專利名稱：探針裝置及測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種探針裝置及測(cè)試裝置。另外，本案是日本國(guó)等的委托研究的成果涉及的專利申請(qǐng)(平成19年度獨(dú)立行政法人新能源和產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)「次世代三次元積層技術(shù)的前導(dǎo)研究」委托研究，適用日本國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)力強(qiáng)化法第19條的專利申請(qǐng))。
背景技術(shù)：
先前，已知有一種裝置，作為用于半導(dǎo)體晶片的檢查的探針卡，通過磁場(chǎng)耦合或電場(chǎng)耦合的非接觸耦合，而與半導(dǎo)體晶片傳遞信號(hào)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。已知有一種探針卡，為了檢查混合存在有接觸和非接觸的端子的半導(dǎo)體晶片，而混合非接觸耦合與接觸耦合(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。專利文獻(xiàn)1 日本專利公開2009-85720號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利公布2007-520722號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題非接觸耦合的耦合強(qiáng)度，取決于半導(dǎo)體晶片側(cè)的端子與探針卡側(cè)的端子之間的距離。因此，非接觸耦合中的半導(dǎo)體晶片側(cè)的端子及探針卡側(cè)的端子，最好配置在盡量相近的位置上。但是，使非接觸耦合用端子與接觸耦合用端子混合存在于探針卡的基板上時(shí)，將線圈等的非接觸耦合用端子、與凸塊或探針引腳等的接觸耦合用端子，形成為同等高度是困難的。一般而言，接觸耦合用端子較非接觸耦合用端子長(zhǎng)。連接狀態(tài)下的探針卡和半導(dǎo)體晶片的距離，根據(jù)接觸耦合用的端子的長(zhǎng)度來定。 如上所述，接觸耦合用的端子較非接觸耦合用的端子長(zhǎng)，所以，非接觸耦合用的端子及半導(dǎo)體晶片之間，會(huì)空出與接觸耦合用的端子的長(zhǎng)度相應(yīng)的間隙。另外，非接觸耦合用的端子，被固定于探針卡的基板上。因此，無法調(diào)整非接觸耦合中的半導(dǎo)體晶片側(cè)的端子及探針卡側(cè)的端子之間的距離。對(duì)此，在本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面中，目的在于提供一種可解決上述課題的探針裝置及測(cè)試裝置。此目的由記載于權(quán)利要求中的獨(dú)立權(quán)利要求的特征組合來實(shí)現(xiàn)。而從屬權(quán)利要求限定了本發(fā)明的更優(yōu)選的具體例。解決問題的技術(shù)手段為了解決上述問題，本發(fā)明的第一方式中，提供一種探針裝置，以及具備該探針裝置和判定部的測(cè)試裝置，該探針裝置，是與對(duì)象器件之間傳送信號(hào)的探針裝置，其具備接觸部，其利用與對(duì)象器件的端子接觸，而與對(duì)象器件電連接；非接觸部，其在未與對(duì)象器件的端子接觸的狀態(tài)下，與對(duì)象器件傳送信號(hào)；以及保持部，其用于保持接觸部和非接觸部， 可在連結(jié)非接觸部和對(duì)象器件的對(duì)應(yīng)端子的連接方向，改變接觸部和非接觸部的相對(duì)位置。
另外，上述的發(fā)明的概要并非列舉了本發(fā)明的必要的特征的全部，這些特征群的次級(jí)組合也可成為發(fā)明。


第1圖表示一實(shí)施方式的測(cè)試裝置100的構(gòu)成例。第2圖是將探針裝置30的構(gòu)成與對(duì)象器件200和晶片托盤12配合表示的圖。第3A圖表示未被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的一例。第;3B圖表示被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的一例。第4圖表示薄膜部60的一例。第5圖表示被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例。第6圖表示保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例。
