工藝來形成圖1中示出的電荷提供單元 120a、電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140a，并且電荷提供單元120a、電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140a可布置在標(biāo)準(zhǔn)的晶格區(qū)域中。因此，與傳統(tǒng)的裝置相比， 黑客不容易知道圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa的位置，并且黑客攻擊檢測裝置IOOa可具有較小的尺寸。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOb的電路圖。
參照?qǐng)D10，黑客攻擊檢測裝置IOOb可包括金屬線電容器110、電荷提供單元120b、 電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140a。除了電荷提供單元120b的構(gòu)造之外，圖10 的黑客攻擊檢測裝置IOOb可具有與圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa的構(gòu)造基本相似的構(gòu)造。金屬線電容器110包括第一金屬線和第二金屬線。第一金屬線可結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)附，第二金屬線可結(jié)合到包括在電荷提供單元120b中的反相器122的輸出端。電荷提供單元120b可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK周期性地對(duì)金屬線電容器110充電，并可通過將時(shí)鐘信號(hào)CLK反相來周期性地提升金屬線電容器110的電壓。電荷提供單元120b 可包括開關(guān)121和反相器122。開關(guān)121可接收時(shí)鐘信號(hào)CLK作為開關(guān)信號(hào)，并可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK周期性地將第一內(nèi)部供電電壓VDD結(jié)合到金屬線電容器110的第一金屬線。反相器122可通過將時(shí)鐘信號(hào)CLK反相來周期性地提升金屬線電容器110的電壓。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平時(shí)，開關(guān)121可被接通，反相器122可輸出低電平的輸出電壓。因此，第一內(nèi)部供電電壓VDD可結(jié)合到金屬線電容器110的第一金屬線，金屬線電容器110可存儲(chǔ)與第一內(nèi)部供電電壓VDD和低電平的輸出電壓(例如，第二內(nèi)部供電電壓 VSS或接地電壓)之間的電壓差對(duì)應(yīng)的電荷。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLK具有低電平時(shí)，開關(guān)121可被斷開，反相器122可輸出高電平的輸出電壓。因此，第二金屬線的電壓可增至高電平的輸出電壓(例如，第一內(nèi)部供電電壓 VDD)，第一金屬線的電壓可增至高電平的輸出電壓與“第一內(nèi)部供電電壓VDD和低電平的輸出電壓之間的電壓差”之和。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLK具有低電平時(shí)，或者當(dāng)反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK具有高電平時(shí)，轉(zhuǎn)接晶體管131可被接通，金屬線電容器110可結(jié)合到儲(chǔ)集電容器133。由于金屬線電容器110 的第一金屬線的電壓被反相器122提升，因此，金屬線電容器110的第一金屬線的電壓與儲(chǔ)集電容器133的一端的電壓之間的電壓差會(huì)增加，因此可迅速并有效地執(zhí)行從金屬線電容器110到儲(chǔ)集電容器133的電荷轉(zhuǎn)移。因此，可迅速并精確地執(zhí)行黑客攻擊檢測裝置IOOb 的黑客攻擊檢測操作。圖11是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的包括存儲(chǔ)器系統(tǒng)的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。參照?qǐng)D10和圖11，時(shí)鐘信號(hào)CLK可周期性地從高電平轉(zhuǎn)換到低電平，或從低電平轉(zhuǎn)換到高電平。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平時(shí)，電荷提供單元120b的開關(guān)121可被接通， 反相器122可輸出低電平的輸出電壓。因此，第一內(nèi)部供電電壓VDD可結(jié)合到金屬線電容器110的第一金屬線，金屬線電容器110可存儲(chǔ)與第一內(nèi)部供電電壓VDD和低電平的輸出電壓(例如，第二內(nèi)部供電電壓VSS或接地電壓)之間的電壓差對(duì)應(yīng)的電荷。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLK具有低電平時(shí)，電荷提供單元120b的開關(guān)121可被斷開，反相器 122可輸出高電平的輸出電壓，電荷存儲(chǔ)單元130a的轉(zhuǎn)接開關(guān)131可被接通。因此，金屬線電容器110的電壓(即，第一節(jié)點(diǎn)m的電壓V_N1)可被提升，從而存儲(chǔ)在金屬線電容器 110中的電荷可被有效地轉(zhuǎn)移到儲(chǔ)集電容器133?？身憫?yīng)于周期性的時(shí)鐘信號(hào)CLK重復(fù)這樣的充電和轉(zhuǎn)移。電荷存儲(chǔ)單元130a的復(fù)位開關(guān)132可響應(yīng)于具有預(yù)定周期的復(fù)位信號(hào)RST將儲(chǔ)集電容器133放電。
