專(zhuān)利名稱(chēng)：：一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及傳感器制造
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體地說(shuō)是一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)：
：納米粒子是指尺度在1100mn的顆粒。研究表明納米材料的物理與化學(xué)性質(zhì)不同于宏觀的材料。金屬和半導(dǎo)體納米粒子因其在光、電、催化、化學(xué)傳感以及未來(lái)納米存儲(chǔ)器件等方面獨(dú)特的特性日益受到人們的關(guān)注，對(duì)其在科學(xué)和應(yīng)用領(lǐng)域的研究是目前科學(xué)研究中的熱點(diǎn)。近些年來(lái)，隨著研究的深入，很多的技術(shù)被確立用來(lái)合成和表征納米顆粒，而且有大量的納米結(jié)構(gòu)被運(yùn)用或?qū)崿F(xiàn)。如何將這些納米結(jié)構(gòu)的材料合成到器件上和如何在實(shí)際的應(yīng)用中采用這些材料將是納米技術(shù)的下一個(gè)發(fā)展階段，納米結(jié)構(gòu)材料的應(yīng)用將是未來(lái)的焦點(diǎn)。在采用納米結(jié)構(gòu)材料作為敏感元件構(gòu)造電學(xué)傳感器時(shí)，通常需要將作為傳感材料的納米結(jié)構(gòu)排布或跨接在兩電極之間，以便利用將其特性隨測(cè)量對(duì)象的變化以電信號(hào)的形式傳出。所以有選擇地將特定的敏感材料放置于電極之間，以對(duì)特定的檢測(cè)對(duì)象產(chǎn)生電學(xué)反應(yīng)，是當(dāng)前新型傳感器研究的重點(diǎn)。傳統(tǒng)上，特殊氣體的傳感器制作較為困難，主要原因在于很難尋找特定的敏感材料，而且對(duì)于敏感材料也不易控制。目前已公開(kāi)的技術(shù)資料中有大量的傳感器的制作方法，以及各式各樣的針對(duì)不同檢測(cè)對(duì)象的傳感器，主要?dú)w納如下第一種是傳統(tǒng)的濕度或氣體傳感器，將傳統(tǒng)的特定的敏感材料將涂布或附著在做好電極的襯底上，然后烘干，會(huì)有部分材料置于電極之間，而形成傳感4器。這種方法被廣泛應(yīng)用，并可大量商業(yè)化生產(chǎn)。但其主要的問(wèn)題在于器件尺寸較大，集成度低，而且響應(yīng)時(shí)間緩慢，穩(wěn)定性較差。第二種是稱(chēng)之為"新型的"傳感器，首先用特別的化學(xué)或者物理方法形成很小尺度的敏感物質(zhì)，一般在微納級(jí)別，然后用特定的方法在硅襯底上制作同在微納級(jí)別的電極，從而形成傳感器。這種傳感器體積小，集成度高，電學(xué)特性好，問(wèn)題是成本較高，電極間敏感材料的分布不均勻。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供的一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器及其制備方法，它采用一種金屬-聚合物的核殼結(jié)構(gòu)材料涂覆于傳感器的電極間，使敏感材料的分布更均勻，大小均一，穩(wěn)定性好，解決了傳統(tǒng)材料團(tuán)聚的問(wèn)題，傳感器的電學(xué)特性能進(jìn)一步提高，而且集成度高，體積小，生產(chǎn)成本低，無(wú)污染。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的的具體技術(shù)方案是一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器，特點(diǎn)是它以高分子聚合物將金屬納米顆粒整體包覆后形成一種核殼結(jié)構(gòu)的微納材料均勻涂覆于硅片表面，然后做上電極進(jìn)行封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料濕度傳感器。