專(zhuān)利名稱(chēng)：磁場(chǎng)傳感器芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型一般涉及磁場(chǎng)傳感器，特別涉及一種單片集成的三軸全向磁場(chǎng)傳感器芯片。
背景技術(shù)：
如圖1所示，磁阻傳感器檢測(cè)平行于感應(yīng)元件方向的磁場(chǎng)變化。在各向異性磁阻電橋式傳感器中，具有磁阻效應(yīng)的薄膜材料以不同的形狀制作在基片上(基片可以是硅、 鍺硅、砷化鎵等半導(dǎo)體材料或二氧化硅等絕緣材料)，以檢測(cè)本地磁場(chǎng)的強(qiáng)度和方向。通常， 磁阻傳感器采用薄膜合金，它是一種包含鎳和鐵的鐵磁合金。磁阻傳感器的電橋結(jié)構(gòu)采用恒定電壓或電流偏置，當(dāng)外部磁場(chǎng)的大小或方向發(fā)生變化時(shí)，傳感器的電阻會(huì)相應(yīng)地變化， 電阻的改變會(huì)導(dǎo)致電阻兩端的電壓降發(fā)生變化。因此，通過(guò)檢測(cè)這種電壓降的變化就可以間接測(cè)量外部磁場(chǎng)的變化。磁阻傳感器也可以檢測(cè)垂直方向的磁場(chǎng)變化，但是感應(yīng)效果不佳。磁阻傳感器的磁滯特性和特性曲線的線性基本上取決于施加磁場(chǎng)作用于導(dǎo)體的均勻性，早期的磁阻傳感器不含用于實(shí)現(xiàn)磁場(chǎng)盡可能均勻作用于導(dǎo)體上的任何措施，我國(guó)專(zhuān)利 CN100420953C中公開(kāi)了一種使用屏蔽條結(jié)構(gòu)減少磁滯現(xiàn)象和提高線性度的磁阻傳感器結(jié)構(gòu)。這種傳感器同樣只能檢測(cè)平行于傳感器的磁場(chǎng)方向。如圖2所示，霍爾傳感器檢測(cè)垂直于感應(yīng)元件方向的磁場(chǎng)變化。它的工作原理主要基于半導(dǎo)體材料的霍爾效應(yīng)。當(dāng)半導(dǎo)體薄片兩端通過(guò)控制電流時(shí)，如果在其垂直方向上施加磁場(chǎng)，則將會(huì)在垂直于電流和磁場(chǎng)平面的方向上產(chǎn)生電勢(shì)差，通過(guò)檢測(cè)這種電勢(shì)差，即可推斷出外部磁場(chǎng)的變化?；魻杺鞲衅鞯墓ぷ髟頉Q定了這種傳感器無(wú)法檢測(cè)平行于感應(yīng)元件方向上的磁場(chǎng)。由于霍爾傳感器的制造工藝和標(biāo)準(zhǔn)集成電路制造工藝一致，美國(guó)專(zhuān)利 US5627398提出了一種CMOS集成電路中制作霍爾傳感器的方法，這種傳感器同樣只能檢測(cè)垂直于傳感器的磁場(chǎng)方向。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種磁場(chǎng)傳感器，能同時(shí)檢測(cè)平行和垂直方向的磁場(chǎng)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種磁場(chǎng)傳感器芯片，包括磁阻傳感器；霍爾傳感器；控制集成電路，所述控制集成電路與所述霍爾傳感器處于同一層，并圍繞所述霍爾傳感器，所述控制集成電路接收并處理所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的輸出信號(hào)。所述控制集成電路包括電源偏置電路和信號(hào)處理電路；所述電源偏置電路向所述磁阻傳感器和霍爾傳感器輸出偏置信號(hào)，以開(kāi)啟或關(guān)閉所述磁阻傳感器和霍爾傳感器；所述信號(hào)處理電路接收并處理所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的所述輸出信號(hào)。所述控制集成電路可進(jìn)一步包括時(shí)序控制電路和信號(hào)選通電路；所述時(shí)序控制電路向所述電源偏置電路輸出偏置控制信號(hào)，所述偏置控制信號(hào)對(duì)所述電源偏置電路輸出的所述偏置信號(hào)進(jìn)行控制；所述磁阻傳感器和霍爾傳感器向所述信號(hào)選通電路輸出各自的輸出信號(hào)；所述時(shí)序控制電路向所述信號(hào)選通電路和信號(hào)處理電路輸出選通控制信號(hào)，所述選通控制信號(hào)控制所述信號(hào)選通電路輸出所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的輸出信號(hào)之一， 并控制所述信號(hào)處理電路處理由所述信號(hào)選通電路輸出的該輸出信號(hào)。所述磁場(chǎng)傳感器芯片還包括位于所述磁阻傳感器與所述同一層之間的鈍化隔離層。所述鈍化隔離層設(shè)有接觸孔，所述磁阻傳感器具有連接線，所述磁阻傳感器通過(guò)所述連接線和接觸孔與所述控制集成電路電連接。所述霍爾傳感器位于所述控制集成電路的中心位置。