專利名稱：擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料及含磷化合物的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于納米結(jié)構(gòu)材料，且特別是有關(guān)于一種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其可用于當(dāng)作氣體偵測器的感測組件。
背景技術(shù)：
隨著科技不斷的進步，許多新型的關(guān)鍵技術(shù)成為高科技業(yè)的發(fā)展重點，其中高科技廠房微污染監(jiān)控技術(shù)已被列為未來產(chǎn)業(yè)競爭的關(guān)鍵技術(shù)之一。國際半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖委員會(International Technology Roadmap forSemiconductors ；ITRS)預(yù)估至 2013 年芯片關(guān)鍵尺寸(critical dimension ；CD)將縮小至32納米(nm)，微污染控制為其關(guān)鍵技術(shù)之一。以32nm的半導(dǎo)體工藝為例，在無塵室中的工藝關(guān)鍵區(qū)域，微污染敏感區(qū)對于酸、堿、有機類、摻質(zhì)(dopants)類的空氣品質(zhì)建議值皆分別建議維持在10 150ppt以下的范圍內(nèi)。因此，欲確認(rèn)無塵室內(nèi)空氣品質(zhì)是否符合半導(dǎo)體工藝上的要求，需要的是極低濃度的氣體監(jiān)測器。一般IC工藝中常使用的氣體及其副產(chǎn)物，一般依據(jù)其化學(xué)的特性與其不同的影響范圍，可分為易燃性氣體，例如硅甲烷、甲烷等；毒性氣體，例如砷化氫(AsH3) 二硼烷 (B2H6)、磷化氫(PH3)等；腐蝕性氣體，例如氟化氫、氯化氫等；溫室效應(yīng)氣體，例如四氟化碳、三氟化氮等。而薄膜工藝中化學(xué)氣相沉積、干蝕刻、擴散、離子植入與外延工藝均會排放上述含有特殊毒性的危險氣體。其中，磷化氫在常溫下為無色氣體，具令人不悅的大蒜味，屬于毒性的氣體，當(dāng)吸入時會造成呼吸困難，癥狀會延遲發(fā)生且可能會致死，人體所能容忍的八小時時量平均容許濃度TWA值為0. 3ppm。磷化氫亦是可燃性的氣體，其氣體爆炸界限為1. 6%-98%，具有極高的危險性。磷化氫常作為N型摻質(zhì)，以擴散或離子植入方式進入多晶硅中，故半導(dǎo)體廠皆需依法安裝磷化氫氣體偵測器。目前市面上所販?zhǔn)鄣牧谆瘹錃怏w偵測器的主要類型為電化學(xué)式與色帶式兩種，占市占率9成以上。而這些市售的磷化氫氣體偵測器偵測下限約在IOOppb以符合勞工安全衛(wèi)生法規(guī)中的高壓氣體勞工安全規(guī)則相關(guān)基準(zhǔn)的要求，但距ITRS的建議值高出1000-10000 倍，且會受到其它氣體干擾?，F(xiàn)階段晶圓廠為解決為污染問題，大多仰賴費時費工的傳統(tǒng)采樣分析，將芯片暴露于無塵室空氣中，暴露時間為24-48小時，再以高濃度的氫氟酸將表面沉積的污染物清洗至酸液中，用感應(yīng)耦合等離子體質(zhì)譜分析儀(ICP-MQ進行元素分析。此種作法需耗費大量時間、人力及物資，且無法實時偵測微污染存在，進而導(dǎo)致高科技廠常面臨良率損失的威脅。其它含磷分子例如為磷酸，會腐蝕眼睛、皮膚和呼吸道，引起眼睛失明和永久性的刮傷，且在高溫下會分解形成具毒性的磷氧化物，人體所能容忍的八小時時量平均容許濃度TWA值為lmg，同樣對人體具有危害。因此，業(yè)界需要的是一種量測含磷分子的新穎材料及技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供的目的是一種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，以克服公知技術(shù)中存在的缺陷。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，包括以下步驟所得的產(chǎn)物混合硅或鈦氧化物與一界面活性劑，并在一第一 PH值下聚合成為中孔洞氧化硅或氧化鈦；將一金屬或金屬化合物與該中孔洞氧化硅或氧化鈦混合，得到一混合物，并調(diào)控該混合物使其具有一第二 PH值；以及對該混合物進行異相成核，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，在混合該硅或鈦氧化物與該接口活性劑混合前，包含將一堿與該硅或鈦氧化物反應(yīng)并加熱。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，在異相成核后，包括進行一鍛燒工藝，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該接口活性劑為明膠或四級銨鹽。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬為含銅、銀、鉻、金、鉬、鈀或
