專利名稱：測(cè)試晶硅組件光譜響應(yīng)和反射率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及測(cè)試和制作被測(cè)樣品的方法，具體指測(cè)試經(jīng)過(guò)EVA和玻璃封裝后電池片的光譜響應(yīng)和反射率的方法。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池能把光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔埽煌ㄩL(zhǎng)的光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿谋壤遣煌?，這種性質(zhì)稱為太陽(yáng)能電池的光譜響應(yīng)。光譜特性的測(cè)量是用一定強(qiáng)度的單色光照射太陽(yáng)能電池，測(cè)量此時(shí)電池的短路電流，然后依次改變單色光的波長(zhǎng)，再重復(fù)測(cè)量以得到在各個(gè)波長(zhǎng)下的短路電流，即反映了電池的光譜特性。目前，在電池片的光譜響應(yīng)方面有較多的研究，但是組件上并沒(méi)有這一測(cè)試手段和方法，因此從電池片到組件的一些特性研究有些脫節(jié)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有分析電池片到組件光譜特性技術(shù)的不足，而提供一種簡(jiǎn)單的測(cè)試晶硅組件光譜的方法，將電池片與組件聯(lián)系起來(lái)分析研究問(wèn)題。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案
一種測(cè)試晶硅組件即封裝后電池片的光譜響應(yīng)和反射率的方法，所述方法包括以下工藝步驟
步驟一、選擇電池片
選擇電池片一或電池片二，其中電池片一為傳統(tǒng)工藝的晶硅電池片，其正面有負(fù)極柵線，背面有正極柵線；而電池片二為非傳統(tǒng)工藝的晶硅電池片，其正面沒(méi)有柵線，正、負(fù)極柵線均在背面，
步驟二、制作封裝前電池片試樣
在所述電池片一正面負(fù)極上焊接或粘接上一根焊帶引出負(fù)極，電池片一背面不做改變，制作成封裝前電池片一試樣；或在所述電池片二背面正、負(fù)極上分別焊接或粘接上一根焊帶引出正、負(fù)極，制作成封裝前電池片二試樣，
步驟三、測(cè)試封裝前電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線
測(cè)試封裝前電池片一試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，電池片一試樣的正面負(fù)極與光譜響應(yīng)設(shè)備的探針相連，背面與光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)緊密相接；測(cè)試封裝前電池片二試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，將光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)改成探針型，使電池片二試樣正、負(fù)兩極在測(cè)試時(shí)分別與光譜響應(yīng)設(shè)備的兩極相連；另外，在測(cè)試時(shí)，圈定電池片試樣一和電池片試樣二上的測(cè)試點(diǎn)，以便封裝后選取同樣的測(cè)試點(diǎn)做對(duì)比， 步驟四、制作封裝后電池片試樣
對(duì)于封裝前電池片一試樣，在其正面依次疊層上EVA和玻璃，焊帶露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放進(jìn)層壓機(jī)進(jìn)行層壓，制作成封裝后電池片一試樣；對(duì)于封裝前電池片二試樣，在其正面疊層上EVA和玻璃，兩根焊帶露出玻璃，背面或依次疊層上EVA和背板，或不依次疊層上EVA和背板，然后放進(jìn)層壓機(jī)進(jìn)行層壓，制作成封裝后電池片二試樣， 步驟五、測(cè)試封裝后電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線
測(cè)試封裝后電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，首先測(cè)試點(diǎn)與封裝前的要一致； 其次，對(duì)于封裝后電池片一試樣，測(cè)試時(shí)其正面負(fù)極與光譜響應(yīng)設(shè)備的探針相連，其背面與光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)緊密相接；而對(duì)于封裝后電池片二試樣，將光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)改成探針型，使電池片正、負(fù)兩極在測(cè)試時(shí)分別與光譜響應(yīng)設(shè)備的兩極相連，
