專利名稱：電磁波暗室的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電磁波暗室，特別涉及一種可進(jìn)行全電磁波測(cè)試及半電磁波 測(cè)試的電磁波暗室。
背景技術(shù)：
就現(xiàn)有的電磁兼容測(cè)試而言，電磁兼容測(cè)試會(huì)在電磁波暗室(anechoic chamber) 中進(jìn)行，電磁波暗室內(nèi)安裝用以降低內(nèi)表面電磁波反射的吸波材料，例如吸波泡棉。在不同 的電磁兼容(EMC)測(cè)試的實(shí)施過程中，所使用的電磁波暗室又分為兩種，即全電磁波暗室 (fullyanechoic chamber)和半電磁波暗室(semi-anechoic chamber)，所述全電磁波暗室 是指暗室內(nèi)的表面全部安裝吸波材料，而所述半電磁波暗室是指除在暗室內(nèi)的地面上安裝 反射接地平板外，其余表面均安裝吸波材料。由此可知，如果要同時(shí)滿足全電磁波測(cè)試和半電磁波測(cè)試的需要，就要分別建造 前述的兩種暗室，但此舉會(huì)產(chǎn)生費(fèi)用龐大的缺失，或者移動(dòng)吸波材料以擺放出所需的暗室 形式，但通過此種方式改造暗室會(huì)浪費(fèi)大量的時(shí)間和人力，此外，由于吸波材料很容易因?yàn)?擺放的誤差而造成電磁波測(cè)認(rèn)場(chǎng)地的特性不穩(wěn)定，以導(dǎo)致輻射量誤差大，進(jìn)而造成測(cè)試的 不準(zhǔn)確性。因此，如何設(shè)計(jì)一種可兼具全電磁波測(cè)試及半電磁波測(cè)試的電磁波暗室，以避免 上述的種種缺失，實(shí)為相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)者目前亟待解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種電磁波暗室，以 解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的分別建造兩種暗室要耗費(fèi)巨資或者改造暗室又消耗人力和時(shí)間，且 又易導(dǎo)致測(cè)試不穩(wěn)定等問題。為達(dá)上述目的及其它相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種電磁波暗室，應(yīng)用于電磁兼 容(EMC)測(cè)試實(shí)驗(yàn)中，其包括測(cè)試室，天線，以及移動(dòng)吸波單元。其中所述測(cè)試室具有一地 板及五面具有吸波材料的吸波墻而形成一測(cè)試空間，該測(cè)試空間中設(shè)有測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)以及放 置于該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的測(cè)試桌，該測(cè)試桌上放置待測(cè)設(shè)備；所述天線與該待測(cè)設(shè)備最大直 徑外緣相距一預(yù)定距離；所述移動(dòng)吸波單元設(shè)置于該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)與天線之間的區(qū)域，具有 吸波材料、用以承載該吸波材料的基板、以及裝設(shè)于該基板上的滾動(dòng)體，通過該移動(dòng)吸波單 元實(shí)現(xiàn)全/半電磁波暗室之間的切換。在本實(shí)用新型的電磁波暗室的一實(shí)施例中，該移動(dòng)吸波單元與該吸波墻上的吸波 材料為吸波泡棉。該移動(dòng)吸波單元的吸波材料、基板以及滾動(dòng)體的總高度為一小于或等于 30cm的預(yù)設(shè)值。該地板為反射接地平板。另外，在提供半電磁波暗室環(huán)境時(shí)，推移開該移動(dòng)吸波單元以露出在該測(cè)試旋轉(zhuǎn) 臺(tái)與天線之間的地板區(qū)域，該露出的地板區(qū)域的縱向長(zhǎng)度大于或等于該待測(cè)設(shè)備的最大直徑。[0009]如上所述，本實(shí)用新型的電磁波暗室包括測(cè)試室、移動(dòng)吸波單元、以及天線，主要是通過在暗室內(nèi)設(shè)置可方便推移的移動(dòng)吸波單元，以提供全電磁波暗室環(huán)境或半電磁波暗 室環(huán)境，如此設(shè)計(jì)，不僅省卻了現(xiàn)有技術(shù)中需要分別建造兩種不同暗室而產(chǎn)生的費(fèi)用，也避 免了因改造暗室而產(chǎn)生的大量人力和時(shí)間成本，且同時(shí)使測(cè)試環(huán)境參數(shù)一致而確保了測(cè)試 的穩(wěn)定性。

圖1為本實(shí)用新型的電磁波暗室提供全電磁波暗室環(huán)境的俯視示意圖。圖2為本實(shí)用新型的電磁波暗室的移動(dòng)吸波單元側(cè)視圖。圖3為本實(shí)用新型的電磁波暗室提供半電磁波暗室環(huán)境的俯視示意圖。主要組件符號(hào)說明1 測(cè)試室11 地板110 測(cè)試空間112 測(cè)試桌113 測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)114 天線12 吸波墻13、31吸波材料2 待測(cè)設(shè)備3、3’移動(dòng)吸波單元32 基板33 滾動(dòng)體Ll 預(yù)定距離L2 縱向長(zhǎng)度H 總高度D 待測(cè)設(shè)備最大直徑A、B 箭頭方向
