專利名稱：：電化學(xué)測(cè)定用電極板、具有該電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置、和使用該電極板對(duì)目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及以良好的靈敏度檢測(cè)和定量微量地含有在生物體內(nèi)的物質(zhì)的電化學(xué)測(cè)定用電極板。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，正在開(kāi)發(fā)將具有酶所具有的特異的催化作用與具有電極反應(yīng)活性的電子介體組合，對(duì)生物體中的血液中所含的蔗糖(sucrose)、葡萄糖等糖類的濃度進(jìn)行定量的電化學(xué)測(cè)定用電極板。在這樣的電化學(xué)測(cè)定用電極板中，利用糖類和酶的反應(yīng)，采用電化學(xué)方法對(duì)糖類的濃度進(jìn)行定量。首先，在血液樣本中混合酶和電子介體制成試樣液后，使糖類和酶之間發(fā)生酶反應(yīng)，然后，采用電化學(xué)方法測(cè)定其中共存的電子介體，由此通過(guò)電子介體間接地對(duì)試樣液中所含的糖類進(jìn)行定量。在該方法中，酶的反應(yīng)對(duì)糖類的特異性高，操作時(shí)溫度的影響小，定量裝置的結(jié)構(gòu)也簡(jiǎn)便，因此通過(guò)使用該方法，普通人在家庭等中就能夠簡(jiǎn)易地對(duì)自己血液中的糖類的濃度進(jìn)行定量。電化學(xué)測(cè)定用電極板適于生物體中所含的微量溶液樣本的分析。因此，嘗試著將電化學(xué)測(cè)定用電極板與各種各樣的有機(jī)材料或者無(wú)機(jī)材料組合應(yīng)用于傳感器等。由于電化學(xué)測(cè)定用電極板的電極應(yīng)答速度隨著電化學(xué)測(cè)定用電極板具有的微小電極的面積的減小而增高，所以研討各種各樣的電極形狀、電極的細(xì)微化。但是，隨著電極面積的減小，得到的電流值減少。例如，如果將電極面積細(xì)微化至幾百^11112左右，則能夠檢測(cè)的電流值降低至幾十幾nA數(shù)量級(jí)。所以，在測(cè)定時(shí)發(fā)生噪聲應(yīng)答的增加和靈敏度降低。因此，為了消除這樣的不良狀況，在專利文獻(xiàn)14中對(duì)聚集多個(gè)微小電極的電化學(xué)測(cè)定用電極板進(jìn)行研究。在專利文獻(xiàn)14中，提出了大量且再現(xiàn)性良好地在基板上制作與鄰接的微小電極之間的距離保持一定的微小電極。圖1表示專利文獻(xiàn)1中記載的現(xiàn)有的電化學(xué)測(cè)定用電極板的結(jié)構(gòu)。該電化學(xué)測(cè)定用電極板IO層疊絕緣性的基板1/作為氧化電極發(fā)揮功能的下部電極2/絕緣層3/作為還原電極發(fā)揮功能的表面電極4而成。在表面電極4的表面形成有圓筒形的多個(gè)細(xì)微孔5，下部電極2的表面在該細(xì)微孔5露出。絕緣性的基板1由例如在硅基板la的主表面覆蓋有氧化膜lb的所謂帶有氧化膜的硅基板構(gòu)成。下部電極2是由金屬、準(zhǔn)金屬、碳材料、或半導(dǎo)體在基板1上的氧化膜lb的表面(即，絕緣體的表面)上形成的氧化電極。表面電極4是在絕緣層3上，與下部電極2同樣，由金屬、準(zhǔn)金屬或者半導(dǎo)體形成的還原電極。由下部電極2和表面電極4構(gòu)成作用電極對(duì)。B卩，下部電極2和表面電極4均作為作用電極發(fā)揮功能，進(jìn)一步詳細(xì)而言，如上所述，下部電極2作為氧化電極發(fā)揮功能，表面電極4作為還原電極發(fā)揮功能。其中，在圖1中，7是用于使外部引線與下部電極2的一端部連接而開(kāi)口的電極引出用的開(kāi)口部。這里所謂的細(xì)微孔，是指完全貫通絕緣層3和表面電極4、到達(dá)下部電極2的表面的孔。在使用如上所述的電化學(xué)測(cè)定用電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置中，為了獲得電流應(yīng)答，在下部電極2和表面電極4之間施加電位。在電化學(xué)測(cè)定裝置由下部電極2、表面電極4、對(duì)電極(未圖示)三個(gè)電極構(gòu)成的情況下，使對(duì)電極在試樣用液中顯示的電位為零，在下部電極2一對(duì)電極之間、表面電極4一對(duì)電極之間施加電位。此夕卜，在電化學(xué)測(cè)定裝置由下部電極2、表面電極4、參考電極(未圖示)和輔助電極(未圖示)四個(gè)電極構(gòu)成的情況下，使參考電極在試樣液中顯示的電位為零，在下部電極2—參考電極之間、表面電極4一參考電極之間施加電位。在專利文獻(xiàn)4和非專利文獻(xiàn)1中，提出了使圓筒形的細(xì)微孔5的間隔大于其直徑的電化學(xué)測(cè)定用電極板，并報(bào)告了使用該電極板的電化學(xué)測(cè)定結(jié)果。在這些文獻(xiàn)中，作為大電極的表面電極4具有比作為微小電極的集合體的下部電極2大的面積。在測(cè)定時(shí)，分別施加在下、并且在表面電極4上能夠引起還原反應(yīng)的電位。由此，在下部電極2和表面電極4之間發(fā)生自引發(fā)氧化還原循環(huán)，得到表觀上高的電流應(yīng)答。這樣一來(lái)，通過(guò)試樣液中存在的電子介體，對(duì)糖類等目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行定量。此外，對(duì)下部電極2施加引起還原反應(yīng)的電位，對(duì)上部電極4施加引起氧化反應(yīng)的電位，也能夠發(fā)現(xiàn)同樣的自引發(fā)氧化還原循環(huán)。這里，使用圖2說(shuō)明專利文獻(xiàn)4、非專利文獻(xiàn)1和2中記載的自引發(fā)氧化還原循環(huán)。圖2的自引發(fā)氧化還原循環(huán)在兩個(gè)作用電極，即在微小電極21和大電極22上進(jìn)行。在微小電極21的表面，發(fā)生還原體23的氧化反應(yīng)，生成氧化體24，由此在微小電極21中流通氧化電流。在大電極22中靠近微小電極21的部分22a的表面，氧化體24被還原，成為還原體25，由此在大電極22中流通還原電流。并且，還原體25擴(kuò)散到達(dá)微小電極21的表面，由此再次引起從還原體23到氧化體24的氧化反應(yīng)，在微小電極21中流通氧化電流。結(jié)果，在大電極22a的表面，使由微小電極21生成的氧化體24還原，成為還原體25，由此能夠?qū)ξ⑿‰姌O21表面供給還原體23。由此，在微小電極21和大電極22a之間發(fā)生氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)進(jìn)行循環(huán)的所謂氧化還原循環(huán)反應(yīng)，結(jié)果，在微小電極21中流通恒定的電流，能夠進(jìn)行微量地含有在試樣液中的目標(biāo)物質(zhì)的檢測(cè)和定量。并且，為了提高高靈敏度測(cè)定的有效性，在基板上形成更多的微小電極21，并且盡可能多地形成由進(jìn)行氧化還原循環(huán)的氧化電極和還原電極構(gòu)成的電極對(duì)。專利文獻(xiàn)l:專利第2556993號(hào)公報(bào)(第6項(xiàng)，第一圖)專利文獻(xiàn)2:專利第2564030號(hào)公報(bào)(第7項(xiàng)，第二圖)專利文獻(xiàn)3:特開(kāi)2006-78404號(hào)公報(bào)(第25項(xiàng)，圖1)專利文獻(xiàn)4:專利第3289059號(hào)公報(bào)(第16頁(yè)，圖5)專利文獻(xiàn)5:特開(kāi)2007-010429號(hào)公報(bào)(圖3、圖4)非專利文獻(xiàn)1:J.Electrochem.Soc"138巻，12號(hào)，3551項(xiàng)(1991)非專利文獻(xiàn)2青木幸一等著「微小電極^用V、3電気化學(xué)測(cè)定法」(《使用微小電極的電化學(xué)測(cè)定法》)(社)電子情報(bào)通信學(xué)會(huì)編平成10年2月10日發(fā)行48-49，70-71項(xiàng)。