在不存在黑客的黑客攻擊嘗試的情況下，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓V_N2可具有高于預(yù)定電壓VREF(例如，使反相器141輸出低電平的信號(hào)的最低輸入電壓)的電壓電平的電壓電平340。因此，黑客攻擊判定單元140a的反相器141可輸出低電平360的檢測信號(hào)DET， 其指示金屬線電容器110沒有暴露。在存在黑客的黑客攻擊嘗試的情況下，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓V_N2可具有低于預(yù)定電壓VREF的電壓電平的電壓電平350。因此，黑客攻擊判定單元140a的反相器141可輸出高電平370的檢測信號(hào)DET，其指示金屬線電容器110暴露。如上所述，根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOb可通過檢測金屬線電容器110的電容改變來檢測黑客的黑客攻擊嘗試。圖12是示出包括在圖10的電荷提供單元120b中的反相器122的示例的電路圖。參照?qǐng)D10和圖12，電荷提供單元120b的反相器122可包括PMOS晶體管12 和 NMOS晶體管122b。PMOS晶體管12 可包括時(shí)鐘信號(hào)CLK所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓VDD的源極和結(jié)合到金屬線電容器110的第二金屬線的漏極。NMOS晶體管122b 可包括時(shí)鐘信號(hào)CLK所施加到的柵極、結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓VSS的源極和結(jié)合到金屬線電容器110的第二金屬線的漏極。雖然圖12示出了反相器122包括PMOS晶體管12 和NMOS晶體管122b的示例， 但是根據(jù)開關(guān)121，反相器122也可以包括PMOS晶體管12 和NMOS晶體管12 之一。如圖12所示，可使用通常的CMOS工藝由PMOS晶體管12 和/或NMOS晶體管 122b來實(shí)現(xiàn)電荷提供單元120b的反相器122。圖13是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOc的電路圖。參照?qǐng)D13，黑客攻擊檢測裝置IOOc可包括金屬線電容器110、電荷提供單元120a、 電荷存儲(chǔ)單元130a和黑客攻擊判定單元140b。除了黑客攻擊判定單元140b之外，圖13的黑客攻擊檢測裝置IOOc可具有與圖1的黑客攻擊檢測裝置IOOa的構(gòu)造基本相似的構(gòu)造。 圖13的黑客攻擊檢測裝置IOOc也可包括圖10中示出的電荷提供單元120b來代替電荷提供單元120a。電荷提供單元120a可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK周期性地對(duì)金屬線電容器110充電。電荷存儲(chǔ)單元130a可儲(chǔ)集周期性存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷，并可在第二節(jié)點(diǎn)N2輸出與儲(chǔ)集的電荷的量相應(yīng)的電壓。黑客攻擊判定單元140b可基于電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓或者第二節(jié)點(diǎn)N2 的電壓來確定金屬線電容器110是否暴露。黑客攻擊判定單元140b可包括比較器142。比較器142可包括第一輸入端，用于接收電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓；第二輸入端，用于接收參考電壓VREF ；輸出端，用于輸出檢測信號(hào)DET。如果電荷存儲(chǔ)單元130a 的輸出電壓高于或等于參考電壓VREF，則比較器142可產(chǎn)生指示金屬線電容器110沒有暴露的檢測信號(hào)DET，如果電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓低于參考電壓VREF，則比較器142 可產(chǎn)生指示金屬線電容器110暴露的檢測信號(hào)DET。圖14是示出圖13的黑客攻擊檢測裝置IOOc的操作的時(shí)序圖。參照?qǐng)D13和圖14，時(shí)鐘信號(hào)CLK可周期性地從高電平轉(zhuǎn)換到低電平，或從低電平轉(zhuǎn)換到高電平。在時(shí)鐘信號(hào)CLK具有高電平時(shí)，電荷提供單元120a的開關(guān)121可被接通。因此，第一內(nèi)部供電電壓VDD可結(jié)合到金屬線電容器110的第一金屬線，金屬線電容器110 可存儲(chǔ)與第一內(nèi)部供電電壓VDD和第二內(nèi)部供電電壓VSS之間的電壓差對(duì)應(yīng)的電荷。