專利名稱：具有用于光纖卡盤的清潔器的陣列測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
下面的描述涉及用于顯示裝置的測(cè)試裝置，具體而言涉及測(cè)試形成在顯示器基板 上的電極的電氣缺陷的陣列測(cè)試裝置。
背景技術(shù)：
近來，顯示器面板用于平板顯示器中，平板顯示器如液晶顯示器(IXD)、等離子體 顯示面板(PDP)、以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。通常，薄膜晶體管(TFT) IXD包括TFT基板， 具有彩色濾光片和公共電極并且面對(duì)TFT基板的彩色濾光片基板，液晶和背光單元。在這種情況下，利用陣列測(cè)試裝置測(cè)試形成在TFT基板上的TFT電極的缺陷。具體而言，在將預(yù)定電壓施加到安裝在陣列測(cè)試裝置中的調(diào)制器和TFT電極上的 情形中，如果調(diào)制器靠近TFT基板，在調(diào)制器和TFT基板之間產(chǎn)生電場(chǎng)。如果在TFT基板上 存在有缺陷的TFT電極，那么電場(chǎng)的強(qiáng)度將小于預(yù)期的強(qiáng)度。這樣，根據(jù)電場(chǎng)的強(qiáng)度來檢測(cè) 有缺陷的TFT電極。常規(guī)的陣列測(cè)試器包括光源，調(diào)制器和攝像機(jī)。光源用于發(fā)射出光，從光源發(fā)射出 的光用于測(cè)試TFT電極中的缺陷。相對(duì)于TFT基板，調(diào)制器設(shè)置在與光源的相同側(cè)或者相對(duì) 側(cè)。通過調(diào)制器的光量隨著將電壓施加到調(diào)制器和TFT基板上而產(chǎn)生的電場(chǎng)的強(qiáng)度的變化 而改變。攝像機(jī)基于通過調(diào)制器的發(fā)射表面的光量來檢測(cè)有缺陷電極的存在性和位置。此外，常規(guī)陣列測(cè)試裝置還可設(shè)置有光纖卡盤(optic chuck)。待測(cè)試的基板安裝 在光纖卡盤上，在光纖卡盤中形成多個(gè)空氣孔以吸附或者釋放基板。然而，在陣列測(cè)試裝置中，異物可附著到光纖卡盤上。如果異物附著到光纖卡盤 上，在測(cè)試期間從光源發(fā)射出的光發(fā)生散射或者折射，因而發(fā)生測(cè)試錯(cuò)誤。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種陣列測(cè)試裝置，其能夠有效地去除附著到光 纖卡盤上的異物。本發(fā)明的一個(gè)大的方面，提供了一種具有光纖卡盤清潔器的陣列測(cè)試裝置。該陣 列測(cè)試裝置包括光纖卡盤，其上安裝有待測(cè)試的基板；調(diào)制器，設(shè)置在所述光纖卡盤的一 側(cè)；光源，設(shè)置在所述光纖卡盤的另一側(cè)，向所述調(diào)制器發(fā)出光；和清潔器，將異物從所述 光纖卡盤去除。所述光源在與所述調(diào)制器移動(dòng)的相同方向上移動(dòng)，所述清潔器在所述光源移動(dòng)時(shí) 進(jìn)行操作。所述陣列測(cè)試裝置包括感測(cè)單元，檢測(cè)異物；控制單元，計(jì)算從所述感測(cè)單元檢測(cè)出的異物到所述清潔器的距離。所述清潔器移動(dòng)到存在所檢測(cè)的異物的位置處，并且進(jìn)行操作。所述清潔器包括將異物從所述光纖卡盤分離開的分離單元。所述清潔器包括用于吸收附著到所述光纖卡盤的表面的或者存在于周圍空氣中的異物的吸引單元。所述清潔器包括產(chǎn)生超聲波的超聲頭部。所述清潔器還包括在所述超聲頭部的外圍設(shè)置的蓋，以在所述蓋和所述超聲頭部 之間形成間隙使得空氣通過該間隙。由于在陣列測(cè)試處理期間清潔器去除附著到光纖卡盤上的異物，這就防止從光源 照射出的光發(fā)生折射或者散射。因此減少測(cè)試錯(cuò)誤，提高測(cè)試可靠性。此外，從光纖卡盤的表面分離出來的異物完全從陣列測(cè)試裝置中去除，而不會(huì)殘 留在周圍空氣中。本領(lǐng)域技術(shù)人員從以下結(jié)合附圖公開了本發(fā)明示例性實(shí)施方案的詳細(xì)描述將明 了其他特征。


