專利名稱：溫度測量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠以非接觸的方式對測量對象物(例如，半導(dǎo)體晶圓、液晶基板等) 的溫度進(jìn)行測量的溫度測量方法、存儲介質(zhì)和程序。
背景技術(shù)：
從利用成膜、蝕刻等多種處理的結(jié)果準(zhǔn)確地對形成在半導(dǎo)體晶圓上的膜、孔等的形狀、物理性質(zhì)等進(jìn)行控制這一點(diǎn)考慮，準(zhǔn)確地對被基板處理裝置處理的被處理基板(例如，半導(dǎo)體晶圓)的溫度進(jìn)行測量也極其重要。因此，以往，以利用電阻溫度計(jì)、用于對基材背面的溫度進(jìn)行測量的熒光式溫度計(jì)等的測量法等各種各樣的方法對半導(dǎo)體晶圓的溫度進(jìn)行測量。近年來，公知一種利用了低相干干涉計(jì)的溫度測量技術(shù)，該低相干干涉計(jì)能夠?qū)σ陨鲜瞿菢拥囊酝臏囟葴y量方法難以測量的半導(dǎo)體晶圓的溫度進(jìn)行直接測量。另外，在利用了上述的低相干干涉計(jì)的溫度測量技術(shù)中，還提出了如下述這樣的技術(shù)利用第1分束器將來自光源的光分支成溫度測量用的測量光和參照光，并且，利用第2分束器將被分支出來的測量光分支成η個測量光而將η個測量光向η個測量點(diǎn)照射，對上述的η個測量光的反射光與參照光的被參照光反射部件反射的反射光之間的干涉進(jìn)行測量，能夠同時對多個測量點(diǎn)的溫度進(jìn)行測量(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。在該技術(shù)中，將來自光源的光照射于測量對象物，利用來自測量對象物的表面的反射光與參照光的反射光之間的干涉波、來自測量對象物的背面的反射光與參照光的反射光之間的干涉波求得測量對象物的從表面到背面的光路長度，利用該求得的光路長度對測量對象物的溫度進(jìn)行計(jì)算。專利文獻(xiàn)1 日本特開2006-112826號公報(bào)然而，存在這樣的問題在上述測量對象物上沉積有膜厚與使用光源的相干長度同等程度、或者膜厚小于使用光源的相干長度的薄膜時，由在該薄膜內(nèi)的測量光的多重反射構(gòu)成的干涉波重疊，觀測到的干涉波的光路長度產(chǎn)生偏差，因此，不能對測量對象物的從表面到背面的準(zhǔn)確的光路長度進(jìn)行計(jì)算，不能對測量對象物的準(zhǔn)確的溫度進(jìn)行監(jiān)測。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是應(yīng)對上述以往的情況而做成的，其目的在于提供一種即使在測量對象物上形成有薄膜的情況下也能夠準(zhǔn)確地對測量對象物的溫度進(jìn)行測量的溫度測量方法、程序、存儲介質(zhì)。本發(fā)明的溫度測量方法的特征在于，其包括以下工序?qū)碜怨庠吹墓鈧魉偷皆诨迳闲纬捎斜∧さ臏y量對象物的測量點(diǎn)；對由基板的表面的反射光構(gòu)成的第1干涉波、 由基板與薄膜之間的界面的反射光、薄膜的背面的反射光構(gòu)成的第2干涉波進(jìn)行測量；對從第1干涉波到第2干涉波的光路長度進(jìn)行計(jì)算；根據(jù)第2干涉波的強(qiáng)度對薄膜的膜厚進(jìn)行計(jì)算；根據(jù)計(jì)算出來的薄膜的膜厚對基板的光路長度與計(jì)算出來的光路長度之間的光路差進(jìn)行計(jì)算；根據(jù)計(jì)算出來的光路差對計(jì)算出來的從第1干涉波到第2干涉波的光路長度進(jìn)行校正；利用被校正的光路長度對測量對象物的測量點(diǎn)處的溫度進(jìn)行計(jì)算。