當(dāng)時(shí)鐘信號(hào)CLK具有低電平時(shí)，電荷提供單元120a的開關(guān)121可被斷開，電荷存儲(chǔ)單元130a的轉(zhuǎn)接開關(guān)131可被接通。因此，存儲(chǔ)在金屬線電容器110中的電荷可被轉(zhuǎn)移到儲(chǔ)集電容器133。可響應(yīng)于周期性時(shí)鐘信號(hào)CLK重復(fù)這樣的充電和轉(zhuǎn)移。電荷存儲(chǔ)單元130a的復(fù)位開關(guān)132可響應(yīng)于具有預(yù)定周期的復(fù)位信號(hào)RST將儲(chǔ)集電容器133放電。在不存在黑客的黑客攻擊嘗試的情況下，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓V_N2可具有高于參考電壓VREF的電壓電平的電壓電平300。因此，黑客攻擊判定單元140b的比較器142可輸出高電平380的檢測信號(hào)DET，其指示金屬線電容器110沒有暴露。在存在黑客的黑客攻擊嘗試的情況下，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓V_N2可具有低于參考電壓VREF的電壓電平的電壓電平310。因此，黑客攻擊判定單元140b的比較器142可輸出低電平390的檢測信號(hào)DET，其指示金屬線電容器110暴露。如上所述，根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置IOOc可通過檢測金屬線電容器110的電容改變來檢測黑客的黑客攻擊嘗試。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的檢測黑客攻擊嘗試的方法的流程圖。參照?qǐng)D1、圖13和圖15，在操作S410，電荷提供單元120a可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK 對(duì)金屬線電容器110充電。在操作S430，電荷存儲(chǔ)單元130a可響應(yīng)于反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK，通過將金屬線電容器110結(jié)合到儲(chǔ)集電容器133來將金屬線電容器110的電荷儲(chǔ)集在儲(chǔ)集電容器133中。在操作450，電荷存儲(chǔ)單元130a可輸出與儲(chǔ)集電容器133中儲(chǔ)集的電荷的量對(duì)應(yīng)的電壓，反相器141或比較器142可基于電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓確定金屬線電容器 110是否暴露。因此，根據(jù)示例實(shí)施例的檢測黑客攻擊嘗試的方法可通過檢測金屬線電容器110 的電容改變來檢測黑客的黑客攻擊嘗試。圖16是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的檢測黑客攻擊嘗試的方法的流程圖。參照?qǐng)D10和圖16，在操作S410，電荷提供單元120b可響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)CLK對(duì)金屬線電容器110充電。在操作S420，電荷提供單元120b可通過將時(shí)鐘信號(hào)CLK反相來提升金屬線電容器 110的電壓。在操作S430，電荷存儲(chǔ)單元130a可響應(yīng)于反相的時(shí)鐘信號(hào)/CLK，通過將金屬線電容器110結(jié)合到儲(chǔ)集電容器133來將金屬線電容器110的電荷儲(chǔ)集在儲(chǔ)集電容器133中。在操作S450，電荷存儲(chǔ)單元130a可輸出與儲(chǔ)集電容器133中儲(chǔ)集的電荷的量對(duì)應(yīng)的電壓，反相器141或比較器142可基于電荷存儲(chǔ)單元130a的輸出電壓確定金屬線電容器 110是否暴露。因此，根據(jù)示例實(shí)施例的檢測黑客攻擊嘗試的方法可通過檢測金屬線電容器110 的電容改變來檢測黑客的黑客攻擊嘗試。
圖17是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路的示圖。參照?qǐng)D17，至少一個(gè)黑客攻擊檢測裝置100可形成在集成電路200中。例如，集成電路200可被實(shí)施為智能卡芯片、微控制器、微處理器、專用集成電路(ASIC)等。黑客攻擊檢測裝置100可以是圖1的黑客攻擊檢測裝置100a、圖10的黑客攻擊檢測裝置IOOb或圖 13的黑客攻擊檢測裝置100c。雖然圖17示出了五個(gè)黑客攻擊檢測裝置100形成于集成電路200中的示例，但是，本發(fā)明總體構(gòu)思不限于此。集成電路200可包括一個(gè)或多個(gè)黑客攻擊檢測裝置100。集成電路200可處理需要被保護(hù)的安全數(shù)據(jù)(例如加密密鑰、敏感數(shù)據(jù)、敏感代碼等)，黑客可通過測量在集成電路200中傳輸?shù)男盘?hào)來嘗試提取、修改或刪除安全數(shù)據(jù)的黑客攻擊。形成在集成電路200中的黑客攻擊檢測裝置100可通過檢測黑客的黑客攻擊嘗試來產(chǎn)生檢測信號(hào)DET。形成在集成電路200中的處理器(未示出)或控制邏輯(未示出) 可響應(yīng)于檢測信號(hào)DET被復(fù)位。