專利名稱：發(fā)光模塊的過電流檢測電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ー種能夠檢測由于發(fā)光模塊的異常操作條件引起的過電流的發(fā)光裝置的過電流檢測電路，該發(fā)光模塊可應用于TV或顯示器。
背景技術：
通常，隨著對于將發(fā)光二極管(LED)用作光源的LED-TV的興趣的増加，還對用作背光源的LED模塊進行各種研究。因此，還進行對于驅動LED模塊的驅動器電路的各種研究和開發(fā)。通常，相比于現(xiàn)有的冷陰極管熒光燈(CCFL)等，LED具有更多優(yōu)點，但也具有可能發(fā)生電開路或電短路的缺點，發(fā)生電開路或電短路的原因在于，應用LED的裝置(例如，TV 等)的厚度變薄。由于這些缺點，對于電源電路的驅動，需要合適的保護電路。根據(jù)諸如TV等的顯示裝置的屏幕的大小，陽極端與陰極端之間串聯(lián)連接多個LED 來配置LED模塊。LED模塊的驅動電源単元使用轉換器(例如，升壓器、降壓器和LLC等) 將適當?shù)墓β侍峁┙oLED模塊，具體地講，所述LED模塊的驅動電源單元具有控制用于亮度均勻度的恒定電流的功能。同吋，由于LED模塊的缺陷或LED模塊的制造エ藝中的問題，具體地講，使用LED 的電視機的厚度被制造為逐漸變薄，因此，可出現(xiàn)這種問題，即，串聯(lián)連接的多個LED中的任何一部分與電視機的底架(chassis)或形成LED的印刷電路板(PCB)的金屬(metal)發(fā)生短路。因此，陰極端可以與對應于接地電位的底架電短路，從而允許過電流在LED模塊中流動，所以產(chǎn)生諸如LED的損壞和LED的過熱導致的面板的損壞等嚴重問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供了一種發(fā)光模塊的過電流檢測電路，所述過電流檢測電路能夠檢測可應用于電視機或顯示器的發(fā)光模塊中的異常操作條件引起的過電流，所述異常條件包括電路板與底架短路等。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種發(fā)光模塊的過電流檢測電路，所述過電流檢測電路包括鉗位電路單元，檢測來自連接到發(fā)光模塊的陰極端的檢測連接節(jié)點的檢測電壓并將該檢測電壓固定到預設鉗位電壓，其中，所述發(fā)光模塊包括至少ー個發(fā)光元件；異常檢測單元，確定由鉗位電路單元固定的電壓是否是過電流并且當由鉗位電路單元固定的電壓低于預設第一參考電壓時產(chǎn)生過電流檢測信號。鉗位電路單元可被連接到檢測連接節(jié)點，其中，該檢測連接節(jié)點在發(fā)光模塊的陰極端與用于控制在所述發(fā)光模塊中流動的電流的開關之間。
當檢測連接節(jié)點的檢測電壓低于預設鉗位電壓時，鉗位電路單元可將具有比第一參考電壓的電平低的電平的電壓輸出到異常檢測單元，以及當檢測連接節(jié)點的檢測電壓高于預設鉗位電壓時，鉗位電路單元可將具有比第一參考電壓的電平高的電平的鉗位電壓輸出到異常檢測單元。異常檢測單元可包括第一檢測單元，通過將由鉗位電路單元固定的電壓與第一參考電壓相比較來檢測是否存在異常；電流源，連接到被提供預設電源電壓的電源端；第一開關，連接在電流源與接地之間并根據(jù)第一檢測單元的輸出信號執(zhí)行切換操作；電容器， 連接在充電連接節(jié)點與接地之間，該充電連接節(jié)點設置在電流源與第一開關之間；第二檢測單元，通過將在電容器中充電的電壓與預設第二參考電壓相比較來檢測是否存在維持預設預定時間的異常；第二開關，連接在輸出節(jié)點與接地之間并根據(jù)第二檢測單元的輸出信號執(zhí)行切換操作以將過電流檢測信號輸出到輸出端，其中，輸出節(jié)點設置在連接到電源端的輸出電阻器與所述輸出端之間。