專利名稱：外觀檢查裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種檢查太陽電池晶片的外觀的外觀檢查裝置。
背景技術：
近年來，太陽能發(fā)電作為可再生能源受到關注，太陽電池的市場規(guī)模急速擴大。作為太陽電池的原材料的太陽電池晶片可以通過用鋼絲鋸對硅錠進行切割而得到，但公知在切割時會形成稱作切割痕(saw mark)的筋狀的槽。并且，在太陽電池晶片的表面以長度方向朝向大致一定方向的方式形成有多個切割痕。于是，存在多個槽比較深的切割痕而表面粗糙的太陽電池晶片成為不合格品，無法作為商品上市。因此，需要檢查太陽電池晶片的表面粗糙度，進行太陽電池晶片是否為不合格品的外觀檢查。以往，太陽電池晶片的外觀檢查一直由人進行目視檢查，但是，由于近年來太陽電池市場規(guī)模的擴大和降低太陽電池晶片檢查時的人為晶片破損等各種理由，研究嘗試利用專用的檢查裝置來進行外觀檢查。作為這樣的檢查裝置已知有例如使用激光變位計來測定晶片表面的一條線對應的截面形狀。另外，在專利文獻1中，公開有如下技術拍攝多結晶半導體晶片的兩面并對拍攝到的各面的圖像的圖像數據在兩個面對置的位置按像素進行比較，在比較結果滿足預先設定的污損條件時，判定兩個面中的某一個面存在污損。在專利文獻2中，以檢查用作薄型面板的玻璃基板所包含的線狀的缺陷為目的， 公開了如下技術將作為檢查對象的被拍攝體的圖像數據分割成長條狀，按分割圖像算出投影了濃淡的一維數據即第一數據，根據該第一數據，按分割圖像確定包含線狀缺陷候選的缺陷候選范圍，使用與該確定的缺陷候選范圍的圖像對應的圖像數據算出強調了缺陷候選范圍的第二數據，根據對該第二數據進行累積而得到的數據來確定線狀的缺陷。在專利文獻3中，以檢測LCD面板的筋狀缺陷為目的，選擇作為檢查對象的關注像素，以關注像素為中心選擇規(guī)定尺寸的區(qū)域，在選擇的區(qū)域內，按照亮度值的大小順序提取規(guī)定數量的、預先設定的閾值以上的亮度值的像素，求出提取的各像素與通過關注像素的角度基準線的距離的累積最小值，將根據求出的累積最小值的投票值在與像素對應的投票空間中對與關注像素對應的部分進行投票，根據投票結果來檢測筋狀缺陷。專利文獻1 日本特開2007-67102號公報專利文獻2 日本特開2008-1；34196號公報專利文獻3 日本特開2005-345^60號公報然而，在上述的使用激光變位計的方法中，僅檢測晶片上的一條線對應的截面形狀，還存在在測定的一條線上凹凸不顯眼但在其他部分凹凸明顯的晶片，此時，不合格品的晶片上市的可能性提高。另外，在專利文獻1中，通過對拍攝的多結晶半導體晶片的各面的圖像的圖像數據進行比較來判定污損的有無，但沒有求出多結晶半導體晶片的表面的三維形狀數據。此外，在專利文獻2中，雖然從通過拍攝作為檢查對象的被拍攝體而得到的圖像數據確定線狀的缺陷，但該技術也與專利文獻1同樣，未求出被拍攝體的表面的三維形狀數據。此外，在專利文獻3中，通過拍攝IXD面板并對得到的圖像數據進行圖像處理，從而檢測筋狀缺陷，但是，該技術也與專利文獻1、2同樣，未求出被拍攝體的表面的三維形狀數據。因此，在專利文獻1 3的技術中，無法測定形成于太陽電池晶片上的切割痕的三維形狀。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠正確且高速地判定太陽電池晶片的三維形狀的外觀檢查裝置。(1)本發(fā)明的一方面的外觀檢查裝置檢查太陽電池晶片的外觀，其中，輸送部，其沿著在所述太陽電池晶片上形成的切割痕的長度方向而以一定速度輸送所述太陽電池晶片；照射部，其對由所述輸送部輸送的太陽電池晶片沿與輸送方向交叉的方向照射光切斷線；拍攝機構，其以一定周期連續(xù)地拍攝光切斷線圖像，該光切斷線圖像包括由所述照射部照射的光切斷線；形狀算出機構，其根據通過所述拍攝機構拍攝到的多幅光切斷線圖像的圖像數據，算出所述太陽電池晶片的三維形狀數據，所述形狀算出機構與由所述拍攝機構進行的所述光切斷線圖像的連續(xù)拍攝處理并行地執(zhí)行所述太陽電池晶片的三維形狀數據的算出處理。根據該結構，由輸送部以一定速度輸送的太陽電池晶片通過沿與輸送方向交叉的方向被照射光切斷線，從而以與切割痕交叉的方式照射光切斷線，并且通過拍攝機構以一定周期連續(xù)地拍攝作為光切斷線圖像。因此，拍攝機構能夠在光切斷線照射到前一次光切斷線圖像的拍攝時照射的光切斷線的緊鄰位置的時刻拍攝下一光切斷線圖像。因此，能夠以高精度算出太陽電池晶片的三維形狀數據。此外，由于由拍攝機構進行的光切斷線圖像的連續(xù)拍攝處理和由形狀算出機構進行的太陽電池晶片的三維形狀數據的算出處理并行執(zhí)行，因此能夠高速獲得太陽電池晶片的三維形狀。(2)優(yōu)選在由所述拍攝機構進行當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，所述形狀算出機構對在所述當前幀之前拍攝到的幀執(zhí)行用于算出與所述光切斷線的照射位置對應的所述太陽電池晶片的高度數據的處理。根據該結構，由拍攝機構進行的當前幀的光切斷線圖像的拍攝處理和用于對在當前幀之前拍攝到的幀算出與光切斷線的照射位置對應的一列的太陽電池晶片的高度數據的處理能夠同時進行。因此，能夠高速獲得太陽電池的三維形狀。(3)優(yōu)選所述形狀算出機構具備第一形狀算出部，該第一形狀算出部執(zhí)行搜索處理和重心算出處理，所述搜索處理是在通過所述拍攝機構拍攝到的各光切斷線圖像中， 與所述輸送方向平行地設定多條線，并搜索各線的最大亮度像素，所述重心算出處理是根據通過所述搜索處理搜索到的各線的最大亮度像素，以亞像素單位算出各線的最大亮度的重心坐標，所述第一形狀算出部在由所述拍攝機構進行當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，對于所述當前幀的前一幀的光切斷線圖像執(zhí)行所述搜索處理，同時對于從所述當前幀向前數第二幀的光切斷線圖像執(zhí)行所述重心算出處理。