專利名稱：X射線ct裝置以及x射線檢測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施方式涉及具備X射線檢測器以及數(shù)據(jù)收集裝置(DAS:data acquisition system)的X射線CT裝置以及X射線檢測器。
背景技術(shù)：
X射線CT裝置具有隔著被檢體對(duì)置配置的X射線源以及X射線檢測器。X射線檢測器沿著與體軸方向即頂板長度方向正交的方向(通道方向)具有多道(M道)檢測元件。能夠使用多種類型的X射線檢測器，但是在X射線CT裝置中一般使用能夠小型化的閃爍檢測器。閃爍檢測器的各檢測元件具備閃爍器、以及PDbhotodiode 光電二極管) 等光傳感器。閃爍器吸收在前級(jí)被進(jìn)行了準(zhǔn)直的X射線，通過該吸收而產(chǎn)生光(熒光)。PD 通過光傳感器將光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)并輸出給DAS。DAS搭載有多個(gè)將基于電信號(hào)的電壓信號(hào)放大的C-amp芯片、對(duì)放大后的信號(hào)進(jìn)行數(shù)字轉(zhuǎn)換的A/D轉(zhuǎn)換芯片等。即，根據(jù)X射線CT裝置，能夠從X射線源對(duì)被檢體的某個(gè)截面扇狀地照射X射線束，按照X射線檢測器的每個(gè)檢測元件分別將透射了被檢體的某個(gè)切片面的X射線束轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，從而收集透射數(shù)據(jù)。DAS的C-amp芯片以及A/D (analog to digital 模/數(shù))轉(zhuǎn)換芯片是電子部件， 若長時(shí)間暴露在X射線(放射線)中，DAS可能產(chǎn)生不良情況。因此，DAS在X射線CT裝置的臺(tái)架(旋轉(zhuǎn)部)中被配置(安裝)在不暴露在X射線中的位置。近年來，能夠進(jìn)行電子部件的高集成化以及高密度安裝，并且，為了提高性能，使X 射線檢測器與DAS成為一體化構(gòu)造(模塊)的技術(shù)開發(fā)在不斷取得進(jìn)展。但是，若X射線檢測器與DAS為一體化構(gòu)造，則DAS被配置在與X射線檢測器的X射線入射側(cè)相對(duì)置的一側(cè)，即被配置在暴露于未被X射線檢測器完全吸收而泄漏的X射線中的位置。因此，若采用 X射線檢測器與DAS為一體化構(gòu)造，則DAS暴露在未被X射線檢測器完全吸收而泄漏的X射線中，DAS有可能產(chǎn)生故障等不良情況。另一方面，若想要在使X射線檢測器與DAS為一體化構(gòu)造的同時(shí)將DAS配置在不暴露于X射線中的位置，就不能夠進(jìn)行X射線檢測器的檢測元件與DAS的堆砌式地重疊配
置(夕4 1J >夕’)。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述課題，本實(shí)施方式的X射線CT裝置構(gòu)成為，具備X射線源，產(chǎn)生X射線；X射線檢測器，基于上述X射線取得電信號(hào)；以及數(shù)據(jù)收集裝置，配置在上述X射線檢測器的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)，上述X射線檢測器具備準(zhǔn)直器，具有厚度Wc的閾板(閾板)，用于去除上述X射線中的散射線；多個(gè)閃爍器，基于上述X射線發(fā)出光；光反射件，設(shè)置在上述多個(gè)閃爍器中相鄰的閃爍器之間的間隙中；以及多個(gè)光電二極管，將上述多個(gè)閃爍器的光分別轉(zhuǎn)換為上述電信號(hào)，在上述相鄰的閃爍器的X射線入射側(cè)架設(shè)的上述閾板的厚度Wc與上述間隙的厚度Ws成為以下公式所示的關(guān)系Wc > Ws。根據(jù)上述構(gòu)成的X射線CT裝置，即使在使X射線檢測器與DAS為一體化構(gòu)造的情況下，也能夠避免從X射線檢測器泄漏的X射線引起的DAS的故障等不良情況。