第7A圖表示非接觸部64的一例。第7B圖表示非接觸部64的其他例。第8圖表示在薄膜部60中的非接觸部64及非接觸部用電極50的連接例。
具體實(shí)施例方式以下，通過發(fā)明的實(shí)施方式來說明本發(fā)明，但以下實(shí)施方式并非用于限定權(quán)利要求的發(fā)明。實(shí)施方式中所說明的特征的組合的全部，并不一定是發(fā)明的解決手段所必須的。第1圖表示一實(shí)施方式的測(cè)試裝置100的構(gòu)成例。本例的測(cè)試裝置100，用于測(cè)試半導(dǎo)體晶片等的對(duì)象器件200。對(duì)象器件200，具有接觸和非接觸的端子。測(cè)試裝置100，也能以形成有多個(gè)對(duì)象器件200的晶片單位，來測(cè)試對(duì)象器件200。本例的測(cè)試裝置100，具備主機(jī)10、測(cè)試頭20、探針裝置30以及晶片托盤12。晶片托盤12用于載置形成有多個(gè)對(duì)象器件200的晶片。測(cè)試一對(duì)象器件200的情況時(shí)，測(cè)試裝置100，也可具備用于載置對(duì)象器件200的器件載置部，來替代晶片托盤12。探針裝置30，與對(duì)象器件200之間傳送信號(hào)。探針裝置30，可對(duì)被形成于晶片上的多個(gè)對(duì)象器件200，并行地傳送信號(hào)。探針裝置30，利用磁場(chǎng)耦合或電場(chǎng)耦合等非接觸方式及BGA等接觸方式這兩種方式，向?qū)ο笃骷?00傳送信號(hào)和電力。探針裝置30，可具有與測(cè)試頭20電連接的連接器32。本例的測(cè)試頭20，具有多個(gè)測(cè)試模塊沈和連接器24。連接器24，電連接于探針裝置30的連接器32。另外，多個(gè)測(cè)試模塊沈，也可包含用于產(chǎn)生應(yīng)供給至對(duì)象器件200的信號(hào)或電力等的模塊；用于測(cè)定探針裝置30從對(duì)象器件200收到的響應(yīng)信號(hào)的模塊等。測(cè)試模塊沈，被收納于測(cè)試頭20的框體內(nèi)，并電連接于連接器對(duì)。主機(jī)10，控制測(cè)試頭20的多個(gè)測(cè)試模塊26。例如，主機(jī)10，可將應(yīng)產(chǎn)生的信號(hào)的圖案、邊緣時(shí)序信息等，供給至各個(gè)測(cè)試模塊26。主機(jī)10或測(cè)試模塊沈，也可基于測(cè)試模塊26所測(cè)定的對(duì)象器件200的響應(yīng)信號(hào)，來發(fā)揮作為用于判定對(duì)象器件200的好壞的判定部的功能。
該判定部，可基于對(duì)象器件200的響應(yīng)信號(hào)的預(yù)定特性，來判定對(duì)象器件200的好壞。例如，該判定部，通過比較響應(yīng)信號(hào)的邏輯圖案與預(yù)定的期待值圖案，來判定對(duì)象器件 200的好壞。該判定部，也可基于對(duì)象器件200的靜態(tài)電流，來判定對(duì)象器件200的好壞。此外，在其他實(shí)施方式中，探針裝置30，也可具有主機(jī)10和測(cè)試頭20的至少一部分的功能。例如，在探針裝置30中，形成有測(cè)試芯片，其執(zhí)行測(cè)試模塊沈的至少一部分的功能。在探針裝置30中形成有測(cè)試芯片的情況時(shí)，測(cè)試裝置100也可不具備主機(jī)10和測(cè)試頭20。此時(shí)，測(cè)試裝置100，可于探針裝置30中具備電源部，用于供給探針裝置30和對(duì)象器件200的電源電力。第2圖是將探針裝置30的構(gòu)成與對(duì)象器件200和晶片托盤12配合表示的剖面圖。探針裝置30，具備連接器32、旁路電容器34、測(cè)試芯片36、測(cè)試基板38、第一導(dǎo)電性橡膠40、插入基板44、第二導(dǎo)電性橡膠46、接觸部用電極48、連接部49、非接觸部用電極50、 應(yīng)力施加部51、分隔壁52、保持部61、接觸端子62以及非接觸部64。接觸端子62，利用與對(duì)象器件200的端子接觸而與對(duì)象器件200電連接。接觸端子62為接觸部的一例。