根據該結構，在由拍攝機構進行的當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，同時執(zhí)行搜索處理和重心算出處理，對于每拍攝一幅光切斷線圖像，能夠得到各條線的最大亮度的重心位置。即，能夠以流水線(pipeline)的方式得到各條線的最大亮度的重心位置。因此，能夠在太陽電池晶片的拍攝中實時地得到各條線的最大亮度的重心位置， 能夠高速地得到太陽電池晶片的三維形狀。(4)優(yōu)選所述形狀算出機構具備第二形狀算出部，該第二形狀算出部通過反復執(zhí)行如下處理來算出所述太陽電池晶片的三維形狀數據，該處理為根據由所述第一形狀算出部算出的各線的重心坐標和所述拍攝機構及照射部的仰角，算出與所述光切斷線的照射位置對應的一列的所述太陽電池晶片的高度數據。根據該結構，根據由重心算出處理算出的各條線的重心坐標和拍攝機構及照射機構的仰角，算出與一幅光切斷線圖像的照射位置對應的一列的太陽電池晶片的高度數據， 通過對各光切斷線圖像進行上述處理，算出太陽電池晶片的三維形狀數據。因此，能夠高精度地求出太陽電池晶片的整個面的三維形狀。(5)優(yōu)選所述拍攝機構從上方對所述太陽電池晶片進行拍攝，所述照射部從斜向照射所述太陽電池晶片。根據該結構，照射部從斜向照射太陽電池晶片的寬度方向的整個區(qū)域，并且拍攝機構從上方對太陽電池晶片的寬度方向的整個區(qū)域進行拍攝，因此能夠在提高高度數據的分辨率的同時取得太陽電池晶片的整個面的三維形狀數據。另外，由于拍攝機構從上方對太陽電池晶片進行拍攝，因此能夠使拍攝機構容易設置。(6)優(yōu)選為了將所述太陽電池晶片劃分成多個部分區(qū)域進行拍攝，所述拍攝機構具有多個，所述形狀算出機構分別算出各部分區(qū)域的三維形狀數據，對于部分區(qū)域中與相鄰的部分區(qū)域重復的區(qū)域，通過使一個部分區(qū)域的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的三維形狀數據重合，從而算出所述太陽電池晶片的三維形狀數據。根據該結構，通過多個拍攝機構對太陽電池晶片劃分成多個部分區(qū)域進行拍攝， 并分別算出各部分區(qū)域的三維形狀數據。并且，對于部分區(qū)域的與相鄰的部分重復的區(qū)域， 通過使一個部分區(qū)域的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的三維形狀數據重合而得到太陽電池晶片整個面的三維形狀數據。因此，與通過一臺拍攝機構對太陽電池晶片進行拍攝的情況相比，能夠得到高分辨率的光切斷線圖像。其結果是，能夠算出高分辨率的三維形狀數據。(7)優(yōu)選所述形狀算出機構使用最小二乘法對各部分區(qū)域的三維形狀數據進行平面補正，對于所述重復的區(qū)域，將一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據加權相加。根據該結構，使用最小二乘法對各部分區(qū)域的三維形狀數據進行平面補正。由此， 能夠求出各部分區(qū)域的三維形狀數據，并減小因各拍攝機構的受光面的凹凸所導致的三維形狀數據的誤差。此外，對于部分區(qū)域中的與相鄰的部分區(qū)域重復的區(qū)域，對一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀區(qū)域進行加權相加，因此能夠順利地將部分區(qū)域彼此結合而算出太陽電池晶片整個面的三維形狀數據。(8)優(yōu)選所述外觀檢查裝置還具備評價值算出機構，該評價值算出機構由通過所述形狀算出機構算出的三維形狀數據算出表示所述太陽電池晶片的粗糙度的評價值；判定機構，其根據所述評價值來判定所述太陽電池晶片是否合格。根據該結構，從高分辨率的太陽電池晶片的整個面的三維形狀數據算出表示太陽電池晶片的粗糙度的評價值，并利用該評價值來判定太陽電池晶片是否合格，因此能夠正確地判定太陽電池晶片是否為不合格品。(9)優(yōu)選所述評價值算出機構執(zhí)行從所述三維形狀數據除去低頻成分的處理， 并由除去低頻成分后的三維形狀數據算出所述評價值。根據該結構，在評價太陽電池晶片的粗糙度的基礎上從三維形狀數據中除去不需要的低頻成分，因此能夠得到正確地反映太陽電池晶片的粗糙度的評價值，能夠正確地判定太陽電池晶片是否為不合格品。(10)優(yōu)選所述評價值算出機構對各列的三維形狀數據使用高斯濾波器而提取低頻成分，從原各列三維形狀數據減去提取的各列的低頻成分，從而除去低頻成分。根據該結構，以一列為單位，進行使用高斯濾波器從三維形狀數據中提取低頻成分，并從原始的三維形狀數據減去提取的低頻成分的處理，從而從三維形狀數據中除去低頻成分，因此能夠高精度地除去低頻成分。(11)優(yōu)選若所述評價值大于閾值則所述判定機構判定為不合格品，若小于閾值則所述判定機構判定為合格品。根據該結構，通過將評價值與閾值進行比較，能夠進行是合格品還是不合格品的判定，因此能夠迅速地進行合格品判定處理。發(fā)明效果根據本發(fā)明，能夠正確且高速地測定太陽電池晶片的整個面的三維形狀。


圖1是示出本發(fā)明的實施方式的外觀檢查裝置的整體結構圖。圖2是圖1所示的外觀檢查裝置的電結構的框圖。圖3是示出本發(fā)明的實施方式的外觀檢查裝置的主程序(main routine)的流程圖。圖4是示出搜索處理的詳細流程的流程圖。圖5是示出重心算出處理的詳細流程的流程圖。圖6是按時間序列示出了圖4的流程圖的處理的時序圖。圖7是示意性地示出搜索處理與重心算出處理的處理的流程的圖。圖8是示出光切斷線圖像的一例的圖。圖9是示出以i線上的最大亮度像素為中心時的亮度值的分布的圖表。圖10是算出高度數據的處理的說明圖。圖11是示意性地示出光源與相機的設置狀態(tài)的圖。圖12是示出由形狀算出部算出的截面形狀數據的圖表。