鉗位電路單元可包括nMOSFET，該nMOSFET包括連接到檢測連接節(jié)點的漏極、連接到異常檢測單元的輸入端的源極、連接到被提供鉗位電壓的鉗位電壓端的柵極。第一檢測單元可包括第一運算放大器，該第一運算放大器包括反相輸入端，接收由鉗位電路單元固定的電壓；非反相輸入端，接收第一參考電壓；輸出端，當固定的電壓高于第一參考電壓時輸出低電平電壓，以及當固定的電壓低于第一參考電壓時輸出高電平電壓。第一檢測單元還可包括第一反相器，該第一反相器對來自第一運算放大器的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓。第二檢測單元可包括第二運算放大器，該第二運算放大器包括非反相輸入端，接收在電容器中充電的電壓；反相輸入端，接收第二參考電壓；輸出端，當充電的電壓低于第 ニ參考電壓時輸出低電平電壓，以及當充電的電壓高于第二參考電壓時輸出高電平電壓。第二檢測單元還可包括第二反相器，該第二反相器對來自第二運算放大器的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓。第一開關可包括nMOSFET，當?shù)谝粰z測單元的輸出信號為高電平時該nMOSFET被導通以將充電連接節(jié)點連接到接地，當?shù)谝粰z測單元的輸出信號為低電平時該nMOSFET被截止以將充電連接節(jié)點與接地分離。第二開關可包括nMOSFET，當?shù)诙z測單元的輸出信號為高電平時該nMSOFET被導通以將輸出節(jié)點連接到接地，當?shù)诙z測單元的輸出信號為低電平時該nMOSFET被截止以將輸出節(jié)點與接地分離。


通過下面結合附圖進行的詳細描述，將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其它方面、 特征和其它優(yōu)點，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的發(fā)光模塊的過電流檢測電路的配置圖；圖2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的鉗位電路單元的示例；圖3示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第一檢測單元的示例；圖4示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二檢測單元的示例；
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的主操作的時序圖。
具體實施例方式現(xiàn)在參照附圖對本發(fā)明的示例性實施例進行詳細的描述。本發(fā)明不局限于在此闡述的實施例，可使用所述實施例來幫助理解本發(fā)明的技術思想。在本發(fā)明的附圖中，相同的標號指示具有基本相同的結構和功能的相同部件。圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的發(fā)光模塊的過電流檢測電路的配置圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的發(fā)光模塊的過電流檢測電路可包括鉗位電路單元100，該鉗位電路單元100用于檢測來自檢測連接節(jié)點Nd的檢測電壓Vd并將該檢測電壓Vd固定到預設鉗位電壓VCL，其中，所述檢測連接節(jié)點Nd連接到包括至少ー個發(fā)光元件的發(fā)光模塊50的陰極端NC。另外，發(fā)光模塊的過電流檢測單元可包括異常檢測單元200。當由鉗位電路單元 100固定的電壓VlO低于預設第一參考電壓VREFl時，異常檢測單元200可確定過電流在發(fā)光模塊中流動并產(chǎn)生過電流檢測信號。在此，發(fā)光模塊50可包括串聯(lián)、并聯(lián)或串并聯(lián)連接的多個LED。