發(fā)明內(nèi)容如圖1所示，通過(guò)使作為還原電極發(fā)揮功能的表面電極4的面積比作為氧化電極發(fā)揮功能的下部電極2的面積大很多，發(fā)生自引發(fā)氧化還原循環(huán)，但也因此出現(xiàn)下述問(wèn)題。在大電極22a上生成的還原體25擴(kuò)散，其不僅到達(dá)微小電極21(相當(dāng)于的圖1中的下部電極2)，還如圖2的右側(cè)所示，其一部分也到達(dá)大電極22(相當(dāng)于圖2中的表面電極4)中距離微小電極21遠(yuǎn)的部分22b上。這樣的還原體26通過(guò)氧化反應(yīng)成為氧化體27。g卩，在大電極22上也引起氧化反應(yīng)(參照特開(kāi)平3-246460號(hào)公報(bào)的第四圖)。接著，該氧化體27擴(kuò)散，到達(dá)大電極22中靠近微小電極21的部分22b上。在此通過(guò)還原反應(yīng)，成為還原體25。還原體25擴(kuò)散到達(dá)微小電極21表面，再次被氧化，成為氧化體24(或者，再次到達(dá)大電極22中距離微小電極21遠(yuǎn)的部分22b)。艮P，在圖1的表面電極4上，同時(shí)引起氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)。其結(jié)果是，希望在下部電極2檢測(cè)出的還原體的氧化也在表面電極4上同時(shí)發(fā)生。因此，在表面電極4上生成的還原體不能有效地在下部電極2上氧化，在高靈敏度化方面出現(xiàn)問(wèn)題。并且，如圖1所示，在僅在基板的一個(gè)面構(gòu)成電化學(xué)測(cè)定用電極板的結(jié)構(gòu)中，能夠形成電極的面積受到限制，由此，也在高靈敏度化方面出現(xiàn)問(wèn)題。此外，由于表面電極4作為大電極發(fā)揮作用，因而施加電位時(shí)的充電電流大。因此，也出現(xiàn)與作為微小電極的下部電極2相比，達(dá)到反應(yīng)穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間變長(zhǎng)的問(wèn)題。解決上述問(wèn)題的本發(fā)明的電化學(xué)測(cè)定用電極板10包括由絕緣體構(gòu)成的基板32;在上述基板32的上表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的上層31;和在上述基板32的下表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的下層33，上述基板32包括夾在上述基板32的上表面和上述上層31之間的多個(gè)氧化電極32W;和夾在上述基板32的下表面和上述下層33之間的多個(gè)還原電極32w，上述上層31具有多個(gè)上層開(kāi)口部31W，上述各氧化電極32W從上述各上層開(kāi)口部31W露出，上述下層33具有多個(gè)下層開(kāi)口部33w，上述各還原電極32w從上述各下層開(kāi)口部33w露出，在上述基板32上設(shè)置有從上述各氧化電極32W的上表面至上述各還原電極32w的下表面貫通的多個(gè)貫通孔32H，上述各上層開(kāi)口部31W的面積與上述各下層開(kāi)口部33w的面積相同，上述各上層開(kāi)口部31W的面積為1000(Him2以下，上述各下層開(kāi)口部33w的面積為lOOOOjxm2以下。優(yōu)選上述各上層開(kāi)口部的面積為225^2以上，上述各下層開(kāi)口部的面積為225^11112以上。優(yōu)選上述貫通孔的截面積為lnm2以上2500pm2以下。優(yōu)選上述下層的厚度為5pm以上IOO拜以下。該電化學(xué)測(cè)定用電極板10與參考電極42和輔助電極43組合，或者與對(duì)電極組合，構(gòu)成電化學(xué)測(cè)定裝置。該電化學(xué)測(cè)定裝置也包含在本發(fā)明的主要內(nèi)容中。并且，利用該電化學(xué)測(cè)定裝置的如下所述的對(duì)含有電子介體的試樣液中所含的目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行定量的方法也包含在本發(fā)明的主要內(nèi)容中。本發(fā)明提供一種方法，其利用包括參考電極、輔助電極和電化學(xué)測(cè)定用電極板，或者包括對(duì)電極和電化學(xué)測(cè)定用電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置，對(duì)試樣液中所含的目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行定量，其特征在于，上述方法包括以下工序調(diào)制含有電子介體的試樣液的工序；準(zhǔn)備上述電化學(xué)測(cè)定用電極板的工序；，使上述參考電極、上述輔助電極和上述電化學(xué)測(cè)定用電極板與上述試樣液接觸，或者使土述對(duì)電極和上述電化學(xué)測(cè)定用電極板與上述試樣液接觸；電流測(cè)定工序，在該工序中，對(duì)上述氧化電極板掃描施加正電位，并且對(duì)上述還原電極板施加負(fù)電位，或者對(duì)上述氧化電極板施加正電位，并且對(duì)上述還原電極板掃描施加負(fù)電位，由此測(cè)定在上述氧化電極板和上述還原電極的各自中流通的電流；和根據(jù)通過(guò)上述電流測(cè)定工序得到的電流計(jì)算上述目標(biāo)物質(zhì)的量的計(jì)算工序，其中，在準(zhǔn)備上述電化學(xué)測(cè)定用電極板的工序中，上述電化學(xué)測(cè)定用電極板包括由絕緣體構(gòu)成的基板；在上述基板的上表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的上層；和在上述基板的下表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的下層，上述基板包括夾在基板的上表面和上述上層之間的多個(gè)氧化電極；和夾在上述基板的下表面和上述上層之間的多個(gè)還原電極，上述上層具有多個(gè)上層開(kāi)口部，上述各氧化電極從上述各上層開(kāi)口部露出，上述下層具有多個(gè)下層開(kāi)口部，上述各還原電極從上述各下層開(kāi)口部露出，在上述基板上設(shè)置有從上述各氧化電極的上表面至上述各還原電極的下表面貫通的多個(gè)貫通孔，上述各上層開(kāi)口部的面積與上述各下層開(kāi)口部的面積相同，上述各上層開(kāi)口部的面積為10000^ir^以下，上述各下層開(kāi)口部的面積為10000pn^以下。優(yōu)選上述輔助電極的表面積為上述氧化電極的集合體的10倍以上。也可以在上述上層的上表面設(shè)置網(wǎng)狀的過(guò)濾器。優(yōu)選上述參考電極形成于上述上層的上表面，上述輔助電極形成于上述下層的下表面。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種以良好靈敏度檢測(cè)和定量微量地含有在生物體內(nèi)的物質(zhì)的電化學(xué)測(cè)定用電極板、具有該電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置、以及使用該電極板對(duì)目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行定量的方法。參照附圖從以下的優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)說(shuō)明中，可以明白本發(fā)明的上述目的、其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。圖1是表示專利文獻(xiàn)1中記載的現(xiàn)有的電化學(xué)測(cè)定用電極板的(A)整體立體圖和(B)放大立體圖。圖2是表示專利文獻(xiàn)4、非專利文獻(xiàn)1和2中記載的自引發(fā)氧化還原循環(huán)的機(jī)理的圖。圖3是本發(fā)明的實(shí)施方式1的電化學(xué)測(cè)定用電極板的分解立體圖。圖4是具有本發(fā)明的實(shí)施方式1的電化學(xué)測(cè)定用電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置的示意圖。圖5是本發(fā)明的實(shí)施例1的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖6是本發(fā)明的比較例1的現(xiàn)有的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖7是本發(fā)明的實(shí)施例2的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖8是本發(fā)明的實(shí)施例3的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖9是本發(fā)明的實(shí)施例4的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖IO是本發(fā)明的實(shí)施例5的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖11是本發(fā)明的實(shí)施方式2的電化學(xué)測(cè)定用電極板的分解立體圖。圖12是本發(fā)明的實(shí)施例6的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖13是本發(fā)明的實(shí)施方式3的電化學(xué)測(cè)定用電極板的分解立體圖。圖14是本發(fā)明的實(shí)施例7的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。圖15是表示校正曲線的一例的曲線圖。