圖13是模擬或示意性地示出由形狀算出部算出的晶片的某部分區(qū)域的三維形狀數據的圖。圖14是示出整個面三維形狀數據生成處理的流程圖。圖15是說明進行加權相加的處理的圖。圖16是示出評價處理的流程圖。圖17示出除去低頻成分后的截面形狀數據。圖18是模擬或示意性地示出除去低頻成分后的三維形狀數據的圖。圖19示出光源及相機為一臺時的外觀檢查裝置的整體結構圖。符號說明10照射部20拍攝部21 23 相機24第一形狀算出部(形狀算出機構)30控制部31輸送控制部32照射控制部33拍攝控制部34第二形狀算出部(形狀算出機構)35評價值算出部(評價值算出機構)36判定部(判定機構)40輸送部50 晶片CL、CL1、CL2、CL3 光切斷線Dk、Dk+l 部分區(qū)域
具體實施例方式以下，對本發(fā)明的一實施方式的外觀檢查裝置進行說明。圖1示出本發(fā)明的實施方式的外觀檢查裝置的整體結構圖。如圖1所示，本外觀檢查裝置具備照射部10、拍攝部 20、控制部30及輸送部40。在圖1中，Y方向表示利用輸送部40輸送太陽電池晶片50的輸送方向。另外，X方向表示與Y方向正交且與水平面平行的方向。Z方向表示與X方向和 Y方向分別正交的高度方向。以下，將太陽電池晶片50記作晶片50。照射部10例如由三個光源11 13構成。光源11例如朝向相機21拍攝光切斷線圖像的部分區(qū)域內，并以擴散成扇狀的方式照射光。并且，光源12例如朝向相機22拍攝光切斷線圖像的部分區(qū)域內，并以擴散成扇狀的方式照射光。并且，光源13例如朝向相機 23拍攝光切斷線圖像的部分區(qū)域內，并以擴散成扇狀的方式照射光。此外，光源11 13分別照射的光與通過輸送部40輸送的晶片50的交線為光切斷線CL1、CL2、CL3。在本實施方式中，光切斷線CL1、CL2、CL3例如形成為Y方向的坐標位于規(guī)定的位置Y1，長度方向與X方向大致平行。另外，光切斷線CL2例如設定為Y方向的坐標位于比位置Yl靠上游側的位置Y2，長度方向與X方向大致平行。即，通過光切斷線CLl、CL2、CL3對晶片50的寬度方向(X方向)的整個區(qū)域照射光切斷線，因此能夠得到晶片50 的整個面的三維形狀數據。這樣的光切斷線CLl CL3的設定可以通過調節(jié)光源11 13的設置位置或射出的光的方向而容易實現。需要說明的是，光切斷線CL1、CL2、CL3在沒有特殊區(qū)別的情況下記述為光切斷線CL。光源11 13分別具備圓筒狀的框體，在框體的內部設置有例如半導體激光器和光學系統(tǒng)。光學系統(tǒng)設置在半導體激光器的射出側，從半導體激光器射出的激光以擴散成扇狀的方式射出。此外，光源11 13分別經由大致L字狀的支承部材15安裝在基臺14的下表面， 以從斜向照射晶片50。拍攝部20例如由三個相機21 23構成。相機21 23例如按該順序沿X方向配置，且配置為從上側拍攝晶片50。在此，相機21 23分別安裝在基臺25的下表面，以使受光面為ζ方向的同一位置。相機21 23的χ方向及y方向的攝影角度相同，受光面的ζ 方向的位置也相同，因此作為各自的拍攝區(qū)域的部分區(qū)域的縱向及橫向的寬度相同。此外， 將相機21 23分別拍攝的包含光切斷線的圖像記述為光切斷線圖像。另外，相機21 23 的受光面為矩形，受光面的一側的邊與Y方向平行，另一側的邊與X方向平行。在此，相機21 23由能夠以規(guī)定的幀頻(例如250fps)拍攝圖像的CMOS相機構成，將拍攝到的光切斷線圖像的模擬的圖像數據轉換為數字的圖像數據，并以規(guī)定的幀頻向控制部30輸出。另外，相機21 23的拍攝時刻通過控制部30來實現同步控制，例如以成為同一時刻。另外，在本實施方式中，第一形狀算出部M以外的相機21 23相當于拍攝機構的一例?？刂撇?0例如由通常的計算機構成，經由線纜與各光源11 13及相機21 23 連接，負責本外觀檢查裝置的整體控制。輸送部40具備例如輸送晶片50的輸送帶和朝向X方向驅動輸送帶的電動機。在此，輸送帶采用例如通過兩個輥架設的環(huán)形帶。兩個輥中的一側的輥為驅動輥，另一側的輥為從動輥。并且，電動機通過使驅動輥轉動而使輸送帶向圖1所示的順時針方向旋轉，使晶片50向Y方向以一定的輸送速度輸送。在此，若將光切斷線CL的Y方向的寬度設為α，相機21 23的周期為1/250 = 0. 0(Ms，若輸送速度設定為α /0. 004，則能夠無間隙地掃描晶片50，因此作為輸送速度設定為例如α/0.004即可。另外，晶片50以使切割痕的方向為輸送方向的方式載置于輸送部40。由此，晶片50沿著切割痕的方向輸送，且沿與切割痕的方向大致正交的方向照射光切斷線。圖2是示出圖1所示的外觀檢查裝置的電結構的框圖。相機21 23各自具備第一形狀算出部24(形狀算出機構的一例)。此外，控制部30具備輸送控制部31、照射控制部32、拍攝控制部33、第二形狀算出部34(形狀算出機構的一例)、評價值算出部35及判定部36。另外，輸送控制部31 判定部36通過例如CPU執(zhí)行用于使計算機作為控制部30 發(fā)揮功能的控制程序而實現。輸送控制部31例如在接收到來自操作人員通過操作部60的檢查開始的指示時，向構成輸送部40的電動機輸出驅動信號，使輸送部40以一定的輸送速度輸送晶片50。照射控制部32例如在接收到來自操作人員通過操作部60的檢查開始的指示時， 使構成照射部10的光源11 13點燈。拍攝控制部33在接收到來自操作人員通過操作部60的檢查開始的指示時，向拍攝部20輸出拍攝開始的指令，使拍攝部20開始光切斷線圖像的拍攝。