所述霍爾傳感器呈對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。所述磁阻傳感器是蛇形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)構(gòu)成的惠斯通電橋，且相鄰的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)彼此垂直。所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)旁設(shè)有屏蔽條。本實(shí)用新型的磁場(chǎng)傳感器芯片將磁阻傳感器、霍爾傳感器和控制集成電路集成在一起，充分利用磁阻傳感器和霍爾傳感器各自的特點(diǎn)，可以檢測(cè)三軸全向磁場(chǎng)變化。它可以同時(shí)應(yīng)用于磁阻傳感器和霍爾傳感器領(lǐng)域，單片集成的特性使其在應(yīng)用上能最大限度地節(jié)省物理空間。同時(shí)由于內(nèi)部控制集成電路采用了新穎的脈沖偏置、信號(hào)讀出電路選通共享技術(shù)，使得本實(shí)用新型的磁場(chǎng)傳感器功耗更低、面積更小。相對(duì)于傳統(tǒng)的單一型磁阻傳感器或霍爾傳感器，本實(shí)用新型還具有更好的靈敏度、更強(qiáng)的抗干擾能力和更穩(wěn)定的輸出波形等優(yōu)點(diǎn)。

[0018]圖1是傳統(tǒng)磁阻傳感器能夠檢測(cè)的磁場(chǎng)方向的示意圖；[0019]圖2是傳統(tǒng)霍爾傳感器能夠檢測(cè)的磁場(chǎng)方向的示意圖；[0020]圖3是本實(shí)用新型的芯片的整體結(jié)構(gòu)示意圖；[0021]圖4是本實(shí)用新型的霍爾傳感器的剖面示意圖；[0022]圖5是本實(shí)用新型的霍爾傳感器的版圖示意圖；[0023]圖6是本實(shí)用新型的磁阻傳感器的結(jié)構(gòu)示意圖；[0024]圖7是圖6的磁阻傳感器的等效電路圖；[0025]圖8是本實(shí)用新型的磁阻傳感器的磁滯特性曲線；[0026]圖9是本實(shí)用新型的磁阻傳感器和一般磁阻傳感器的特性曲線比較；[0027]圖10是本實(shí)用新型的電路系統(tǒng)框圖；[0028]圖11示出了本實(shí)用新型的芯片正常工作時(shí)消耗的電流大??；[0029]圖12是本實(shí)用新型的芯片能夠檢測(cè)的磁場(chǎng)方向的示意圖，該芯片在磁場(chǎng)中任意位置都能夠有效檢測(cè)。
具體實(shí)施方式
下面根據(jù)圖3-12，給出本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并予以詳細(xì)描述，使能更好地理解本實(shí)用新型的功能、特點(diǎn)。圖3所示為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)圖，傳感器系統(tǒng)制作在半導(dǎo)體襯底13上。該傳感器系統(tǒng)包括霍爾傳感器11、控制集成電路12和磁阻傳感器7，其中，控制集成電路12與霍爾傳感器11處于同一層，并圍繞霍爾傳感器11，控制集成電路12接收并處理磁阻傳感器 7和霍爾傳感器11的輸出信號(hào)?；魻杺鞲衅?1和控制集成電路12的制作工藝可以是傳統(tǒng)硅工藝、SOI工藝、鍺硅工藝或砷化鎵工藝等。視制作工藝的不同，半導(dǎo)體襯底13可以是硅、砷化鎵、鍺硅等可以制作出霍爾傳感器11和控制集成電路12的半導(dǎo)體材料。由于霍爾傳感器的制造工藝和傳統(tǒng)集成電路制造工藝相兼容，因此，霍爾傳感器11和控制集成電路12制作在同一層，即集成電路層，并使控制集成電路12圍繞在霍爾傳感器11四周，優(yōu)選將霍爾傳感器11布置在集成電路層面的中心位置。磁阻傳感器7制作在集成電路層上的鈍化隔離層10上。鈍化隔離層10設(shè)有接觸孔9，磁阻傳感器7具有連接線8，磁阻傳感器11通過(guò)連接線8和接觸孔 9與控制集成電路12電連接。制作完畢的傳感器系統(tǒng)由外部封裝14封裝。圖4是本實(shí)用新型的霍爾傳感器11的剖面示意圖。它采用半導(dǎo)體集成電路工藝制作，和控制集成電路12制作工藝兼容，不需要增加額外成本。其中金屬層15作為霍爾傳感器11的電流流入或流出端；P隔離示于16 ；高濃度N摻雜區(qū)示于17 ；Si02隔離示于18 ； N阱19作為霍爾材料。受剖面圖限制，圖中沒(méi)有標(biāo)注出霍爾傳感器11的電壓輸出端。圖5是本實(shí)用新型中霍爾傳感器11的版圖示意圖。其中Bias+和Bias-分別代表霍爾器件的電流流入端和電流流出端，即圖4中的金屬層15 ；VH+和VH-分別代表霍爾傳感器11的高輸出電壓端和低輸出電壓端。版圖采用高精度對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，能夠最大限度地減小結(jié)構(gòu)非對(duì)稱(chēng)性引入系統(tǒng)的直流失調(diào)電壓。