符號(hào)說(shuō)明1:基板；la:硅基板；lb:氧化膜；2:下部電極；3:絕緣膜(Si02膜)；4:氧化電極；5:細(xì)微孔；7:下部電極2的開(kāi)口部；10:電化學(xué)測(cè)定用電極板；21:微小電極；22:大電極(微小電極附近)；23:大電極(微小電極遠(yuǎn)方)；24:還原體l;25:氧化體l;26:還原體2;27:還原體3;28:氧化體2;31:上層；311:絕緣體；31W:上層開(kāi)口部；32:基板；32S:基板本體；32E:氧化電極板；32H:貫通孔；32T:氧化電極引線；32W:氧化電極；32e:還原電極板；32t:還原電極引線；32W:還原電極；33:下層；33i:絕緣體；33w:下層開(kāi)口部；41:氧化電極32W的集合體；42:參考電極；43:輔助電極；44:試樣液容器；45:控制裝置；46:記錄器；50:基板；51:氧化電極；52:還原電極；53:上層；54:上層開(kāi)口部；55:下層；56:下層開(kāi)口部；57:上側(cè)孔；58:下側(cè)孔；59:貫通孔；60:基板；61:下部電極；62:絕緣層；63:表面電極；64:抗蝕劑；65:細(xì)微孔；80a:基板(氧化電極側(cè))；80b:基板(還原電極側(cè))；80A:氧化電極形成基板；80B:還原電極形成基板；卯鑄型；100:工作臺(tái)；111M:過(guò)濾器；131E:參考電極；131T:參考電極引線；133e:輔助電極；133t:輔助電極引線。具體實(shí)施方式下面，參照本發(fā)明的實(shí)施方式。(實(shí)施方式l)圖3是本實(shí)施方式1的電化學(xué)測(cè)定用電極板的分解立體圖。如圖3所示，實(shí)施方式1的電化學(xué)測(cè)定用電極板10，從下側(cè)依次層疊有下層33、基板32和上層31而構(gòu)成。下層33和上層31都是絕緣體。基板32由絕緣體構(gòu)成的基板本體32S構(gòu)成，在該基板本體32S的上表面具備氧化電極板32E，在該基板本體32S的下表面具備還原電極板32e。如圖3所示，氧化電極板32E被夾在基板本體32S和上層31之間，同樣，還原電極32e板被夾在基板本體32S和下層33之間。上層31具有多個(gè)上層幵口部31W。在圖3中，設(shè)置有9個(gè)上層開(kāi)口部31W。氧化電極板32E的一部分從各上層開(kāi)口部31W露出。氧化電極板32E中，從各上層開(kāi)口部31W露出的部分，即在圖3中在氧化電極板32E上劃有斜線的部分，與試樣液接觸，作為氧化電極32W發(fā)揮功能。在圖3中，設(shè)置有9個(gè)氧化電極32W。氧化電極板32E中，形成有上層31的部分，即在圖3中在氧化電極板32E上沒(méi)有劃斜線、以空白表示的部分，不與試樣液接觸。因此，該部分不作為氧化電極發(fā)揮功能。與上層31同樣，下層33也具有多個(gè)下層開(kāi)口部33W。在圖3中，設(shè)置有9個(gè)下層開(kāi)口部33W。還原電極板32e的一部分從各下層開(kāi)口部33W露出。還原電極板32e中，從各下層開(kāi)口部33w露出的部分，即在圖3中在還原電極板32e上劃有斜線的部分作為還原電極32w發(fā)揮功能。在圖3中，設(shè)置有9個(gè)還原電極32w。還原電極板32e中，形成有下層33的部分，即在圖3中在還原電極板32e上沒(méi)有劃斜線、以空白表示的部分，不與試樣液接觸。因此，該部分不作為還原電極發(fā)揮功能?？梢詫?duì)氧化電極板32E和還原電極板32e分別獨(dú)立地施加電位，能夠在各個(gè)電極上進(jìn)行目標(biāo)物質(zhì)的電化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)一步具體而言，進(jìn)行氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)。通過(guò)氧化電極32W上的電化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生的電信號(hào)在氧化電極板32E上傳遞，能夠經(jīng)由氧化電極引線32T，利用電流計(jì)等計(jì)測(cè)器進(jìn)行定量。同樣，通過(guò)還原電極32w上的電化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生的電信號(hào)在還原電極板32e上傳遞，能夠經(jīng)由還原電極引線32t，利用電流計(jì)等計(jì)測(cè)器進(jìn)行定量。各氧化電極32W和各還原電極32w將平面基板本體32S夾在中間并重合。在圖3中，縱向3列X橫向3行的氧化電極32W和縱向3列X橫向3行的還原電極32w將基板本體32S夾在中間并重合。在圖3中，為了便于說(shuō)明，還原電極板32e與基板本體32S分離14表示，但實(shí)際上，還原電極板32e形成在基板本體32S的下表面。氧化電極板32E在其一端具有氧化電極引線32T。在氧化電極板32E得到的電信號(hào)能夠從氧化電極引線32T取出。還原電極板32e也同樣與還原電極引線32t電導(dǎo)通，在還原電極板32e得到的電信號(hào)能夠從還原電極引線32t取出。在基板32上設(shè)置有多個(gè)貫通孔32H。并且，各貫通孔32H從各氧化電極32W的上表面到各還原電極32w的下表面貫通。在圖3中，表示出9個(gè)由一個(gè)氧化電極32W、一個(gè)貫通孔32H和一個(gè)還原電極32w構(gòu)成的組。如果沒(méi)有貫通孔32H，從后述的比較例1可以理解，不能高靈敏度地進(jìn)行目標(biāo)物質(zhì)的定量，并且直至達(dá)到定量時(shí)的穩(wěn)定狀態(tài)為止需要較多的時(shí)間。各上層開(kāi)口部31W的面積，即各氧化電極32W的面積為lOOOO^m2以下。當(dāng)超過(guò)10000^1112時(shí)，會(huì)發(fā)生如圖2的右側(cè)所示的不希望的反應(yīng)，結(jié)果，在高靈敏度化方面出現(xiàn)問(wèn)題。艮P，如后述的比較例2所示，不能以高靈敏度進(jìn)行目標(biāo)物質(zhì)的定量，并且直至達(dá)到定量時(shí)的穩(wěn)定狀態(tài)為止需要較多的時(shí)間。同樣，各下層開(kāi)口部33w的面積，即各還原電極32w的面積也為10000nm2以下。其中，各上層開(kāi)口部31W的面積C即，各氧化電極32W的面積)和各下層開(kāi)口部33w的面積(即，各還原電極32w的面積)的下限沒(méi)有特別限定，優(yōu)選為225^11112以上。各上層開(kāi)口部31W的面積和各下層開(kāi)口部33w的面積實(shí)質(zhì)上相同。即，多個(gè)上層開(kāi)口部31W的面積均相同。同樣，多個(gè)下層開(kāi)口部33W的面積均相同。并且，這些上層開(kāi)口部31W的面積和這些下層開(kāi)口部33W的面積也均相同。優(yōu)選各貫通孔32H的截面積相同。通過(guò)使各上層開(kāi)口部31W的面積與各下層開(kāi)口部33w的面積相同，能夠縮短達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)為止所需要的時(shí)間。另外，在各上層開(kāi)口部31W的面積與各下層開(kāi)口部33w的面積不同的情況下，發(fā)生圖2所示的反應(yīng)，所以高靈敏度變得困難。貫通孔32H的截面積當(dāng)然比上層開(kāi)口部31W的面積和下層開(kāi)口部33W的面積的任一個(gè)都小?？梢詫?duì)于一個(gè)氧化電極32W和一個(gè)還原電極32w的組，設(shè)置2個(gè)以上的貫通孔32H。但是，在設(shè)計(jì)上，對(duì)于一個(gè)氧化電極32W和一個(gè)還原電極32w的組，設(shè)置一個(gè)貫通孔32H就足夠了。貫通孔32H的截面積的大小盡可能地小，這樣就能夠在基板32上形成更多的貫通孔。這一方式能夠更多地配置氧化電極32W和還原電極32w構(gòu)成的電極對(duì)，因而優(yōu)選。但是，通過(guò)減小貫通孔32H的截面積，存在試樣液中所含的電子介體穿過(guò)孔時(shí)的電導(dǎo)增加的趨勢(shì)。另一方面，截面積的值過(guò)大的貫通孔32H，會(huì)導(dǎo)致毫無(wú)意義縮小面積必須為1000(Hiii^以下的各氧化電極32W和各還原電極32w的面積。因此，優(yōu)選貫通孔32H的截面積的值為lpm2以上2500pm2以下。優(yōu)選下層33的厚度為5|im以上IOO拜以下。鄰接的還原電極32w之間的距離通常為7pm左右，因此在下層33的厚度不足5pm的情況下，事實(shí)上，鄰接的2個(gè)以上的還原電極32w作為連續(xù)的一個(gè)還原電極32w發(fā)揮功能。因此，容易發(fā)生圖2的右側(cè)所示的不希望的反應(yīng)。換言之，在下層33的厚度不足5拜的情況下，與在還原電極32w產(chǎn)生的還原型的電子介體通過(guò)貫通孔32H到達(dá)氧化電極32W相比，在還原電極32w產(chǎn)生的還原對(duì)的電子介體容易在鄰接的還原電極32w上被氧化而變成氧化型的介體。另一方面，在下層33的厚度超過(guò)lOOjum的情況下，為了進(jìn)行正確的測(cè)定所必要的試樣液的量就會(huì)增加，不能說(shuō)優(yōu)選。這一點(diǎn)對(duì)于上層31也是同樣的。作為基板本體32S的材料，例如可以列舉雙面被氧化的硅、玻璃、氧化鋁、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、硅樹脂、聚酰亞胺及其衍生物、環(huán)氧樹脂、高分子熱固化物、感光性樹脂等。在本發(fā)明的電化學(xué)測(cè)定用電極板中，由于貫通孔32H成為試樣液的通道，所以在試樣液為水溶液的情況下，優(yōu)選貫通孔32H的內(nèi)壁為親水性。