圖1是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的硬件結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示現(xiàn)有X射線CT裝置的旋轉(zhuǎn)部的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖3是表示現(xiàn)有X射線CT裝置的旋轉(zhuǎn)部的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖4是表示現(xiàn)有X射線CT裝置的旋轉(zhuǎn)部的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖5是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器以及DAS的第一結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。圖6是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器以及DAS的第二結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。圖7是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器以及DAS的第三結(jié)構(gòu)例的俯視圖。圖8是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器以及DAS的第四結(jié)構(gòu)例的俯視圖。
具體實(shí)施例方式參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的X射線CT裝置存在下述各種類型，任何種類型都能夠適用本發(fā)明， 所述各種類型有χ射線管與X射線檢測器成為一體地在被檢體的周圍旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)/旋轉(zhuǎn) (ROTATE/ROTATE)類型、以及環(huán)狀地布局有多個(gè)檢測元件、只有X射線管在被檢體的周圍旋轉(zhuǎn)的固定/旋轉(zhuǎn)(STATIONARY/ROTATE)類型等。此處，對(duì)當(dāng)前占主流的旋轉(zhuǎn)/旋轉(zhuǎn)類型進(jìn)行說明。 此外，在將入射X射線轉(zhuǎn)換為電荷的機(jī)理中，通過閃爍器等熒光體將X射線轉(zhuǎn)換為光后再通過光電二極管等光電轉(zhuǎn)換元件將該光轉(zhuǎn)換為電荷的間接轉(zhuǎn)換型、和利用由X射線引起的半導(dǎo)體內(nèi)的電子空穴對(duì)的生成及其朝向電極的移動(dòng)即光導(dǎo)電現(xiàn)象的直接轉(zhuǎn)換型是主流。除此之外，近年來，將X射線管與X射線檢測器的多個(gè)對(duì)搭載到旋轉(zhuǎn)環(huán)上的、所謂多管球形的X射線CT裝置的產(chǎn)品化在發(fā)展，其周邊技術(shù)的開發(fā)也在不斷取得進(jìn)展。本實(shí)施方式的X射線CT裝置不管是以往的單管球形的X射線CT裝置還是多管球形的X射線CT 裝置中的哪個(gè)，都能夠得以適用。此處，對(duì)單管球形的X射線CT裝置進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的硬件結(jié)構(gòu)圖。圖1示出了本實(shí)施方式的X射線CT裝置1。X射線CT裝置1大體上包括掃描裝置11和圖像處理裝置12。X射線CT裝置1的掃描裝置11構(gòu)成為，通常設(shè)置于檢查室，用于生成與被檢體(人體)0的攝影部位有關(guān)的X射線的透射數(shù)據(jù)。另一方面，圖像處理裝置12構(gòu)成為，通常設(shè)置于與檢查室鄰接的控制室，用于基于透射數(shù)據(jù)生成投影數(shù)據(jù)而進(jìn)行重構(gòu)圖像的生成和顯示。X射線CT裝置1的掃描裝置11設(shè)有作為X射線源的X射線管21、X射線檢測器 (閃爍檢測器)22、光圈23、DAS24、旋轉(zhuǎn)部25、控制器沈、高電壓電源27、光圈驅(qū)動(dòng)裝置觀、 旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置四、頂板30以及頂板驅(qū)動(dòng)裝置(診視床裝置)31。