參照圖1，鉗位電路單元100可被配置為連接到檢測連接節(jié)點Nd，該檢測連接節(jié)點 Nd在發(fā)光模塊50的陰極端NC與開關60之間，該開關60用于控制在發(fā)光模塊50中流動的電流。在這種情況下，例如，可以以這種方式配置開關60，S卩，開關60根據(jù)PWM IC 70的控制以PWM模式操作。更詳細地講，當檢測連接節(jié)點Nd的檢測電壓Vd低于預設鉗位電壓VCL時，鉗位電路單元100可將具有比第一參考電壓的電平低的電平的電壓輸出到異常檢測單元200 ；當檢測連接節(jié)點Nd的檢測電壓Vd高于預設鉗位電壓VCL時，鉗位電路單元100可將具有比第一參考電壓的電平高的電平的鉗位電壓VCL輸出到異常檢測單元200。另外，將參照圖1來描述異常檢測單元200的示例。參照圖1，異常檢測單元200可包括第一檢測單元210，通過將由鉗位電路單元 100固定的電壓VlO與第一參考電壓VREFl相比較來檢測是否存在異常；電流源IS，連接到被提供預設電源電壓Vdd的電源端；第一開關SW1，連接在電流源IS與接地之間并根據(jù)第一檢測單元210的輸出信號執(zhí)行切換操作；電容器C10，連接在充電連接節(jié)點NCH與接地之間，其中，該充電連接節(jié)點NCH設置在電流源IS與第一開關SWl之間；第二檢測單元220， 通過將在電容器ClO中充電的電壓VCH與預設第二參考電壓VREF2相比較來確定是否存在維持預設預定時間(ΔΤ)的異常；第二開關SW2，連接在輸出節(jié)點No與接地之間并根據(jù)第 ニ檢測單元220的輸出信號執(zhí)行切換操作以將過電流檢測信號Sd輸出到輸出端OUT，其中， 輸出節(jié)點No設置在連接到電源端的輸出電阻器Ro與輸出端OUT之間。此時，除電容器ClO之外，可通過包括第一檢測單元210、電流源IS、第一開關SW1、 第二檢測單元220和第二開關SW2來制造單個檢測集成電路(IC)。在這種情況下，電容器 10可連接在檢測IC的充電端ロ PCH與接地之間。圖2示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的鉗位電路單元的示例。參照圖2，鉗位電路單元100可包括N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管 (nMOSFET)，該nMOSFET包括漏扱，連接到檢測連接節(jié)點Nd ；源扱，連接到異常檢測單元200的輸入端；柵極，連接到被提供預設鉗位電壓VCL的鉗位電壓端。圖3示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第一檢測單元的示例。參照圖3，第一檢測單元210可包括第一運算放大器211，該第一運算放大器211 包括反相輸入端，接收由鉗位電路單元100固定的電壓VlO ；非反相輸入端，接收第一參考電壓VREFl ；輸出端，當固定的電壓VlO高于第一參考電壓VREFl時輸出低電平電壓，當固定的電壓VlO低于第一參考電壓VREFl時輸出高電平電壓。另外，第一檢測單元210還可包括對來自第一運算放大器211的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓的第一反相器212。圖4示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的第二檢測單元的示例。參照圖4，第二檢測單元220可包括第二運算放大器221，該第二運算放大器221 包括非反相輸入端，接收在電容器ClO中充電的電壓VCH;反相輸入端，接收第二參考電壓 VREF2 ；輸出端，當充電的電壓VCH低于第二參考電壓VREF2時輸出低電平電壓，當充電的電壓VCH高于第二參考電壓VREF2時輸出高電平電壓。第二檢測單元220還可包括對來自第二運算放大器221的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓的第二反相器222。