本發(fā)明的存儲介質(zhì)是用于存儲程序的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲介質(zhì)，該程序用于在溫度測量裝置中使計(jì)算機(jī)執(zhí)行根據(jù)被受光部件接收到的反射光的干涉波對測量對象物的測量點(diǎn)處的溫度進(jìn)行測量的溫度測量方法，該溫度測量裝置包括光源、用于將來自光源的光傳送到在基板上形成有薄膜的測量對象物的測量點(diǎn)的傳送部件、用于對被測量對象物反射的反射光進(jìn)行接收的受光部件，其特征在于，程序使計(jì)算機(jī)作為如下述的部件進(jìn)行動作對由被受光部件接收到的、基板的表面的反射光構(gòu)成的第1干涉波、由基板與形成在基板上的薄膜之間的界面的反射光、薄膜的背面的反射光構(gòu)成的第2干涉波進(jìn)行測量的測量部件；對從第1干涉波到第2干涉波的光路長度進(jìn)行計(jì)算的第1計(jì)算部件；根據(jù)第2干涉波的強(qiáng)度對薄膜的膜厚進(jìn)行計(jì)算的第2計(jì)算部件；根據(jù)計(jì)算出來的薄膜的膜厚對基板的光路長度與計(jì)算出來的光路長度之間的光路差進(jìn)行計(jì)算的第3計(jì)算部件；根據(jù)計(jì)算出來的光路差對計(jì)算出來的從第1干涉波到第2干涉波的光路長度進(jìn)行校正的校正部件；利用被校正的光路長度對測量對象物的測量點(diǎn)處的溫度進(jìn)行計(jì)算的第4計(jì)算部件。本發(fā)明的程序是用于在溫度測量裝置中使計(jì)算機(jī)執(zhí)行根據(jù)被受光部件接收到的反射光的干涉波對測量對象物的測量點(diǎn)處的溫度進(jìn)行測量的溫度測量方法，該溫度測量裝置包括光源、用于將來自光源的光傳送到在基板上形成有薄膜的測量對象物的測量點(diǎn)的傳送部件、用于對被測量對象物反射的反射光進(jìn)行接收的受光部件，其特征在于，程序使計(jì)算機(jī)作為如下述的部件進(jìn)行動作由被受光部件接收到的、基板的表面的反射光構(gòu)成的第1 干涉波、由基板與形成在基板上的薄膜之間的界面的反射光、薄膜的背面的反射光構(gòu)成的第2干涉波進(jìn)行測量的測量部件；對從第1干涉波到第2干涉波的光路長度進(jìn)行計(jì)算的第 1計(jì)算部件；根據(jù)第2干涉波的強(qiáng)度對薄膜的膜厚進(jìn)行計(jì)算的第2計(jì)算部件；根據(jù)計(jì)算出來的薄膜的膜厚對基板的光路長度與計(jì)算出來的光路長度之間的光路差進(jìn)行計(jì)算的第3計(jì)算部件；根據(jù)計(jì)算出來的光路差對計(jì)算出來的從第1干涉波到第2干涉波的光路長度進(jìn)行校正的校正部件；利用被校正的光路長度對測量對象物的測量點(diǎn)處的溫度進(jìn)行計(jì)算的第4 計(jì)算部件。本發(fā)明能夠提供一種即使在測量對象物上形成有薄膜的情況下也能夠準(zhǔn)確地對測量對象物的溫度進(jìn)行測量的溫度測量方法、存儲介質(zhì)、程序。


圖1是實(shí)施方式的溫度測量裝置的構(gòu)成圖。圖2是溫度計(jì)算部件的功能構(gòu)成圖。圖3的(a) (b)是干涉波形的具體例(沒有薄膜的情況)。圖4的(a) (b)是干涉波形的具體例(具有薄膜的情況)。圖5是在薄膜上發(fā)生的多重反射的示意圖。圖6是表示薄膜的膜厚與干涉強(qiáng)度之間的關(guān)系的圖。圖7是表示干涉強(qiáng)度比與薄膜的利用干涉強(qiáng)度比計(jì)算出來的膜厚的蝕刻時間依存的圖。圖8是表示利用干涉強(qiáng)度比計(jì)算出來的膜厚和乖離值的圖。圖9是表示膜厚與干涉波的偏移量之間的關(guān)系的圖。