接觸端子62例如是導(dǎo)電性的凸塊等。非接觸部64，在不與對(duì)象器件200的端子接觸的狀態(tài)下，與對(duì)象器件200傳送信號(hào)。非接觸部64，可通過磁場(chǎng)耦合或電場(chǎng)耦合，與對(duì)象器件200傳送信號(hào)。例如，磁場(chǎng)耦合的情況時(shí)，非接觸部64，具有一線圈，其位于已設(shè)在對(duì)象器件200 中的線圈的相對(duì)位置。電場(chǎng)耦合的情況時(shí)，非接觸部64，具有一平面電極，其位于已被設(shè)在對(duì)象器件200的平面電極的相對(duì)位置。也即，非接觸部64的平面電極與對(duì)象器件200的平面電極，可形成電容。例如，接觸端子62，與對(duì)象器件200之間，傳送較低頻率或直流的信號(hào)或電源電力。接觸端子62也可被賦予預(yù)定的接地電位。非接觸部64，與對(duì)象器件200之間，傳送較接觸端子62更高頻率的信號(hào)。接觸端子62和非接觸部64，可對(duì)應(yīng)對(duì)象器件200的個(gè)數(shù)和各對(duì)象器件200的引腳數(shù)，分別設(shè)置多個(gè)。保持部61，在與對(duì)象器件200相對(duì)的位置，保持非接觸部64和接觸端子62。另外， 保持部61，用于保持接觸端子62和非接觸部64，可在連結(jié)非接觸部64和對(duì)象器件200的對(duì)應(yīng)區(qū)域的連接方向，改變接觸端子62和非接觸部64的相對(duì)位置。此處，對(duì)象器件200的對(duì)應(yīng)區(qū)域，系指形成有上述平面電極或線圈的區(qū)域。保持部61，可使非接觸部64改變位置以靠近對(duì)象器件200的該區(qū)域，也可使接觸端子62改變位置以遠(yuǎn)離對(duì)象器件200。保持部61，也可使非接觸部64和接觸端子62雙方改變位置。通過如此的構(gòu)成，可調(diào)整非接觸部64與對(duì)象器件200之間的距離。本例的保持部61，具有薄膜部60和固定部54。薄膜部60，可為在未被施加應(yīng)力的狀態(tài)下成為平面形狀的具有彈性的膜。薄膜部60可由聚醯亞胺等材料形成。薄膜部60，可具有與對(duì)象器件200的相對(duì)面大致相同的形狀。對(duì)象器件200，在形成于晶片的情況時(shí)，薄膜部60，可具有與形成有對(duì)象器件200的晶片面(或于該面中，形成有對(duì)象器件200的區(qū)域)大致相同的形狀。例如，薄膜部60，其表面和背面為圓形。固定部54，固定薄膜部60的周邊部，配置于與對(duì)象器件200(或晶片)相對(duì)的位置。例如，固定部討具有圓筒形狀，將薄膜部60的全部周邊部固定，該圓筒形狀具有對(duì)應(yīng)于薄膜部60的直徑的內(nèi)徑。此時(shí)，固定部M，較佳地是在向薄膜部60的面方向賦予張力的狀態(tài)下，固定薄膜部60。S卩，固定部54，以維持未被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的薄膜部60呈平面狀態(tài)的方式，來固定薄膜部60的周邊部。另外，固定部M，其未固定有薄膜部60的端部，被固定于晶片托盤12，由此，將薄膜部60配置于與對(duì)象器件200相對(duì)的位置。接觸端子62，設(shè)在薄膜部60中的對(duì)象器件200側(cè)的面上。非接觸部64，設(shè)在薄膜部60中的任一面。本例的非接觸部64，設(shè)在薄膜部60中的對(duì)象器件200側(cè)的面。薄膜部 60具有彈性，因此，其一部分的區(qū)域?qū)?yīng)被施加的應(yīng)力而在連接方向改變位置。例如，如第2圖所示，通過對(duì)已設(shè)置有非接觸部64的薄膜部60的區(qū)域，向?qū)ο笃骷?00方向施加應(yīng)力，能縮小非接觸部64和對(duì)象器件200的距離。通過如此的構(gòu)成，能對(duì)應(yīng)施加的應(yīng)力，調(diào)整接觸端子62和非接觸端子64的相對(duì)位置，縮小非接觸部64和對(duì)象器件200的距離。在薄膜部60中的位于對(duì)象器件200的相反側(cè)的面，設(shè)置有接觸部用電極48和非接觸部用電極50。在薄膜部60，也可具有電連接接觸部用電極48和接觸端子62的貫通配線，以及電連接非接觸部用電極50和非接觸部64的貫通配線。