X射線管21與從高電壓電源27供給的管電壓相對(duì)應(yīng)地朝向X射線檢測器22照射 X射線。通過從X射線管21照射的X射線，形成扇形波束X射線或錐形波束X射線。X射線檢測器22是一維布局型的X射線檢測器，在與體軸方向即頂板長度方向正交的方向(通道方向)上具有多(M)道，在切片方向(列方向)上具有一列檢測元件?；蛘撸琗射線檢測器22是矩陣狀即二維布局型的X射線檢測器(也稱為多切片型檢測器)，在與體軸方向即頂板長度方向正交的通道方向上具有多(M)道，在列方向上具有多(N)列檢測元件。以下，對(duì)X射線檢測器22是多切片型檢測器的情況進(jìn)行說明。X射線檢測器22對(duì)從X射線管21照射并透射了被檢體0的X射線進(jìn)行檢測。光圈23通過光圈驅(qū)動(dòng)裝置觀，對(duì)從X射線管21照射的X射線的切片方向上的照射范圍進(jìn)行調(diào)整。即，由光圈驅(qū)動(dòng)裝置觀調(diào)整光圈23的開口，由此能夠變更切片方向的X 射線照射范圍。DASM將X射線檢測器22的各檢測元件檢測到的透射數(shù)據(jù)的電信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)并放大，并進(jìn)一步轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。DAS24的輸出數(shù)據(jù)經(jīng)由控制器沈供給到圖像處理裝置12。旋轉(zhuǎn)部25收容在掃描裝置11的臺(tái)架(未圖示)中，將X射線管21、X射線檢測器 22、光圈23以及DASM保持為一體。旋轉(zhuǎn)部25構(gòu)成為，能夠在使X射線管21與X射線檢測器22對(duì)置的狀態(tài)下，使X射線管21、X射線檢測器22、光圈23以及DASM —體地以被檢體0為中心旋轉(zhuǎn)?？刂破鳑灿蒀PU (central processing unit)以及存儲(chǔ)器構(gòu)成。控制器洸基于從圖像處理裝置12輸入的控制信號(hào)，進(jìn)行X射線檢測器22、DAS24、高電壓電源27、光圈驅(qū)動(dòng)裝置觀、旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置四以及頂板驅(qū)動(dòng)裝置31的控制，執(zhí)行掃描。高電壓電源27通過控制部沈所進(jìn)行的控制，向X射線管21供給X射線的照射所需要的電力。光圈驅(qū)動(dòng)裝置28通過控制部沈所進(jìn)行的控制，對(duì)光圈23的X射線的切片方向上的照射范圍進(jìn)行調(diào)整。旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置四通過控制部沈所進(jìn)行的控制，使旋轉(zhuǎn)部25旋轉(zhuǎn)，以使旋轉(zhuǎn)部25 在維持其位置關(guān)系的狀態(tài)下以空洞部為中心旋轉(zhuǎn)。頂板30能夠載放被檢體0。頂板驅(qū)動(dòng)裝置31通過控制部沈所進(jìn)行的控制，使頂板30沿著ζ軸方向移動(dòng)。旋轉(zhuǎn)部25的中央部分具有開口，載放在該開口部的頂板30上的被檢體0被插入該開口。X射線CT裝置1的圖像處理裝置12以計(jì)算機(jī)為基礎(chǔ)而構(gòu)成，能夠與醫(yī)院基干的 LANdocal area network 局域網(wǎng))等網(wǎng)絡(luò)N相互通信。雖然未圖示，但圖像處理裝置12 由CPU、存儲(chǔ)器、HDD (hard disc drive 硬盤驅(qū)動(dòng)器)、輸入裝置以及顯示裝置等基本硬件構(gòu)成。