所述聚合物為對(duì)濕度敏感的聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚苯乙烯的高分子聚合物。所述金屬納米顆粒為金、銀、銅或鋁采用醇還原法，檸檬酸鈉還原法，硼氫化鉀還原法制得金屬納米顆粒溶液。一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器的制備方法，特點(diǎn)是該方法以金屬-聚合物的核殼結(jié)構(gòu)材料涂覆于硅片表面，然后做上電極進(jìn)行封裝而成，具體制作包括以下步驟(一)金屬納米顆粒溶液的制備采用檸檬酸鈉還原法、醇還原法或硼氫化鉀還原法將金、銀、銅或鋁還原成金屬納米顆粒的溶液，以作為放大電學(xué)量的載體備用；(二)聚合物溶液的制備采用對(duì)濕度敏感的聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚苯乙烯與水按1:20的質(zhì)量比配制成相應(yīng)的聚合物溶液備用；(三)硅片的表面氧化處理a、將硅片放入硫酸與雙氧水按體積比為3:1配制的溶液中清洗10min，其硫酸濃度為98%，雙氧水濃度為30%;b、將上述硅片取出，用去離子水中清洗；c、將上述清洗后的硅片放入濃度為99.7%的乙醇溶液中浸泡10min;d、將硅烷耦聯(lián)劑或1，6-己二硫醇加入到99.7%的乙醇溶液中，配置成lmM的溶液，攪拌均勻后加熱至沸騰，然后放入上述硅片在沸騰的溶液中浸泡45min;e、將上述硅片取出，用濃度為99.7。/。的乙醇溶液浸泡10min，以去除多余的硅烷耦聯(lián)劑或l，6-己二硫醇；f、將上述硅片用去離子水清洗，然后放入10(TC的烘干機(jī)上烘干待用。(四)硅片的涂覆和封裝a、將上述聚合物溶液加入到金屬納米顆粒溶液中，在磁力攪拌下反應(yīng)23小時(shí)，聚合物溶液與金屬納米顆粒溶液的體積比為1:10，使得聚合物將金屬納米顆粒整體均勻包覆后形成一種以金屬納米顆粒為核，聚合物為殼的核殼結(jié)構(gòu)的微納材料溶液；b、將上述經(jīng)氧化處理的硅片放在涂膠機(jī)上，用上述核殼結(jié)構(gòu)的微納材料溶液加滴在硅片表面，并開(kāi)動(dòng)涂膠機(jī)以500轉(zhuǎn)/秒轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)5秒，然后再以2000轉(zhuǎn)/秒轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)2030秒，使得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料均勻涂覆于硅片的表面，然后按工藝要求制作電極，并進(jìn)行傳感器結(jié)構(gòu)引線(xiàn)封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料濕度傳感器。本發(fā)明對(duì)傳感器目標(biāo)量敏感的材料選擇性廣泛，原材料容易獲得，對(duì)生產(chǎn)設(shè)備和環(huán)境要求也不高，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有方法簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本較低，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，而且傳感器的電學(xué)特性能大大提高，集成度高，體積小的優(yōu)點(diǎn)。