接觸部用電極48和非接觸部用電極50，電連接于測(cè)試基板38。接觸部用電極48 和非接觸部用電極50，可經(jīng)由測(cè)試基板38的連接器32，電連接于測(cè)試模塊26。連接器32，電連接于測(cè)試頭20的連接器24。測(cè)試基板38，經(jīng)由連接器32，電連接于測(cè)試模塊26。測(cè)試基板38，可與測(cè)試模塊沈之間，傳送信號(hào)和電力。測(cè)試基板38例如為印刷電路基板。旁路電容器34和測(cè)試芯片36，被設(shè)置于測(cè)試基板38。旁路電容器34和測(cè)試芯片 36，可設(shè)于測(cè)試基板38中與連接器32相同的面上。以晶片單位來進(jìn)行測(cè)試的情況時(shí)，旁路電容器34和測(cè)試芯片36，可對(duì)應(yīng)各對(duì)象器件200而設(shè)置。旁路電容器34，可設(shè)于電源配線與接地電位之間，該電源配線用于傳送從測(cè)試模塊沈收到的電源電力。旁路電容器34，隨著被賦予該電源電力的對(duì)象器件200的功耗的變動(dòng)而被充放電。由此，即使是測(cè)試模塊26無法高速地跟隨對(duì)象器件200的功耗變動(dòng)的情況，也可通過設(shè)于對(duì)象器件200附近的旁路電容器34，高速地跟隨對(duì)象器件200的功耗變動(dòng)來供給電力。測(cè)試芯片36，可產(chǎn)生要供給至對(duì)象器件200的測(cè)試信號(hào)，也可測(cè)定對(duì)象器件200的響應(yīng)信號(hào)。測(cè)試芯片36，可對(duì)應(yīng)測(cè)試模塊沈所產(chǎn)生的信號(hào)而動(dòng)作，測(cè)試模塊沈也可獨(dú)立動(dòng)作。在測(cè)試芯片36能獨(dú)立于測(cè)試模塊沈而測(cè)試對(duì)象器件200的情況時(shí)，如上所述，測(cè)試裝置100也可不具備主機(jī)10和測(cè)試頭20。測(cè)試基板38，可具有貫通配線，其從設(shè)置有旁路電容器34和測(cè)試芯片36的面，貫通至其背面。該貫通配線，電連接旁路電容器34和測(cè)試芯片36與第一導(dǎo)電性橡膠40。第一導(dǎo)電性橡膠40，設(shè)于測(cè)試基板38和插入基板44之間，電連接測(cè)試基板38和插入基板44的各電極。應(yīng)力被施加在預(yù)定方向的情況時(shí)，第一導(dǎo)電性橡膠40，可為使被施加該應(yīng)力的區(qū)域在該方向上導(dǎo)通的異方性導(dǎo)電橡膠。應(yīng)力，可通過對(duì)應(yīng)于測(cè)試基板38和插入基板44的各電極而被設(shè)置的導(dǎo)電性的凸塊42，施加于第一導(dǎo)電性橡膠40上。凸塊42， 可設(shè)于測(cè)試基板38和插入基板44上，也可設(shè)于第一導(dǎo)電性橡膠40上。插入基板44，設(shè)于第一導(dǎo)電性橡膠40和第二導(dǎo)電性橡膠46之間。插入基板44， 在與測(cè)試基板38側(cè)相對(duì)的面上，可具有設(shè)在與測(cè)試基板38的各電極對(duì)應(yīng)的位置上的電極。另外，插入基板44，在與薄膜部60側(cè)相對(duì)的面上，可具有設(shè)在與薄膜部60的各電極對(duì)應(yīng)位置上的電極。插入基板44，具有貫通配線，其從與測(cè)試基板38相對(duì)側(cè)的面，貫通至與薄膜部60 相對(duì)側(cè)的面。該貫通配線電連接設(shè)于兩面的電極。由此，即使是測(cè)試基板38中的電極的配置與薄膜部60中的電極的配置相異的情況，也可通過插入基板44來電連接這些電極。插入基板44，較佳地是其膨脹率在測(cè)試基板38和薄膜部60的熱膨脹率之間。例如，插入基板44，具有小于測(cè)試基板38而大于薄膜部60的熱膨脹率。插入基板44可為陶瓷基板。第二導(dǎo)電性橡膠46，設(shè)于插入基板44和薄膜部60之間。第二導(dǎo)電性橡膠46，與第一導(dǎo)電性橡膠40相同地，可為異方性導(dǎo)電橡膠。應(yīng)力，可通過對(duì)應(yīng)于測(cè)試基板38和插入基板44的各電極而設(shè)置的導(dǎo)電性的凸塊，被施加于第二導(dǎo)電性橡膠46上。連接部49，電連接接觸部用電極48和第二導(dǎo)電性橡膠46。