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圖10是表示溫度測量裝置的動作的流程圖。圖11是表示實(shí)施例1的光路長度測量結(jié)果的圖。圖12是表示實(shí)施例2的溫度測量結(jié)果的圖(有校正)。圖13是表示比較例1的溫度測量結(jié)果的圖(無校正)。圖14是實(shí)施方式的變形例的溫度測量裝置100A的構(gòu)成圖。圖15是受光部件的構(gòu)成圖。圖16是溫度計(jì)算部件的功能構(gòu)成圖。圖17是表示DFT處理后的信號的圖。圖18是表示校正后的光路長度與溫度之間的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的各實(shí)施方式。另外，在本說明書和附圖中，對于實(shí)質(zhì)上具有相同的功能結(jié)構(gòu)的構(gòu)成要素，標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記而省略重復(fù)的說明。另外，將來自光源的光的入射側(cè)定義為表面。另外，作為測量對象物，以形成有薄膜的半導(dǎo)體晶圓為例進(jìn)行了說明，但測量對象物不限于半導(dǎo)體晶圓。另外，在半導(dǎo)體晶圓中，采用了形成有氧化硅膜(3102膜)作為薄膜的半導(dǎo)體晶圓，但薄膜不限于氧化硅膜，也可以是其他的膜(例如，氮化硅膜(Si3N4)、抗蝕劑膜、樹脂類膜、金屬(Cu、Al、W、Ti、Ta)膜等)。(實(shí)施方式)圖1是本實(shí)施方式的溫度測量裝置100的構(gòu)成圖。實(shí)施方式的溫度測量裝置100 包括光源Iio ；分束器120，其將來自光源110的光分支成溫度測量用的光(測量光)和參照光；準(zhǔn)直光纖F1，其將測量光向作為測量對象物的形成有薄膜(S^2膜)T的半導(dǎo)體晶圓(基板)w的測量點(diǎn)P傳送；參照光反射部件130，其用于將來自分束器120的參照光反射；準(zhǔn)直光纖F2,其將被分束器120分支出來的參照光傳送到參照光反射部件130 ；光路長度改變部件140，其用于使從參照光反射部件130反射的參照光的光路長度改變；信號處理裝置150，其根據(jù)由測量光的反射光和參照光的反射光構(gòu)成的干涉波形對測量點(diǎn)P的溫度進(jìn)行測量。信號處理裝置150包括受光部件151和溫度計(jì)算部件152。只要能夠?qū)y量光與參照光之間的干涉進(jìn)行測量，光源110就能夠使用任意的光，但在本實(shí)施方式中，因?yàn)閷Π雽?dǎo)體晶圓W的溫度進(jìn)行測量，所以優(yōu)選至少來自半導(dǎo)體晶圓W的表面與背面的反射光不產(chǎn)生干涉那樣程度的光(半導(dǎo)體晶圓W的表面與背面之間的距離通常為800 μ m 1500 μ m左右)。具體而言，優(yōu)選使用低相干光。所謂的低相干光是指相干長度較短的光。優(yōu)選低相干光的中心波長為能透過作為半導(dǎo)體晶圓W的主要成分的硅(Si)的IOOOnm以上。另外， 優(yōu)選相干長度較短。分束器120為例如光纖耦合器。但是，不限于光纖耦合器。分束器120只要是能夠分束出參照光和測量光的分束器即可，也可以使用例如光波導(dǎo)路型分波器、半透鏡等。參照光反射部件130能夠使用例如三面直角棱鏡(prism of corner cube)、平面鏡等。在上述的參照光反射部件中，如果也鑒于反射光的與入射光的平行性這一點(diǎn)，則優(yōu)選使用三面直角棱鏡。但是，只要能夠反射參照光，則不限于上述的參照光反射部件，也可以由例如延遲線(delay line)等構(gòu)成。