例如，如果檢測到黑客攻擊嘗試，則處理器或控制邏輯可停止處理安全數(shù)據(jù)，或者可刪除存儲(chǔ)在集成電路200的存儲(chǔ)器(未示出)中的安全數(shù)據(jù)。因此，可保護(hù)集成電路200免受黑客的黑客攻擊嘗試。圖18是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路200中的黑客攻擊檢測裝置的位置的示例的示圖。圖18示出黑客攻擊檢測裝置被布置在集成電路的標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中的示例。參照?qǐng)D18，集成電路200可包括標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域250。多行的標(biāo)準(zhǔn)晶格可形成在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域250中。例如，使用通常的CMOS標(biāo)準(zhǔn)晶格工藝，一行的標(biāo)準(zhǔn)晶格251可形成為 NOR門252、觸發(fā)器253、NAND門2M等。還可使用通常的CMOS標(biāo)準(zhǔn)晶格工藝來形成黑客攻擊檢測裝置100，黑客攻擊檢測裝置100可被布置在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域250中。因此，黑客不容易知道黑客攻擊檢測裝置100的位置。此外，包括在黑客攻擊檢測裝置100中的金屬線電容器的第一金屬線和第二金屬線不會(huì)與形成在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域250中的用于傳輸信號(hào)的金屬線有區(qū)別。例如，黑客攻擊檢測裝置100上的多個(gè)金屬線層230_1和對(duì)0_1可具有與觸發(fā)器253上的多個(gè)金屬線層230_2 和M0_2基本相同的結(jié)構(gòu)。因此，即使集成電路處于暴露與黑客攻擊檢測相關(guān)的任意行的標(biāo)準(zhǔn)晶格的打開狀態(tài)或封閉狀態(tài)，黑客也不容易從集成電路定位金屬線電容器或黑客攻擊檢測裝置。例如，黑客攻擊檢測裝置100上的金屬線層240_1中所包括的金屬線111、112和 113中的第一金屬線111和第二金屬線可用作金屬線電容器的第一電極和第二電極。在這種情況下，第一金屬線111和第二金屬線112可被排列為與包括在觸發(fā)器253上的金屬線層M0_2中的金屬線基本平行，并可被排列為與包括在觸發(fā)器253上的另一金屬線層
中的金屬線基本垂直。此外，第一金屬線111和第二金屬線112均可具有與包括在觸發(fā)器 253上的金屬線層230_2和M0_2中的每條金屬線的寬度基本相同的寬度。如上所述，用作包括在黑客攻擊檢測裝置100中的金屬線電容器的第一電極和第二電極的金屬線111和112可以與標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域250中的用于傳輸信號(hào)的金屬線沒有區(qū)別，因此黑客不能發(fā)現(xiàn)黑客攻擊檢測裝置100的位置。圖19是示出包括根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的集成電路的智能卡的分解透視圖。
參照?qǐng)D19，智能卡400包括集成電路200、第一基本組件410和第二基本組件420、 接觸單元430和天線440。第一基本組件410和第二基本組件420可由塑料等形成。集成電路200可形成在第一基本組件410和第二基本組件420之間。集成電路200可以是包括在智能卡400中的智能卡芯片。包括多個(gè)引腳的接觸單元430可形成在第一基本組件410中。接觸單元430 可通過與外部裝置(未示出，例如，卡終端)結(jié)合來提供用于傳輸數(shù)據(jù)的接口。例如，接觸單元430可符合國際標(biāo)準(zhǔn)化組織(ISO) 7816標(biāo)準(zhǔn)。天線440可形成為第一基本組件410和第二基本組件420之間的線圈。天線440可發(fā)送/接收預(yù)定頻率的無線信號(hào)。例如，天線 440可符合ISO 14443標(biāo)準(zhǔn)。黑客攻擊檢測裝置可形成在包括在智能卡400中的集成電路 200中，并可檢測黑客攻擊嘗試。智能卡400可以是包括具有接觸式接口的集成電路和具有非接觸式接口的集成電路的混合卡。雖然圖19示出了包括接觸單元430和天線440兩者的聯(lián)合(組合)卡(即， 雙接口卡)的示例，但是智能卡400也可以包括接觸式接口和非接觸式接口之一。因此，即使智能卡處于暴露與黑客攻擊檢測相關(guān)的任何組件的打開狀態(tài)或封閉狀態(tài)，黑客也不容易從智能卡定位金屬線電容器或黑客攻擊檢測裝置。圖20是示出根據(jù)本發(fā)明總體構(gòu)思的示例性實(shí)施例的包括黑客攻擊檢測裝置的系統(tǒng)500的框圖。參照?qǐng)D20，系統(tǒng)500包括處理器510、存儲(chǔ)器520、輸入/輸出接口 530和黑客攻擊檢測裝置100。處理器510可執(zhí)行各種計(jì)算功能(例如，運(yùn)行用于執(zhí)行執(zhí)行特定計(jì)算或任務(wù)的特定軟件)。例如，處理器510可以是微處理器、中央處理器(CPU)、數(shù)字信號(hào)處理器等。處理器510可通過總線MO (例如，地址總線、控制總線和/或數(shù)據(jù)總線)結(jié)合到存儲(chǔ)器520。