同吋，第一開關SWl可包括nMOSFET，當來自第一檢測單元210的輸出信號是高電平時該nMOSFET被導通以將充電連接節(jié)點NCH連接到接地，當來自第一檢測單元210的輸出信號是低電平時該nMOSFET將被截止以將充電連接節(jié)點NCH與接地分離。另外，第二開關SW2可包括nMOSFET，當來自第二檢測單元220的輸出信號是高電平時該nMOSFET被導通以將輸出節(jié)點No連接到接地，當來自第二檢測單元220的輸出信號是低電平時該nMOSFET將被截止以將輸出節(jié)點No與接地分離。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的主操作的時序圖。參照圖5，VCH是在電容器ClO中充電的電壓，VREF2是輸入到第二運算放大器221 的反相輸入端的第二參考電壓，TO是異常檢測開始時的時間點，Tl是確定異常檢測時的時間點，ΔΤ(即，TO至Tl的時間)是用于更平穩(wěn)地檢測異常而確保的采樣時間。此外，V221是從第二運算放大器221輸出的電壓，V22是從第二檢測單元220輸出的電壓，SW2是第二開關，Sd是過電流檢測信號。以下，將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的操作和效果。將參照圖1至圖5來描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的發(fā)光模塊的過電流檢測電路。首先，參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的發(fā)光模塊的過電流檢測電路可包括鉗位電路單元100和異常檢測單元200。鉗位電路單元100檢測來自連接到發(fā)光模塊50的陰極端NC的檢測連接節(jié)點Nd 的檢測電壓Vd并將檢測電壓Vd固定到預設鉗位電壓VCL，該發(fā)光模塊50包括至少ー個發(fā)光元件。此時，鉗位電路單元100可連接到檢測連接節(jié)點Nd，該檢測連接節(jié)點Nd在發(fā)光模塊50的陰極端NC與用于控制在發(fā)光模塊50中流動的電流的開關60之間。這里，發(fā)光元件可以是LED。然后，當由鉗位電路單元100固定的電壓VlO低于預設第一參考電壓VREFl時，異常檢測電路200可確定過電流在發(fā)光模塊中流動并且產(chǎn)生過電流檢測信號Sd。在這種情況
7下，第一參考電壓VREFl可被設置為具有用于確定是否是過電流的電壓電平。更詳細地講，當檢測連接節(jié)點Nd的檢測電壓Vd低于預設鉗位電壓VCL時，鉗位電路單元100可將具有比第一參考電壓的電平低的電平的電壓輸出到異常檢測單元200 ；當檢測連接節(jié)點Nd的檢測電壓Vd高于預設鉗位電壓VCL時，鉗位電路單元100可將具有比第一參考電壓的電平高的電平的預設鉗位電壓VCL輸出到異常檢測單元200。參照圖1描述異常檢測單元200的示例。參照圖1，異常檢測單元200被配置為包括第一檢測單元210、電流源IS、第一開關 SW1、電容器C10、第二檢測單元220和第二開關SW2。首先，第一檢測單元210通過將由鉗位電路單元100固定的電壓VlO與第一參考電壓VREFl相比較來檢測是否存在異常。同吋，電流源IS可被連接到電源端以產(chǎn)生預設電流，該電源端被提供預設電源電壓Vdd。然后，第一開關SWl連接在電流源IS與接地之間以根據(jù)第一檢測單元210的輸出信號執(zhí)行導通或截止切換操作。換言之，當?shù)谝婚_關SWl導通吋，形成至接地的放電路徑， 從而來自電流源IS的電流經(jīng)過放電路徑流到接地。另外，當?shù)谝婚_關SWl截止吋，至接地的放電路徑可被阻擋，從而來自電流源IS的電流被提供給電容器C10。同吋，當由nMOSFET形成第一開關SWl吋，在來自第一檢測單元210的輸出信號處于高電平時第一開關SWl可被導通以將充電連接節(jié)點NCH連接到接地，在來自第一檢測單元210的輸出信號處于低電平時第一開關SWl可被截止以將充電連接節(jié)點NCH與接地分