圖l圖7為金-聚乙烯醇核殼結(jié)構(gòu)的微納材料頻率曲線(xiàn)圖圖8為本發(fā)明傳感器的穩(wěn)定性曲線(xiàn)圖圖9為硅片表面未涂覆核殼結(jié)構(gòu)微納材料的阻抗示意圖圖IO為硅片表面涂覆核殼結(jié)構(gòu)微納材料的阻抗示意圖圖11為本發(fā)明傳感器的測(cè)試電路圖具體實(shí)施例方式下面通過(guò)采用聚乙烯醇包裹金納米粒子的核殼結(jié)構(gòu)材料作為傳感器的敏感材料均勻涂覆于硅片表面，制備一種納米濕度傳感器的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明實(shí)施例1采用金-聚乙烯醇為核殼結(jié)構(gòu)的微納材料涂覆于硅片表面，然后做上電極進(jìn)行封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器，其具體制作按以下步驟進(jìn)行(一)金屬納米顆粒溶液的制備a、采用金作為放大電學(xué)量的載體，取lgHAuC14(氯金酸)與3L去離子水配制成黃色氯金酸溶液，并加熱至沸騰。由于HAuC14(氯金酸)極易在空氣中潮解，所以稱(chēng)量時(shí)要極為迅速，以免重量誤差。b、取l.14g的檸檬酸鈉與100ml的去離子水配制成檸檬酸鈉溶液，攪拌均勻。c、將上述配制好的檸檬酸鈉溶液加入沸騰的氯金酸溶液中還原出Au納米粒子，其檸檬酸鈉溶液與氯金酸溶液按體積比為1:10。反應(yīng)時(shí)間為10min。d、將上述反應(yīng)后的溶液經(jīng)放置、冷卻、過(guò)濾后可得粒徑為lOnm的納米金溶液。以上金屬的還原方法，也可采用醇還原法、硼氫化鉀(KBH4)還原法。檸檬酸鈉還原法通常以檸檬酸鈉作為還原劑與保護(hù)劑。可以適當(dāng)調(diào)節(jié)氯金酸與檸檬酸鈉的比例，所制得的金納米粒子粒徑有所不同。(二)聚合物溶液的制備采用聚乙烯醇作為敏感材料來(lái)吸附特定的檢測(cè)目標(biāo)，它具有良好的吸濕性，能吸收各自體積數(shù)千倍的水汽，是良好的濕度傳感器材料。取5gPVA溶于200ml水中，在室溫下溶解，經(jīng)過(guò)濾后取清液備用?？蛇m當(dāng)加熱提高溶解度，但加熱溫度不能超過(guò)聚合物的分解溫度。(三)硅片的表面氧化處理a、將硅片放入由濃度為98%的硫酸150ml與濃度為30%的雙氧水50ml配制而的溶液中，清洗10min。b、將上述硅片取出，用去離子水中清洗。c、將上述清洗后的硅片放入濃度為99.7%的乙醇溶液中浸泡10min。d、將硅垸耦聯(lián)劑(APTMS)加入到99.7%的乙醇溶液中，配置成lmM的溶液，攪拌均勻后加熱至沸騰，然后放入上述硅片在沸騰的溶液中浸泡45min。硅片表面用硅烷偶聯(lián)劑修飾，可增強(qiáng)與敏感材料的結(jié)合，使得敏感材料不因外力作用而輕易丟失。e、將上述硅片取出，用濃度為99.7。/。的乙醇溶液浸泡10min，以去除多余的硅烷耦聯(lián)劑(APTMS)。f、將上述硅片用去離子水清洗，然后放入10(TC的烘干機(jī)上烘干待用。(四)硅片的涂覆和封裝a、將上述聚乙烯醇溶液加入到納米金溶液中，在磁力攪拌下反應(yīng)2.5小時(shí)，使得聚合物將金屬納米顆粒整體均勻包覆后形成一種以金屬納米顆粒為核，聚合物為殼的核殼結(jié)構(gòu)的微納材料溶液。b、將上述經(jīng)氧化處理的硅片放在涂膠機(jī)上，用上述金-聚乙烯醇核殼結(jié)構(gòu)的微納材料溶液加滴在硅片表面，并開(kāi)動(dòng)涂膠機(jī)以500轉(zhuǎn)/秒轉(zhuǎn)速旋涂5秒，然后再以2000轉(zhuǎn)/秒轉(zhuǎn)速旋涂25秒，使得金-聚乙烯醇核殼結(jié)構(gòu)的微納材料均勻涂覆于硅片的表面，然后按工藝要求制作電極，并進(jìn)行傳感器結(jié)構(gòu)引線(xiàn)封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料濕度傳感器。對(duì)上述制得的核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器進(jìn)行相對(duì)濕度測(cè)試將傳感結(jié)構(gòu)兩個(gè)接入端連接到由555定時(shí)器組成的多諧振蕩器電路中作為電容器件，通過(guò)電腦程序觀察其頻率的變化。