圖1是示例的陣列測(cè)試裝置的透視圖。圖2是沿圖1的A-A線截取的截面圖。圖3是示出由于附著到光纖卡盤上的異物導(dǎo)致錯(cuò)誤發(fā)生的視圖。圖4是示出另一個(gè)示例陣列測(cè)試裝置的透視圖。圖5是示出示例陣列測(cè)試裝置的光源移動(dòng)的情形的視圖。圖6是用于示例陣列測(cè)試裝置的清潔器的分離單元的截面圖。圖7是示出用于示例陣列測(cè)試裝置的清潔器的吸引單元的截面圖。圖8是示出圖7的清潔器的一個(gè)修改實(shí)例的截面圖。圖9是示出圖7的清潔器的另一個(gè)修改實(shí)例的截面圖。圖10是示出圖7的清潔器的另一個(gè)修改實(shí)例的截面圖。圖11是示出設(shè)置有引腳的清潔器的截面圖。圖12是示出設(shè)置有超聲頭部的清潔器的截面圖。圖13是示出設(shè)置有蓋的清潔器的截面圖。圖14是示出圖12的清潔器的修改實(shí)例的截面圖。圖15是示出圖13的清潔器的修改實(shí)例的截面圖。在附圖和詳細(xì)說明中，使用相同的附圖標(biāo)記代表部件、特征和結(jié)構(gòu)，為了清楚以及 方便起見，對(duì)一些部件的大小和比例進(jìn)行放大。
具體實(shí)施例方式下面的詳細(xì)描述用于幫助讀者獲得對(duì)在此介紹的方法、裝置和/或系統(tǒng)的全面理 解。對(duì)于在此介紹的系統(tǒng)、裝置和/或方法的各種變化、修改和等價(jià)替換對(duì)于本領(lǐng)域普通 技術(shù)人員而言是顯而易見的。為了簡(jiǎn)潔，略去對(duì)公知的功能和結(jié)構(gòu)的描述。下文中，將參考附圖詳細(xì)介紹具有用于光纖卡盤的清潔器的示例陣列測(cè)試裝置。
圖1是示例的陣列測(cè)試裝置的透視圖。圖2是沿圖1的A-A線截取的截面圖。如圖1所示，陣列測(cè)試裝置100包括光纖卡盤50，調(diào)制器20，光源30和清潔器200。光纖卡盤50設(shè)置在待測(cè)試的基板90的下面?；?0安裝在光纖卡盤50上面。 光纖卡盤由諸如玻璃的傳光材料形成。此外，為光纖卡盤50設(shè)置多個(gè)空氣孔以使基板90 通過吸附能夠浮動(dòng)或者保持。同時(shí)，陣列測(cè)試裝置100還包括加載單元70和卸載單元80。加載單元允許基板 90送入陣列測(cè)試裝置100中。經(jīng)加載單元70送入的基板90被傳送到光纖卡盤50的上部。 加載單元70設(shè)置有加載板72和多個(gè)空氣孔71。通過從空氣孔71將高壓空氣噴射到基板 90的下表面從而傳送基板90，使得當(dāng)基板90在加載板72上方浮動(dòng)時(shí)利用高壓空氣由夾緊 單元95傳送基板。卸載單元80允許將已經(jīng)完全完成測(cè)試的基板90從光纖卡盤50傳送到陣列測(cè)試 裝置外部。卸載單元80設(shè)置有卸載板82和多個(gè)空氣孔81。卸載單元80的傳送操作與加 載單元70的一樣。也就是，高壓空氣從空氣孔81噴射到基板90的下表面上，當(dāng)基板90在 卸載板上方浮動(dòng)時(shí)，利用高壓空氣由夾緊單元傳送基板90。調(diào)制器20設(shè)置在待測(cè)試的基板90的上面。調(diào)制器20靠近待測(cè)試基板90設(shè)置。 