在此，由第一形狀算出部M及第二形狀算出部34構成形狀算出機構。形狀算出機構與由拍攝部20進行的光切斷線圖像的連續(xù)拍攝處理并行，執(zhí)行晶片50的三維形狀數據的算出處理。詳細地說，形狀算出機構在由拍攝部20進行的當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，對當前幀之前拍攝到的幀執(zhí)行用于算出與光切斷線的照射位置對應的一列的晶片 50的高度數據的處理。第一形狀算出部M執(zhí)行搜索處理和重心算出處理，所述搜索處理是在通過相機 21 23拍攝到的各光切斷線圖像中設定與輸送方向平行的多條線，并搜索各線的最大亮度像素，所述重心算出處理是根據通過搜索處理搜索到的各線的最大亮度像素而以亞像素 (sub pixel)單位算出各線的最大亮度的重心坐標。在此，第一形狀算出部M在由相機21 23進行的當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，在執(zhí)行對于當前幀之前一個幀的光切斷線圖像的搜索處理的同時，執(zhí)行對于當前幀之前兩個幀的光切斷線圖像的重心算出處理。此外，第一形狀算出部M分別執(zhí)行與相機21 23對應的各部分區(qū)域的搜索處理和重心算出處理。第二形狀算出部34根據由第一形狀算出部M算出的各線的重心坐標和相機 21 23及光源11 13的仰角，算出與光切斷線的照射位置對應的一列的所述太陽電池晶片的高度數據，通過反復執(zhí)行上述處理，從而算出晶片50的整個面的三維形狀數據。此外，第二形狀算出部34分別算出與相機21 23對應的各部分區(qū)域的三維形狀數據，對于部分區(qū)域中與相鄰的部分區(qū)域重復的區(qū)域，通過使一個部分區(qū)域的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的三維形狀數據重合，從而算出晶片50整個面的三維形狀數據。在此，第二形狀算出部34使用最小二乘法對各部分區(qū)域的三維形狀數據進行平面補正，對于部分區(qū)域中與相鄰的部分區(qū)域重復的區(qū)域，通過對一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據和另一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據進行加權相加，從而算出晶片50整個面的三維形狀數據。評價值算出部35由通過第二形狀算出部34算出的三維形狀數據算出晶片50的表示粗糙度的評價值。在此，評價值算出部35執(zhí)行從通過形狀算出部34算出的三維形狀數據除去低頻成分的處理，并由除去后的三維形狀數據算出評價值。具體來說，評價值算出部35使用高斯濾波器從各列的三維形狀數據提取低頻成分，并從原來的各列的三維形狀數據中減去提取的各列的低頻成分，由此除去低頻成分。判定部36根據通過評價值算出部35算出的評價值來判定晶片50的好壞。在此， 若評價值大于規(guī)定的閾值，則判定部36判定晶片50為不合格品，若評價值小于閾值，則判定部36判定晶片50為合格品。操作部60例如由鍵盤及鼠標構成，接收從操作人員輸入的各種指令。顯示部70 例如由液晶面板構成，顯示各種操作圖像、或第二形狀算出部34算出的三維形狀數據、或示出判定部36的判定結果的圖像等。接下來，使用流程圖對本外觀檢查裝置的處理的詳細流程進行說明。圖3是示出本發(fā)明的實施方式的外觀檢查裝置的主程序的流程圖。需要說明的是，以下的處理對在各個相機21 23中拍攝到的光切斷線圖像的圖像數據分別執(zhí)行。此外，在圖3中，相機21 23分別拍攝X個幀的光切斷線圖像。首先，通過輸送控制部31驅動輸送部40，開始晶片50 的輸送(步驟Si)。接下來，相機21 23對晶片50進行拍攝，取得第一幀的光切斷線圖像的圖像數據(步驟S2(l))。圖8是示出光切斷線圖像的一例的圖。此外，圖8所示的光切斷線圖像中，X方向 (垂直方向)的像素數為M個，Y方向(輸送方向)的像素數為N個，S卩，圖8所示的光切斷線圖像是M行XN列的圖像數據。此外，各像素的像素值例如以0 255的256灰度表示。 以下，將像素值記述為亮度值。如圖8所示，可知出現了沿著X方向的線狀的光切斷線CL。返回圖3進行說明，在步驟S2Q)中，相機21 23對晶片50進行拍攝，取得第二幀的光切斷線圖像的圖像數據。 與此同時，第一形狀算出部M對第一幀的光切斷線圖像的圖像數據執(zhí)行搜索處理。在步驟S2(3)中，相機21 23對晶片50進行拍攝，取得第三幀的光切斷線圖像的圖像數據。與此同時，第一形狀算出部M對第二幀的光切斷線圖像的圖像數據執(zhí)行搜索處理，搜索光切斷線圖像的各線的最大亮度像素。與此同時，第一形狀算出部M對第一幀的光切斷線圖像執(zhí)行重心算出處理，并以亞像素單位算出各線的最大亮度的重心坐標。在步驟S2(3)結束的時刻，能夠得到與在第一幀出現的光切斷線對應的第一列的重心坐標。以后，在步驟S2(4) S2(X)，反復執(zhí)行與步驟S2(3)同樣的處理。在步驟S2(X) 結束的時刻，能夠得到第一列 第X-2列的重心坐標。在步驟S2(X+1)中，由于相機21 23進行的拍攝已結束，因此僅執(zhí)行搜索處理及重心處理，能夠得到第X-I列的重心坐標。在步驟S2(X+2)中，由于搜索處理也已結束，因此僅執(zhí)行重心算出處理，能夠得到第X列的重心坐標。從以上的流水線處理，每次經過相機21 23拍攝一幀的光切斷線圖像的期間，就能夠得到一列所對應的重心坐標。圖4是示出搜索處理的詳細流程的流程圖。首先，第一形狀算出部M將相機21 23當前拍攝的當前幀的前一幀的光切斷線圖像設定作為處理對象的光切斷線圖像(步驟 S211)。