其組合。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬化合物為含銅、銀、鉻、金、 鉬或鈀的商化物、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽或其組合。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料硅或鈦與所擔(dān)載的金屬氧化物的金屬重量比介于0.99 0.01至0.5 0.5之間。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第一 pH值小于5。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第二 pH值為6-11。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該異相成核是在80-140°C下進行。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，鍛燒擔(dān)載有金屬氧化物的中孔洞氧化硅或氧化鈦的溫度大于300°C。本發(fā)明還提供一種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，包括以下步驟所得的產(chǎn)物將一含硅或鈦化合物與一碳材模版，進行一第一鍛燒工藝，得到一粉體；將一金屬或金屬化合物與該粉體混合，得到一混合物；以及對該混合物進行一第二鍛燒工藝，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料，其中該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料硅或鈦與所擔(dān)載的金屬氧化物的金屬重量比介于0.99 0.01至0.5 0.5之間。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該含硅或鈦化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)為 M(OR4)，M為硅或鈦，且R為含1-8個碳原子的烷基。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬為含銅、銀、鉻、金、鉬、鈀或
其組合。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬化合物為含銅、銀、鉻、金、
5鉬或鈀的商化物、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽或其組合。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第一鍛燒工藝的溫度大于500°C。所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第二鍛燒工藝的溫度大于300°C。本發(fā)明利用上述擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料進行含磷化合物的檢測方法，包含提供如上所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料；導(dǎo)入一待測氣體與該納米結(jié)構(gòu)材料反應(yīng)；以及分析反應(yīng)結(jié)果。所述的含磷化合物的檢測方法，其中，該含磷化合物包含磷化氫、磷酸、甲基磷酸二甲酯、亞磷酸三甲酯、磷酸三甲酯、巴拉松、甲基巴拉松或其混合。所述的含磷化合物的檢測方法，其中，包含將該納米結(jié)構(gòu)材料與一傅立葉紅外線光譜系統(tǒng)連結(jié)，以作實時量測與分析。


圖1為本發(fā)明實施例1所述的納米結(jié)構(gòu)材料的制備流程圖。圖2為本發(fā)明實施例1所述的納米結(jié)構(gòu)材料的X射線衍射(XRD)圖譜。圖3為本發(fā)明一實施例測量含磷分子的氣體的偵測器裝置圖。圖4為實施例1-13所述氧化硅擔(dān)載金屬氧化物的的納米結(jié)構(gòu)材料其吸附測試結(jié)^ ο圖5為本發(fā)明實施例14所述的納米結(jié)構(gòu)材料的制備流程圖。圖6為本發(fā)明實施例14所述的納米結(jié)構(gòu)材料其吸附效率及時間的關(guān)系圖。圖7為本發(fā)明實施例15所述的納米結(jié)構(gòu)材料的制備流程圖。圖8為本發(fā)明一實施例測量含磷分子的具有傅立葉紅外線光譜系統(tǒng)(FT-IR)的偵測器裝置圖。圖9為本發(fā)明實施例15所述的納米結(jié)構(gòu)材料用以偵測PH3的頂光譜圖。圖10為本發(fā)明實施例15所述的納米結(jié)構(gòu)材料其紅外(IR)光譜圖。圖11為實施例15-20所述氧化硅擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料其吸附測試結(jié)^ ο附圖中主要組件符號說明11-40步驟；101待測氣體；102載送氣體；103、104質(zhì)量流量控制器;105、107閥門；106測試腔體；108感測組件；109傅立葉紅外線光譜系統(tǒng)；以及110數(shù)據(jù)處理及儲存裝置。
具體實施例方式為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下本發(fā)明提供一種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，由于金屬氧化物可進一步與一含磷的分子鍵結(jié)，可用來作為偵測含磷化合物的檢測材料。本發(fā)明的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，在一實施例中，是由以下步驟所制