肉ο另外，電容器ClO連接在充電連接節(jié)點NCH與接地之間，該充電連接節(jié)點NCH設置在電流源IS與第一開關SWl之間。在這種情況下，當?shù)谝婚_關SWl被截止吋，通過電流源 IS產(chǎn)生的電流對電容器ClO進行電壓充電。另ー方面，當?shù)谝婚_關SWl被導通時，在電容器 ClO中充電的電壓VCH被第一開關SWl放電。在此，將參照圖5描述使用電容器ClO的原因。例如，在異常檢測開始的時間點TO 處，其中，由于短路等產(chǎn)生具有比第一檢測電壓的電平低的電平的檢測電壓的所述異常，隨著第一開關SWI截止，對電容器ClO開始進行電壓充電。然而，當在異常檢測期間沒有檢測到異常吋，開關SWl導通，從而充電的電壓VCH被放電。換言之，在檢測到異常的情況下，當表現(xiàn)出瞬間低電平的異常特性(例如，靜電放電、噪聲等)的檢測的異常沒有維持預定時間時，這種檢測的異常不會被確定為異常檢測。 另ー方面，在時間點T0，當異常檢測開始吋，在第一開關SWl被截止時，電容器ClO開始電壓充電，然后異常檢測被維持到異常檢測被確定的時間點Tl，該檢測的異?？杀淮_定為異常檢測。因此，當使用電容器吋，瞬時異常狀態(tài)(例如，靜電放電、瞬時噪聲等)可被忽略， 并且可確保采樣時間(ΔΤ)，其中，該采樣時間(ΔΤ)內(nèi)可平穩(wěn)地檢測維持預定時間的異常狀態(tài)。然后，第二檢測單元220可通過將在電容器ClO中充電的電壓VCH與預定的第二參考電壓VREF2相比較來檢測是否存在維持預定時間(ΔΤ)的異常。例如，第二檢測單元220將在電容器ClO中充電的電壓VCH與預設第二參考電壓 VREF2相比較。當充電的電壓VCH高于第二參考電壓VREF2吋，第二檢測單元220可確定異常維持了預定時間(Δ T)，從而確定為異常。另ー方面，當充電電壓VCH不高于第二參考電壓VREF2吋，第二檢測單元220可確定異常沒有維持預定時間(△ Τ)，從而該異常不會被確定為異常。第二開關SW2連接在輸出節(jié)點No與接地之間并根據(jù)第二檢測單元220的輸出信號執(zhí)行切換操作，從而將過電流檢測信號Sd輸出到輸出端OUT，其中，輸出節(jié)點No設置在連接到電源端的輸出電阻器Ro與輸出端OUT之間。例如，當在第二檢測單元220中沒有確定異常檢測吋，第二開關SW2導通，從而低電平信號輸出到輸出節(jié)點No。另ー方面，當在第二檢測單元220中確定異常檢測吋，第二開關SW2截止，從而具有高電平的過電流檢測信號Sd可被輸出到輸出節(jié)點No。作為特定示例，可由nMOSFET形成第二開關SW2。在這種情況下，當來自第二檢測単元220的輸出信號是高電平時nMOSFET可被導通以將輸出節(jié)點No連接到接地；當來自第 ニ檢測單元220的輸出信號是低電平時nMOSFET可被截止以分離輸出節(jié)點No與接地。參照圖2描述鉗位電路單元100的舉例的示例。將參照圖2描述由nMOSFET形成鉗位電路單元100的情況。此時，假設施加到 nMOSFET的柵極的鉗位電壓VCL為+5V，當從檢測連接節(jié)點Nd檢測的檢測電壓Vd低于+5V 吋，nMOSFET截止，使得在鉗位電路單元100的源極示出零(0)電壓。另ー方面，當從檢測連接節(jié)點Nd檢測的檢測電壓Vd高于+5V吋，nMOSFET導通， 從而比鉗位電壓VCL低夾斷(pinch-off)電壓(例如，0. 5V)的4. 5V的電壓被提供給鉗位電路單元100的源扱。如上所述，當檢測電壓Vd為高吋，提供給nMOSFET的源極的電壓被固定為由鉗位電路單元100預設的鉗位電壓VCL，從而高電壓沒有被施加到異常檢測單元 200，所以保護了異常檢測單元200中的內(nèi)部電路。