接下來，第一形狀算出部對將0代入在光切斷線圖像上設定的用于表示各線的線號的變量i中，將i初始化(步驟S212)。此時，如圖8所示，可知在光切斷線圖像上沿著Y 方向設定有一條線。另外，以i = 0表示圖8所示的光切斷線圖像的第一行，i = 1表示圖 8所示的光切斷線圖像的第二行的方式，一條線對應于光切斷線圖像的一行，變量i與光切斷線圖像的各行對應。接下來，第一形狀算出部M在第i條線中搜索亮度最大的像素即亮度最大像素 (步驟S2i;3)。此時，第一形狀算出部M在圖8所示的第i條線中，通過將例如從左端的像素至右端的像素依次設定作為關注像素來搜索亮度最大像素。具體來說，首先將左端的像素設定作為關注像素，將其亮度值及坐標存儲到省略圖示的緩沖存儲器中。在此，作為坐標可以采用表示自左端的像素算起為第幾個像素的整數值。接下來，將右側相鄰的像素設定作為關注像素，在關注像素的亮度值為存儲于緩沖存儲器的亮度值以上的情況下，將緩沖存儲器用關注像素的亮度值及坐標更新。另一方面，在關注像素的亮度值小于存儲于緩沖存儲器的亮度值的情況下，不更新存儲于緩沖存儲器的亮度值及坐標。反復進行這樣的處理，將最終存儲到緩沖存儲器中的坐標決定為最大亮度像素的坐標Xp，搜索到第i條線的最大亮度像素。并且，使求出的第i條線的最大亮度像素的坐標Xp與變量i對應而存儲到省略圖示的緩沖存儲器中。接下來，第一形狀算出部M在對全部線求出最大亮度像素的坐標Xp的處理結束的情況下(步驟S214中“是(YEQ ”)使處理返回，在對全部線求出最大亮度像素的坐標Xp 的處理未結束的情況下(步驟S214中“否”(NO))，使i加1 (步驟S215)，并使處理返回步馬聚S 213 οS卩，第一形狀算出部M通過重復步驟S213 S215的處理來求出圖8所示的光切斷線圖像的全部線的最大亮度像素的坐標Xp。圖5是示出重心算出處理的詳細流程的流程圖。首先，第一形狀算出部M將相機 21 23當前拍攝的當前幀之前兩個幀的光切斷線圖像設定作為處理對象的光切斷線圖像 (步驟 S221)。接下來，第一形狀算出部M與搜索處理同樣地將0代入變量i，將i初始化(步驟 S222)。接下來，第一形狀算出部M以在第i條線中搜索到的最大亮度像素作為中心，在左右抽出η個周邊像素，并使用最大亮度像素和2η個周邊像素求出第i條線的最大亮度的重心坐標Xsub (步驟S223)。圖9是示出以第i條線中最大亮度像素為中心時的亮度值的分布的圖表。圖9中， 坐標Xp為最大亮度像素的坐標，示出右側8個、左側8個而合計17個像素的亮度值的分布。并且，第一形狀算出部M使用例如下述的公式求出最大亮度的重心坐標。式1其中，Xsub表示最大亮度的重心坐標，Xj表示第i條線上的第j號像素的坐標， Kj表示Xj的亮度值，Xp表示最大亮度像素的坐標，Kp表示最大亮度像素的亮度值，η是用于確定周邊像素的標號。由此，在第i條線中，最大亮度的重心坐標feub為1像素以下的帶小數點的值，即以亞像素單位求出。此外，第一形狀算出部M預先確定將最大亮度的重心坐標feub求出到小數點的第幾位，若最大亮度的重心坐標Xsub超過該位數，則進行四舍五入、舍去或進位等處理即可。在圖9的例中，由實線表示的圖表的最大的X值成為最大位亮度的重心坐標feub。 另外，在圖9的例中，使周邊像素的個數為η = 8，但這僅為一例，只要為1以上則也可以在計算量不巨大的范圍內采用適當的其他值。
返回圖5進行說明，第一形狀算出部對在對全部線求出最大亮度的重心坐標feub 的處理結束的情況下(步驟S2M中“是”(YEQ)，使處理返回，在對全部線求出重心坐標 Xsub的處理未結束的情況下(步驟S2M中NO)，使i加1 (步驟S225)，并使處理返回步驟 S223。即，第一形狀算出部M通過反復進行步驟S223 S225的處理，從而求出圖8所示的光切斷線圖像的全部線的最大亮度的重心坐標)(sub。另外，使全部線的最大亮度的重心坐標)Csub與光切斷線圖像的幀號和變量i對應并存儲到省略圖示的緩沖存儲器中。圖6是以時間序列示出圖3的流程圖的處理的時序圖。圖6所示的期間Tl T(X+1)分別表示相機21 33拍攝一個幀光切斷線圖像所需要的時間、即幀周期。在期間Tl，執(zhí)行圖3所示的步驟S2(l)，拍攝第一幀的光切斷線圖像。在期間T2， 執(zhí)行圖3所示的步驟S2 O)，第二個幀的光切斷線圖像的拍攝和第一幀的光切斷線圖像的搜索處理同時進行。在期間T3，執(zhí)行圖3所示的步驟S2(3)，第三幀的光切斷線圖像的拍攝、第二幀的光切斷線圖像的搜索處理和第一幀的光切斷線圖像的重心算出處理同時進行。以后，至期間T(X)，當前幀的光切斷線圖像的拍攝、前一幀的光切斷線圖像的搜索處理和前第二幀的光切斷線圖像的重心算出處理同時進行，每經過一期間，則算出1列的最大亮度的重心坐標)(sub。圖7是示意性地示出搜索處理和重心算出處理的處理的流程的圖。圖7所示的縱軸表示時間軸，按照相機21 23的幀周期刻有刻度。需要說明的是，如上所述，相機21 23的幀頻為250fps，因此幀周期為^isec。此外，在圖7中，在一幀光切斷線圖像中設定的線數為i = 0 479的480條。在期間T (η)，拍攝晶片50，取得第η幀的光切斷線圖像。接下來，在期間T (η+1)， 對無停止地朝向左側以一定速度輸送的晶片50進行拍攝，取得第η+1幀的光切斷線圖像。 接下來，在期間T (η+2)，對無停止地朝向左側以一定速度輸送的晶片50進行拍攝，取得第 η+2幀的光切斷線圖像。并且，在期間T(η)，對第η-1幀的光切斷線圖像設定i = 0 479條線，在搜索各線的最大亮度像素的同時，對第n-2幀的光切斷線圖像設定i = 0 279條線，并算出各線的最大亮度的重心坐標)(sub。此外，在期間T (η+1)、Τ (η+2)，也執(zhí)行與期間T (η)同樣的處理。