調(diào)制器20設(shè)置有電極層和光電層。調(diào)制器20的電極層和基板90的電極層91形成電場(chǎng)。 調(diào)制器20的電極層由氧化銦錫(ITO)或者納米碳管(CNT)組成。此外，光電層用于根據(jù)電 場(chǎng)強(qiáng)度改變穿過其中的光量，并且可以由液晶(LC)、無機(jī)電致發(fā)光(EL)和聚合物分散液晶 (PDLC)組成。例如，如果電壓施加到基板90的電極層91和調(diào)制器20的電極層上，調(diào)制器20 的預(yù)定屬性根據(jù)基板中缺陷而改變。即，如果形成在待測(cè)試的基板90上的電極層沒有缺 陷，在陣列測(cè)試裝置100中形成電場(chǎng)，電場(chǎng)在預(yù)定方向上改變液晶分子的排列，從而使光通 過調(diào)制器20。相反，如果形成基板90上的電極層91有缺陷時(shí)，在陣列測(cè)試裝置100中不形 成電場(chǎng)，因此液晶分子的排列不改變，光也就不通過調(diào)制器20。同時(shí)，陣列測(cè)試裝置100設(shè)置有檢測(cè)單元60如攝像機(jī)。檢測(cè)單元60可設(shè)置在調(diào) 制器20上面。檢測(cè)單元60測(cè)量調(diào)制器的改變的材料屬性，從而檢測(cè)電極層91的缺陷。例 如，檢測(cè)單元60測(cè)量根據(jù)形成在基板90上的電極層91的常態(tài)而變化的傳送的光量，之后 信號(hào)處理單元99基于傳送的光量處理數(shù)據(jù)，從而檢測(cè)基板90上的有缺陷電極的存在性和 位置。光源30相對(duì)于光纖卡盤50設(shè)置在調(diào)制器20的對(duì)側(cè)。光源30向調(diào)制器20發(fā)射 光。從光源30發(fā)射出的光在順序通過光纖卡盤50、基板90和調(diào)制器20之后到達(dá)檢測(cè)單元 60。光源可以是氙氣光源、鈉光源、水晶鹵素?zé)艉?或激光。清潔器200去除附著到光纖卡盤50上的異物。陣列測(cè)試裝置100可以包括一個(gè) 或多個(gè)清潔器。優(yōu)選地，清潔器200設(shè)在光纖卡盤50之下，S卩，位于光源30的一側(cè)以去除 附著到光纖卡盤50的下表面上的異物。然而，另一個(gè)示例清潔器可以安裝在附加的可移動(dòng) 部件上以去除附著到光纖卡盤50的上表面上的異物。此外，可以能夠去除微米級(jí)的顆粒的 各種形式實(shí)現(xiàn)清潔器200。 幾微米的微米級(jí)顆?？梢源嬖谟谟糜陉嚵袦y(cè)試處理的干凈室內(nèi)。此類異物可附著 到陣列測(cè)試裝置100和基板90上。因此，在陣列測(cè)試處理期間或者在陣列測(cè)試處理之前/之后，需要執(zhí)行清潔處理以精確地測(cè)試基板90。為了進(jìn)行精確測(cè)試，除了基板90，需要在光 纖卡盤50上執(zhí)行清潔處理。為此，在陣列測(cè)試裝置100中設(shè)置的清潔器200去除光纖卡盤 50的異物，從而減少陣列測(cè)試處理中的錯(cuò)誤，并且提高了陣列測(cè)試的可靠性。優(yōu)選地，清潔器200聯(lián)接 到光源30。具體而言，清潔器200設(shè)置在光纖卡盤50下 面，去除附著到光纖卡盤50的下表面的異物。光纖卡盤50由基座支撐接地。因此，在光纖 卡盤50的下表面和基座之間存在預(yù)定的空間。光源30設(shè)置在該空間內(nèi)，清潔器200聯(lián)接 到該空間內(nèi)的光源30。在這種情況下，清潔器可拆卸地聯(lián)接到光源30上，使得容易地去除 附著到光纖卡盤50的下表面上的異物。由于聯(lián)接到光源30的同時(shí)，清潔器200從光纖卡盤50的下表面去除異物，當(dāng)從光 纖卡盤50去除異物時(shí)不需要將光纖卡盤50與基座分離開。