圖像處理裝置12對(duì)從掃描裝置11的DASM輸入的原始數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)數(shù)變換處理以及靈敏度修正等修正處理(前處理)，而生成投影數(shù)據(jù)。并且，圖像處理裝置12對(duì)前處理后的投影數(shù)據(jù)進(jìn)行散射線的去除處理。圖像處理裝置12用于基于X射線照射范圍內(nèi)的投影數(shù)據(jù)的值來進(jìn)行散射線的去除，將根據(jù)進(jìn)行散射線修正的對(duì)象的投影數(shù)據(jù)或者其鄰接的投影數(shù)據(jù)的值的大小推測出的散射線，從成為對(duì)象的投影數(shù)據(jù)中減去，而進(jìn)行散射線修正。圖像處理裝置12基于修正后的投影數(shù)據(jù)生成重構(gòu)圖像。圖2是表示現(xiàn)有X射線CT裝置的旋轉(zhuǎn)部的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖2示出了現(xiàn)有X射線CT裝置的X射線管61、X射線檢測器62、DAS64以及旋轉(zhuǎn)部65。X射線管61、X射線檢測器62、DAS64以及旋轉(zhuǎn)部65的功能，分別與圖1所示的X射線CT裝置1的X射線管21、X射線檢測器22、DAS24以及旋轉(zhuǎn)部25的功能相同。DAS64的C-amp芯片以及A/D轉(zhuǎn)換芯片是電子部件，若長時(shí)間暴露在X射線(放射線)中，則DAS64可能會(huì)產(chǎn)生故障等不良情況。因此，DAS64在X射線CT裝置的旋轉(zhuǎn)部65 中被配置(安裝)在不暴露在X射線中的位置。DAS64經(jīng)由信號(hào)線纜輸入X射線檢測器62 的各檢測元件檢測出的透射數(shù)據(jù)的電信號(hào)。近年來，電子部件的高集成化以及高密度安裝成為可能，并且，為了提高性能，使X 射線檢測器62與DAS64成為一體化構(gòu)造(在圖3中圖示)的技術(shù)開發(fā)在不斷進(jìn)展。但是， 若采用X射線檢測器62與DAS64的一體化構(gòu)造，則DAS62被配置在與X射線檢測器62的 X射線入射側(cè)相對(duì)置的一側(cè)、即被配置在暴露于未被X射線檢測器62完全吸收而泄漏的X 射線中的位置。因此，若采用X射線檢測器62與DAS64的一體化構(gòu)造，則DAS64暴露在未被X射線檢測器62完全吸收而泄漏的X射線中，DAS64有可能產(chǎn)生不良情況。另一方面，若想要在使X射線檢測器62與DAS64為一體化構(gòu)造的同時(shí)將DAS64配置在不暴露于X射線中的位置(在圖4中圖示)，則不能夠進(jìn)行X射線檢測器62的檢測元件與DAS64的堆砌式地重疊配置。因此，以下對(duì)本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的具體例子進(jìn)行說明。圖5是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器22以及DAS24的第一結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。圖5示出了從2個(gè)側(cè)面方向觀察的多切片型X射線檢測器22以及DAS24。X射線檢測器22具備準(zhǔn)直器41，具有厚度Wc的閾板(鉛板)，用于去除散射線；MXN個(gè)檢測元件42，在準(zhǔn)直器41的后級(jí)基于X射線產(chǎn)生電信號(hào)，與M道XN列相對(duì)應(yīng)；以及DAS24。各檢測元件42包括具有厚度D的閃爍器51 ；設(shè)置在相鄰的閃爍器51之間的間隙中、反射光的光反射件(分隔件)52 ；以及PD53。DASM包括與檢測元件42的數(shù)量為一對(duì)一地對(duì)應(yīng)的數(shù)量的多個(gè)DAS芯片(C-amp芯片以及A/D轉(zhuǎn)換芯片)55，或者包括與檢測元件42的數(shù)量為多對(duì)一地對(duì)應(yīng)的數(shù)量的多個(gè)DAS芯片55。在圖5中例示了前者的情況的DAS24。準(zhǔn)直器41 的閾板架設(shè)在相鄰的閃爍器的X射線入射側(cè)。此處，圖5所示的準(zhǔn)直器41的閾板的厚度Wc與相鄰的閃爍器51之間的間隙的厚度Ws之間的關(guān)系，如以下公式(1)那樣設(shè)定。Wc ^ Ws ......(1)。此外，在實(shí)際制造準(zhǔn)直器41的情況下，基于閃爍器51 (檢測元件42)的校準(zhǔn)(校正精度)，來考慮準(zhǔn)直器41的閾板的厚度Wc與設(shè)計(jì)上的間隙的厚度Ws’之間的關(guān)系。準(zhǔn)直器41的閾板的厚度Wc與設(shè)計(jì)上的間隙的厚度Ws’之間的關(guān)系，如以下公式⑵那樣設(shè)定。 