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一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計的制作方法

文檔序號:5885950閱讀:296來源:國知局
專利名稱:一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種電阻應(yīng)變計,特別涉及一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計。
背景技術(shù)
目前,公知的箔式電阻應(yīng)變計是由高分子樹脂絕緣材料作為基底,然后用光刻、刻 蝕技術(shù)在軋壓成型的金屬箔材上形成敏感柵,并在后端形成焊端而制成的。主要使用的基 底材料種類有環(huán)氧類、酚醛類、聚酯類、縮醛類、聚酰亞胺類、金屬薄片、臨時基底等。市場 上已有的、應(yīng)用最為廣泛的是環(huán)氧類、酚醛類、縮醛類。這幾種類型基底的箔式電阻應(yīng)變計, 無法滿足精密稱重傳感器、標(biāo)準(zhǔn)傳感器、衡器用傳感器、力傳感器、工業(yè)控制、應(yīng)力分析等的 需要。特別是這些箔式電阻應(yīng)變計由于基底或密封層厚度范圍較寬,蠕變一致性、回零一致 性較差,對濕度、溫度等環(huán)境變化較為敏感,引起應(yīng)變計阻值和零點信號發(fā)生變化;同時這 類應(yīng)變計蠕變性能會隨溫度變化,用常規(guī)的補(bǔ)償方法不容易控制,只能用于溫度范圍固定 的場合。因此基底和密封層受環(huán)境變化影響成為應(yīng)變計測量中的最大誤差源。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,本實用新型的目的在于提供一種工程塑料薄膜基 底應(yīng)變計,對濕度、水和其他液體相對不敏感,環(huán)境引起的濕熱變化相對影響較小,具有穩(wěn) 定的蠕變、回零性能。為了達(dá)到上述目的,本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種工程塑料薄膜基 底應(yīng)變計,包括工程塑料薄膜基底1,工程塑料薄膜基底1通過粘貼層2與金屬箔3粘接在 一起,金屬箔3上是蓋層4,工程塑料薄膜基底1為聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜。所述的粘貼層2為環(huán)氧樹脂或酚醛_環(huán)氧樹脂。當(dāng)工程塑料薄膜基底1為聚苯硫醚薄膜時,蓋層4為聚苯硫醚薄膜。當(dāng)工程塑料薄膜基底1為聚醚醚酮薄膜時,蓋層4為聚醚醚酮薄膜。本實用新型比現(xiàn)有應(yīng)變計性能更穩(wěn)定,一致性更好,具有較寬的使用溫度范圍,工 程塑料薄膜基底1為聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜層,聚苯硫醚薄膜耐溫可達(dá)175°C,聚醚 醚酮薄膜耐溫可達(dá)230°C,能夠為制作標(biāo)準(zhǔn)傳感器配套使用。

圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。圖2是圖1的俯視圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作詳細(xì)敘述。參照附圖,一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計,包括工程塑料薄膜基底1,工程塑料薄 膜基底1通過粘貼層2與金屬箔3粘接在一起,金屬箔3上是蓋層4,其特征在于,工程塑料薄膜基底1為聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜。所述的粘貼層2為環(huán)氧樹脂或酚醛_環(huán)氧樹脂。當(dāng)工程塑料薄膜基底1為聚苯硫醚薄膜時,蓋層4為聚苯硫醚薄膜。當(dāng)工程塑料薄膜基底1為聚醚醚酮薄膜時,蓋層4為聚醚醚酮薄膜。本實用新型的工程塑料薄膜基底1的厚度是25 y m、13 y m (偏差1 % ),粘結(jié)層2厚 度控制在2 5 ii m范圍內(nèi),金屬箔3的厚度范圍是2. 5 5 ii m,整個應(yīng)變計厚度約29. 5 35 y m或17. 5 23 y m(不包括蓋層4),厚度均勻性大大增強(qiáng),利于提高整批應(yīng)變計蠕變一 致性。工程塑料薄膜基底1和蓋層4具有良好的柔韌性、抗撓性、空間穩(wěn)定性,較高的剪切 模量、極低的熱膨脹系數(shù)、吸潮率,優(yōu)異的耐化學(xué)藥物性能、耐輻射性能,能夠抵擋多數(shù)的水 和潮氣;耐溫甚至可以達(dá)到130°C,有利于用戶操作和使用。本實用新型的有益效果是抗?jié)駸嵝阅苡忻黠@的提高;蠕變、回零、穩(wěn)定性等優(yōu)于 目前市場上已有的酚醛類、縮醛類的應(yīng)變計;整批應(yīng)變計的蠕變、回零一致性大大提高,利 于傳感器一致性控制及標(biāo)準(zhǔn)傳感器的制作;其他各項指標(biāo)也均滿足GB/T13992-92《電阻應(yīng) 變計》國標(biāo)A級產(chǎn)品要求。
權(quán)利要求一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計,其特征在于,包括工程塑料薄膜基底(1),工程塑料薄膜基底(1)通過粘貼層(2)與金屬箔(3)粘接在一起,金屬箔(3)上是蓋層(4),工程塑料薄膜基底(1)為聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計,其特征在于,所述的粘貼層 (2)為環(huán)氧樹脂或酚醛-環(huán)氧樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計,其特征在于,當(dāng)工程塑料薄 膜基底(1)為聚苯硫醚薄膜時,蓋層(4)為聚苯硫醚薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計,其特征在于,當(dāng)工程塑料薄 膜基底(1)為聚醚醚酮薄膜時,蓋層(4)為聚醚醚酮薄膜。
專利摘要一種工程塑料薄膜基底應(yīng)變計,包括工程塑料薄膜基底,工程塑料薄膜基底通過粘貼層與金屬箔粘接在一起,金屬箔上是蓋層,工程塑料薄膜基底為聚苯硫醚薄膜或聚醚醚酮薄膜,本實用新型比現(xiàn)有應(yīng)變計性能更穩(wěn)定,一致性更好,具有較寬的使用溫度范圍,工程塑料薄膜基底是由聚苯硫醚薄膜和聚醚醚酮薄膜層壓在一起形成的,聚苯硫醚薄膜耐溫可達(dá)175℃,聚醚醚酮薄膜耐溫可達(dá)230℃,能夠為制作標(biāo)準(zhǔn)傳感器配套使用。
文檔編號G01B1/00GK201583213SQ20102001964
公開日2010年9月15日 申請日期2010年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月6日
發(fā)明者劉鵬, 周豫, 張勛, 晏志鵬, 王智勇, 紀(jì)綱, 趙家輝 申請人:中航電測儀器股份有限公司
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