由此，每經過期間 T (η)，則能夠得到i = 0 479的最大亮度的重心坐標Xsub。返回圖3進行說明，在步驟S3中，第二形狀算出部34將通過第一形狀算出部M 算出的、對于一幀的光切斷線圖像算出的一列的最大亮度的重心坐標)(sub分別代入下式， 算出高度數據，將算出的高度數據按照變量i的順序排列，算出截面形狀數據。h(y m) = R · Xsub · cos θ/sin( θ+φ)其中，h表示高度數據，R表示視野分辨率，θ表示光源11 13的仰角，Φ表示相機的仰角。圖10是算出高度數據的處理的說明圖。圖11是示意性地示出光源11 13與相機21 23的設置狀態(tài)的圖。圖10所示的四邊形表示光切斷線圖像，四邊形內所示的粗線表示利用全部線的最大亮度的重心坐標Xsub描繪的光切斷線CL’。如圖11所示，光源11 13的各自的仰角以Z方向為基準設定為θ，相機21 23 的各自的仰角以Z方向為基準設定為Φ。并且，從光源11 13照射的光入射到相機21 23的位置根據晶片50的高度而在沿圖10所示的Y方向的前后。由此，通過將最大亮度的重心坐標feub代入上式，能夠求出晶片50的各位置處的高度數據。另外，在圖10中，若使光切斷線圖像的縱向的長度為ML(ym)，橫向的長度為 NL ( μ m)，使縱向的像素數為M,橫向的像素數為N，則視野分辨率RSR = NL/N。并且，第二形狀算出部34將對光切斷線CL’上的各Xsub求出的M個高度數據h 排列成一列。由此，能夠得到晶片50的截面形狀數據。另外，在圖11中，優(yōu)選θ+φ為90度。此外，θ例如為45度 82度，優(yōu)選60度 82度。此外，Φ為例如45度 8度，優(yōu)選30度 8度。由此，光源11 13從斜向照射晶片50，相機21 23能夠從上方拍攝晶片50，能夠得到高分辨率的高度數據。圖12是示出通過第二形狀算出部34算出的截面形狀數據的圖表，縱軸以單位μπι 表示高度，橫軸表示光切斷線方向，即以單位mm表示圖10所示的縱向。如圖12所示可知， 能夠正確地算出晶片50的截面形狀數據的微小凹凸。返回圖3進行說明，在步驟S4中，第二形狀算出部34通過將求出的截面形狀數據按照幀號依次排列，從而算出部分區(qū)域的整個面的三維形狀數據。在圖3的例中，由于光切斷線圖像的幀數為X幅，因此能夠得到截面形狀數據以X 列排列的部分區(qū)域的三維形狀數據。此外，相機的臺數為3臺，因此能夠得到相對于三個部分區(qū)域的三維形狀數據。圖13是模擬并示意性地示出通過第二形狀算出部34算出的晶片50的某部分區(qū)域的三維形狀數據的圖。如圖13所示，通過將圖12所示的截面形狀數據排列，從而能夠再現晶片50的部分區(qū)域的三維形狀。此外，如圖13所示可知，出現沿著Y方向的多個槽，真實地再現了切割痕。接下來，返回圖3進行說明，第二形狀算出部34執(zhí)行將每個部分區(qū)域得到的三維形狀數據結合而求出晶片50整個面的三維形狀數據的整個面三維形狀數據生成處理(步驟SQ。圖14是示出整個面三維形狀數據生成處理的流程圖。首先，第二形狀算出部34將1代入表示相機21 23的變量k，將k初始化(步驟 S31)。在本實施方式中，由于相機為3臺，因此k取k= 1 3中的某一整數值，k= 1 3 分別對應相機21 23。接下來，第二形狀算出部34取得與第k臺、第k+Ι臺相機的部分區(qū)域對應的三維形狀數據(步驟S3》。接下來，第二形狀算出部34使用最小二乘法對與各部分區(qū)域對應的三維形狀數據分別進行平面補正(步驟S33)。具體來說，第二形狀算出部34使部分區(qū)域的平面的式為ζ = ax+by+C，求出使下述的E最小的a、b、c，將得到的a、b、c代入上述平面的式從而求出部分區(qū)域的平面的式。E=E (z-(ax+by+c))2aE/5a=0 ,SEIdb = 0，δΕ/dc = 0其中，x、y、z與圖1所示的X、Y、Z方向對應。然后，第二形狀算出部34用(x’，y’，z’ )表示第k臺相機的部分區(qū)域的三維形狀數據，從而利用ζ’ "Ζ對部分區(qū)域的三維形狀數據進行平面補正。其中，ζ，-ζ的ζ是通過ζ = ax，+by，+c得到的值。由此，能夠求出部分區(qū)域的三維形狀數據，并消除相機的受光面的凹凸所引起的三維形狀數據的誤差。接下來，第二形狀算出部34對于第k臺相機的部分區(qū)域與第k+Ι臺相機的部分區(qū)域相重復的區(qū)域，通過將兩部分區(qū)域的三維數據進行加權相加來補正兩部分區(qū)域重復的區(qū)域(步驟S34)。圖15是說明進行加權相加的處理的圖。如圖15所示，第k臺相機的部分區(qū)域Dk 的X坐標的范圍為P r，第k+Ι臺相機的部分區(qū)域Dk+Ι的X坐標的范圍為q s，存在ρ < q < r < s的關系。因此，部分區(qū)域Dk與部分區(qū)域Dk+Ι的χ在q彡χ彡r的范圍內重疊。另外，如圖1所示，P s的值可以預先由相機21 23的仰角及攝影角度等求出，采用該值即可。因此，第二形狀算出部34使用下式對于重疊的區(qū)域將部分區(qū)域Dk與部分區(qū)域 Dk+Ι的平面補正后的三維形狀數據進行加權相加。fnew(x, y) = ((fk(x, y) · (r-χ) +fk+1 (χ, y) · (χ-q)) / (r-q) (q ^ χ ^ r)其中，fnew(x, y)表示加權相加后的高度數據，fk(x, y)表示部分區(qū)域Dk的平面補正后的高度數據，fk+1(x, y)表示部分區(qū)域Dk+1的平面補正后的高度數據。S卩，隨著X接近q，以使部分區(qū)域Dk的高度數據的成分增大到比部分區(qū)域Dk+Ι大的方式進行加權相加，隨著X接近r，以使部分區(qū)域Dk+Ι的高度數據的成分增大到比部分區(qū)域Dk大的方式進行加權相加。