光路長度改變部件140由馬達(dá)等驅(qū)動部件構(gòu)成，該馬達(dá)等驅(qū)動部件用于將參照光反射部件130向與參照光的入射方向平行的單方向驅(qū)動。這樣，通過將參照光反射部件130 向單方向驅(qū)動，能夠使從參照光反射部件130反射的參照光的光路長度變化。受光部件151對被半導(dǎo)體晶圓W的測量點(diǎn)P反射的測量光和被參照光反射部件 130反射的參照光的反射光進(jìn)行接收，并轉(zhuǎn)換成電信號。作為受光部件151，能夠使用各種傳感器，但在以Si為主要成分的半導(dǎo)體晶圓W的情況下，由于使用波長為IOOOnm以上的光作為測量光，因此，優(yōu)選由使用了對波長800nm 1700nm的光具有感度的InGaAs元件的傳感器構(gòu)成。溫度計(jì)算部件152為例如計(jì)算機(jī)(computer)等，根據(jù)被受光部件151檢測到的反射光的干涉波形，具體而言，根據(jù)干涉波的波峰間的光路長度對半導(dǎo)體晶圓W的溫度進(jìn)行測量。圖2是表示溫度計(jì)算部件152的功能的構(gòu)成圖。溫度計(jì)算部件152包括信號獲取部件201、光路長度計(jì)算部件202、膜厚計(jì)算部件203、偏移量計(jì)算部件204、光路長度校正部件205、溫度運(yùn)算部件206。利用溫度計(jì)算部件152所具有的硬件(例如，HDD、CPU、存儲器等)實(shí)現(xiàn)圖2所示的功能。具體而言，通過CPU執(zhí)行HDD或者存儲器所存儲的程序來實(shí)現(xiàn)。 另外，對于圖2所示的各構(gòu)成的動作，在下述的“溫度測量裝置100的動作”中進(jìn)行說明。(測量光與參照光之間的干涉波形的具體例)在此，說明利用溫度測量裝置100的受光部件151得到的干涉波形的具體例和溫度測量方法。另外，在說明中，對在半導(dǎo)體晶圓W上未形成薄膜T的情況進(jìn)行說明之后，對在半導(dǎo)體晶圓W上形成有薄膜T的情況及其問題點(diǎn)進(jìn)行說明。(未形成薄膜的情況)圖3表示利用溫度測量裝置100的受光部件151得到的干涉波形的具體例。圖3 是表示測量光被照射到半導(dǎo)體晶圓W的情況下的測量光與參照光之間的干涉波形的圖。圖 3的(a)是表示溫度變化前的干涉波形的圖、圖3的(b)是表示溫度變化后的干涉波形的圖。在圖3中，縱軸取為干涉強(qiáng)度、橫軸取為參照光反射部件130(例如參照反射鏡)的移
動距離。根據(jù)圖3的(a)、(b)，使參照光反射部件130向單方向掃描時，首先，出現(xiàn)半導(dǎo)體晶圓W的表面與參照光之間的干涉波A，接著，出現(xiàn)半導(dǎo)體晶圓W的背面與參照光之間的干涉波B。(基于干涉光的溫度測量方法)接著，參照圖3說明根據(jù)測量光與參照光之間的干涉波對溫度進(jìn)行測量的方法。 作為基于干涉波的溫度測量方法，有例如使用基于溫度變化的光路長度變化的溫度換算方法。在此，說明利用了上述干涉波的位置的變化的溫度換算方法。半導(dǎo)體晶圓W被加熱器等加熱時，半導(dǎo)體晶圓W膨脹并且折射率發(fā)生變化，因此， 在溫度變化前和溫度變化后，干涉波B的位置變化到干涉波B’的位置，干涉波的波峰間寬度發(fā)生變化。通過對這樣的測量點(diǎn)的干涉波的波峰間寬度進(jìn)行測量，能夠?qū)囟茸兓M(jìn)行檢測。如果是例如圖1所示那樣的溫度測量裝置100，干涉波的波峰間寬度與參照光反射部件130的移動距離相對應(yīng)，因此，通過對參照光反射部件130的與干涉波的波峰間寬度相對應(yīng)的移動距離進(jìn)行測量，能夠?qū)囟茸兓M(jìn)行檢測。