另外，設(shè)形成設(shè)計(jì)上的間隙的厚度Ws’的相鄰的2個(gè)閃爍器51的各校準(zhǔn)(各閃爍器51的偏移量)為“d”。Wc 彡 Ws，+2d ......O)。另一方面，若按照以上公式(1)、(2)使準(zhǔn)直器41的厚度Wc過大，則閃爍器51的受光能力(靈敏度)降低。因此，選擇閃爍器51的受光能力足夠的值作為準(zhǔn)直器41的厚度Wc的上限值。根據(jù)以上公式(1)、0)，能夠通過具有為遮蔽X射線所需厚度D的閃爍器51，遮蔽入射到閃爍器51的X射線，并且要透射閃爍器51之間的間隙(光反射件52)的X射線能夠通過具有厚度Wc的準(zhǔn)直器41的閾板被遮蔽。因此，在采用以上公式(1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置的第一結(jié)構(gòu)例中，X射線不會(huì)從X射線檢測器22泄漏到X射線檢測器22的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)。因此，在采用以上公式(1)“2)的本實(shí)施方式的X 射線CT裝置的第一結(jié)構(gòu)例中，即使在使X射線檢測器22與DASM為一體化構(gòu)造的情況下， DASM也不會(huì)暴露在X射線中。另外，準(zhǔn)直器41的深度當(dāng)然是足夠遮蔽X射線的深度。圖6是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器22以及DAS24的第二結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。圖6與圖5 —樣，示出了從2個(gè)側(cè)面方向觀察的X射線檢測器22及DAS24。在圖 6所示的X射線檢測器22的閃爍器51的X射線入射側(cè)，設(shè)置有用于架設(shè)準(zhǔn)直器41的閾板的嵌合(松動(dòng)嵌合)槽G。與圖5所示的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第一結(jié)構(gòu)例同樣，在采用以上公式 (1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第二結(jié)構(gòu)例中，X射線不會(huì)從X射線檢測器22 泄漏到X射線檢測器22的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)。因此，在采用以上公式(1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第二結(jié)構(gòu)例中，即使在使X射線檢測器22與DAS24為一體化構(gòu)造的情況下，DAS24也不會(huì)暴露在X射線中。此外，如圖6所示，通過在閃爍器51的X射線入射側(cè)設(shè)置嵌合槽G，能夠容易進(jìn)行在閃爍器51上架設(shè)準(zhǔn)直器41的閾板時(shí)的對(duì)位。并且，也不能夠完全保證不存在圖5所示的準(zhǔn)直器41的閾板與閃爍器51接觸的接觸面上產(chǎn)生微小間隙的可能性。因此，如圖6所示，在閃爍器51的X射線入射側(cè)設(shè)置嵌合槽G，由此能夠充分遮蔽要從準(zhǔn)直器41的閾板與閃爍器51接觸的接觸面的微小間隙透射的散射X射線。圖7是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器22以及DAS24的第三結(jié)構(gòu)例的俯視圖。圖7示出了具有5道X 5列的檢測元件42的二維布局型的X射線檢測器22以及 DAS240圖7所示的X射線檢測器22與圖5的結(jié)構(gòu)同樣，具備準(zhǔn)直器41，去除散射線； MXN個(gè)檢測元件42，在準(zhǔn)直器41的后級(jí)基于X射線產(chǎn)生電信號(hào)；以及DAS24。各檢測元件42與圖5的結(jié)構(gòu)同樣，包括具有為遮蔽X射線所需厚度的閃爍器51、光反射件以及PD。 DAS24與圖5的結(jié)構(gòu)同樣，包括與檢測元件42的數(shù)量為一對(duì)一地對(duì)應(yīng)的數(shù)量的多個(gè)DAS芯片，或者包括與檢測元件42的數(shù)量為多對(duì)一地對(duì)應(yīng)的數(shù)量的多個(gè)DAS芯片。