將參照圖3描述第一檢測單元210的舉例的示例。參照圖3，將描述第一檢測單元210包括第一運算放大器211和第一反相器212的情況。第一運算放大器211將由鉗位電路單元100固定并輸入到其反相輸入端的電壓VlO 與輸入到其非反相輸入端的第一參考電壓VREFl相比較，并且當固定的電壓VlO高于第一參考電壓時輸出低電平電壓，當固定的電壓VlO低于第一參考電壓VREFl時輸出高電平電壓。在這種情況下，第一參考電壓VREFl可被設置為+2. 5V，從而可從檢測連接節(jié)點Nd 檢測到具有比第一參考電壓的電平低的電平的電壓。然后，第一反相器212對來自第一運算放大器211的輸出電壓的電平進行反相，并將反相的輸出電壓輸出到第一開關SW1。將參照圖4描述第二檢測單元220的舉例的示例。將參照圖4描述第二檢測單元220包括第二運算放大器221和第二反相器222的情況。第二運算放大器221通過其非反相輸入端接收在電容器ClO中充電的電壓VCH并通過其反相輸入端接收第二參考電壓VREF2，以及當充電的電壓VCH低于第二參考電壓VREF2 時輸出低電平電壓并且當充電的電壓VCH高于第二參考電壓VREF2時輸出高電平電壓。在這種情況下，第二參考電壓VREF2可被設置為+3. 0V,從而可平穩(wěn)地執(zhí)行異常檢測。然后，第二反相器222對來自第二運算放大器221的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓。如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例，檢測連接節(jié)點連接到發(fā)光模塊50的陰極， 從而可檢測包括在LED模塊中的多個LED中的任意一個與底架GND短路的異常狀態(tài)。另夕卜，即使在控制開關60的P麗IC 70的PWM調光被關閉的時間段期間，由于LED 漏電，所以驅動電壓VLED的1/3電壓示出在檢測連接節(jié)點Nd，并且，例如，在驅動電壓VLED 為100V的情況下，大約33V的電壓示出在檢測連接節(jié)點，從而可執(zhí)行正常保護。換言之，如上所述的檢測連接節(jié)點連接到發(fā)光模塊50的陰極端NC，從而無需考慮 PWM模式，在TV機的所有條件下，可執(zhí)行LED模塊的保護功能。如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例，在可應用到電視機或顯示器的發(fā)光模塊的 PWM的開啟狀態(tài)和關閉狀態(tài)二者可檢測過電流，由異常操作(例如，電路板與底架的短路等)引起所述過電流。因此，在LED驅動電源電路中，當LED與底架GND短路時可防止LED過電流。另外，本發(fā)明的示例性實施例可應用鉗位功能，因此可使檢測電路和元件免于電流，相比于現(xiàn)有技木，可降低保護電路単元的制造費用，并且可提高用于保護和檢測過電流的能力。雖然參照示例性實施例已表示和描述了本發(fā)明，但本領域技術人員應該理解，在不脫離由權利要求限定其范圍的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行修改和變化。
權利要求
1.ー種發(fā)光模塊的過電流檢測電路，所述過電流檢測電路包括鉗位電路單元，檢測來自連接到發(fā)光模塊的陰極端的檢測連接節(jié)點的檢測電壓并將該檢測電壓固定到預設鉗位電壓，其中，所述發(fā)光模塊包括至少ー個發(fā)光元件；異常檢測單元，確定由鉗位電路單元固定的電壓是否是過電流并且當由鉗位電路單元固定的電壓低于預設第一參考電壓時產(chǎn)生過電流檢測信號。
2.如權利要求1所述的過電流檢測單元，其中，鉗位電路單元連接到檢測連接節(jié)點，其中，該檢測連接節(jié)點在發(fā)光模塊的陰極端與用于控制在所述發(fā)光模塊中流動的電流的開關之間。