測(cè)試中所需要的標(biāo)準(zhǔn)濕度通過(guò)鹽的飽和溶液法產(chǎn)生，在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓下，實(shí)驗(yàn)溫度為25。C時(shí)，取CH3COOK，K2C03，NaBr,KI，NaCl，KC1，認(rèn)03等6種飽和鹽溶液。并對(duì)本發(fā)明的濕度傳感器進(jìn)行了以下項(xiàng)目的測(cè)試和效果的檢驗(yàn)。1、回復(fù)性的測(cè)試以25攝氏度下硅膠(相對(duì)濕度11.3%)為基準(zhǔn)，分別對(duì)CH3C00K，K2C03，NaBr,KI，NaCl，KC1,KN03等6種飽和鹽溶液，相對(duì)濕度值分別為23%,43%,57%，68%，75%，85。/。，93%進(jìn)行回復(fù)性測(cè)試。具體為濕度傳感器在硅膠中放置10分鐘，然后迅速放至相應(yīng)的鹽溶液中10分鐘，然后再迅速放至硅膠中10分鐘，再將傳感器放回鹽溶液中IO分鐘，最后再將其放回硅膠中IO分鐘。以此，通過(guò)555振蕩電路，可以獲得兩次重復(fù)測(cè)試的頻率變化數(shù)據(jù)。參閱附圖1圖7，可以清楚地看到本發(fā)明的核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器的回復(fù)性良好，無(wú)論高濕還是低濕，最大或最小頻率基本一致。無(wú)論是高濕(相對(duì)濕度68%以上)，還是低濕(相對(duì)濕度53%以下)條件下，傳感器的頻率值均能回復(fù)到初始位置，其中頻率較高的是基準(zhǔn)相對(duì)濕度，也就是該溫度下硅膠的濕度11.3%，頻率較低形成階梯時(shí)，為當(dāng)本發(fā)明的傳感器置于飽和鹽溶液的條件下。2、響應(yīng)時(shí)間及恢復(fù)時(shí)間的測(cè)試參閱附圖l圖7，從最高頻率到最低頻率階梯高度的66%為下降時(shí)間，同時(shí)以最低頻率到最高頻率階梯高度的33%為上升時(shí)間?？梢允智宄目闯觯湫偷纳仙龝r(shí)間在40秒左右，而典型的下降時(shí)間在110秒左右。隨著相對(duì)濕度的不同而不同，可以明顯看出，低濕條件下反應(yīng)時(shí)間較慢，而在高濕情況下反應(yīng)較為迅速。也可以看到，對(duì)于同一個(gè)濕度測(cè)試點(diǎn)，在濕度遞增阻抗變化曲線(xiàn)中的測(cè)量值總是稍高于在反行程中的測(cè)量值，并且在濕度遞增阻抗變化曲線(xiàn)中的響應(yīng)時(shí)間總是要比在濕度遞減阻抗變化曲線(xiàn)中響應(yīng)時(shí)間短，可能是由于吸濕比脫濕容易的原因。在同一個(gè)測(cè)試行程中，無(wú)論是濕度遞增阻抗變化曲線(xiàn)還是濕度遞減阻抗變化曲線(xiàn)，低濕度時(shí)吸濕與脫濕都較快，而高濕度時(shí)，開(kāi)始吸濕很快，接近飽和吸濕變慢，這與多層吸附理論一致。3、靈敏度的測(cè)試參閱附圖1圖7，也就是濕度從23%-93°/。?？梢允智宄乜吹剑罡哳l率與最低頻率間形成的階梯越來(lái)越明顯，形狀也越來(lái)越規(guī)范。在低濕條件下階梯顯得比較小，特別是23%，依然在可分辨的范圍內(nèi)，也就是說(shuō)，完全可以分辨其與基準(zhǔn)相對(duì)濕度11.3%的區(qū)別，所以其仍有測(cè)試低濕的能力。而在此濕度以上，分辨更為清晰。而且不同相對(duì)濕度形成的階梯形狀，也就是說(shuō)頻率差值不同，所以可以完全清晰地分辨不同的濕度條件，考慮到日常生活情況下環(huán)境相對(duì)濕度的變化范圍，此類(lèi)傳感器完全適用。4、穩(wěn)定性的測(cè)試作為傳感器其穩(wěn)定性是十分重要的技術(shù)參數(shù)，穩(wěn)定與否直接關(guān)系到它的可參考性，對(duì)本發(fā)明的傳感器進(jìn)行了長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定性也稱(chēng)為疲勞度的測(cè)試。