因此，作為基板本體32S，優(yōu)選選擇硅基板、玻璃基板等具有親水性表面的基板，或者親水性的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯基板等由聚酯材料構(gòu)成的基板。在使用具有疏水性的基板時(shí)，優(yōu)選利用乙醇、異丙醇等對(duì)貫通孔32H的內(nèi)壁實(shí)施親水化處理。作為氧化電極板32E(包括氧化電極引線32T)的材料和還原電極板32e(包括還原電極引線32t)的材料，可以列舉具有導(dǎo)電性的材料。具體而言，作為金屬，可以列舉金、鉑、鈀、銀、鉻、鈦、鎳，作為半導(dǎo)體，可以列舉p型硅、n型硅、p型鍺、n型鍺、硫化鎘、二氧化鈦、氧化鋅、磷化鎵、砷化鎵、磷化銦、二砷化鉬、硒化鎢、二氧化銅、氧化錫、氧化銦、銦錫氧化物等。此外，還可以使用科琴黑等導(dǎo)電性碳。其中，優(yōu)選使用作為電極材料穩(wěn)定的金、鉑、鈀。在它們的形成時(shí)采用將蒸鍍、濺射等成膜方法和蝕刻方法組合的方法?？梢葬娪檬褂醚谀５慕z網(wǎng)印刷、激光磨削、或者使用導(dǎo)電性油墨的旋涂法、基于噴墨印刷法的直接描畫手法。作為貫通孔32H的形成方法，可以列舉利用干式蝕刻法、濕式蝕刻法、提離(Liftoff)法、基于會(huì)聚離子束照射的加工法等，在己形成電極的基板上形成孔的方法。也可以代替上述方法，使用金屬掩模，在基板上形成貫通孔32H的圖案，然后進(jìn)行利用上述方法的孔形成加工，從而形成基板。此外，還有在具有貫通孔32H的凸型圖案的鑄模中形成基板，在該基板上形成電極板，然后抽出鑄模的方法。也可以考慮利用已加熱的鑄模，在帶有電極板的基板上形成貫通孔，然后抽出鑄模的方法。作為形成上層開(kāi)口部31W和下層開(kāi)口部33w的方法，可以列舉利用干式蝕刻法、濕式蝕刻法、提離法、基于會(huì)聚離子束照射的加工方法等，在絕緣體31I和絕緣體33i上形成開(kāi)口部的方法。另外，也可以使用陽(yáng)型抗蝕劑或陰型抗蝕劑、干膜抗蝕劑等感光性樹脂材料，采用組合遮光掩模和曝光方法的方法形成。在通過(guò)旋涂形成氧化電極板32E(包括氧化電極引線32T)、還原電極板32e(包括還原電極引線32t)、上層31、下層33的情況下，優(yōu)選涂布器的工作臺(tái)使用多孔體。這是由于在基板本體32S的兩面形成電極板(氧化電極板32E和還原電極板32e)和絕緣層(上層31和下層33)，為了穩(wěn)定地固定基板，基于多孔體的真空吸附法與使用在Teflon(注冊(cè)商標(biāo))等的材料上設(shè)置有幾處吸附用的孔的涂布器頭的情況相比，進(jìn)行吸附固定的面積增大，因而優(yōu)選。其中，圖3的結(jié)構(gòu)與專利文獻(xiàn)5的圖3、圖4所記載的結(jié)構(gòu)類似，但是在專利文獻(xiàn)5中只不過(guò)公開(kāi)了細(xì)胞電位測(cè)定用容器，而對(duì)于具備氧化電極和還原電極的電化學(xué)測(cè)定用電極板、具有該電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置、以及使用該電極板對(duì)目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行定量的方法，則沒(méi)有公開(kāi)，也沒(méi)有給出任何啟示。圖4表示具有實(shí)施方式1的電化學(xué)測(cè)定用電極板的電化學(xué)測(cè)定裝置(以下簡(jiǎn)稱為"測(cè)定裝置")。如圖4所示，將電化學(xué)測(cè)定用電極板10、參考電極42和輔助電極43浸入裝滿試樣液容器44的試樣液中。由此，這些電極與試樣液接觸。并且，在電化學(xué)測(cè)定用電極板10的表面形成多個(gè)氧化電極32W，形成氧化電極32W的集合體41。雖然未圖示，但是在電化學(xué)測(cè)定用電極板IO的背面，還原電極32w也同樣形成集合體。參考電極44是作為施加在電化學(xué)測(cè)定用電極板10上的電位的基準(zhǔn)的電極。將參考電極44在試樣液中顯示的電位作為零，分別對(duì)氧化電極32W和還原電極施加電位。輔助電極43是為了在測(cè)定裝置中使安培法則成立而用于補(bǔ)償電流的電極。測(cè)定裝置45經(jīng)由氧化電極引線32T和還原電極引線32t與電化學(xué)測(cè)定用電極板10電連接，同樣也與參考電極42和輔助電極43電連接。利用記錄器46記錄從測(cè)定裝置45輸出的電流應(yīng)答。(電化學(xué)測(cè)定方法的說(shuō)明)下面，說(shuō)明試樣液中所含的電子介體的定量方法。采用循環(huán)伏安法等方法，預(yù)先測(cè)定電子介體的氧化反應(yīng)進(jìn)行的電位和還原反應(yīng)進(jìn)行的電位，用作后文說(shuō)明的氧化電極的電位的值和還原電極的電位的值。其中，電位的基準(zhǔn)是參考電極42在試樣液中顯示的平衡電位。即，分別對(duì)氧化電極32W和還原電極32w施加的電位為以參考電極42為0V時(shí)的相對(duì)電位。在將氧化電極32W和還原電極32w的電位輸入控制裝置45之后，開(kāi)始進(jìn)行測(cè)定。在后述的實(shí)施例中進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，具體而言，對(duì)氧化電極32E，從OV開(kāi)始緩慢施加正電壓。在后述的實(shí)施例中，使對(duì)氧化電極32E施加的電壓從0V開(kāi)始緩慢連續(xù)地變化到+0.7V。其中，將其稱為"掃描施加"。即，在本說(shuō)明書中使用的用語(yǔ)"掃描施加"表示使電位連續(xù)地變化的意思。與此相對(duì)照，在本說(shuō)明書中使用的用語(yǔ)"施加"表示急劇地變化到預(yù)先設(shè)定的電位。此時(shí)，優(yōu)選對(duì)還原電極繼續(xù)施加與參考電極相同的電位(大多情況下為0V)。對(duì)氧化電極32E施加電壓的速度(以下稱為"掃描施加速度")通常為5mV/秒以上500mV/秒以下。在后述的實(shí)施例中，為100mV/秒。其中，在上述說(shuō)明中，對(duì)氧化電極板32E掃描施加正電位，對(duì)還原電極板32e施加負(fù)電位。但是，也可以對(duì)氧化電極板32E施加正電位，對(duì)還原電極板32e掃描施加負(fù)電位。經(jīng)由氧化電極引線32T，由控制裝置45檢測(cè)通過(guò)氧化電極32W的氧化反應(yīng)得到的電流。同樣，經(jīng)由還原電極引線32t，由控制裝置45檢測(cè)通過(guò)還原電極的還原反應(yīng)得到的電流。檢測(cè)出的電流被輸出到記錄器46，將被記錄的氧化電流值與標(biāo)準(zhǔn)試樣的氧化電流值的測(cè)定結(jié)果(后述的校正曲線)進(jìn)行比較，能夠?qū)υ嚇右褐械臋z測(cè)對(duì)象物質(zhì)進(jìn)行將記錄在記錄器46中的還原電流值與標(biāo)準(zhǔn)試樣的還原電流測(cè)定結(jié)果進(jìn)行比較，也能夠?qū)υ嚇右褐械臋z測(cè)對(duì)象物質(zhì)進(jìn)行定量。因此，優(yōu)選預(yù)先使用本實(shí)施方式的檢測(cè)裝置作成標(biāo)準(zhǔn)試樣的校正曲線。這里，對(duì)于使用校正曲線對(duì)試樣液中的檢測(cè)對(duì)象物質(zhì)進(jìn)行定量的方法，即計(jì)算試樣液中的檢測(cè)對(duì)象物質(zhì)的濃度的方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，準(zhǔn)備標(biāo)準(zhǔn)試樣。該標(biāo)準(zhǔn)試樣中含有濃度已知的還原型電子介體(這里假定為亞鐵氰化鉀)。使用該濃度已知的標(biāo)準(zhǔn)試樣作為試樣液，利用圖4所示的電化學(xué)測(cè)定裝置，將還原型電子介體的濃度與由電化學(xué)測(cè)定裝置測(cè)定的反應(yīng)電流值之間的關(guān)系制成圖表。該圖表的一個(gè)例子如圖15所示。如圖15所示，這里，在還原型的電子介體的濃度為lOO^iM的情況下，假定反應(yīng)電流值為lOpA;在還原型的電子介體的濃度為30(HiM的情況下，假定反應(yīng)電流值為30^A;在還原型的電子介體的濃度為50(HiM的情況下，假定反應(yīng)電流值為50nA。將它們標(biāo)繪在圖表上，畫出校正曲線。這樣一來(lái)，根據(jù)濃度己知的標(biāo)準(zhǔn)試樣得到校正曲線。接著，使用濃度未知的試樣液，利用圖4所示的電化學(xué)測(cè)定裝置獲得反應(yīng)電流值。在這里得到的反應(yīng)電流值為20jiA的情況下，能夠根據(jù)校正曲線得知試樣液中所含的還原型的電子介體的濃度。由該還原型的電子介體的濃度，計(jì)算出試樣液中所含的(或者己包含的)目標(biāo)物質(zhì)的量。此外，實(shí)際上，校正曲線的制作和目標(biāo)物質(zhì)的量的計(jì)算等都可以在計(jì)算機(jī)上進(jìn)行，這是無(wú)需贅言的。(關(guān)于參考電極、輔助電極的說(shuō)明)也可以使用一個(gè)對(duì)電極代替參考電極42和輔助電極43這兩個(gè)電極進(jìn)行測(cè)定。