總之，光纖卡盤50尺寸大并且 重。因此，如果省去分離大而重的光纖卡盤50的處理，可以獲得陣列測(cè)試處理的效率方面 的優(yōu)點(diǎn)。圖3是示出由于附著到光纖卡盤上的異物導(dǎo)致錯(cuò)誤發(fā)生的視圖。如圖3所示，基 板90安裝在光纖卡盤50上，在基板90的上表面上形成多個(gè)電極92，93和94。例如，一個(gè) 電極90有缺陷，而其余電極93和94沒有缺陷。多個(gè)液晶分子1，2和3分散在調(diào)制器20 中，在調(diào)制器20的一個(gè)表面上形成透明電極21。如果電壓施加到調(diào)制器20的透明電極21和基板90的電極92，93和94上，在調(diào) 制器20和無缺陷的電極92和94之間形成電場(chǎng)8。電場(chǎng)8內(nèi)的液晶分子1和3的排列發(fā)生 改變，而電場(chǎng)8外的液晶分子2的排列不發(fā)生改變。從光源30發(fā)出的光分量5，6和7通過 排列發(fā)生改變的液晶分子1和3，但是通不過排列不發(fā)生改變的液晶分子2。因此，通過測(cè) 量傳送的光量，能夠檢測(cè)基板90上的有缺陷電極。即，從光源30發(fā)出的一些光分量5和7 直接穿過液晶分子1和3。另一個(gè)光分量6無法穿過液晶分子2。這樣，檢測(cè)出電極93存 在缺陷。如果異物9附著到光纖卡盤50上，光分量7沒有直行，可能被異物9折射或者散 射。因此，可能發(fā)生將正常電極94a確定為有缺陷電極的錯(cuò)誤。然而，示例清潔器200去除附著到光纖卡盤50的任何異物9，因而減少測(cè)試錯(cuò)誤，
并且提高測(cè)試可靠性。圖4是示出另一個(gè)示例陣列測(cè)試裝置的透視圖。圖5是示出示例陣列測(cè)試裝置的 光源移動(dòng)的情形的視圖。如圖4和5所示，光源30在與調(diào)制器20移動(dòng)的相同方向上移動(dòng)。清潔器20在光 源30移動(dòng)時(shí)進(jìn)行操作。也就是，調(diào)制器20和光源30 —一對(duì)應(yīng)設(shè)置，并且在X軸上移動(dòng)。X軸代表與基板 90傳送通過加載單元70，光纖卡盤50和卸載單元80的方向垂直的方向。在這種情況下， 光源30具有與調(diào)制器20相同或者稍微大一點(diǎn)的尺寸。小尺寸的光源30顯著地降低光源30的亮度偏差。也就是，光源30均勻地向基板 90發(fā)出光，光均勻地供給調(diào)制器20，使得光量根據(jù)基板電極的缺陷而改變。結(jié)果，檢測(cè)單元 60精確地測(cè)量通過調(diào)制器20的光量。陣列測(cè)試裝置100設(shè)置有調(diào)制器傳送組件45和光源傳送組件40。調(diào)制器傳送組 件45在X軸方向上移動(dòng)調(diào)制器20預(yù)定的間隔。此外，光源傳送組件40允許光源30隨調(diào)制器20 —起移動(dòng)。由于在陣列測(cè)試之前進(jìn)行光源30的傳送，在陣列測(cè)試的每一個(gè)周期中保持光纖 卡盤50的表面清潔。同時(shí)，清潔器200可周期地操作，而與光源30的傳送無關(guān)。此外，陣列測(cè)試裝置100還可包括感測(cè)單元和控制單元。感測(cè)單元檢測(cè)附在光纖 卡盤50上的異物。感測(cè)單元可以代表上述的檢測(cè)單元60。即，感測(cè)單元通過獲取光纖卡盤 50的圖像檢測(cè)異物是否附著到光纖卡盤50上，并且確定異物的位置。