連接部49，可為設(shè)于第二導(dǎo)電性橡膠46上的導(dǎo)電性凸塊。由此，連接部49電連接接觸端子62和測(cè)試基板38。應(yīng)力施加部51，于設(shè)置有非接觸部64的薄膜部60的區(qū)域，向?qū)ο笃骷?00的方向施加應(yīng)力。應(yīng)力施加部51，也可從測(cè)試基板38 —側(cè)來按壓已設(shè)置有非接觸部64的薄膜部60的區(qū)域。本例的應(yīng)力施加部51，向?qū)ο笃骷?00的方向按壓非接觸部用電極50。應(yīng)力施加部51，是設(shè)于第二導(dǎo)電性橡膠46上的導(dǎo)電性的凸塊，可電連接非接觸部用電極50和第二導(dǎo)電性橡膠46。本例的應(yīng)力施加部51，相較于連接部49，被延伸至更靠近對(duì)象器件200的位置而形成。應(yīng)力施加部51的連接方向的長(zhǎng)度，可長(zhǎng)于連接部49。應(yīng)力施加部51的一端連接于第二導(dǎo)電性橡膠46，另一端接觸已設(shè)置有非接觸部64的薄膜部60的區(qū)域。分隔壁52，可為連接于測(cè)試基板38的背面處的圓筒狀的分隔壁。分隔壁52，在其圓筒的內(nèi)部，收納第一導(dǎo)電性橡膠40、插入基板44、以及第二導(dǎo)電性橡膠46。應(yīng)力施加部 51的對(duì)象器件200側(cè)的下端，相較于分隔壁52的對(duì)象器件200側(cè)的下端，較佳地是延伸至更靠近對(duì)象器件200的位置而形成。連接方向中的連接部49的對(duì)象器件200側(cè)的下端的位置，可與分隔壁52的對(duì)象器件200側(cè)的下端的位置大致相同。而且，通過于分隔壁52的下端壓接薄膜部60，連接部 49和接觸部用電極48電連接，且應(yīng)力通過應(yīng)力施加部51而被施加在薄膜部60上，而非接觸部64和接觸端子62的相對(duì)位置改變。若依據(jù)本例，可對(duì)應(yīng)應(yīng)力施加部51的下端較分隔壁52的下端突出的長(zhǎng)度，使非接觸部64靠近對(duì)象器件200。探針裝置30，還可具備調(diào)整部，該調(diào)整部用于調(diào)整應(yīng)力施加部 51的下端較分隔壁52的下端突出的長(zhǎng)度。例如該調(diào)整部可從測(cè)試基板38側(cè)來按壓應(yīng)力施加部51。應(yīng)力施加部51的長(zhǎng)度也可以是可變的。例如應(yīng)力施加部51，可具有棒狀的突出部、以及收納該突出部的圓筒部，并可調(diào)整突出部從圓筒部突出的長(zhǎng)度。例如突出部和圓筒部可具有互相嚙合的螺旋機(jī)構(gòu)。另外，用于施加應(yīng)力于薄膜部60上的構(gòu)造，不限于上述構(gòu)造，例如，也可從對(duì)象器件200側(cè)來按壓接觸端子62的區(qū)域。也可從測(cè)試基板38側(cè)來拉引接觸端子62的區(qū)域，也可從對(duì)象器件200側(cè)來拉引非接觸部64的區(qū)域。也可利用與第2圖所示的構(gòu)造相異的其他的構(gòu)造，從測(cè)試基板38側(cè)來按壓非接觸部64的區(qū)域。
向薄膜部60施加應(yīng)力的方法，不限于使構(gòu)件接觸于薄膜部60。例如，也可通過磁力等來對(duì)薄膜部60施加應(yīng)力。另外，可將薄膜部60壓接于分隔壁52的下端，由此，第一導(dǎo)電性橡膠40、插入基板44以及第二導(dǎo)電性橡膠46，通過測(cè)試基板38、分隔壁52以及薄膜部 60而被密閉。通過這樣的構(gòu)成，可調(diào)整非接觸部64與對(duì)象器件200之間的距離。因采用有彈性的薄膜部60和導(dǎo)電性橡膠，即使是在形成有對(duì)象器件200的晶片表面不均勻平面的情況下，也可提高接觸端子62和對(duì)象器件200的連接的可靠性。第3A圖表示未被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的保持部61、接觸端子62及非接觸部64的一例。如上所述，未被施加應(yīng)力時(shí)，薄膜部60維持平面形狀。第;3B圖表示被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的保持部61、接觸端子62及非接觸部64的一例。在本例中，表示對(duì)于設(shè)置有非接觸部64的區(qū)域，向?qū)ο笃骷?00側(cè)施加應(yīng)力的情況。