接下來，第二形狀算出部34在對所有相機的部分區(qū)域的三維形狀數據的處理結束的情況下(步驟S35中“是”(YEQ)，使處理返回，在對所有相機的部分區(qū)域的三維形狀數據的處理未結束的情況下(步驟S35中“否”(NO))，使處理前進至步驟S36。在步驟S36中，第二形狀算出部34將部分區(qū)域Dk與部分區(qū)域Dk+Ι的三維形狀數據結合(步驟S36)。這種情況下，第二形狀算出部34對于部分區(qū)域Dk中的與部分區(qū)域 Dk+Ι未重疊的區(qū)域(ρ彡χ < q)，如下式所示直接采用部分區(qū)域Dk的平面補正后的三維形狀數據，對于部分區(qū)域Dk+Ι中的與部分區(qū)域Dk未重疊的區(qū)域(r < χ彡s)，如下式所示，直接采用部分區(qū)域Dk+Ι的平面補正后的三維形狀數據，對于部分區(qū)域Dk與部分區(qū)域Dk+Ι重疊的區(qū)域(q < χ < r)，采用上述的加權相加得到的三維形狀數據。fnew(x, y) = fk(x, y) (ρ ^ χ < q)fnew (χ, y) = fk+1 (χ, y) (r < χ ^ s)接下來，第二形狀算出部34使k加1(步驟S37)，并使處理返回至步驟S32。由此， 得到晶片50整個面的三維形狀數據。返回圖3進行說明，在步驟S6中，評價值算出部35及判定部36執(zhí)行評價處理。圖 16是示出評價處理的流程圖。首先，評價值算出部35取得晶片50整個面的三維形狀數據 (步驟S41)。接下來，評價值算出部35將0代入用于指定三維形狀數據的列的變量y，將y 初始化(步驟S42)。接下來，評價值算出部35從第y列的截面形狀數據除去低頻成分(步驟S4!3)。在此，評價值算出部35首先對構成第y列的截面形狀數據的各高度數據利用高斯濾波器提取低頻成分。具體來說，評價值算出部35使用下式提取低頻成分。w(x) = / - c °°p(x，)· s(x_x，)dx，其中，w(x)表示第y列的截面形狀數據的低頻成分，p(x)表示第y列的截面形狀數據。此外，S(X)是由下式表示的正態(tài)分布。s(x) = (1/α . λ c) ‘ exp (- (χ/ α · λ c)2)其中，α==0.4679。S卩，評價值算出部35在第y列的截面形狀數據中將從第一號的高度數據至最后一號的高度數據依次設定為關注高度數據，通過以各關注高度數據為中心對截面形狀數據 P (χ)乘以S(X)并積分，從而求出各關注高度數據的低頻成分。并且，評價值算出部35在得到各關注高度數據的低頻成分W(X)后，通過r(x)= P (χ)-W (χ)而從截面形狀數據P (X)除去低頻成分W(X)。由此，得到截面形狀數據P(X)的高頻成分r(x)。圖17示出除去低頻成分后的截面形狀數據。如圖17所示可知，圖12中表示的大的曲折被平坦化，截面形狀數據以某一高度水平為基準而變化。接下來，評價值算出部35在對晶片50的整個面的三維形狀數據除去低頻成分的處理結束的情況下(步驟S44中為“是”(YEQ)，使處理前進至步驟S46，在對晶片50的整個面的三維形狀數據除去低頻成分的處理未結束的情況下(步驟S44中為“否”(N0))，使處理前進至步驟S45。在步驟S45中，評價值算出部35使y加1，并使處理返回步驟S43。S卩，通過反復步驟S43 S45的處理，反復進行從一列三維形狀數據除去低頻成分的處理，最終從晶片50 的整個面的三維形狀數據除去低頻成分。圖18是模擬或示意性地示出除去低頻成分后的三維形狀數據的圖。如圖18所示可知，圖13中表現的大的曲折被平坦化，三維形狀數據以與X-Y平面平行的某一高度水平為基準變化。在步驟S46中，評價值算出部35求出除去低頻成分后的高度數據的絕對值的總和，將該總和除以全部高度數據的個數，由此算出表示晶片50的粗糙度的評價值。接下來，判定部36在評價值大于閾值的情況下(步驟S47中“是”(YEQ)，判定晶片50為不合格品(步驟S48)，在評價值為閾值以下的情況下(步驟S47中“否”(NO))，判定晶片50為合格品(步驟S49)。由此，結束本外觀檢查裝置的處理。另外，作為閾值采用預先設定的表示晶片50為不合格品的值即可。如此，根據本外觀檢查裝置，由輸送部40以一定速度輸送的晶片50通過沿與輸送方向交叉的方向被照射光切斷線，而以與切割痕交叉的方式照射光切斷線，并且通過拍攝部20以一定周期連續(xù)地拍攝作為光切斷線圖像。因此，拍攝部20能夠在使光切斷線照射到前一次光切斷線圖像的拍攝時照射的光切斷線的緊鄰位置的時刻拍攝下一光切斷線圖像。由此，能夠利用光切斷法從各光切斷線圖像得到光切斷線的照射位置處的晶片50 的截面形狀數據，通過排列該截面形狀數據而能夠得到晶片50的整個面的三維形狀數據。此外，通過多個相機21 23對晶片50分成多個部分區(qū)域進行拍攝，并分別算出各部分區(qū)域的三維形狀數據。并且，對于部分區(qū)域中的與相鄰的部分重疊的區(qū)域，通過使一個部分區(qū)域的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的三維形狀數據重合而得到晶片50整個面的三維形狀數據。因此，與通過一臺相機對晶片50進行拍攝的情況相比，能夠得到高分辨率的光切斷線圖像。其結果是能夠算出高分辨率的三維形狀數據。并且，由如此得到的高分辨率的晶片50的整個面的三維形狀數據算出表示晶片 50的粗糙度的評價值，并使用該評價值判定晶片50的好壞，因此能夠正確地判定晶片50是否為不合格品。需要說明的是，在上述實施方式中將光源設定為三臺，但本發(fā)明不局限于此，也可以為一臺光源。此外，也可以由一個光源和多個射出部構成照射部10，使來自光源的光從射出部射出。此時，從照射部10照射的光切斷線需要向晶片50的寬度方向的整個區(qū)域照射。 此外，相機的臺數設定為三臺，但本發(fā)明不局限于此，也可以由兩臺或四臺以上的多個相機構成。