在對(duì)鈍化隔離層10作工藝平整化處理后，在鈍化隔離層10上方制作磁阻傳感器電橋。本實(shí)用新型使用冷陰濺射制備薄膜的方法，通過(guò)直流磁控濺射、離子束蝕刻儀器制備磁阻。選擇各向異性磁電阻薄膜材料作為磁阻材料，其結(jié)構(gòu)為NWeCr/NiFe (薄膜厚度在納米級(jí)別)，在Nii^e層20nm時(shí)磁電阻變化率已高達(dá)3%。制作完成后的薄膜電阻外形如圖6所示。如圖6所示，磁阻傳感器7包括由磁阻材料形成的四個(gè)蛇形的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2以及形成導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的邊界的屏蔽層1。各導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的相鄰導(dǎo)體在所示實(shí)例中互相電連接構(gòu)成為惠斯通電橋的電路的分支，相鄰的導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2彼此垂直。該惠斯通電橋由端子5、6施加電源電壓，并由端子3、4引出磁阻傳感器7的兩個(gè)輸出電壓。如圖7所示，本實(shí)用新型中的磁阻傳感器7等效為惠斯通電橋結(jié)構(gòu)。磁阻傳感器 7的四個(gè)信號(hào)端子3、4、5和6用于和控制集成電路12相連接。除電源電壓端子5和電源地端子6外，磁阻傳感器7還有兩個(gè)信號(hào)輸出端子3和4輸出差分信號(hào)進(jìn)入控制集成電路 12。這樣做的好處除了能夠增加信號(hào)幅度、提高傳感器信噪比外，還能夠最大限度地抑制系統(tǒng)中的共模串?dāng)_。圖8是本實(shí)用新型中采用的磁阻傳感器7產(chǎn)生的磁感B和磁場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)H之間的磁滯特性曲線。這個(gè)磁滯特性曲線非常陡峭，具有清晰的、可再現(xiàn)的磁滯特性。圖9是本實(shí)用新型中采用的磁阻傳感器7和一般的磁阻傳感器在施加相同的磁場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)H下的各自輸出電壓UA的特性曲線。其中，Sl代表的是一般的磁阻傳感器的特性曲線，S2代表的是本實(shí)用新型中采用的磁阻傳感器7的特性曲線。本實(shí)用新型中的磁阻傳感器7采用屏蔽條1保證各導(dǎo)體結(jié)構(gòu)2的磁特性，特別是磁滯、線性和靈敏度的特性保持相同，而不受制造工藝的影響。顯然，本實(shí)用新型中的磁阻傳感器7具有更好的線性。整個(gè)電路系統(tǒng)的框圖如圖10所示?？刂萍呻娐?2的電源偏置電路向磁阻傳感器7和霍爾傳感器11輸出偏置信號(hào)，以開(kāi)啟或關(guān)閉磁阻傳感器7和霍爾傳感器11。該偏置信號(hào)為兩個(gè)獨(dú)立的脈沖信號(hào)，能在不同的時(shí)段開(kāi)啟或關(guān)閉磁阻傳感器7和霍爾傳感器11。 控制集成電路12的信號(hào)處理電路接收并處理磁阻傳感器7和霍爾傳感器11的輸出信號(hào)。優(yōu)選地，控制集成電路12還包括時(shí)序控制電路和信號(hào)選通電路，其中時(shí)序控制電路向電源偏置電路輸出偏置控制信號(hào)，該偏置控制信號(hào)對(duì)電源偏置電路輸出的偏置信號(hào)的頻率和占空比進(jìn)行控制；磁阻傳感器7和霍爾傳感器11向信號(hào)選通電路輸出各自的輸出信號(hào)；時(shí)序控制電路向信號(hào)選通電路和信號(hào)處理電路輸出選通控制信號(hào)，該選通控制信號(hào)控制信號(hào)選通電路輸出磁阻傳感器7和霍爾傳感器11的輸出信號(hào)之一，并控制信號(hào)處理電路處理由信號(hào)選通電路輸出的該輸出信號(hào)。整個(gè)電路系統(tǒng)的典型消耗的電流如圖11所示，由于采用了脈沖偏置，所以整個(gè)系統(tǒng)的消耗電流程脈沖形式，均方根值(RMS)為4uA左右，和同種類(lèi)型的產(chǎn)品相比，功耗降低
了一個(gè)數(shù)量級(jí)。本實(shí)用新型的傳感器由于內(nèi)部同時(shí)集成了磁阻傳感器和霍爾傳感器，所以能夠檢測(cè)平行和垂直方向的外部磁場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)三軸全向磁場(chǎng)檢測(cè)功能，如圖12所示。顯然，在上述教導(dǎo)下，可能對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行多種修正和變型，并在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，本實(shí)用新型可實(shí)施為不同于具體描述的方式。