將半導(dǎo)體晶圓W的厚度設(shè)為d、將折射率設(shè)為η時，在干涉波的波峰位置的偏差中， 厚度d依存于線膨脹系數(shù)α，另外，折射率η的變化主要是依存于折射率變化的溫度系數(shù) β。另外，折射率變化的溫度系數(shù)β也依存于波長。因而，將在測量點(diǎn)P處的溫度變化后的晶圓的厚度d'和折射率η'以數(shù)學(xué)式表示時，為如下述數(shù)學(xué)式(1)所示那樣。另外，在數(shù)學(xué)式(1)中，△ T表示測量點(diǎn)的溫度變化、α 表示線膨脹率、β表示折射率變化的溫度系數(shù)。另外，d、n分別表示溫度變化前的測量點(diǎn)P 處的厚度、折射率。d' = d · (1+α ΔΤ)、η' = η · (1+β Δ Τ) · · . (1)如上述數(shù)學(xué)式(1)所示，由于溫度變化而透過測量點(diǎn)P的測量光的光路長度發(fā)生變化。通常，以厚度d與折射率η的乘積表示光路長度。因而，將溫度變化前的透過測量點(diǎn) P處的測量光的光路長度設(shè)為L、將測量點(diǎn)處的溫度變化了 ΔΤ后的光路長度設(shè)為L'時， L、L'分別為如下述的數(shù)學(xué)式(2)所示那樣。L = d · n、L' = d' · η' . . . (2)因而，利用上述數(shù)學(xué)式(1)、(2)對測量點(diǎn)處的測量光的光路長度的溫度變化前后的差(L' -L)進(jìn)行計(jì)算而整理時，為如下述數(shù)學(xué)式C3)所示那樣。另外，在下述數(shù)學(xué)式(3) 中，考慮到α · β << α、α · β << β而省略了微小項(xiàng)。L' -L = d' ·η' _d · η = d · η · ( α + β ) · Δ T = L · ( α + β ) · Δ Τ· · · (3)在此，測量點(diǎn)處的測量光的光路長度相當(dāng)于測量光與參照光之間的干涉波的波峰間寬度。因而，如果預(yù)先對線膨脹率α、折射率變化的溫度系數(shù)β進(jìn)行調(diào)查，則通過對測量點(diǎn)處的測量光與參照光之間的干涉波的波峰間寬度進(jìn)行測量，能夠使用上述數(shù)學(xué)式(3)換算成測量點(diǎn)的溫度。這樣，從干涉波換算成溫度時，如上述那樣以干涉波的波峰間寬度表示的光路長度由于線膨脹率α和折射率變化的溫度系數(shù)β的不同而變化，因此，需要預(yù)先對上述線膨脹率α和折射率變化的溫度系數(shù)β進(jìn)行調(diào)查。通常，包括半導(dǎo)體晶圓的物質(zhì)的線膨脹率 α和折射率變化的溫度系數(shù)β由于溫度范圍的不同，有時依存于溫度。例如，通常，因?yàn)榫€膨脹率α在物質(zhì)的溫度為大約0°C 100°C的溫度范圍內(nèi)不怎么變化，所以看作恒定也沒關(guān)系，但在100°C以上的溫度范圍內(nèi)，由于物質(zhì)的不同，有時溫度越高變化率越大，因此，在那樣的情況下不能無視溫度依存性。折射率變化的溫度系數(shù)β也同樣由于溫度范圍的不同，有時不能無視溫度依存性。