3.如權利要求2所述的過電流檢測單元，其中，當檢測連接節(jié)點的檢測電壓低于預設鉗位電壓時，鉗位電路單元將具有比第一參考電壓的電平低的電平的電壓輸出到異常檢測単元，以及當檢測連接節(jié)點的檢測電壓高于預設鉗位電壓時，鉗位電路單元將具有比第一參考電壓的電平高的電平的鉗位電壓輸出到異常檢測單元。
4.如權利要求3所述的過電流檢測單元，其中，異常檢測單元包括第一檢測單元，通過將由鉗位電路單元固定的電壓與第一參考電壓相比較來檢測是否存在異常；電流源，連接到被提供預設電源電壓的電源端；第一開關，連接在電流源與接地之間并根據(jù)第一檢測單元的輸出信號執(zhí)行切換操作；電容器，連接在充電連接節(jié)點與接地之間，該充電連接節(jié)點設置在電流源與第一開關之間；第二檢測單元，通過將在電容器中充電的電壓與預設第二參考電壓相比較來檢測是否存在維持預設預定時間的異常；第二開關，連接在輸出節(jié)點與接地之間并根據(jù)第二檢測單元的輸出信號執(zhí)行切換操作以將過電流檢測信號輸出到輸出端，其中，輸出節(jié)點設置在連接到電源端的輸出電阻器與所述輸出端之間。
5.如權利要求3所述的過電流檢測電路，其中，鉗位電路單元包括N溝道金屬氧化物場效應晶體管nMOSFET，該nMOSFET包括連接到檢測連接節(jié)點的漏極、連接到異常檢測單元的輸入端的源極、連接到被提供鉗位電壓的鉗位電壓端的柵極。
6.如權利要求4所述的過電流檢測電路，其中，第一檢測單元包括第一運算放大器，該第一運算放大器包括反相輸入端，接收由鉗位電路單元固定的電壓；非反相輸入端，接收第一參考電壓；輸出端，當固定的電壓高于第一參考電壓時輸出低電平電壓，以及當固定的電壓低于第一參考電壓時輸出高電平電壓。
7.如權利要求6所述的過電流檢測電路，其中，第一檢測單元還包括第一反相器，該第一反相器對來自第一運算放大器的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓。
8.如權利要求6所述的過電流檢測電路，其中，第二檢測單元包括第二運算放大器，該第二運算放大器包括非反相輸入端，接收在電容器中充電的電壓；反相輸入端，接收第二參考電壓；輸出端，當充電的電壓低于第二參考電壓時輸出低電平電壓，以及當充電的電壓高于第二參考電壓時輸出高電平電壓。
9.如權利要求8所述的過電流檢測電路，其中，第二檢測單元還包括第二反相器，該第 ニ反相器對來自第二運算放大器的輸出電壓的電平進行反相并輸出反相的輸出電壓。
10.如權利要求4所述的過電流檢測電路，其中，第一開關包括nMOSFET，當?shù)谝粰z測單元的輸出信號為高電平時該nMOSFET被導通以將充電連接節(jié)點連接到接地，當?shù)谝粰z測單元的輸出信號為低電平時該nMOSFET被截止以將充電連接節(jié)點與接地分離。
11.如權利要求4所述的過電流檢測電路，其中，第二開關包括nMOSFET，當?shù)诙z測單元的輸出信號為高電平時該nMSOFET被導通以將輸出節(jié)點連接到接地，當?shù)诙z測單元的輸出信號為低電平時該nMOSFET被截止以將輸出節(jié)點與接地分離。
全文摘要
提供了一種發(fā)光模塊的過電流檢測電路，所述過電流檢測電路包括鉗位電路單元100，檢測來自連接到發(fā)光模塊50的陰極端Nc的檢測連接節(jié)點Nd的檢測電壓Vd并將該檢測電壓Vd固定到預設鉗位電壓VCL，其中，所述發(fā)光模塊50包括至少一個發(fā)光元件；異常檢測單元200，確定由鉗位電路單元100固定的電壓V10是否是過電流并且當由鉗位電路單元固定的電壓低于預設第一參考電壓VREF1時產(chǎn)生過電流檢測信號。
文檔編號G01R31/02GK102565515SQ20111009760
公開日2012年7月11日 申請日期2011年4月15日 優(yōu)先權日2010年12月21日
發(fā)明者崔興均, 張榮洙, 金圣浩, 金鎮(zhèn)換 申請人:三星電機株式會社