控制單元輸出從清潔器200到敏感單元檢測(cè)的異物的距離?？刂茊卧獙㈥P(guān)于距離 的信息發(fā)送給驅(qū)動(dòng)清潔器200的部件。因此，清潔器200移動(dòng)到異物的位置處。在清潔器 200聯(lián)接到光源30的情況下，控制單元200將從控制單元輸出的關(guān)于距離的信息發(fā)送給驅(qū) 動(dòng)光源30的部件。在清潔器200移動(dòng)到異物的位置處之后，清潔器200對(duì)光纖卡盤50進(jìn) 行清潔。之后，感測(cè)單元再次進(jìn)行檢測(cè)操作。如果仍然存在異物，重復(fù)上述的清潔處理。圖6是用于示例陣列測(cè)試裝置的清潔器的分離單元的截面圖。如圖6所示，清潔 器200可包括分離單元180。分離單元180將異物與光纖卡盤50分離開?？梢允褂孟蚬饫w 卡盤50噴射空氣的空氣噴射器來實(shí)現(xiàn)分離單元180。空氣噴射器噴射高壓空氣，從而分離 附著到光纖卡盤50的表面上的異物。圖7是示出用于示例陣列測(cè)試裝置的清潔器的吸引單元的截面圖。如圖7所示， 清潔器200可包括吸引單元170。吸引單元170吸附附著到光纖卡盤50的表面上或者存 在于周圍空氣中的異物。這樣，將從光纖卡盤50分離出來的異物完全從陣列測(cè)試裝置100 去除，而不會(huì)殘留在光纖卡盤50周圍的空氣中。圖8是示出圖7的清潔器的一個(gè)修改實(shí)例的截面圖，圖9是示出圖7的清潔器的 另一個(gè)修改實(shí)例的截面圖，圖10是示出圖7的清潔器的另一個(gè)修改實(shí)例的截面圖。如圖8所示，分離單元180和吸引單元170可以并排設(shè)置。如圖9所示，可以在分 離單元180的兩側(cè)設(shè)置兩個(gè)吸引單元170。在這種情況下，有效地吸附附著到光纖卡盤50 上的異物和存在于空氣中的異物，使得光纖卡盤50維持清潔狀態(tài)。此外，如圖10所示，可 以在吸引單元170的兩側(cè)安裝兩個(gè)分離單元180。圖11是示出設(shè)置有引腳的清潔器的截面圖。如圖11所示，吸引單元170設(shè)置有 多個(gè)引腳171。引腳171形成在吸引單元170的上表面上，并且在垂直于吸引單元170的方 向上向光纖卡盤50延伸，即沿著Z軸延伸。如果引腳171形成在吸引單元170上，產(chǎn)生與 被吸入到空氣孔中的氣流垂直的氣流。因此，垂直于被吸入到空氣孔中的氣流的氣流允許 光纖卡盤50周圍的異物能夠容易地從光纖卡盤50的表面分離。圖12是示出設(shè)置有超聲頭部的清潔器的截面圖。如圖12所示，清潔器200設(shè)置 有超聲頭部150。超聲頭部150產(chǎn)生超聲波以使附著到光纖卡盤50上的異物活動(dòng)，從而分 離異物。圖13是示出設(shè)置有蓋的清潔器的截面圖。如圖13所示，清潔單元200還包括蓋 160。蓋160包圍超聲頭部150的外部，在超聲頭部150外部和蓋160之間形成間隙。蓋 160的一側(cè)連接到空氣噴射器，蓋160的另一側(cè)形成向光纖卡盤50的表面噴射空氣的開口 161。從空氣噴射器出來的空氣經(jīng)過在超聲頭部160和蓋160之間形成的間隙噴射到光纖 卡盤50的表面。
上述結(jié)構(gòu)中，超聲頭部150首先將附著到光纖卡盤50的異物分離開來，其次，利用 通過蓋160的開口 161噴出的高壓空氣分離該異物。因此，更加有效地進(jìn)行清潔處理。圖14是示出圖12的清潔器的修改實(shí)例的截面圖，圖15是示出圖13的清潔器的 修改實(shí)例的截面圖。如圖14所示，可在吸引單元170的兩側(cè)設(shè)置兩個(gè)超聲頭部150。此外，如圖15所 示，可以在超聲頭部150和蓋160的兩側(cè)設(shè)置吸引單元170。盡管未示出，清潔單元200可設(shè)置有靜電吸收元件。靜電吸收元件消除附著在光 纖卡盤50上的異物的靜電，從而減少異物的吸附力。結(jié)果，清潔單元200有效地吸收異物。