但是優(yōu)選參考電極42和輔助電極43獨(dú)立地設(shè)置。這是因?yàn)?，在作為電位基?zhǔn)的參考電極或者對(duì)電極中流通電流的期間，在其表面進(jìn)行電極反應(yīng)，如果伴隨反應(yīng)進(jìn)行的電子介體的濃度變化增大，本實(shí)施方式的檢測(cè)裝置的作為基準(zhǔn)的電位就會(huì)發(fā)生變動(dòng)，不能進(jìn)行正確的測(cè)定。因此，優(yōu)選盡可能將輸入阻抗設(shè)定得較大，使得電流不流入?yún)⒖茧姌O42。優(yōu)選的阻抗的值為10的6次方以上。參考電極42可以使用銀氯化銀電極、飽和甘汞電極等。優(yōu)選輔助電極43的表面積較大。輔助電極43的優(yōu)選的表面積為氧化電極32W的集合體41的10倍以上。其理由是，在輔助電極43的電極表面積小、沒(méi)有流通足夠的電流的情況下，由電化學(xué)測(cè)定用電極板10得到的電流不會(huì)充分地流入控制裝置45，有時(shí)不能得到正確的電流值，或者有時(shí)為了流通電流而導(dǎo)致輔助電極43的電位較大地變動(dòng)，會(huì)發(fā)生水的電解等不希望的反應(yīng)。作為輔助電極43，優(yōu)選使用難以引起電極本身的氧化還原反應(yīng)和腐蝕反應(yīng)的貴金屬電極。例如，優(yōu)選使鉑黑在鉑線中析出、具有較大的電極面積的鉑電極。(實(shí)施方式2)如圖11所示，在本實(shí)施方式2中，在上層31的上表面設(shè)置有網(wǎng)狀的過(guò)濾器111M。在使用從血液中分離的血漿成分作為測(cè)定所使用的試樣液的情況下，有時(shí)沒(méi)有完全分離而混入的血細(xì)胞成分、蛋白成分、固化的血栓等會(huì)堵塞貫通孔32H。為了防止這樣的情況，在電極系統(tǒng)外經(jīng)過(guò)利用過(guò)濾器的過(guò)濾，向電極供給試樣液，在此基礎(chǔ)上，通過(guò)在上層31上形成具有過(guò)濾功能的過(guò)濾器111M，能夠防止貫通孔32H被血栓等堵塞。根據(jù)需要，也可以在下層33的下側(cè)設(shè)置過(guò)濾器(未圖示)。(實(shí)施方式3)如圖13所示，在本實(shí)施方式3中，不僅氧化電極板32E、還原電極板32e，也可以一體地形成參考電極131E、輔助電極133e。在該結(jié)構(gòu)中，不必附加圖4所示的參考電極42和輔助電極43,因而能夠使裝置小型化。參考電極131E優(yōu)選形成于上層31的上表面。參考電極133e優(yōu)選形成于下層33的下表面。此外，在將實(shí)施方式2所示的過(guò)濾器設(shè)置在該實(shí)施方式3所示的電化學(xué)測(cè)定用電極板上時(shí)，可以在過(guò)濾器111M上設(shè)置參考電極131E，相反也可以在過(guò)濾器111M下設(shè)置參考電極131E。在實(shí)施方式13的說(shuō)明中，為了方便，氧化電極32W設(shè)置在基板本體32S的上側(cè)，還原電極32w設(shè)置在基板本體32S的下側(cè)。這只不過(guò)是為了說(shuō)明的方便。將各圖所示的電化學(xué)測(cè)定用電極板翻轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)的情況，當(dāng)然也包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。實(shí)施方式3的參考電極131E和輔助電極133e也是同樣。即，也可以參考電極131E設(shè)置在下層33的下側(cè)，輔助電極133e設(shè)置在上層31的上側(cè)。(實(shí)施例)-下面，利用實(shí)施例和比較例，進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。(實(shí)施例1)圖5是本發(fā)明的實(shí)施例1中的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。并且，在圖5至圖10、圖12和圖14中，僅表示出一個(gè)貫通孔32H,但實(shí)際上設(shè)置有在各實(shí)施例、比較例中說(shuō)明的數(shù)量的貫通孔32H。首先，如圖5(a)和圖5(b)所示，在由表面形成有l(wèi)Mm的SK)2膜的厚度為0.5mm的硅基板(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社生產(chǎn))構(gòu)成的基板50的上表面，如下所述，利用濺射法形成氧化電極板51。即，將基板50安裝在濺射裝置(株式會(huì)社ULVAC生產(chǎn))內(nèi)的規(guī)定位置之后，依次使鉻和金成膜。具體而言，在壓力1.3Pa、氬氣氣氛中，進(jìn)行10秒的鉻的濺射、50秒的金的濺射，形成總體為130nm的膜厚。由此形成氧化電極板51。接著，如圖5(c)所示，在基板50的下表面，與氧化電極板51同樣地形成還原電極板52。進(jìn)一步，如圖5(d)所示，如下所述在氧化電極板51上形成上層53和上層開(kāi)口部54。g卩，采用旋涂法，在氧化電極板51的上表面涂覆2拜厚度的感光性樹脂材料(化藥Microchem株式會(huì)社生產(chǎn)SU-82000)。然后，在70'C進(jìn)行30分鐘烘焙之后，使用具有上層開(kāi)口部54的圖案的鉻掩模，進(jìn)行60秒的密合曝光，由此將掩模圖案復(fù)制到樹脂材料上。然后，在顯影液中在20'C進(jìn)行300秒的顯影，并進(jìn)行水洗、干燥，在上層53上形成矩陣狀的上層開(kāi)口部54。這里，關(guān)于實(shí)施例1中的上層開(kāi)口部54進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。該上層開(kāi)口部54為正方形。其一邊為15nm，面積為225nm2。上層開(kāi)口部54的個(gè)數(shù)為10000個(gè)，鄰接的上層開(kāi)口部54的中心點(diǎn)之間的距離為18|jm。如圖5(e)所示，與形成上層開(kāi)口部54的順序同樣，在還原電極板52的下側(cè)形成下層55和下側(cè)開(kāi)口部56。接著，通過(guò)對(duì)氧化電極板51進(jìn)行蝕刻，如下所述形成上側(cè)孔57。即，在氧化電極板51上涂覆厚度為45pm的抗蝕劑材料(東京應(yīng)化工業(yè)株式會(huì)社生產(chǎn)TSMR-8900LB)。將該涂覆有抗蝕劑的基板50放入烘箱中，在10(TC、30分鐘的條件下進(jìn)行預(yù)烘焙工序，在12(TC、30分鐘的條件下進(jìn)行后期烘焙工序。然后，使用具有孔57的圖案的鉻掩模，利用掩模對(duì)準(zhǔn)器(MaskAligner)(MIKASA株式會(huì)社生產(chǎn))，進(jìn)行60秒的密合曝光。接著，在顯影液中在25'C進(jìn)行120秒顯影，并進(jìn)行水洗、干燥，將掩模圖案復(fù)制在抗蝕劑上。接著，如圖5(f)所示，將基板放入氬氣研磨裝置中，在氬氣流量12sccm、壓力0.03Pa、電子束電流90mA的條件下依次對(duì)由金和鉻構(gòu)成的氧化電極板31E進(jìn)行蝕刻。由此，在基板上形成多個(gè)上側(cè)孔57。所形成的上側(cè)孔57為圓形，其面積為78.5^im2。在基板50上形成的上側(cè)孔57的個(gè)數(shù)為10000個(gè)。其中，各上側(cè)孔57的中心形與上側(cè)開(kāi)口54的中心一致。進(jìn)一步，如圖5(g)所示，與在氧化電極板51形成上側(cè)孔57的順序完全相同地在還原電極板52形成下側(cè)孔58。最后，如圖5(h)所示，接著將形成有上側(cè)孔57和下側(cè)孔58的基板50放入反應(yīng)性離子蝕刻裝置，以下側(cè)孔58作為掩模圖案，在C2F6氣體的流量25sccm、壓力0.25Pa、150W的條件下對(duì)基板50進(jìn)行15分鐘的蝕刻。由此，在基板50上形成多個(gè)貫通孔59(圖5(h))。由此，得到實(shí)施例1的電化學(xué)測(cè)定用電極板。(比較例1)為了進(jìn)行比較，制作現(xiàn)有的電化學(xué)測(cè)定用電極板。以下表示其制作順序。如圖6所示，在作為基板60的表面形成有l(wèi)pm的Si02膜的厚度為0.5mm的硅基板(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社)的上表面，使由鉻和金構(gòu)成的下部電極61成膜。成膜條件與圖5(b)相同。接著，如圖6(c)所示，使用等離子體CVD裝置(株式會(huì)社ULVAC生產(chǎn))，在下部電極61的上表面堆積厚度430nm的由Si02構(gòu)成的絕緣層62。成膜條件為，硅垸氣體流量10sccm,N20氣體流量200sccm、壓力80Pa、功率50W、基板溫度300。C。并且，如圖6(d)所示，使由鉻和金構(gòu)成的表面電極63成膜。成膜條件與圖5(b)相同。接著，如圖6(e)所示，在表面電極63的上表面，涂覆厚度為23^m的抗蝕劑材料64，并進(jìn)行顯影、水洗、干燥，將掩模圖案復(fù)制在抗蝕劑64上。所使用的抗蝕劑和形成抗蝕劑圖案的條件與關(guān)于圖5(d)所說(shuō)明的條件相同。然后，如圖6(f)所示，形成細(xì)微孔65。