具體為在典型較高濕的飽和鹽溶液NaCl(相對(duì)濕度75%下)，測(cè)試長(zhǎng)達(dá)3.9h小時(shí)，相對(duì)于其反應(yīng)時(shí)間為數(shù)十秒鐘來(lái)說(shuō)，完全可以解釋其穩(wěn)定性。參閱附圖8，可以看出本發(fā)明的傳感器十分穩(wěn)定，具體計(jì)算而得的頻率波動(dòng)在5.3%以?xún)?nèi)，也就是說(shuō)其穩(wěn)定性完全達(dá)到日常應(yīng)用可接受的范圍之內(nèi)。5、阻抗的測(cè)試與分析參閱附圖9，硅片表面未涂覆核殼結(jié)構(gòu)微納材料，硅片表面近乎于絕緣體，阻抗值極高。參閱附圖10，硅片表面涂覆了核殼結(jié)構(gòu)微納材料，硅片表面的阻抗值顯著下降，至穩(wěn)定后阻抗相對(duì)未涂覆時(shí)明顯有數(shù)量級(jí)上的變化，可見(jiàn)涂覆對(duì)于硅片表面阻抗的影響顯著。對(duì)潔凈硅片表面的阻抗和涂覆了核殼結(jié)構(gòu)微納材料的硅片表面的阻抗分別進(jìn)行了測(cè)試，其對(duì)比分析見(jiàn)表1和表2。<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表2涂覆了核殼結(jié)構(gòu)微納材料的硅片表面的阻抗<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>參閱附圖ll，R,、R2、C是外接元件。當(dāng)u。因電源接通對(duì)C充電而上升到|"(.(.時(shí)，比較器A,輸出為低電平，使R-S觸發(fā)器輸出置O，T導(dǎo)通，電容C通過(guò)T放電；當(dāng)u。因電容放電而減小到略低于丄^.時(shí)，比較器A2輸出為低電平，使R-S觸發(fā)器輸出置l，T截止，電容(繼續(xù)充電直到11。略高于2^.時(shí)，觸發(fā)3器又翻轉(zhuǎn)到O，從而完成一個(gè)周期振蕩。其振蕩周期可用下式計(jì)算<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>將本發(fā)明的傳感器作為探頭接入附圖11中所示電路的C位置，即可測(cè)得由于濕度變化引起的傳感器電容變化，從而演變?yōu)殡娐返念l率變化，理論上因?yàn)轭l率F反比于電容C,而在高濕度下電容C變大，所以頻率F有變小的趨勢(shì)，這與該傳感器測(cè)得的實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全符合。以上實(shí)施例只是對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明，并非用以限制本發(fā)明專(zhuān)利，凡為本發(fā)明等效實(shí)施，均應(yīng)包含于本發(fā)明專(zhuān)利的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器，其特征在于以高分子聚合物將金屬納米顆粒整體包覆后形成一種核殼結(jié)構(gòu)的微納材料均勻涂覆于硅片表面，然后做上電極進(jìn)行封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料濕度傳感器。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器，其特征在于所述聚合物為對(duì)濕度敏感的聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚苯乙烯的高分子聚合物。3、根據(jù)權(quán)利要求1所述核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器，其特征在于所述金屬納米顆粒為金、銀、銅或鋁采用醇還原法、檸檬酸鈉還原法或硼氫化鉀還原法制得金屬納米顆粒的溶液。