例如，可由動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、移動(dòng)DRAM、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、相位隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(PRAM)、鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)、電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RRAM)、磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)和/或閃存來實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器520。輸入/輸出接口 530可提供各種接口， 例如通用串行總線(USB)接口、IS07816、IS014443等。黑客攻擊檢測裝置100可通過檢測黑客的黑客攻擊嘗試來產(chǎn)生檢測信號(hào)DET。處理器510可響應(yīng)于檢測信號(hào)DET被復(fù)位。例如，如果檢測到黑客攻擊嘗試，則處理器510可停止處理數(shù)據(jù)，或可刪除存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器520中的數(shù)據(jù)。因此，可保護(hù)系統(tǒng)500。系統(tǒng)500可以是需要受保護(hù)的系統(tǒng)，例如智能卡、IC卡、存儲(chǔ)卡等。在一些實(shí)施例中，系統(tǒng)500可以是系統(tǒng)500被實(shí)現(xiàn)為一個(gè)芯片的片上系統(tǒng)(SoC)。系統(tǒng)500和/或系統(tǒng)500的組件可被封裝為各種形式，例如，封裝件上封裝(PoP)、 球柵陣列(BGA)、芯片級(jí)封裝(CSP)、帶引線的塑料芯片載體(PLCC)、塑料雙列直插封裝 (PDIP)、窩伏爾封裝件中芯片(Die in Waffle I^ack)、晶片形式中的芯片(Die in Wafer R)rm)、板上芯片(COB)、陶瓷雙列直插封裝(CERDIP)、塑料公制四方扁平封裝(MQFP)J^ 四方扁平封裝(TQFP)、小外形集成電路(SOIC)、縮小型小外形封裝(SSOP)、薄小外形封裝 (TSOP)、封裝件中系統(tǒng)(SIP)、多芯片封裝(MCP)、晶片級(jí)制造封裝(WFP)或晶片級(jí)處理堆疊封裝(WSP)。本發(fā)明總體構(gòu)思還可被實(shí)施為用于執(zhí)行上述功能或操作的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可包括計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)和計(jì)算機(jī)可讀傳輸介質(zhì)。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)是能夠?qū)?shù)據(jù)存儲(chǔ)為其后可由計(jì)算機(jī)系統(tǒng)讀取的程序的任意數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)的示例包括只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、CD-R0M、 磁帶、軟盤或光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)還可分布于聯(lián)網(wǎng)的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)，從而以分布式存儲(chǔ)和執(zhí)行計(jì)算機(jī)可讀代碼。計(jì)算機(jī)可讀傳輸介質(zhì)可發(fā)送載波或信號(hào)(例如，通過互聯(lián)網(wǎng)的有線或無線數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)傳輸)。另外，本發(fā)明總體構(gòu)思所屬領(lǐng)域的程序員可很容易地解釋用于實(shí)現(xiàn)本發(fā)明總體構(gòu)思的功能程序、代碼和代碼段。如上所述，根據(jù)示例實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置、集成電路和檢測黑客攻擊嘗試的方法可精確地檢測是否嘗試了黑客攻擊。此外，根據(jù)示例實(shí)施例的黑客攻擊檢測裝置不會(huì)與標(biāo)準(zhǔn)晶格具有區(qū)別，并且可具有較小尺寸。以上是示例實(shí)施例的示意，并且不應(yīng)被理解為其限制。雖然已經(jīng)描述了若干示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)容易地理解，在實(shí)質(zhì)上不脫離本發(fā)明構(gòu)思的創(chuàng)新教導(dǎo)和優(yōu)點(diǎn)的情況下，可以對(duì)示例實(shí)施例進(jìn)行多種修改。