此外，圖7所示的X射線CT裝置1的第三結(jié)構(gòu)例，圖示了以上公式(1)的Wc = Ws的情況。在采用以上公式(1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第三結(jié)構(gòu)例中，與圖 5所示的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第一結(jié)構(gòu)例同樣，X射線不會(huì)從X射線檢測器22 泄漏到X射線檢測器22的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)。因此，在采用以上公式(1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第三結(jié)構(gòu)例中，即使在使X射線檢測器22與DAS24為一體化構(gòu)造的情況下，DAS24也不會(huì)暴露在X射線中。另外，也能夠構(gòu)成為將圖7所示的X射線CT裝置1的第三結(jié)構(gòu)例與圖6所示的X 射線CT裝置1的第二結(jié)構(gòu)例組合而成的結(jié)構(gòu)。即，在本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第三結(jié)構(gòu)例中，也可以在閃爍器51的X射線入射側(cè)設(shè)置嵌合槽。圖8是表示本實(shí)施方式的X射線CT裝置的X射線檢測器22以及DASM的第四結(jié)構(gòu)例的俯視圖。圖8示出了具有5道X 5列的檢測元件42的二維布局型的X射線檢測器22以及 DAS240圖8所示的X射線檢測器22與圖5的結(jié)構(gòu)同樣，具備準(zhǔn)直器41，去除散射線； MXN個(gè)檢測元件42，在準(zhǔn)直器41的后級(jí)基于X射線產(chǎn)生電信號(hào)；以及DAS24。各檢測元件42與圖5的結(jié)構(gòu)同樣，包括具有為遮蔽X射線所需厚度的閃爍器51、光反射件以及PD。 DAS24具備多個(gè)例如4個(gè)DAS單元Ma。各DAS單元2 包括與檢測元件42的數(shù)量為一對(duì)一地對(duì)應(yīng)的數(shù)量的多個(gè)DAS芯片，或者包括與檢測元件42的數(shù)量為多對(duì)一地對(duì)應(yīng)的數(shù)量的多個(gè)DAS芯片。此外，圖8所示的X射線CT裝置1的第四結(jié)構(gòu)例，圖示了以上公式(1)的Wc = Ws 的情況。在采用以上公式(1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第四結(jié)構(gòu)例中，與圖 5所示的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第一結(jié)構(gòu)例同樣，X射線不會(huì)從X射線檢測器22 泄漏到X射線檢測器22的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)。因此，在采用以上公式(1)、(2)的本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第四結(jié)構(gòu)例中，即使在使X射線檢測器22與DAS24為一體化構(gòu)造的情況下，DAS24也不會(huì)暴露在X射線中。另外，也能夠構(gòu)成為將圖8所示的X射線CT裝置1的第四結(jié)構(gòu)例與圖6所示的X 射線CT裝置1的第二結(jié)構(gòu)例組合而成的結(jié)構(gòu)。即，在本實(shí)施方式的X射線CT裝置1的第四結(jié)構(gòu)例中，也可以在閃爍器51的X射線入射側(cè)設(shè)置嵌合槽。根據(jù)本實(shí)施方式的X射線CT裝置1，即使在使X射線檢測器22與DASM為一體化構(gòu)造的情況下，也能夠避免從X射線檢測器22泄漏的X射線引起的DAS24的故障等不良情況。以上說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但實(shí)施方式作為例子進(jìn)行提示，不意圖限定發(fā)明的范圍。