例如，公知對于構(gòu)成半導(dǎo)體晶圓的硅(Si)，能夠以例如二次曲線在0°C 500°C的溫度范圍內(nèi)對線膨脹率α和折射率變化的溫度系數(shù)β進(jìn)行近似。這樣，因?yàn)榫€脹率α和折射率變化的溫度系數(shù)β依存于溫度，所以，例如，如果預(yù)先對與溫度相對應(yīng)的線膨脹率 α和折射率變化的溫度系數(shù)β進(jìn)行調(diào)查、并參考該值而進(jìn)行溫度換算，則能夠換算成更準(zhǔn)確的溫度。另外，作為基于測量光與參照光之間的干涉波的溫度測量方法，不限于上述那樣的方法，例如，也可以是使用基于溫度變化的吸收強(qiáng)度變化的方法，也可以是將基于上述溫度變化的光路長度變化與基于溫度變化的吸收強(qiáng)度變化組合的方法。(形成有薄膜的情況)圖4是表示測量光被照射到半導(dǎo)體晶圓W的情況下的測量光與參照光之間的干涉
7波形的圖。另外，在圖4中，縱軸取為干涉強(qiáng)度、橫軸取為參照光反射部件130(例如參照反射鏡)的移動距離。圖4的(a)表示薄膜T的膜厚與低相干光的相干長度相比足夠厚的情況。在此情況下，被照射到半導(dǎo)體晶圓W的測量光在圖1所示的半導(dǎo)體晶圓W的表面S1、半導(dǎo)體晶圓W 與薄膜T之間的界面&、薄膜T的背面&這三個位置被反射。另外，在上述三個位置被反射的測量光與被參照光反射部件130反射的參照光在光路長度大致相同的位置發(fā)生干涉。 因此，如圖4的(a)所示，觀察到三個干涉波C E。圖4的(b)表示薄膜T的膜厚為低相干光的相干長度以下的情況。在此情況下， 被照射到半導(dǎo)體晶圓W的測量光在半導(dǎo)體晶圓W的表面S1、半導(dǎo)體晶圓W與薄膜T之間的界面&、薄膜T的背面&這三個位置被反射，這一點(diǎn)與薄膜T的膜厚與低相干光的相干長度相比足夠厚的情況相同，但由于薄膜T的膜厚較薄(為低相干光的相干長度以下)，因此， 在圖4的(a)所示的半導(dǎo)體晶圓W與薄膜T之間的界面&、薄膜T的背面&之間多重反射而成的多個干涉波疊合(重疊)，成為一個干涉波F。圖5是示意地表示在薄膜T中發(fā)生的多重反射的圖。如圖5所示，被入射到半導(dǎo)體晶圓W的測量光由于在半導(dǎo)體晶圓W與薄膜T的表面之間的界面&、薄膜T的背面&之間的多重折返反射而分離。該分離了的各反射光分別與參照光干涉，形成了圖5所示的多個干涉波(1)、(2)、(3)、⑷、⑶· · ·。上述多個干涉波(1)、(2)、(3)、(4)、⑶…如上述那樣不分離而被檢測為重疊的干涉波F。這樣，在薄膜T的膜厚為低相干光的相干長度以下的情況下，在半導(dǎo)體晶圓W與薄膜T之間的界面&、薄膜T的背面&之間產(chǎn)生的多個干涉波重疊而成為一個干涉波F，因此，從干涉波C的波峰到干涉波F的波峰的測量光路長度L1與作為從半導(dǎo)體晶圓W的表面到半導(dǎo)體晶圓W的背面的光路長度的實(shí)際光路長度L2產(chǎn)生光路長度AL的偏差。(光路長度的校正)如上述那樣，在半導(dǎo)體晶圓W上形成有薄膜T的情況下，如參照圖4說明那樣，干涉波F的波峰位置偏移AL。因此，需要對測量到的光路長度進(jìn)行偏移量AL的校正。在本實(shí)施方式中，實(shí)施下面的順序1 3，校正光路長度而對半導(dǎo)體晶圓W的溫度進(jìn)行測量。1.利用在圖4中說明的干涉波F的干涉強(qiáng)度或者干涉波C與干涉波F的干涉強(qiáng)度比求得薄膜T的膜厚。2.利用求得的薄膜T的膜厚求得光路長度的偏差量Δ L (下面，稱為偏移量AL)。3.根據(jù)求得的偏移量Δ L對光路長度L1進(jìn)行校正，求得實(shí)際光路長度L2。下面，詳細(xì)說明上述順序1 3。另外，在下面說明對薄膜T進(jìn)行蝕刻的情況。(數(shù)學(xué)式)首先，說明光路長度的校正所需要的下述數(shù)學(xué)式。下述數(shù)學(xué)式(4)是表示薄膜T的膜厚與干涉強(qiáng)度之間關(guān)系的數(shù)學(xué)式。