因此，所有這樣的修改意在包括在權(quán)利要求限定的本發(fā)明構(gòu)思的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)理解，以上僅僅是各種示例實(shí)施例的示意而不應(yīng)被解釋為限制于公開的特定示例實(shí)施例，對(duì)于公開的示例實(shí)施例以及其它示例實(shí)施例的修改意在包括在權(quán)利要求的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種黑客攻擊檢測裝置，包括金屬線電容器，具有第一金屬線和第二金屬線； 電荷提供單元，被構(gòu)造為周期性地對(duì)金屬線電容器充電； 電荷存儲(chǔ)單元，被構(gòu)造為儲(chǔ)集被周期性存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷； 黑客攻擊判定單元，被構(gòu)造為通過基于儲(chǔ)集的電荷的量確定金屬線電容器是否暴露來產(chǎn)生檢測信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，第一金屬線和第二金屬線形成在集成電路中所包括的多個(gè)層的一個(gè)層中。
3.如權(quán)利要求2所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，形成有第一金屬線和第二金屬線的所述一個(gè)層是所述多個(gè)層中的最上層。
4.如權(quán)利要求2所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，第一金屬線和第二金屬線是包括在所述一個(gè)層中的多條金屬線中兩條相鄰的金屬線。
5.如權(quán)利要求1所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，電荷提供單元包括開關(guān)，被構(gòu)造為響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)周期性地將第一內(nèi)部供電電壓結(jié)合到金屬線電容器。
6.如權(quán)利要求5所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，開關(guān)包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極、 結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓的漏極和結(jié)合到第一金屬線的源極。
7.如權(quán)利要求5所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，電荷提供單元還包括反相器，被構(gòu)造為通過將時(shí)鐘信號(hào)反相來周期性地提升金屬線電容器的電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，反相器包括PMOS晶體管，包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極、結(jié)合到第一內(nèi)部供電電壓的源極和結(jié)合到第二金屬線的漏極；NMOS晶體管，包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極、結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的源極和結(jié)合到第二金屬線的漏極。
9.如權(quán)利要求1所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，電荷存儲(chǔ)單元包括 儲(chǔ)集電容器，被構(gòu)造為儲(chǔ)集被周期性存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷；轉(zhuǎn)接開關(guān)，被構(gòu)造為響應(yīng)于反相的時(shí)鐘信號(hào)周期性地將金屬線電容器結(jié)合到儲(chǔ)集電容器；復(fù)位開關(guān)，被構(gòu)造為響應(yīng)于復(fù)位信號(hào)將儲(chǔ)集電容器放電。
10.如權(quán)利要求9所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，儲(chǔ)集電容器的一端通過轉(zhuǎn)接開關(guān)結(jié)合到第一金屬線，儲(chǔ)集電容器的另一端結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓。
11.如權(quán)利要求9所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，儲(chǔ)集電容器是晶體管電容器。
12.如權(quán)利要求11所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，儲(chǔ)集電容器包括NMOS晶體管，包括通過轉(zhuǎn)接開關(guān)結(jié)合到第一金屬線的柵極、結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的漏極和結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的源極。
13.如權(quán)利要求9所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，儲(chǔ)集電容器的電容大于金屬線電容器的電容。