具體實(shí)施方式
以下通過特定的具體實(shí)例說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說 明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型也可通過其它不 同的具體實(shí)例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖 離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。請(qǐng)參閱圖1至圖3，圖1為本實(shí)用新型的電磁波暗室提供全電磁波暗室環(huán)境的俯視 示意圖；圖2為本實(shí)用新型的電磁波暗室的移動(dòng)吸波單元側(cè)視圖；圖3為本實(shí)用新型的電 磁波暗室提供半電磁波暗室環(huán)境的俯視示意圖。需要說明的是，圖1至圖3均為簡(jiǎn)化的示 意圖式，而僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本構(gòu)想，因此圖式中僅顯示與本實(shí)用新型有 關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的變更。如圖所示，本實(shí)用新型的電磁波暗室用以放置待測(cè)設(shè)備的測(cè)試桌112進(jìn)行電磁兼容(EMC)測(cè)試時(shí)，可提供全電磁波暗室和半電磁波暗室兩種暗室環(huán)境供測(cè)試人員選擇，具 體地，本實(shí)用新型的電磁波暗室用以對(duì)放置于測(cè)試桌112上的待測(cè)設(shè)備進(jìn)行EMI、CE、RE等 測(cè)試項(xiàng)目的電磁波測(cè)試作業(yè)，該電磁波暗室包括測(cè)試室1、移動(dòng)吸波單元3以及天線114。該測(cè)試室1具有一地板11、天線114、以及五面具有吸波材料13的吸波墻12，所述 吸波墻12圍繞該地板11而形成測(cè)試空間110，該測(cè)試空間110中設(shè)有測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)113以及 放置在該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)113上的測(cè)試桌112，該測(cè)試桌112上放置待測(cè)設(shè)備2，該待測(cè)設(shè)備2 周圍區(qū)域?yàn)闇y(cè)試區(qū)域，所述的測(cè)試區(qū)域即習(xí)稱的靜場(chǎng)區(qū)域。另外，該地板11為反射接地平 板以提供設(shè)置符合法規(guī)要求的半電磁波暗室。該測(cè)試室1上用以圍繞該地板11以形成該測(cè)試空間110的多個(gè)吸波墻12上設(shè)有 吸波材料13，該吸波材料13例如為吸波泡棉，且為達(dá)到良好的吸波性，該吸波材料13具有 呈鋸齒狀的截面，如圖2所示。請(qǐng)參閱圖2，該移動(dòng)吸波單元3具有吸波材料31、基板32、以及滾動(dòng)體33。該基板 32用以承載該吸波材料31。該滾動(dòng)體33裝設(shè)在該基板32上，以通過該滾動(dòng)體33而將該 移動(dòng)吸波單元3推移至該測(cè)試空間110內(nèi)的適當(dāng)位置，進(jìn)而提供全電磁波暗室環(huán)境、或半電 磁波暗室環(huán)境。此外，將該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)與天線之間的區(qū)域定義為吸波單元放置區(qū)域，從而決 定全電磁波暗室環(huán)境中該移動(dòng)吸波單元3應(yīng)擺放的位置。如圖2所示，該吸波材料料31、基板32、以及滾動(dòng)體33的總高度H為一預(yù)設(shè)值，在 本實(shí)施例中，該移動(dòng)吸波單元3的吸波材料31、基板32、以及滾動(dòng)體33的總高度為小于或 等于30cm，以符合現(xiàn)行法規(guī)對(duì)電磁波暗室的要求，但不以此為限，仍可依電磁波測(cè)試的需求 適當(dāng)改變?cè)撘苿?dòng)吸波單元3的總高度。該天線114設(shè)于該吸波單元放置區(qū)域背離該待測(cè)設(shè)備2的一側(cè)，也即與該待測(cè)設(shè) 備2的最大直徑外緣相距一預(yù)定距離Li。在本實(shí)施例中，該預(yù)定距離Ll為3m，具體而言， 該天線114的相位中心至該待測(cè)設(shè)備2的最大直徑外緣的最小距離為3m，以符合現(xiàn)行法規(guī) 對(duì)電磁波暗室的要求，但不以此為限。在本實(shí)施例中，該吸波墻12上的吸波材料13為吸波泡棉，該移動(dòng)吸波單元3的吸 波材料31也為吸波泡棉。需說明的是，由于該移動(dòng)吸波單元3具有多個(gè)滾動(dòng)體33，以使其推移起來非常的 方便省力，進(jìn)而免去了現(xiàn)有技術(shù)中存在的搬運(yùn)吸波材料而需耗費(fèi)大量的時(shí)間和人力等問題。欲構(gòu)建全電磁波暗室時(shí)，可如圖1所示，將該移動(dòng)吸波單元3朝圖式箭頭方向A推 移至該吸波單元放置區(qū)域中，以遮蔽該待測(cè)設(shè)備2與天線114間的地板區(qū)域，進(jìn)而達(dá)到全電 磁波暗室所要求的測(cè)試環(huán)境需求標(biāo)準(zhǔn)。