將硅或鈦氧化物與一接口活性劑，在一第一 pH值下聚合成為中孔洞氧化硅或氧化鈦。此外，在混合該硅或鈦氧化物與該接口活性劑混合前，還包含將一堿與該硅或鈦氧化物反應(yīng)并加熱。將一金屬或金屬化合物與該中孔洞氧化硅或氧化鈦混合，得到一混合物，并調(diào)控該混合物使其具有一第二 PH值；以及，對該混合物進行異相成核，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料。在此，上述硅或鈦氧化物可選擇為硅氧化物的微粒、或鈦氧化物的微粒，例如為P-25、MCM-41、SBA-15或Y-A1203，其表面積介于 50-1200m2/g之間。該界面活性劑可為明膠(Gelatine)、四級銨鹽。該金屬為含銅、銀、鉻、 金、鉬、鈀、或其組合，此外，該金屬化合物為含銅、銀、鉻、金、鉬、或鈀的商化物、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽、或其組合，例如為氯化銅、氯化鋁、氯化銀、硝酸銀、硫酸銀、磷酸銀或前述的組合。該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料表面硅或鈦與所擔(dān)載的金屬氧化物的金屬重量比可介于0.99 0.01至0.50 0.50之間。金屬氧化物比例大于0. 5以上，易形成較大的顆粒，降低活性位置表面積，導(dǎo)致反應(yīng)活性下降。金屬氧化物比例低于0. 01，則可能因活化位置不足而降低反應(yīng)速率。此外，該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料的反應(yīng)條件可為第一 pH值小于5 (例如5或3)、第二 pH值為6-11(例如7)，且異相成核是在 80-140°C下進行。所謂的異相成核，是指由外來的微粒進入溶液中的情況下，所產(chǎn)生的新成核。在調(diào)整pH值的過程中，可以酸性溶液或堿性溶液來調(diào)整上述溶液的pH值。在一實施例中，該酸性物質(zhì)可為鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸或前述的組合。例如，加入的金屬鹽類為氯化銅(CuCl2)或氯化鋁(AlCl3)時，較佳為使用鹽酸來調(diào)整該溶液的pH值。在一些實施例中，上述溶液的PH值可為在1. 0 3. 0之間，以幫助溶凝膠材料的單體水解。該堿性溶液可為一般常用的無機堿性鹽類的水溶液，例如為氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉或碳酸氫鈉。再者，在異相成核后，還可包括鍛燒該擔(dān)載有金屬氧化物的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料，其中鍛燒溫度大于300°C。本發(fā)明的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，在另一實施例中，可由以下步驟所制備將一含硅或鈦化合物與一碳材模版，進行一第一鍛燒工藝，得到一粉體；將一金屬或金屬化合物與該粉體混合，得到一混合物；以及，對該混合物進行一第二鍛燒工藝，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的中孔洞氧化硅或氧化鈦，其中該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料表面硅或鈦與所擔(dān)載的金屬氧化物的金屬重量比介于0.99 0.01至0.5 0.5 之間。金屬氧化物比例大于0.5以上，易形成較大的顆粒，降低活性位置表面積，導(dǎo)致反應(yīng)活性下降。金屬氧化物比例低于0.01，則可能因活化位置不足而降低反應(yīng)速率。其中， 該含硅或鈦化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)可為M(OR)4，M為硅或鈦，且R為含1-8個碳原子的烷基， 可例如為四異丙烷氧化鈦(titanium(IV) isopropoxide ；TTIP)、3_胺丙基三甲氧基硅烷 (3-aminopropyltriethoxysilane ;APTES)、四乙基硅氧烷(TEOS)或前述的組合。此外，該第一鍛燒工藝的溫度可大于500°C，而第二鍛燒工藝的溫度大于300°C。在進行聚合或混合的步驟時，亦可進一步使用一溶劑。在本發(fā)明某些實施例中，該溶劑可為水、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丙酮或前述的組合。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例，本發(fā)明亦提供一種利用上述納米結(jié)構(gòu)材料對含磷化合物的檢測方法，包含提供本發(fā)明所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，并導(dǎo)入一待測氣體與該納米結(jié)構(gòu)材料反應(yīng)。最后，分析反應(yīng)結(jié)果?？