已經(jīng)介紹了多個(gè)示例性實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)理解，可以進(jìn)行各種修改。例如，如果 以不同的順序執(zhí)行所介紹的技術(shù)，和/或如果在所介紹的系統(tǒng)中的部件、結(jié)構(gòu)、設(shè)備或者電 路以不同的方式組合和/或由其他部件或者等同物所代替或補(bǔ)充，可以獲得合適結(jié)果。因 此，其它的實(shí)施方案落在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種陣列測(cè)試裝置，包括光纖卡盤，其上安裝有待測(cè)試的基板；調(diào)制器，設(shè)置在所述光纖卡盤的一側(cè)；光源，設(shè)置在所述光纖卡盤的另一側(cè)，向所述調(diào)制器發(fā)射光；和清潔器，將異物從所述光纖卡盤去除。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述清潔器聯(lián)接到所述光源。
3.如權(quán)利要求1或2所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述光源與所述調(diào)制器的移動(dòng)方向相 同，所述清潔器在所述光源移動(dòng)時(shí)進(jìn)行操作。
4.如權(quán)利要求1或2所述的陣列測(cè)試裝置，進(jìn)一步包括 感測(cè)單元，用于檢測(cè)異物；和控制單元，用于計(jì)算從由所述感測(cè)單元檢測(cè)出的異物到所述清潔器的距離， 其中，所述清潔器移動(dòng)到存在所檢測(cè)出的異物的位置處，并且進(jìn)行操作。
5.如權(quán)利要求1或2所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述清潔器包括將異物從所述光纖卡 盤分離的分離單元。
6.如權(quán)利要求1或2所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述清潔器包括用于吸收附著到所述 光纖卡盤的表面或者存在于周圍空氣中的異物的吸引單元。
7.如權(quán)利要求6所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述吸引單元設(shè)置有向所述光纖卡盤垂 直延伸的多個(gè)引腳。
8.如權(quán)利要求1或2所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述清潔器包括產(chǎn)生超聲波的超聲頭部。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列測(cè)試裝置，其中，所述清潔器還包括在所述超聲頭部的外 圍設(shè)置的蓋，以在所述蓋和所述超聲頭部之間形成間隙使得空氣通過該間隙。
全文摘要
提供了一種能夠?qū)π纬稍陲@示器基板上的電極的電缺陷進(jìn)行測(cè)試的陣列測(cè)試裝置。待測(cè)試的基板安裝在光纖卡盤上。調(diào)制器設(shè)置在所述光纖卡盤的一側(cè)。光源設(shè)置在所述光纖卡盤的相對(duì)側(cè)，向所述調(diào)制器發(fā)出光。清潔器將異物從所述光纖卡盤去除。在陣列測(cè)試處理中，清潔器將附著到所述光纖卡盤上的異物去除，從而提高陣列測(cè)試處理的可靠性，減少測(cè)試錯(cuò)誤。
文檔編號(hào)G01N21/88GK101988903SQ200910224090
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月3日
發(fā)明者樸廷喜 申請(qǐng)人:塔工程有限公司