此情況下，薄膜部60的設(shè)置有非接觸部64的區(qū)域，向?qū)ο笃骷?00側(cè)擴(kuò)展。在本例中，薄膜部60的該區(qū)域，較被固定于固定部M的區(qū)域，更向?qū)ο笃骷?cè)擴(kuò)展。若該應(yīng)力的施加消失，則薄膜部60恢復(fù)成第3A圖所示的平面形狀。第4圖是表示薄膜部60的一例的立體圖。本例的探針裝置30，與已形成有多個(gè)對(duì)象器件200的晶片連接。薄膜部60，可具有與形成有對(duì)象器件200的晶片的面大致相同的圓形。第5圖表示被施加應(yīng)力的狀態(tài)下的保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例。在本例中，表示對(duì)設(shè)置有接觸端子62的區(qū)域，向測(cè)試基板38側(cè)施加應(yīng)力的情況。此情況下，薄膜部60的設(shè)置有接觸端子62的區(qū)域，向測(cè)試基板38側(cè)擴(kuò)展。在本例中，薄膜部60的該區(qū)域，較被固定于固定部M的區(qū)域，更向測(cè)試基板38側(cè)擴(kuò)展。例如，接觸端子62，可通過被對(duì)象器件200等按壓，向薄膜部60的該區(qū)域施加應(yīng)力。若該應(yīng)力的施加消失，則薄膜部60恢復(fù)成第3A圖所示的平面形狀。依據(jù)這樣的構(gòu)成， 也可調(diào)整非接觸部64和對(duì)象器件200之間的距離。另外，接觸端子62的長(zhǎng)度可以調(diào)整。第6圖表示保持部61、接觸端子62、及非接觸部64的其他例。本例的薄膜部60 可不具彈性。薄膜部60可為印刷電路基板或硅基板。在本例中，作為接觸端子62，使用像彈性引腳等那樣對(duì)應(yīng)應(yīng)力而改變長(zhǎng)度的端子。 依據(jù)這樣的構(gòu)成，也可改變連接方向中的接觸端子62和非接觸部64的下端之間的相對(duì)位置，可調(diào)整非接觸部64和對(duì)象器件200的距離。第7A圖表示非接觸部64的一例。本例的非接觸部64，作為與對(duì)象器件200電場(chǎng)耦合的電場(chǎng)耦合部C發(fā)揮功能。電場(chǎng)耦合部C，設(shè)在薄膜部60中的對(duì)象器件200側(cè)的面上， 且位于與對(duì)象器件200的電場(chǎng)耦合部相對(duì)的位置。電場(chǎng)耦合部C可具有平面電極。電場(chǎng)耦合部C，相較于線圈等，能容易形成，因此，能容易制造探針裝置30。第7B圖表示非接觸部64的其他例。本例的探針裝置30，具備電場(chǎng)耦合部C和磁場(chǎng)耦合部L，來作為非接觸部64。磁場(chǎng)耦合部L，與對(duì)象器件200的磁場(chǎng)耦合部磁場(chǎng)耦合。 磁場(chǎng)耦合部L可具有線圈。探針裝置30，可于薄膜部60的不同面上，具備電場(chǎng)耦合部C和磁場(chǎng)耦合部L。探針裝置30，也可于薄膜部60的不同面上，具備電場(chǎng)耦合部C和磁場(chǎng)耦合部L的任一種。通過如此的構(gòu)成，可于薄膜部60上形成更多的非接觸部64。特別是由于電場(chǎng)耦合部C的面積較大，利用將非接觸部64設(shè)置在薄膜部60的雙面，能設(shè)置更多的非接觸部64。探針裝置30，可在薄膜部60中的對(duì)象器件200 —側(cè)的面上，具有電場(chǎng)耦合部C，而在薄膜部60中的對(duì)象器件200的相反側(cè)的面上，具有磁場(chǎng)耦合部L。一般而言，磁場(chǎng)耦合， 相較于電場(chǎng)耦合，可更遠(yuǎn)距離地傳送信號(hào)，因此，通過如此的構(gòu)成，可維持通信的可靠性，且能設(shè)置更多的非接觸部64。在其他的構(gòu)成中，探針裝置30，可在薄膜部60中的對(duì)象器件200側(cè)的面上具有磁場(chǎng)耦合部L，而在薄膜部60中的對(duì)象器件200的相反側(cè)的面上具有電場(chǎng)耦合部C。一般而言，磁場(chǎng)耦合，比電場(chǎng)耦合，在水平方向中的串音大。因此，通過該構(gòu)成，可降低磁場(chǎng)耦合部 L的串音，且能設(shè)置更多的非接觸部64。在薄膜部60的哪一個(gè)面配置哪一種耦合部，可取決于耦合部間的間隙、薄膜部60的厚度等。