蓹z測的含磷化合物包含磷化氫、磷酸、甲基磷酸二甲酉旨(dimethyl methylphosphonate ；DMMP)、亞憐酸三甲酉旨(trimethyl phosphite ；TMB) > 磷酸三甲酯(trimethyl phosphate ;ΤΜΡ0)、巴拉松(parathion)、甲基巴拉松(parathion methyl)、或其混合。相對于傳統(tǒng)偵測磷化氫的方法，本發(fā)明所述的納米結(jié)構(gòu)材料對于磷化氫具有高度靈敏性。因此，其還可作為含磷分子的偵測器的感測組件，該感測組件的偵測下限可達(dá) 300ppm IOOppb。在一實施例中，該感測組件還可與傅立葉轉(zhuǎn)換紅外線光譜(Fouriertransform infrared spectroscopy ；FT-IR spectroscopy)系統(tǒng)連結(jié)作為含磷分子的氣體偵測器。測試方法可包含將待測的氣體及載送氣體(carrier flow)分別經(jīng)由不同的質(zhì)量流量控制器后，混合并由閥門控制是否送進具有納米結(jié)構(gòu)材料的測試腔體中，由于納米結(jié)構(gòu)材料與傅立葉紅外線光譜系統(tǒng)具有連結(jié)，可實時量測該測試腔體上的變化并傳送至數(shù)據(jù)處理及儲存裝置。以下由下列實施例來說明本發(fā)明所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料的合成方式及其性質(zhì)量測，用以進一步闡明本發(fā)明的技術(shù)特征。實施例1請參照圖1所示的納米結(jié)構(gòu)材料制備流程圖，首先，取2. Og明膠(gelatine)且充分?jǐn)嚢杌旌嫌?0g水(H2O)中，得到溶液1 (步驟11)。接著，取SgSW2 · NaOH加入50g水 (H2O)中，充分混合，得到溶液2 (步驟12)。接著，取5g 6M硫酸(H2SO4)加入IOOg水(H2O)， 充分混合，得到溶液3 (步驟13)。接著，混合溶液2與溶液3，調(diào)節(jié)至pH到5. 0，并持續(xù)攪拌3分鐘，得到溶液4 (步驟 14)。接著，將步驟1與步驟4的溶液混合，攪拌10分鐘，得到溶液5。接著，取 Cu (NO3) 2 · 6H20溶解于去離子水中(步驟15)，并用以調(diào)節(jié)溶液5，使其pH值到達(dá)7. 0，得到溶液6 (步驟16)。在過濾溶液6后，將所得的過濾物加入去離子清洗。清洗完成后加入100ml去離子，并置入烘箱。在100°c下進行異相成核對小時后(步驟17)，取出樣品并過濾(步驟 18)。所得的過濾物再置入烘箱中以60°C烘干(步驟19)。干燥后的樣品置入鍛燒爐，在 550°C鍛燒6小時后(步驟20)，得到具有銅擔(dān)載的的納米結(jié)構(gòu)材料。以XRD (X光繞射、X-ray diffraction)量測所得到的納米結(jié)構(gòu)材料的2 θ值，如圖 2所示，可得知該納米結(jié)構(gòu)材料具有銅分子分散良好的中孔洞結(jié)構(gòu)。接著，以EDX(能量分散光譜儀、energy disperse X-ray)對該納米結(jié)構(gòu)材料進行表面元素分析，得到銅及硅的比為28 72。最后，對該納米結(jié)構(gòu)材料進行BET(Branouer，Emmet and Teller)表面積分析及孔洞大小分布分析，得知該納米結(jié)構(gòu)材料的表面積為780m2/g，而孔洞大小分布為2. 5nm。實施例2-13實施例2-13分別如實施例1的相同方式進行，但以不同的金屬氧化物前驅(qū)物取代 Cu(NO3)2 · 6H20o實施例2-14分別所使用的金屬氧化物前驅(qū)物及所得產(chǎn)物，如表1所示。
權(quán)利要求
1.一種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，包括以下步驟所得的產(chǎn)物混合硅或鈦氧化物與一界面活性劑，并在一第一 PH值下聚合成為中孔洞氧化硅或氧化鈦；將一金屬或金屬化合物與該中孔洞氧化硅或氧化鈦混合，得到一混合物，并調(diào)控該混合物使其具有一第二 PH值；以及對該混合物進行異相成核，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料。
2.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，在混合該硅或鈦氧化物與該接口活性劑混合前，包含將一堿與該硅或鈦氧化物反應(yīng)并加熱。
3.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，在異相成核后，包括進行一鍛燒工藝，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料。
4.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該接口活性劑為明膠或四級銨鹽。
5.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬為含銅、銀、鉻、 金、鉬、鈀或其組合。
6.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬化合物為含銅、 銀、鉻、金、鉬或鈀的商化物、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽或其組合。