利用氬氣研磨裝置，依次對(duì)未形成抗蝕劑64的部分，即露出的表面電極63的部分進(jìn)行蝕刻。氬氣研磨的條件為，氬氣氣體的流量12sccm，壓力0.03Pa，電子束電流90mA。最后，使用反應(yīng)性離子蝕刻裝置，在絕緣層62形成多個(gè)細(xì)微孔65。反應(yīng)性離子蝕刻的條件為，C2F6氣體的流量25sccm,壓力0.25Pa，功率150W。這里，對(duì)于比較例1的細(xì)微孔65進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。該細(xì)微孔65為明圓形。其直徑為lO)jm，面積為78.5nm2。細(xì)微孔65的個(gè)數(shù)為10000個(gè)，鄰接的細(xì)微孔65的中心點(diǎn)之間的距離為7(Hmi。其中，如圖6(f)所示，該細(xì)微孔65沒(méi)有貫通下部電極61、基板60。(實(shí)施例1和比較例1的電化學(xué)測(cè)定)使用實(shí)施例1和比較例的電化學(xué)測(cè)定用電極板，如圖4所示，組成電化學(xué)測(cè)定裝置，進(jìn)行電子介體的定量評(píng)價(jià)。將lmM的亞鐵氰化鉀和lmM的鐵氰化鉀(共計(jì)2mM)添加到含有50mM的支持電解質(zhì)(氯化鉀)的水溶液中，由此調(diào)制試樣液。作為參考電極，使用銀/氯化銀電極(BAS株式會(huì)社生產(chǎn))。其中，以下的氧化電極的電位和還原電極的電位都是相對(duì)于該用作參考電極的銀/氯化銀電極的電位。通過(guò)引線將實(shí)施例1的電化學(xué)測(cè)定用電極板與雙恒電位儀(bipotentiostat)(CHinstruments公司生產(chǎn)ALS740A)連接。將氧化電極板51的電位設(shè)定為0V、還原電極板52的電位設(shè)定為0V、氧化電極板51的電位的掃描施加速度設(shè)定為100mV/s之后，直至最終的氧化電極板51的電位成為+0.7V為止，利用循環(huán)伏安法測(cè)定在氧化電極板51中流通的反應(yīng)電流。其反應(yīng)為化學(xué)式1所示的亞鐵氰化鉀的氧化反應(yīng)。氧化電極板51的電位為+0.6V到+0.7V之間觀測(cè)到恒定電流。+0.7V的反應(yīng)電流為39.8nA。同樣，使用比較例1的電化學(xué)測(cè)定用電極板，將作為氧化電極發(fā)揮功能的下部電極2的電位以掃描施加速度100mV/s從0掃描施加到十0.7V。作為還原電極發(fā)揮功能的表面電極4的電位設(shè)定為0V。其結(jié)果，即使在下部電極，也觀察到伴隨化學(xué)式1所示的亞鐵氰化鉀的氧化反應(yīng)的氧化電流。在下部電極61的電位為+0.6至+0.7V之間觀測(cè)到恒定電流。+0.7V的反應(yīng)電流為22.5^A?；瘜W(xué)式1Fe(CNV4—Fe(CNV3+e-實(shí)施例1和比較例1的實(shí)驗(yàn)結(jié)果總結(jié)在下述表1中。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>可以認(rèn)為這是因?yàn)槿绻m用圖2的自引發(fā)氧化還原循環(huán)的說(shuō)明圖考慮，在比較例1中距離微小電極遠(yuǎn)的部分的大電極22b被氧化后的亞鐵氰化鉀沒(méi)有被用于微小電極21上的氧化反應(yīng)，與此相對(duì)，實(shí)施例1中全部的亞鐵氰化鉀僅在微小電極21上被氧化，因此氧化反應(yīng)的電流值有效地增加。在本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板中，在基板上配置有多個(gè)具有相同形狀和面積的微小電極對(duì)。由此，各個(gè)電極對(duì)彼此之間的反應(yīng)面積相同，如上所述的大電極上的亞鐵氰化鉀的反應(yīng)不發(fā)生或者顯著減少。由此，在兩電極間進(jìn)行有效的氧化還原反應(yīng)。另外，對(duì)于比較例1的構(gòu)成微小電極的下部電極61和實(shí)施例1的構(gòu)成電化學(xué)測(cè)定用電極的氧化電極板51，對(duì)施加+0.4V的電位而得到的氧化電流的時(shí)間依賴性進(jìn)行評(píng)價(jià)。實(shí)施例1的還原電極板52的電位和比較例1的表面電極63的電位保持為0V。其結(jié)果，實(shí)施例1的氧化電流值用6秒達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)，而比較例1的氧化電流值達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)則需要26秒(表2)?？梢哉J(rèn)為這是因?yàn)橛捎谂c比較例1的下部電極相比，上部電極的面積大，所以需要達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)的時(shí)間，與此相對(duì)，實(shí)施例1的氧化電極與具有相同面積的還原電極形成電極對(duì)，所以兩極間立即達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>由以上結(jié)果可以確認(rèn)本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板的效果。(比較例2)-為了驗(yàn)證實(shí)施例1的上層開(kāi)口部54和下層開(kāi)口部56的面積對(duì)電子介體的定量評(píng)價(jià)的影響，按照以下順序制作比較例2的電化學(xué)測(cè)定用電極板?；镜闹谱黜樞蚺c圖5相同，所以僅說(shuō)明不同點(diǎn)。在比較例2中，正方形的上層開(kāi)口部54的一邊為1000nm，面積為100000(Hun2。上層開(kāi)口部54的個(gè)數(shù)為10個(gè)，鄰接的上層開(kāi)口部54的中心點(diǎn)之間的距離為1500拜。使用該電極，與實(shí)施例1同樣，利用循環(huán)伏安法進(jìn)行反應(yīng)電流的計(jì)測(cè)，在氧化電極板51的電位為+0.6至+0.7V之間觀測(cè)到恒定電流。+0.7V的反應(yīng)電流為20.7|_iA。同樣，也評(píng)價(jià)氧化電流的時(shí)間依賴性。在比較例2的氧化電極中流動(dòng)的電流達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)需要35秒(表2)。推測(cè)這是因?yàn)樵诒景l(fā)明的電化學(xué)測(cè)定用電極板中設(shè)置的開(kāi)口部的面積為100000(Hm^的較大的情況下，如圖2所示，出現(xiàn)在還原電極上距離氧化電極較近的部分和較遠(yuǎn)的部分，應(yīng)該在氧化電極上氧化的還原體在還原電極上發(fā)生反應(yīng)，因而沒(méi)有在氧化電極上發(fā)生有效的反應(yīng)。(實(shí)施例2)圖7是本發(fā)明的實(shí)施例2的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。直至氧化電極板51和還原電極板52的形成工序(ac)為止與實(shí)施例1同樣進(jìn)行。接著，按照實(shí)施例1中采用的順序，依次蝕刻參考電極板51、基板50、還原電極板52,以等間距的方式形成5000個(gè)截面積為100pm2的貫通孔59(ce)。接著，在氧化電極板51的上側(cè)形成上層53和上層開(kāi)口部54。并且，在還原電極板52的下層形成下層55和下層幵口部56。上層53和下層55的材料使用厚度為5pm的干膜抗蝕劑(旭化成工業(yè)株式會(huì)社生產(chǎn)，SUNFORT)。上層開(kāi)口部54和下層開(kāi)口部56各形成5000個(gè)。這些開(kāi)口部的截面積為900pm2。上層開(kāi)口部和下層開(kāi)口部的形成方法與實(shí)施例1相同(fi)。經(jīng)過(guò)以上工序，得到本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板。使用本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的試驗(yàn)。如表1所示，在氧化電極51觀測(cè)到的電流值比比較例1的下部電極61的電流值大。進(jìn)一步如表2所示，在氧化電極51觀測(cè)到的電流值達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)所需要的時(shí)間為10秒，比比較例1所需的時(shí)間短。由以上結(jié)果可以確認(rèn)本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板的效果。(實(shí)施例3)圖8是實(shí)施例3的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。在本實(shí)施例中，經(jīng)過(guò)與實(shí)施例1同樣的氧化電極板51和還原電極板52的形成工序(bl、b2)、上層和下層形成工序(cl、c2)、上層開(kāi)口部和下層開(kāi)口部形成工序(dl、d2)、上側(cè)貫通孔和下側(cè)貫通孔形成工序(el、e2、fl、G)。