14.如權(quán)利要求9所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，轉(zhuǎn)接開關(guān)包括PMOS晶體管，包括反相的時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極，該P(yáng)MOS晶體管結(jié)合在金屬線電容器和儲(chǔ)集電容器之間；NMOS晶體管，包括時(shí)鐘信號(hào)所施加到的柵極，該NMOS晶體管與所述PMOS晶體管并聯(lián)地結(jié)合在金屬線電容器和儲(chǔ)集電容器之間。
15.如權(quán)利要求9所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，復(fù)位開關(guān)包括NMOS晶體管，包括復(fù)位信號(hào)所施加到的柵極、結(jié)合到儲(chǔ)集電容器的漏極和結(jié)合到第二內(nèi)部供電電壓的源極。
16.如權(quán)利要求1所述的黑客攻擊檢測裝置，其中 電荷存儲(chǔ)單元根據(jù)儲(chǔ)集的電荷的量來產(chǎn)生輸出電壓；黑客攻擊判定單元通過基于輸出電壓確定金屬線電容器是否暴露來產(chǎn)生檢測信號(hào)，并且黑客攻擊判定單元包括反相器，通過將輸出電壓反相來產(chǎn)生檢測信號(hào)。
17.如權(quán)利要求16所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，如果輸出電壓高于或等于預(yù)定電壓，則反相器產(chǎn)生指示金屬線電容器沒有暴露的檢測信號(hào)，如果輸出電壓低于所述預(yù)定電壓，則反相器產(chǎn)生指示金屬線電容器暴露的檢測信號(hào)。
18.如權(quán)利要求1所述的黑客攻擊檢測裝置，其中 電荷存儲(chǔ)單元根據(jù)儲(chǔ)集的電荷的量來產(chǎn)生輸出電壓；黑客攻擊判定單元通過基于輸出電壓確定金屬線電容器是否暴露來產(chǎn)生檢測信號(hào)，并且黑客攻擊判定單元包括比較器，通過將輸出電壓與參考電壓進(jìn)行比較來產(chǎn)生檢測信號(hào)。
19.如權(quán)利要求18所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，如果輸出電壓高于或等于參考電壓，則比較器產(chǎn)生指示金屬線電容器沒有暴露的檢測信號(hào)，如果輸出電壓低于所述參考電壓，則比較器產(chǎn)生指示金屬線電容器暴露的檢測信號(hào)。
20.如權(quán)利要求1所述的黑客攻擊檢測裝置，其中，使用CMOS工藝來形成電荷提供單元、電荷存儲(chǔ)單元和黑客攻擊判定單元。
21.一種集成電路，包括黑客攻擊檢測裝置，被構(gòu)造為周期性地對(duì)具有第一金屬線和第二金屬線的金屬線電容器充電，儲(chǔ)集周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷，并通過基于儲(chǔ)集的電荷的量確定金屬線電容器是否暴露來產(chǎn)生檢測信號(hào)；處理器，被構(gòu)造為響應(yīng)于檢測信號(hào)被復(fù)位。
22.如權(quán)利要求21所述的集成電路，其中，黑客攻擊檢測裝置形成在集成電路的標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中。
23.如權(quán)利要求22所述的集成電路，其中，第一金屬線和第二金屬線被排列為與形成在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中的金屬線平行或垂直，其中，第一金屬線和第二金屬線均具有與形成在標(biāo)準(zhǔn)晶格區(qū)域中的每條金屬線的寬度相同的寬度。
24.如權(quán)利要求22所述的集成電路，其中，集成電路被實(shí)現(xiàn)為智能卡芯片。
25.一種檢測黑客攻擊嘗試的方法，所述方法包括周期性地對(duì)具有第一金屬線和第二金屬線的金屬線電容器充電； 儲(chǔ)集周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷； 基于儲(chǔ)集的電荷的量確定金屬線電容器是否暴露。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，還包括周期性地提升金屬線電容器的電壓。
全文摘要
一種黑客攻擊檢測裝置、集成電路和檢測黑客攻擊嘗試的方法，所述黑客攻擊檢測裝置包括金屬線電容器、電荷提供單元和黑客攻擊判定單元。金屬線電容器具有第一金屬線和第二金屬線。電荷提供單元周期性地對(duì)金屬線電容器充電。電荷存儲(chǔ)單元儲(chǔ)集周期性地存儲(chǔ)在金屬線電容器中的電荷，并產(chǎn)生與儲(chǔ)集的電荷的量對(duì)應(yīng)的輸出電壓。黑客攻擊判定單元基于電荷存儲(chǔ)單元的輸出電壓確定金屬線電容器是否暴露。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102539956SQ20111039644
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月7日
發(fā)明者李承源 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社