第8圖是表示在薄膜部60中的非接觸部64和非接觸部用電極50的連接例的圖。 本例的非接觸部64，被設(shè)在薄膜部60中的對(duì)象器件200側(cè)的面上。薄膜部60，除了非接觸部用電極50之外，還具有配線66、繼電器電極68、以及貫通配線70。配線66，設(shè)于薄膜部60中的對(duì)象器件200 —側(cè)的面上，電連接非接觸部64和繼電器電極68。繼電器電極68，被設(shè)在薄膜部60中的對(duì)象器件200—側(cè)的面上。非接觸部用電極 50，設(shè)在薄膜部60中的測(cè)試基板38側(cè)的面，且位于與繼電器電極68相對(duì)的位置。貫通配線70，在薄膜部60中，設(shè)置成從對(duì)象器件200側(cè)的面，貫通至測(cè)試基板38 側(cè)的面，而電連接繼電器電極68和非接觸部用電極50。通過如此的構(gòu)成，非接觸部用電極 50和非接觸部64電連接。 本例的構(gòu)成情況，探針裝置30的應(yīng)力施加部51，向未設(shè)置有非接觸部用電極50的區(qū)域，施加應(yīng)力。因此，應(yīng)力施加部51，不是導(dǎo)電性構(gòu)件也可以。另外，非接觸部用電極50， 經(jīng)由第二導(dǎo)電性橡膠46等，電連接于測(cè)試基板38。通過如此的構(gòu)成，可分別設(shè)置與非接觸部用電極50電連接的構(gòu)件、以及應(yīng)力施加部51，因此，能容易地設(shè)計(jì)應(yīng)力施加部51。因?yàn)椴粚?duì)非接觸部用電極50施加應(yīng)力，因此，能保護(hù)非接觸部用電極50。應(yīng)力施加部51，可為從測(cè)試基板38或插入基板44延伸的棒狀非導(dǎo)電性構(gòu)件。此情況，應(yīng)力施加部51可貫通導(dǎo)電性橡膠而形成。應(yīng)力施加部51，也可為形成于第二導(dǎo)電性橡膠46上的非導(dǎo)電性的凸塊。以上利用實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施方式所記載的范圍內(nèi)。熟悉本技術(shù)者將明白，可對(duì)上述實(shí)施方式施加各種變更或改良。由權(quán)利要求的記載可知，該施加有各種變更或改良的方式也可包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。應(yīng)注意的是，對(duì)于權(quán)利要求、說明書以及圖示中所示的裝置、系統(tǒng)、程序以及方法中的動(dòng)作、流程、步驟以及階段等各處理的執(zhí)行順序，只要未特別明示為「在前」、「先行」等， 且只要未將前處理的輸出用于后處理中，則可按任意順序?qū)崿F(xiàn)。關(guān)于權(quán)利要求、說明書以及圖示中的動(dòng)作流程，即使為方便起見而使用「首先」、「接著」等進(jìn)行說明，但并非意味著必須按該順序?qū)嵤?。附圖標(biāo)記說明10:主機(jī)12:晶片托盤
20測(cè)試頭24,32 連接器
26測(cè)試模塊30探針裝置
34旁路電容器36測(cè)試芯片
38測(cè)試基板40第一導(dǎo)電性橡膠
42凸塊44插入基板
46第二導(dǎo)電性橡膠48接觸部用電極
49連接部50非接觸部用電極
51應(yīng)力施加部52分隔壁
54固定部60薄膜部
61保持部62接觸端子
64非接觸部66配線
68繼電器電極70貫通配線
IOCI 測(cè)試裝置20CI 對(duì)象器件(DUT)
權(quán)利要求
1.一種探針裝置，是與對(duì)象器件之間傳送信號(hào)的探針裝置，其具備接觸部，其通過與所述對(duì)象器件的端子接觸，而電連接于所述對(duì)象器件；非接觸部，其以與所述對(duì)象器件的端子不接觸的狀態(tài)，與所述對(duì)象器件傳送信號(hào)；以及保持部，其在連結(jié)所述非接觸部和所述對(duì)象器件的對(duì)應(yīng)區(qū)域的連接方向，可改變所述接觸部和所述非接觸部的相對(duì)位置地保持所述接觸部和所述非接觸部。
2.如權(quán)利要求1所述的探針裝置，其中所述保持部具有薄膜部，該薄膜部根據(jù)應(yīng)力的施加，至少一部分區(qū)域向所述連接方向擴(kuò)展，且若所述應(yīng)力的施加消失，則恢復(fù)成被施加所述應(yīng)力之前的形狀。