4、一種權(quán)利要求1所述核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器的制備方法，其特征在于該方法以金屬-聚合物的核殼結(jié)構(gòu)材料涂覆于硅片表面，然后做上電極進(jìn)行封裝而成，具體制作包括以下步驟(一)金屬納米顆粒溶液的制備采用醇還原法、擰檬酸鈉還原法或硼氫化鉀還原法將金、銀、銅或鋁還原成金屬納米顆粒的溶液，以作為放大電學(xué)量的載體備用；(二)聚合物溶液的制備采用對(duì)濕度敏感的聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮或聚苯乙烯與水按1:20的質(zhì)量比配制成相應(yīng)的聚合物溶液備用；(三)硅片的表面氧化處理'a、將硅片放入硫酸與雙氧水按體積比為3:1配制的溶液中清洗10min，其硫酸濃度為98%,雙氧水濃度為30%;b、將上述硅片取出，用去離子水中清洗；c、將上述清洗后的硅片放入濃度為99.7%的乙醇溶液中浸泡10min;d、將硅垸耦聯(lián)劑或1，6-己二硫醇加入到99.7%的乙醇溶液中，配置成lraM的溶液，攪拌均勻后加熱至沸騰，然后放入上述硅片在沸騰的溶液中浸泡45miri;e、將上述硅片取出，用濃度為99.7%的乙醇溶液浸泡10min，以去除多余的硅烷耦聯(lián)劑或l，6-己二硫醇；f、將上述硅片用去離子水清洗，然后放入10(TC的烘干機(jī)上烘干待用。(四)硅片的涂覆和封裝a、將上述聚合物溶液加入到金屬納米顆粒溶液中，在磁力攪拌下反應(yīng)23小時(shí)，聚合物溶液與金屬納米顆粒溶液的體積比為1:10，使得聚合物將金屬納米顆粒整體均勻包覆后形成一種以金屬納米顆粒為核，聚合物為殼的核殼結(jié)構(gòu)的微納材料溶液；b、將上述經(jīng)氧化處理的硅片放在涂膠機(jī)上，用上述核殼結(jié)構(gòu)的微納材料溶液加滴在硅片表面，并開(kāi)動(dòng)涂膠機(jī)以500轉(zhuǎn)/秒轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)5秒，然后再以2000轉(zhuǎn)/秒轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動(dòng)2030秒，使得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料均勻涂覆于硅片的表面，然后按工藝要求制作電極，并進(jìn)行傳感器結(jié)構(gòu)引線(xiàn)封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料濕度傳感器。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種核殼結(jié)構(gòu)微納材料濕度傳感器及其制備方法，特點(diǎn)是它以高分子聚合物將金屬納米顆粒整體包覆后形成一種核殼結(jié)構(gòu)的微納材料均勻涂覆于硅片表面，然后做上電極進(jìn)行封裝，制得核殼結(jié)構(gòu)的微納材料濕度傳感器，其制備方法包括金屬納米顆粒溶液和聚合物溶液的制備、硅片的表面處理、涂覆和封裝。本發(fā)明對(duì)傳感器目標(biāo)量敏感的材料選擇性廣泛，原材料易得，與現(xiàn)有技術(shù)相比具有方法簡(jiǎn)單，操作方便，生產(chǎn)成本較低，對(duì)環(huán)境無(wú)污染，而且傳感器的電學(xué)特性能大大提高，集成度高，體積小的優(yōu)點(diǎn)。文檔編號(hào)G01N27/22GK101545883SQ200910050280公開(kāi)日2009年9月30日申請(qǐng)日期2009年4月30日優(yōu)先權(quán)日2009年4月30日發(fā)明者韡姚,健張,龍?jiān)?陳雪皎申請(qǐng)人:華東師范大學(xué)