此外，通過使各相機與光源或照射部一對一對應，且使各相機與各光源或照射部的配置關系全部恒定，由此能夠使通過各相機拍攝到的光切斷線圖像的分辨率完全相同。圖19示出光源及相機為一臺時的外觀檢查裝置的整體結構圖。該方式例如適用于以尺寸小的晶片50為檢查對象的情況。此外，根據該方式，由于不存在部分區(qū)域，因此不需要在部分區(qū)域中的與相鄰的部分區(qū)域重疊的區(qū)域進行的上述的加權相加處理，能夠實現處理的簡化。另外，在上述說明中，第一形狀算出部M與第二形狀算出部34分開設置，但也可以一體構成。此時，可設于各相機21 23，也可設于控制部30。此外，在上述說明中，使拍攝處理、搜索處理和重心算出處理以三級流水線(pipeline)處理來并行處理，但該并行處理中包括求出一列的截面形狀數據的處理也可。此時，使拍攝處理、搜索處理、重心算出處理和求出一列的截面形狀數據的處理以四級流水線處理實現即可。
權利要求
1.一種外觀檢查裝置，其檢查太陽電池晶片的外觀，其中，具備輸送部，其沿著在所述太陽電池晶片上形成的切割痕的長度方向而以一定速度輸送所述太陽電池晶片；照射部，其對由所述輸送部輸送的太陽電池晶片沿與輸送方向交叉的方向照射光切斷線.一入 ，拍攝機構，其以一定周期連續(xù)地拍攝光切斷線圖像，該光切斷線圖像包括由所述照射部照射的光切斷線；形狀算出機構，其根據通過所述拍攝機構拍攝到的多幅光切斷線圖像的圖像數據，算出所述太陽電池晶片的三維形狀數據，所述形狀算出機構與由所述拍攝機構進行的所述光切斷線圖像的連續(xù)拍攝處理并行地執(zhí)行所述太陽電池晶片的三維形狀數據的算出處理。
2.根據權利要求1所述的外觀檢查裝置，其特征在于，在由所述拍攝機構進行當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，所述形狀算出機構對在所述當前幀之前拍攝到的幀執(zhí)行用于算出與所述光切斷線的照射位置對應的所述太陽電池晶片的高度數據的處理。
3.根據權利要求1所述的外觀檢查裝置，其特征在于，所述形狀算出機構具備第一形狀算出部，該第一形狀算出部執(zhí)行搜索處理和重心算出處理，所述搜索處理是在通過所述拍攝機構拍攝到的各光切斷線圖像中，與所述輸送方向平行地設定多條線，并搜索各線的最大亮度像素，所述重心算出處理是根據通過所述搜索處理搜索到的各線的最大亮度像素，以亞像素單位算出各線的最大亮度的重心坐標，所述第一形狀算出部在由所述拍攝機構進行當前幀的光切斷線圖像的拍攝期間，對于所述當前幀的前一幀的光切斷線圖像執(zhí)行所述搜索處理，同時對于從所述當前幀向前數第二幀的光切斷線圖像執(zhí)行所述重心算出處理。
4.根據權利要求3所述的外觀檢查裝置，其特征在于，所述形狀算出機構具備第二形狀算出部，該第二形狀算出部通過反復執(zhí)行如下處理來算出所述太陽電池晶片的三維形狀數據，該處理為根據由所述第一形狀算出部算出的各線的重心坐標和所述拍攝機構及照射部的仰角，算出與所述光切斷線的照射位置對應的一列的所述太陽電池晶片的高度數據。
5.根據權利要求1所述的外觀檢查裝置，其特征在于， 所述拍攝機構從上方拍攝所述太陽電池晶片，所述照射部從斜向照射所述太陽電池晶片。
6.根據權利要求1所述的外觀檢查裝置，其特征在于，為了將所述太陽電池晶片劃分成多個部分區(qū)域進行拍攝，所述拍攝機構具有多個， 所述形狀算出機構分別算出各部分區(qū)域的三維形狀數據，對于部分區(qū)域中與相鄰的部分區(qū)域重復的區(qū)域，通過使一個部分區(qū)域的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的三維形狀數據重合，從而算出所述太陽電池晶片的三維形狀數據。
7.根據權利要求6所述的外觀檢查裝置，其特征在于，所述形狀算出機構使用最小二乘法對各部分區(qū)域的三維形狀數據進行平面補正，對于所述重復的區(qū)域，將一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據與另一個部分區(qū)域的平面補正后的三維形狀數據加權相加。
8.根據權利要求1 7中任一項所述的外觀檢查裝置，其特征在于，所述外觀檢查裝置還具備評價值算出機構，該評價值算出機構由通過所述形狀算出機構算出的三維形狀數據算出表示所述太陽電池晶片的粗糙度的評價值； 判定機構，其根據所述評價值來判定所述太陽電池晶片是否合格。
9.根據權利要求8所述的外觀檢查裝置，其特征在于，所述評價值算出機構執(zhí)行從所述三維形狀數據除去低頻成分的處理，并由除去低頻成分后的三維形狀數據算出所述評價值。
10.根據權利要求9所述的外觀檢查裝置，其特征在于，所述評價值算出機構對各列的三維形狀數據使用高斯濾波器而提取低頻成分，并從原始的各列三維形狀數據減去提取的各列的低頻成分，從而除去低頻成分。
11.根據權利要求8中任一項所述的外觀檢查裝置，其特征在于，若所述評價值大于閾值則所述判定機構判定為不合格品，若小于閾值則所述判定機構判定為合格品。
全文摘要
本發(fā)明提供一種外觀檢查裝置，其正確且高速地算出太陽電晶片的三維形狀。第一及第二形狀算出部(24、34)根據通過拍攝部(20)以規(guī)定的幀頻連續(xù)地拍攝到的多幅的光切斷線圖像的圖像數據而算出晶片(50)的表面的三維形狀數據。在此，第一形狀算出部(24)在相機(21～23)對當前幀的光切斷線圖像進行拍攝的期間，在對之前一幀進行搜索處理，同時對之前第二幀的光切斷線圖像進行重心算出處理。
文檔編號G01B11/30GK102192713SQ201110035060
公開日2011年9月21日 申請日期2011年1月30日 優(yōu)先權日2010年2月8日
發(fā)明者梶田昌和, 高橋英二 申請人:株式會社神戶制鋼所