權(quán)利要求1 一種磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，包括磁阻傳感器；霍爾傳感器；控制集成電路，所述控制集成電路與所述霍爾傳感器處于同一層，并圍繞所述霍爾傳感器，所述控制集成電路接收并處理所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的輸出信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述控制集成電路包括電源偏置電路和信號(hào)處理電路；所述電源偏置電路向所述磁阻傳感器和霍爾傳感器輸出偏置信號(hào)，以開(kāi)啟或關(guān)閉所述磁阻傳感器和霍爾傳感器；所述信號(hào)處理電路接收并處理所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的所述輸出信號(hào)。
3.如權(quán)利要求2所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述控制集成電路進(jìn)一步包括時(shí)序控制電路和信號(hào)選通電路；所述時(shí)序控制電路向所述電源偏置電路輸出偏置控制信號(hào)，所述偏置控制信號(hào)對(duì)所述電源偏置電路輸出的所述偏置信號(hào)進(jìn)行控制；所述磁阻傳感器和霍爾傳感器向所述信號(hào)選通電路輸出各自的輸出信號(hào)；所述時(shí)序控制電路向所述信號(hào)選通電路和信號(hào)處理電路輸出選通控制信號(hào)，所述選通控制信號(hào)控制所述信號(hào)選通電路輸出所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的輸出信號(hào)之一，并控制所述信號(hào)處理電路處理由所述信號(hào)選通電路輸出的該輸出信號(hào)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述磁場(chǎng)傳感器芯片還包括位于所述磁阻傳感器與所述同一層之間的鈍化隔離層。
5.如權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述鈍化隔離層設(shè)有接觸孔，所述磁阻傳感器具有連接線，所述磁阻傳感器通過(guò)所述連接線和接觸孔與所述控制集成電路電連接。
6.如權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述霍爾傳感器位于所述控制集成電路的中心位置。
7.如權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述霍爾傳感器呈對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求4所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述磁阻傳感器是蛇形導(dǎo)體結(jié)構(gòu)構(gòu)成的惠斯通電橋，且相鄰的所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)彼此垂直。
9.如權(quán)利要求8所述的磁場(chǎng)傳感器芯片，其特征在于，所述導(dǎo)體結(jié)構(gòu)旁設(shè)有屏蔽條。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種磁場(chǎng)傳感器芯片，包括磁阻傳感器；霍爾傳感器；控制集成電路，所述控制集成電路與所述霍爾傳感器處于同一層，并圍繞所述霍爾傳感器，所述控制集成電路接收并處理所述磁阻傳感器和霍爾傳感器的輸出信號(hào)。所述控制集成電路可包括電源偏置電路和信號(hào)處理電路，并可進(jìn)一步包括時(shí)序控制電路和信號(hào)選通電路。所述磁場(chǎng)傳感器可制作在鈍化隔離層上。本實(shí)用新型的磁場(chǎng)傳感器芯片可以檢測(cè)三軸全向磁場(chǎng)變化，具有功耗低、面積小、靈敏度高、抗干擾能力強(qiáng)和輸出波形穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01R33/07GK201935997SQ201020288839
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2010年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月11日
發(fā)明者彭卓, 賈曉欽, 陳忠志, 黃穎 申請(qǐng)人:上海騰怡半導(dǎo)體有限公司