步驟六、對(duì)比封裝前、后電池片一試樣和電池片二試樣的光譜曲線和反射率曲線，并得出結(jié)論。從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明不僅能夠?qū)Ρ炔煌姵仄庋b后的反射率和光譜響應(yīng)差異，及同一種電池片封裝前后的光譜響應(yīng)變化，也能對(duì)比同一種電池片用不同種類的玻璃和EVA封裝后的光譜響應(yīng)變化，從而定性地得到經(jīng)玻璃和EVA封裝后電池到組件的短路電流變化。本發(fā)明的有益效果是
本發(fā)明提供了一種對(duì)比電池片和組件光譜響應(yīng)的方法，將電池片和組件聯(lián)系起來(lái)，有利于對(duì)比電池片封裝前和封裝后的光譜特性，為研究電池片經(jīng)封裝后短路電流的變化提供了一個(gè)分析依據(jù)。從而定量地得到經(jīng)玻璃和EVA封裝后電池到組件的短路電流變化。


圖1為本發(fā)明涉及的電池片一封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明涉及的電池片二封裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖中附圖標(biāo)記
電池片一 11、電池片二 12 ； 焊帶2 EVA 3 玻璃4。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明適用于不同結(jié)構(gòu)的電池片，包括傳統(tǒng)工藝晶硅電池片和非傳統(tǒng)工藝晶硅電池片；電池片的規(guī)格可以任意，但是電池片上必須可以連接出正負(fù)極。下面附圖是對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步說(shuō)明。步驟一、選擇電池片
選擇兩種不同結(jié)構(gòu)的電池片電池片一和電池片二，其中電池片一為傳統(tǒng)工藝的晶硅電池片，其正面有負(fù)極柵線，背面有正極柵線；而電池片二為非傳統(tǒng)工藝的晶硅電池片，其正面沒(méi)有柵線，正、負(fù)極柵線均在背面步驟二、制作封裝前電池片試樣
在所述電池片一正面負(fù)極上焊接或粘接上一根焊帶引出負(fù)極，電池片一背面不做改變，制作成封裝前電池片一試樣；在所述電池片二背面正、負(fù)極上分別焊接或粘接上一根焊帶引出正、負(fù)極，制作成封裝前電池片二試樣；
步驟三、測(cè)試封裝前電池片的光譜響應(yīng)和反射率曲線測(cè)試封裝前電池片一試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，電池片一試樣的正面負(fù)極與光譜響應(yīng)設(shè)備的探針相連，背面與光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)緊密相接；測(cè)試電池片二試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，測(cè)試時(shí)需要簡(jiǎn)單改造光譜響應(yīng)設(shè)備，將光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)改成探針型，使電池片二試樣正、負(fù)兩極在測(cè)試時(shí)分別與光譜響應(yīng)設(shè)備的兩極相連；另外，在測(cè)試時(shí)，圈定電池片試樣一和電池片試樣二上的測(cè)試點(diǎn)，以便封裝后選取同樣的測(cè)試點(diǎn)做對(duì)比；
步驟四、制作封裝后電池片試樣
將步驟三測(cè)試完的電池片試樣用玻璃和EVA封裝起來(lái)。對(duì)于封裝前電池片一試樣，在其正面依次疊層上EVA和玻璃，焊帶需露出玻璃約2cm，背面不需要EVA和背板，結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖 1，然后放進(jìn)層壓機(jī)進(jìn)行層壓，制作成封裝后電池片一試樣；對(duì)于封裝前電池片二試樣，在其正面疊層上EVA和玻璃，兩根焊帶需露出玻璃約2cm，背面可以依次疊層上EVA和背板，也可以不用，結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖2，然后放進(jìn)層壓機(jī)進(jìn)行層壓，制作成封裝后電池片二試樣。步驟五、測(cè)試封裝后電池片的光譜響應(yīng)和反射率曲線
測(cè)試封裝后電池片的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，首先測(cè)試點(diǎn)與封裝前的要一致；其次， 對(duì)于封裝后電池片一，測(cè)試時(shí)其正面負(fù)極與光譜響應(yīng)設(shè)備的探針相連，其背面與光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)緊密相接；而對(duì)于封裝后電池片二，測(cè)試時(shí)也需要簡(jiǎn)單改造光譜響應(yīng)設(shè)備，將光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)改成探針型，使電池片正、負(fù)兩極在測(cè)試時(shí)分別與光譜響應(yīng)設(shè)備的兩極相連。步驟六、對(duì)比封裝前、后電池片一和電池片二的光譜曲線和反射率曲線