實(shí)施方式能夠通過其他各種方式來實(shí)施，在不脫離發(fā)明宗旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種省略、置換以及變更。實(shí)施方式以及其變形包含在發(fā)明的范圍以及其宗旨中，同樣也包含在權(quán)利要求所記載的發(fā)明及其等同的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種X射線CT裝置，其中， 該X射線CT裝置具備X射線源，產(chǎn)生X射線；X射線檢測器，基于上述X射線取得電信號(hào)；以及數(shù)據(jù)收集裝置，配置在上述X射線檢測器的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)， 上述X射線檢測器具備準(zhǔn)直器，具有厚度Wc的閾板，用于去除上述X射線中的散射線； 多個(gè)閃爍器，基于上述χ射線發(fā)出光；光反射件，設(shè)置在上述多個(gè)閃爍器中相鄰的閃爍器之間的間隙中；以及多個(gè)光電二極管，將上述多個(gè)閃爍器的光分別轉(zhuǎn)換為上述電信號(hào)， 在上述相鄰的閃爍器的X射線入射側(cè)架設(shè)的上述閾板的厚度Wc與上述間隙的厚度Ws 成為以下公式所示的關(guān)系 Wc 彡 Ws0
2.如權(quán)利要求1所述的X射線CT裝置，其中，構(gòu)成為上述多個(gè)閃爍器、上述多個(gè)光電二極管以及上述數(shù)據(jù)收集裝置為一體化的構(gòu)造。
3.如權(quán)利要求1所述的X射線CT裝置，其中，在上述多個(gè)閃爍器的X射線入射側(cè)設(shè)有用于架設(shè)上述閾板的嵌合槽。
4.如權(quán)利要求1所述的X射線CT裝置，其中， 上述準(zhǔn)直器具有上述閾板形成為矩陣狀的結(jié)構(gòu)。
5.一種X射線檢測器，其中， 該X射線檢測器具備準(zhǔn)直器，具有厚度Wc的閾板，用于去除上述X射線中的散射線； 多個(gè)閃爍器，基于上述χ射線發(fā)出光；光反射件，設(shè)置在上述多個(gè)閃爍器中相鄰的閃爍器之間的間隙中；以及多個(gè)光電二極管，將上述多個(gè)閃爍器的光分別轉(zhuǎn)換為上述電信號(hào)， 在上述相鄰的閃爍器的X射線入射側(cè)架設(shè)的上述閾板的厚度Wc與上述間隙的厚度Ws 成為以下公式所示的關(guān)系 Wc 彡 Ws0
6.如權(quán)利要求5所述的X射線檢測器，其中，構(gòu)成為上述多個(gè)閃爍器、上述多個(gè)光電二極管以及上述數(shù)據(jù)收集裝置為一體化的構(gòu)造。
7.如權(quán)利要求5所述的X射線檢測器，其中，在上述多個(gè)閃爍器的X射線入射側(cè)設(shè)有用于架設(shè)上述閾板的嵌合槽。
8.如權(quán)利要求5所述的X射線檢測器，其中， 上述準(zhǔn)直器具有上述閾板形成為矩陣狀的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及X射線CT裝置以及X射線檢測器。X射線檢測器具備準(zhǔn)直器，具有厚度Wc的閾板，用于去除散射線；多個(gè)閃爍器，基于X射線發(fā)出光；光反射件，設(shè)置在多個(gè)閃爍器中相鄰的閃爍器之間的間隙中；以及多個(gè)光電二極管，將多個(gè)閃爍器的光分別轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。X射線檢測器構(gòu)成為，在相鄰的閃爍器的X射線入射側(cè)架設(shè)的閾板的厚度Wc與間隙的厚度Ws成為如下公式所示的關(guān)系Wc≥Ws。DAS配置在X射線檢測器的與X射線入射側(cè)對(duì)置的一側(cè)。
文檔編號(hào)G01T1/20GK102232843SQ20111009803
公開日2011年11月9日 申請(qǐng)日期2011年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者八百井佳明, 村井誠一郎, 谷口昭彥 申請(qǐng)人:東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會(huì)社, 株式會(huì)社東芝