7.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料硅或鈦與所擔(dān)載的金屬氧化物的金屬重量比介于0.99 0.01至0.5 0.5 之間。
8.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第一PH值小于5。
9.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第二PH值為6-11。
10.如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該異相成核是在 80-140°C下進行。
11.如權(quán)利要求3所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，鍛燒擔(dān)載有金屬氧化物的中孔洞氧化硅或氧化鈦的溫度大于300°C。
12.—種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，包括以下步驟所得的產(chǎn)物將一含硅或鈦化合物與一碳材模版，進行一第一鍛燒工藝，得到一粉體；將一金屬或金屬化合物與該粉體混合，得到一混合物；以及對該混合物進行一第二鍛燒工藝，得到表面具有金屬氧化物擔(dān)載的氧化硅或氧化鈦納米結(jié)構(gòu)材料，其中該擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料硅或鈦與所擔(dān)載的金屬氧化物的金屬重量比介于 0.99 0.01 至 0.5 0.5 之間。
13.如權(quán)利要求12所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該含硅或鈦化合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)為M(OR4)，M為硅或鈦，且R為含1-8個碳原子的烷基。
14.如權(quán)利要求12所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬為含銅、銀、 鉻、金、鉬、鈀或其組合。
15.如權(quán)利要求12所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，該金屬化合物為含銅、銀、鉻、金、鉬或鈀的商化物、硝酸鹽、磷酸鹽、硫酸鹽或其組合。
16.如權(quán)利要求12所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第一鍛燒工藝的溫度大于500°C。
17.如權(quán)利要求12所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，其中，第二鍛燒工藝的溫度大于300°C。
18.—種含磷化合物的檢測方法，包含提供如權(quán)利要求1所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料；導(dǎo)入一待測氣體與該納米結(jié)構(gòu)材料反應(yīng)；以及分析反應(yīng)結(jié)果。
19.如權(quán)利要求18所述的含磷化合物的檢測方法，其中，該含磷化合物包含磷化氫、磷酸、甲基磷酸二甲酯、亞磷酸三甲酯、磷酸三甲酯、巴拉松、甲基巴拉松或其混合。
20.如權(quán)利要求18所述的含磷化合物的檢測方法，其中，包含將該納米結(jié)構(gòu)材料與一傅立葉紅外線光譜系統(tǒng)連結(jié)，以作實時量測與分析。
21.一種含磷化合物的檢測方法，包含提供如權(quán)利要求12所述的擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料；導(dǎo)入一待測氣體與該納米結(jié)構(gòu)材料反應(yīng)；以及分析反應(yīng)結(jié)果。
22.如權(quán)利要求21所述的含磷化合物的檢測方法，其中，該含磷化合物包含磷化氫、磷酸、甲基磷酸二甲酯、亞磷酸三甲酯、磷酸三甲酯、巴拉松、甲基巴拉松或其混合。
23.如權(quán)利要求21所述的含磷化合物的檢測方法，其中，包含將該納米結(jié)構(gòu)材料與一傅立葉紅外線光譜系統(tǒng)連結(jié)，以作實時量測與分析。
全文摘要
本發(fā)明提供一種擔(dān)載金屬氧化物的納米結(jié)構(gòu)材料，是經(jīng)以下步驟所得混合硅或鈦氧化物與一界面活性劑，并聚合成一中孔洞(mesoporous)氧化硅或氧化鈦，并進一步與一金屬或金屬化合物混合，最后對該混合物進行異相成核。根據(jù)另一實施例，該納米結(jié)構(gòu)材料的形成步驟亦可為將含硅或鈦化合物與碳材模版一起進行鍛燒，接著接所得產(chǎn)物與一金屬或金屬化合物混合，并進行第二次鍛燒。此外，本發(fā)明亦提供利用上述納米結(jié)構(gòu)材料所進行的含磷化合物檢測方法。
文檔編號G01N21/35GK102167283SQ20101012549
公開日2011年8月31日 申請日期2010年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月26日
發(fā)明者李壽南, 林弘萍, 陳柏瑞, 顏紹儀 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院