其結(jié)果，形成氧化電極形成基板80A、還原電極形成基板80B。通過(guò)將上述2個(gè)基板以各自的下表面粘合，得到本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板(g)。上層開(kāi)口部54和下層開(kāi)口部56的截面積為卯0pm2，將它們等間距地形成1000個(gè)。貫通孔59的截面積為314pm2。使用本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極，進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的試驗(yàn)，結(jié)果如表1所示得到與實(shí)施例1相同的結(jié)果。由以上結(jié)果可以確認(rèn)本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板的效果。(實(shí)施例4)圖9是實(shí)施例4的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。絕緣性基板50使用厚度為0.5mm的熱固性的酚醛樹脂材料(PM-8200住友Bakelite生產(chǎn))。在上述基板上形成氧化電極板51和還原電極板52(ac)。接著，進(jìn)行上述的形成電極板后的基板的貫通孔形成加工。將鑄型90加熱到160°C，從還原電極板52的下表面完全貫通至氧化電極51的上表面，保持這樣的溫度10分鐘(d)。接著，以5'C/分鐘的速度逐漸冷卻至室溫，然后在室溫保持10分鐘。接著，抽出鑄型90，從而形成1000個(gè)貫通孔59。這些貫通孔的截面積為314^m2。接著，按照與實(shí)施例2同樣的順序形成1000個(gè)上層53和上層開(kāi)口部54、下層55和下層開(kāi)口部56(fi)。這些開(kāi)口部的面積為6400nm2。由此，得到本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板。使用本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板，進(jìn)行與實(shí)施例r同樣的試驗(yàn)，結(jié)果如表i所示得到與實(shí)施例i同樣的結(jié)果，由以上結(jié)果可以確認(rèn)本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板的效果。(實(shí)施例5)圖10是實(shí)施例5的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖?；?0使用在表面形成有l(wèi)pm的SK)2膜的直徑為4英寸、厚度為0.5mm的硅基板(信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社生產(chǎn))。在其兩面的整個(gè)表面形成10nm的鈦膜。接著，通過(guò)真空吸附，將其下表面固定在涂料器的工作臺(tái)100上(a)。工作臺(tái)100使用有孔卡盤(porous-chuck)(株式會(huì)社吉岡精工生產(chǎn))。其吸附部由經(jīng)過(guò)燒結(jié)的氧化鋁多孔體形成。在上述基板50的上表面的整個(gè)面上涂覆直徑5nm的鈀顆粒分散液(溶劑己烷)，使其厚度為500nm。接著，利用附帶排氣設(shè)備的電爐進(jìn)行300'C、3小時(shí)的燒制，形成氧化電極51。然后，在下表面也同樣涂覆鈀顆粒分散液，經(jīng)燒制形成還原電極52(b)。接著，按照與實(shí)施例1同樣的順序形成1000個(gè)貫通孔59。貫通孔的截面積為2500pm2(ce)。接著，按照與實(shí)施例2同樣的順序，形成1000個(gè)上層53和上層開(kāi)口部54、下層55和下層開(kāi)口部56。開(kāi)口部的截面積為1000pm2(fi)。經(jīng)過(guò)以上的工序，得到本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板。利用原子間力顯微鏡觀察所獲得的電化學(xué)測(cè)定用電極板的氧化電極表面和還原電極表面。其結(jié)果，能夠確認(rèn)在氧化電極表面和還原電極表面聚集有直徑大約為50nm的微粒的結(jié)構(gòu)。另一方面，采用成膜方法制作的鈀電極表面，僅觀察到反映出在基板的研磨中形成的研磨傷的形狀，不能確認(rèn)微粒結(jié)構(gòu)。下面進(jìn)行本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板的氧化電極表面積的估計(jì)。如果單純地假定直徑為50nm的鈀顆粒的半球覆蓋基板50的表面，則半球的表面積的總和為幾何面積的大約30倍。采用成膜方法制作的電極表面幾乎為平坦的，因此其表面積幾乎與幾何面積一致。由此可知，本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板具有比釆用成膜方法制作的電極更大的電極面積。這與電極的反應(yīng)面積增大相關(guān)。由此，可以確認(rèn)本發(fā)明的電化學(xué)測(cè)定用電極板具有優(yōu)選的性質(zhì)。下面，使用圖12說(shuō)明實(shí)施方式2的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工序。(實(shí)施例6)圖12是實(shí)施例6的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。采用實(shí)施例1的順序，在基板50上形成氧化電極板51、還原電極板52、上層53、上層開(kāi)口部54、下層55、下層開(kāi)口部56和貫通孔59。貫通孔的截面積為100pm2，開(kāi)口部的截面積為1000(Him2，分別形成2500個(gè)(ai)。最后，將由硼硅酸鹽纖維玻璃構(gòu)成的口徑為42pm的過(guò)濾器113M(日本Millipore株式會(huì)社生產(chǎn))切割為規(guī)定的大小之后，使用硅粘合劑固定于上層53上(j)。經(jīng)過(guò)以上工序，得到本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板。將血液中的血漿成分插入本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板，結(jié)果，沒(méi)有完全分離的血細(xì)胞成分、蛋白成分、血栓被過(guò)濾器113M阻擋，僅血漿成分經(jīng)過(guò)上層幵口部54、貫通孔59被供給到下層開(kāi)口部。另一方面，未形成有過(guò)濾器113M的同形狀的電化學(xué)用測(cè)定電極板被部分血栓堵塞，因而貫通孔59不能發(fā)揮功能。這一結(jié)果可以通過(guò)目視確認(rèn)。由以上結(jié)果可以確認(rèn)本實(shí)施方式的電化學(xué)測(cè)定用電極板的效果。接著，使用圖14說(shuō)明實(shí)施方式3的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工序。(實(shí)施例7)圖14是實(shí)施例7的電化學(xué)測(cè)定用電極板的制作工藝的工序截面圖。采用實(shí)施例1的順序，在基板50上形成氧化電極板51、還原電極板52、上層53、上層開(kāi)口部54、下層55、下層開(kāi)口部56和貫通孔59。貫通孔的截面積為lO(Him2，開(kāi)口部的截面積為2500pm2，分別形成5000個(gè)(ai)。接著，在上層53和下層55上覆蓋金屬掩模，使鉑形成100nm的膜(j)。在除去金屬掩模后，留出引線部分向在上層53形成的鉑薄膜涂覆銀/油墨(BAS株式會(huì)社生產(chǎn))。然后，在電爐中以40'C進(jìn)行30分鐘干燥，得到參考電極131E。接著，將平均粒徑為1.010.0拜的鉑粉末(田中貴金屬工業(yè)株式會(huì)社生產(chǎn))分散在乙醇中，制作漿料。留出引線部分向在下層55上形成的鉑薄膜涂覆制作的漿料，并進(jìn)行干燥，得到輔助電極133e。經(jīng)過(guò)以上工序，得到本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極。使用由本實(shí)施例制作的電化學(xué)測(cè)定用電極板與比較例1的電化學(xué)測(cè)定用電極板，組裝電化學(xué)測(cè)定裝置。此時(shí)，本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板的厚度為0.5mm左右，與此相對(duì)，比較例l的電化學(xué)測(cè)定用電極板由于從外部導(dǎo)入?yún)⒖茧姌O和輔助電極，因此厚度為5cm左右。因此，測(cè)定中使用的試樣液的量增加到幾1000倍。這表示通過(guò)將測(cè)定所必需的電極一體地形成在電極板上，能夠得到作為尋求小型化的各種傳感器用電極的優(yōu)選的結(jié)構(gòu)。由此可知，本實(shí)施例的電化學(xué)測(cè)定用電極板適合用作小型傳感器用電極。根據(jù)上述說(shuō)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可知本發(fā)明的許多改良和其它實(shí)施方式。