欲構(gòu)建半電磁波暗室時(shí)，如圖3所示，可將該移動(dòng)吸波單元3’自該吸波單元放置 區(qū)域中朝圖式箭頭方向B推移開，以使移動(dòng)吸波單元3’完全離開吸波單元放置區(qū)域，以露 出為反射接地平板的該地板11，進(jìn)而達(dá)到半電磁波暗室所要求的測(cè)試環(huán)境需求標(biāo)準(zhǔn)。應(yīng)說 明的是，在提供半電磁波暗室環(huán)境時(shí)，推移開該移動(dòng)吸波單元3’，以露出在該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái) 113與天線114之間的地板區(qū)域，該露出的地板區(qū)域的縱向長(zhǎng)度L2應(yīng)大于或等于該待測(cè)設(shè)備的最大直徑D，以符合現(xiàn)行法規(guī)對(duì)半電磁波暗室的測(cè)試環(huán)境要求。綜上所述，本實(shí)用新型的用于電磁兼容(EMC)測(cè)試實(shí)驗(yàn)的電磁波暗室包括測(cè)試 室、移動(dòng)吸波單元、以及天線。通過在測(cè)試室內(nèi)設(shè)置可方便推移的移動(dòng)吸波單元，以提供全 電磁波暗環(huán)境或半電磁波暗環(huán)境，如此設(shè)計(jì)，不僅省卻了現(xiàn)有技術(shù)中需要分別建造兩種不 同暗室而產(chǎn)生的費(fèi)用，也可避免因改造暗室而產(chǎn)生的大量人力和時(shí)間成本，同時(shí)可提供一 致性的環(huán)境參數(shù)而確保測(cè)試的穩(wěn)定性。上述實(shí)施例僅例示性說明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新 型。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員均可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修 飾與改變。因此，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求書范圍所涵蓋。
權(quán)利要求一種電磁波暗室，應(yīng)用于電磁兼容測(cè)試實(shí)驗(yàn)中，其特征在于，該電磁波暗室包括測(cè)試室，具有一地板及五面具有吸波材料的吸波墻而形成一測(cè)試空間，該測(cè)試空間中設(shè)有測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)以及放置于該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)上的測(cè)試桌，該測(cè)試桌上放置待測(cè)設(shè)備；天線，與該待測(cè)設(shè)備最大直徑外緣相距一預(yù)定距離；以及移動(dòng)吸波單元，設(shè)置在該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)與天線之間的區(qū)域，具有吸波材料、用以承載該吸波材料的基板、以及裝設(shè)于該基板上的滾動(dòng)體，通過該移動(dòng)吸波單元實(shí)現(xiàn)全/半電磁波暗室之間的切換。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁波暗室，其特征在于，該移動(dòng)吸波單元上的吸波材料為吸 波泡棉。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁波暗室，其特征在于，該吸波墻上的吸波材料為吸波泡棉。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁波暗室，其特征在于，該移動(dòng)吸波單元的吸波材料、基板以 及滾動(dòng)體的總高度為一小于或等于30cm的預(yù)設(shè)值。
5.如權(quán)利要求1所述的電磁波暗室，其特征在于，提供半電磁波暗室環(huán)境時(shí)，推移開該 移動(dòng)吸波單元以露出在該測(cè)試旋轉(zhuǎn)臺(tái)與天線之間的地板區(qū)域，該露出的地板區(qū)域的縱向長(zhǎng) 度大于或等于該待測(cè)設(shè)備的最大直徑。
6.如權(quán)利要求1所述的電磁波暗室，其特征在于，該地板為反射接地平板。
專利摘要一種電磁波暗室，應(yīng)用于電磁兼容(EMC)測(cè)試實(shí)驗(yàn)中，包括測(cè)試室、移動(dòng)吸波單元、以及天線。通過在測(cè)試室內(nèi)所設(shè)置的可方便推移的移動(dòng)吸波單元，以提供全電磁波暗環(huán)境或半電磁波暗環(huán)境，如此設(shè)計(jì)，不僅省卻了現(xiàn)有技術(shù)中需要分別建造兩種不同暗室而產(chǎn)生的費(fèi)用，也可避免因改造暗室而產(chǎn)生的大量人力和時(shí)間成本，同時(shí)可提供一致性的環(huán)境參數(shù)而確保測(cè)試的穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G01R1/18GK201589796SQ200920270289
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者余家英, 劉宏徹, 范廣暢 申請(qǐng)人:英業(yè)達(dá)股份有限公司