最后對(duì)比封裝前、后電池片一試樣和電池片二試樣的光譜曲線和反射率曲線，并得出結(jié)論。(1)玻璃和EVA對(duì)電池片有一定的減反射效果； (2)封裝后電池的電流要比封裝前高一些。
權(quán)利要求
1. 一種測(cè)試晶硅組件光譜響應(yīng)和反射率的方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟步驟一、選擇電池片選擇電池片一或電池片二，其中電池片一為傳統(tǒng)工藝的晶硅電池片，其正面有負(fù)極柵線，背面有正極柵線；而電池片二為非傳統(tǒng)工藝的晶硅電池片，其正面沒(méi)有柵線，正、負(fù)極柵線均在背面，步驟二、制作封裝前電池片試樣在所述電池片一正面負(fù)極上焊接或粘接上一根焊帶引出負(fù)極，電池片一背面不做改變，制作成封裝前電池片一試樣；或在所述電池片二背面正、負(fù)極上分別焊接或粘接上一根焊帶引出正、負(fù)極，制作成封裝前電池片二試樣，步驟三、測(cè)試封裝前電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線測(cè)試封裝前電池片一試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，電池片一試樣的正面負(fù)極與光譜響應(yīng)設(shè)備的探針相連，背面與光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)緊密相接；測(cè)試封裝前電池片二試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，將光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)改成探針型，使電池片二試樣正、負(fù)兩極在測(cè)試時(shí)分別與光譜響應(yīng)設(shè)備的兩極相連；另外，在測(cè)試時(shí)，圈定電池片試樣一和電池片試樣二上的測(cè)試點(diǎn)，以便封裝后選取同樣的測(cè)試點(diǎn)做對(duì)比， 步驟四、制作封裝后電池片試樣對(duì)于封裝前電池片一試樣，在其正面依次疊層上EVA和玻璃，焊帶露出玻璃，背面不需要EVA和背板，然后放進(jìn)層壓機(jī)進(jìn)行層壓，制作成封裝后電池片一試樣；對(duì)于封裝前電池片二試樣，在其正面疊層上EVA和玻璃，兩根焊帶露出玻璃，背面或依次疊層上EVA和背板，或不依次疊層上EVA和背板，然后放進(jìn)層壓機(jī)進(jìn)行層壓，制作成封裝后電池片二試樣， 步驟五、測(cè)試封裝后電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線測(cè)試封裝后電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線時(shí)，首先測(cè)試點(diǎn)與封裝前的要一致; 其次，對(duì)于封裝后電池片一試樣，測(cè)試時(shí)其正面負(fù)極與光譜響應(yīng)設(shè)備的探針相連，其背面與光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)緊密相接；而對(duì)于封裝后電池片二試樣，將光譜響應(yīng)設(shè)備的平臺(tái)改成探針型，使電池片正、負(fù)兩極在測(cè)試時(shí)分別與光譜響應(yīng)設(shè)備的兩極相連，步驟六、對(duì)比封裝前、后電池片一試樣和電池片二試樣的光譜曲線和反射率曲線，并得出結(jié)論。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種測(cè)試晶硅組件光譜響應(yīng)和反射率的方法，所述方法包括以下工藝步驟步驟一、選擇電池片一或電池片二，電池片一正面有負(fù)極柵線，背面有正極柵線；而電池片二正面沒(méi)有柵線，正、負(fù)極柵線均在背面，步驟二、制作封裝前電池片試樣，步驟三、測(cè)試封裝前電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線，步驟四、制作封裝后電池片試樣，步驟五、測(cè)試封裝后電池片試樣的光譜響應(yīng)和反射率曲線，步驟六、對(duì)比封裝前、后電池片一試樣和電池片二試樣的光譜曲線和反射率曲線，并得出結(jié)論。本發(fā)明提供了一種簡(jiǎn)單的測(cè)試晶硅組件光譜的方法，將電池片與組件聯(lián)系起來(lái)分析研究問(wèn)題。
文檔編號(hào)G01M11/02GK102360063SQ20111027934
公開日2012年2月22日 申請(qǐng)日期2011年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月20日
發(fā)明者喬虹橋, 劉強(qiáng), 張斌, 邢國(guó)強(qiáng), 郭志球, 顧斌峰 申請(qǐng)人:江陰鑫輝太陽(yáng)能有限公司