3.如權(quán)利要求2所述的探針裝置，其中所述探針裝置，對(duì)在晶片上形成的多個(gè)所述對(duì)象器件，并行地傳送信號(hào)，所述薄膜部，具有與形成有所述對(duì)象器件的所述晶片的面大致相同的形狀。
4.如權(quán)利要求3所述的探針裝置，其中所述保持部還具有固定部，該固定部，固定所述薄膜部的周邊部，配置于與所述晶片相對(duì)的位置。
5.如權(quán)利要求4所述的探針裝置，其中所述固定部，以向面方向賦予張力的狀態(tài)，固定所述薄膜部。
6.如權(quán)利要求5所述的探針裝置，其中還具備測(cè)試基板，其產(chǎn)生要輸入至所述對(duì)象器件中的信號(hào)，并經(jīng)由所述薄膜部，與所述對(duì)象器件傳送信號(hào)；以及導(dǎo)電性橡膠，其設(shè)在所述薄膜部與所述測(cè)試基板之間。
7.如權(quán)利要求4所述的探針裝置，其中在設(shè)置有所述非接觸部的所述薄膜部的區(qū)域，還具備向所述連接方向施加應(yīng)力的應(yīng)力施加部。
8.如權(quán)利要求7所述的探針裝置，其中還具備測(cè)試基板，其產(chǎn)生要輸入至所述對(duì)象器件中的信號(hào)，并經(jīng)由所述薄膜部，與所述對(duì)象器件傳送信號(hào)；以及連接部，其電連接所述接觸部和所述測(cè)試基板；所述應(yīng)力施加部，延伸至比所述連接部更靠近所述對(duì)象器件的位置，而接觸設(shè)置有所述非接觸部的所述薄膜部的區(qū)域。
9.如權(quán)利要求4-8中的任一項(xiàng)所述的探針裝置，其中具備電場(chǎng)耦合部，其作為所述非接觸部，在所述薄膜部中的所述對(duì)象器件側(cè)的面，與所述對(duì)象器件電場(chǎng)耦合。
10.如權(quán)利要求第4-8中的任一項(xiàng)所述的探針裝置，其中，作為所述非接觸部，在所述薄膜部的不同面上，具備與所述對(duì)象器件電場(chǎng)耦合的電場(chǎng)耦合部；以及與所述對(duì)象器件磁場(chǎng)耦合的磁場(chǎng)耦合部。
11.如權(quán)利要求10所述的探針裝置，其中所述非接觸部，在所述薄膜部中的所述對(duì)象器件側(cè)的面，具有所述電場(chǎng)耦合部，而在所述薄膜部中的所述對(duì)象器件的相反側(cè)的面，具有所述磁場(chǎng)耦合部。
12.如權(quán)利要求4-11中的任一項(xiàng)所述的探針裝置，其中所述非接觸部，設(shè)在所述薄膜部中的所述對(duì)象器件側(cè)的面； 所述薄膜部，具有配線，其設(shè)在所述對(duì)象器件側(cè)的面，且電連接至所述非接觸部； 電極，其被設(shè)在與所述對(duì)象器件相反側(cè)的面；以及貫通配線，其被設(shè)置成從所述對(duì)象器件側(cè)的面，貫通至與所述對(duì)象器件相反側(cè)的面，而電連接所述配線和所述電極。
13. —種測(cè)試裝置，是用于測(cè)試對(duì)象器件的測(cè)試裝置，其具備 權(quán)利要求1-12中的任一項(xiàng)所述的探針裝置，其與所述對(duì)象裝置傳送信號(hào)；以及根據(jù)所述探針裝置從所述對(duì)象器件接收的響應(yīng)信號(hào)，來判斷所述對(duì)象器件的好壞的判定部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種探針裝置，是與對(duì)象器件之間傳送信號(hào)的測(cè)試裝置，其具備接觸部，其利用與對(duì)象器件的端子接觸，而電連接于對(duì)象器件；非接觸部，其在未與對(duì)象器件的端子接觸的狀態(tài)下，與對(duì)象器件傳送信號(hào)；以及保持部，其用于保持接觸部和非接觸部，可在連結(jié)非接觸部和對(duì)象器件的對(duì)應(yīng)端子的連接方向，改變接觸部和非接觸部的相對(duì)位置。
文檔編號(hào)G01R1/06GK102576049SQ20098016160
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2009年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月25日
發(fā)明者甲元芳雄 申請(qǐng)人:愛德萬測(cè)試株式會(huì)社