權(quán)利要求
1.一種溫度測量方法，其特征在于， 該溫度測量方法包括以下工序?qū)碜怨庠吹墓鈧魉偷皆诨迳闲纬捎斜∧さ臏y量對象物的測量點(diǎn)； 對由上述基板的表面的反射光構(gòu)成的第1干涉波、由上述基板與上述薄膜之間的界面的反射光、上述薄膜的背面的反射光構(gòu)成的第2干涉波進(jìn)行測量； 對從上述第1干涉波到上述第2干涉波的光路長度進(jìn)行計(jì)算； 根據(jù)上述第2干涉波的強(qiáng)度對上述薄膜的膜厚進(jìn)行計(jì)算；根據(jù)上述計(jì)算出來的上述薄膜的膜厚對上述基板的光路長度與上述計(jì)算出來的光路長度之間的光路差進(jìn)行計(jì)算；根據(jù)上述計(jì)算出來的光路差對上述計(jì)算出來的從上述第1干涉波到上述第2干涉波的光路長度進(jìn)行校正；利用上述被校正的光路長度對上述測量對象物的上述測量點(diǎn)處的溫度進(jìn)行計(jì)算。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溫度測量方法，其特征在于，根據(jù)上述薄膜的膜厚與上述第2干涉波的強(qiáng)度之間的關(guān)系對上述薄膜的膜厚進(jìn)行計(jì)笪弁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的溫度測量方法，其特征在于，根據(jù)上述第1干涉波的強(qiáng)度與上述第2干涉波的強(qiáng)度之比對上述薄膜的膜厚進(jìn)行計(jì)笪弁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中的任一項(xiàng)所述的溫度測量方法，其特征在于， 上述光源產(chǎn)生波長為IOOOnm以上的光；上述基板是硅基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中的任一項(xiàng)所述的溫度測量方法，其特征在于，上述薄膜是氧化硅膜即SiO2膜、氮化硅膜即Si3N4膜、抗蝕劑膜、樹脂類膜或者金屬膜中的任一種。
全文摘要
本發(fā)明提供一種溫度測量方法。該溫度測量方法即使在測量對象物上形成有薄膜的情況下，也能夠比以往準(zhǔn)確地對測量對象物的溫度進(jìn)行測量。其包括以下工序?qū)碜怨庠吹墓鈧魉偷皆诨迳闲纬捎斜∧さ臏y量對象物的測量點(diǎn)；對由基板的表面的反射光構(gòu)成的第1干涉波、由基板與薄膜之間的界面的反射光、在薄膜的背面的反射光構(gòu)成的第2干涉波進(jìn)行測量；計(jì)算從第1干涉波到第2干涉波的光路長度；根據(jù)第2干涉波的強(qiáng)度計(jì)算薄膜的膜厚；根據(jù)算出的薄膜的膜厚計(jì)算基板的光路長度與算出的光路長度之間的光路差；根據(jù)算出的光路差校正算出的從第1干涉波到第2干涉波的光路長度；利用被校正的光路長度計(jì)算測量對象物的測量點(diǎn)處的溫度。
文檔編號G01K11/00GK102445284SQ20111030307
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者山涌純, 松土龍夫, 輿水地鹽 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社