因此，上述說(shuō)明僅應(yīng)該理解為例示，以向本領(lǐng)域技術(shù)人員示教實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選方式為目的提供。在不脫離本發(fā)明精神的范圍內(nèi)，實(shí)質(zhì)上能夠變更其結(jié)構(gòu)和/或者功能的詳細(xì)內(nèi)容。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的電化學(xué)測(cè)定用電極板具有高氧化還原循環(huán)的效果，作為構(gòu)成以葡萄糖傳感器為代表的生物體物質(zhì)等微量成分的傳感設(shè)備的電極非常有用。另外，也能夠應(yīng)用于構(gòu)成色譜分析的檢測(cè)器的電極的用途等。權(quán)利要求1.一種電化學(xué)測(cè)定用電極板，其特征在于，包括由絕緣體構(gòu)成的基板；在所述基板的上表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的上層；和在所述基板的下表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的下層，所述基板包括夾在所述基板的上表面和所述上層之間的多個(gè)氧化電極；和夾在所述基板的下表面和所述下層之間的多個(gè)還原電極，所述上層具有多個(gè)上層開(kāi)口部，所述各氧化電極從所述各上層開(kāi)口部露出，所述下層具有多個(gè)下層開(kāi)口部，所述各還原電極從所述各下層開(kāi)口部露出，在所述基板上設(shè)置有從所述各氧化電極的上表面至所述各還原電極的下表面貫通的多個(gè)貫通孔，所述各上層開(kāi)口部的面積與所述各下層開(kāi)口部的面積相同，所述各上層開(kāi)口部的面積為10000μm2以下，所述各下層開(kāi)口部的面積為10000μm2以下。2.如權(quán)利要求l所述的電化學(xué)測(cè)定用電極板，其特征在于-所述各上層開(kāi)口部的面積為225拜2以上，所述各下層開(kāi)口部的面積為225pm2以上。3.如權(quán)利要求l所述的電化學(xué)測(cè)定用電極板，其特征在于所述貫通孔的截面積為l拜2以上250(Him2以下。4.如權(quán)利要求l所述的電化學(xué)測(cè)定用電極板，其特征在于所述下層的厚度為5pm以上100pm以下。5.—種電化學(xué)測(cè)定裝置，其包括參考電極、輔助電極和電化學(xué)測(cè)定用電極板，或者包括對(duì)電極和電化學(xué)測(cè)定用電極板，其特征在于所述電化學(xué)測(cè)定用電極板包括基板；在所述基板的上表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的上層；和在所述基板的下表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的下層，所述基板包括夾在所述基板的上表面和所述上層之間的多個(gè)氧化電極；和夾在所述基板的下表面和所述下層之間的多個(gè)還原電極，所述上層具有多個(gè)上層開(kāi)口部，所述各氧化電極從所述各上層開(kāi)口部露出，所述下層具有多個(gè)下層開(kāi)口部，所述各還原電極從所述各下層開(kāi)口部露出，在所述基板上設(shè)置有從所述各氧化電極的上表面至所述各還原電極的下表面貫通的多個(gè)貫通孔，所述各上層開(kāi)口部的面積與所述各下層開(kāi)口部的面積相同，所述各上層開(kāi)口部的面積為10000^11112以下，所述各下層開(kāi)口部的面積為10000^1112以下。6.如權(quán)利要求5所述的電化學(xué)測(cè)定裝置，其特征在于所述各上層開(kāi)口部的面積為225pm2以上，所述各下層開(kāi)口部的面積為225pm2以上。7.如權(quán)利要求5所述的電化學(xué)測(cè)定裝置，其特征在于-所述貫通孔的截面積為lpm2以上2500pm2以下。8.如權(quán)利要求5所述的電化學(xué)測(cè)定裝置，其特征在于所述下層的厚度為5拜以上lOOpm以下。9.如權(quán)利要求5所述的電化學(xué)測(cè)定裝置，其特征在于所述輔助電極的表面積為所述氧化電極的集合體的IO倍以上。10.如權(quán)利要求5所述的電化學(xué)測(cè)定裝置，其特征在于在所述上層的上表面設(shè)置有網(wǎng)狀的過(guò)濾器。11.如權(quán)利要求5所述的電化學(xué)測(cè)定裝置，其特征在于-所述參考電極形成于所述上層的上表面，所述輔助電極形成于所述下層的下表面。12.—種利用電化學(xué)測(cè)定裝置對(duì)試樣液中所含的目標(biāo)物質(zhì)進(jìn)行定量的方法，該電化學(xué)測(cè)定裝置包括參考電極、輔助電極和電化學(xué)測(cè)定用電極板，或者包括對(duì)電極和電化學(xué)測(cè)定用電極板，該方法的特征在于，所述方法包括以下工序調(diào)制含有電子介體的試樣液的工序；準(zhǔn)備所述電化學(xué)測(cè)定用電極板的工序；接觸工序；電流測(cè)定工序；和根據(jù)通過(guò)所述電流測(cè)定工序得到的電流計(jì)算所述目標(biāo)物質(zhì)的量的計(jì)算工序，其中，在準(zhǔn)備所述電化學(xué)測(cè)定用電極板的工序中，所述電化學(xué)測(cè)定用電極板包括由絕緣體構(gòu)成的基板；在所述基板的上表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的上層；禾口在所述基板的下表面設(shè)置的由絕緣體構(gòu)成的下層，所述基板包括夾在基板的上表面和所述上層之間的多個(gè)氧化電極；和夾在所述基板的下表面和所述上層之間的多個(gè)還原電極，所述上層具有多個(gè)上層開(kāi)口部，所述各氧化電極從所述各上層開(kāi)口部露出，所述下層具有多個(gè)下層開(kāi)口部，所述各還原電極從所述各下層開(kāi)口部露出，在所述基板上設(shè)置有從所述各氧化電極的上表面至所述各還原電極的下表面貫通的多個(gè)貫通孔，所述各上層開(kāi)口部的面積與所述各下層開(kāi)口部的面積相同，所述各上層開(kāi)口部的面積為10000iLin^以下，所述各下層開(kāi)口部的面積為1000(Hm^以下，并且，在接觸工序中，使所述參考電極、所述輔助電極和所述電化學(xué)測(cè)定用電極板與所述試樣液接觸，或者使所述對(duì)電極和所述電化學(xué)測(cè)定用電極板與所述試樣液接觸，在電流測(cè)定工序中，對(duì)所述氧化電極板掃描施加正電位，并且對(duì)所述還原電極板施加負(fù)電位，或者對(duì)所述氧化電極板施加正電位，并且對(duì)所述還原電極板掃描施加負(fù)電位，由此測(cè)定在所述氧化電極板和所述還原電極的各自中流通的電流。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述各上層開(kāi)口部的面積為225pm2以上，所述各下層開(kāi)口部的面積為225pm2以上。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述貫通孔的截面積為l拜2以上2500pm2以下。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述下層的厚度為5pm以上100pm以下。16.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述輔助電極的表面積為所述氧化電極的集合體的10倍以上。17.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于在所述上層的上表面設(shè)置有網(wǎng)狀的過(guò)濾器。18.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于-所述參考電極形成于所述上層的上表面，所述輔助電極形成于所述下層的下表面。全文摘要本發(fā)明的目的在于提供一種電化學(xué)測(cè)定用電極板，其能夠以良好的靈敏度檢測(cè)和定量微量地含有在生物體內(nèi)的物質(zhì)。本發(fā)明的電化學(xué)測(cè)定用電極板(10)，在基板本體(32S)的兩面具備通過(guò)相同面積的上層開(kāi)口部(31W)和下層開(kāi)口部(33w)而被開(kāi)口的氧化電極(32W)和還原電極(32w)，并且具備從氧化電極(32W)的上表面貫通至還原電極(32w)的下表面的多個(gè)貫通孔(32H)，通過(guò)對(duì)氧化電極(32W)施加能夠使還原體進(jìn)行氧化反應(yīng)的電位并對(duì)還原電極(32w)施加能夠使氧化體進(jìn)行還原反應(yīng)的電位，形成在氧化電極(32W)和還原電極(32w)間表現(xiàn)出氧化還原循環(huán)效果的電極對(duì)。文檔編號(hào)G01N27/30GK101595381SQ200880001929公開(kāi)日2009年12月2日申請(qǐng)日期2008年7月15日優(yōu)先權(quán)日2007年7月20日發(fā)明者佐佐木英弘,沖明男申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社