專利名稱：磁共振成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁共振成像(MRI)裝置，具備通過通電而產(chǎn)生 傾斜磁場(chǎng)的傾斜磁場(chǎng)線圈。一般來說，MRI裝置在被檢測(cè)者進(jìn)入的空間和傾斜磁場(chǎng)線圈之間 配置圓筒形的繞線管。利用該繞線管，來防止被檢測(cè)者直接接觸傾斜 磁場(chǎng)線圈(例如，參見日本特開平8-196518號(hào)公報(bào))。但是，近年來的MRI裝置在傾斜磁場(chǎng)線圈中流動(dòng)的電流有所增 大。其結(jié)果為，因通電導(dǎo)致的在傾斜磁場(chǎng)線圈中產(chǎn)生的輻射熱也增大。 因此，存在因上述的輻射熱而致使繞線管發(fā)熱并且繞線管溫度變高的 擔(dān)心，有可能給被檢測(cè)者帶來不舒服感。特別是，就近些年的MRI裝置而言，為了改善被檢測(cè)者的舒適 感，希望將送入患者的開口直徑擴(kuò)大。為了它的實(shí)現(xiàn)，縮減了傾斜磁 場(chǎng)線圈和繞線管之間的分離距離，易于因來自傾斜磁場(chǎng)線圈的輻射熱 而使繞線管溫度變高。另外，在MRI裝置中，有時(shí)在靜磁場(chǎng)磁鐵和傾斜磁場(chǎng)線圈之間 配置用來調(diào)整靜磁場(chǎng)均勻性的鐵墊片(Shim)。若該鐵墊片因來自傾 斜磁場(chǎng)線圈的輻射熱而變熱，則鐵墊片帶給靜磁場(chǎng)的影響產(chǎn)生變化， 存在靜磁場(chǎng)均勻性出現(xiàn)變動(dòng)的擔(dān)心。發(fā)明內(nèi)容因?yàn)檫@種情況，所以希望防止傾斜磁場(chǎng)線圈的輻射熱向因此而受 到影響的部位進(jìn)行傳導(dǎo)。本發(fā)明第1方式的磁共振成像裝置具備靜磁場(chǎng)磁鐵，產(chǎn)生靜磁 場(chǎng)；傾斜磁場(chǎng)線圈組件，產(chǎn)生用來與上述靜磁場(chǎng)重疊的傾斜磁場(chǎng)；勻 磁組件，為了調(diào)整上述靜磁場(chǎng)，配置于上述靜磁場(chǎng)磁鐵和上述傾斜磁 場(chǎng)線圈組件之間；熱屏蔽部件，設(shè)置于上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件和上述 勻磁組件之間，屏蔽來自上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的輻射熱。本發(fā)明第2方式的磁共振成像裝置具備靜磁場(chǎng)磁鐵，產(chǎn)生靜磁 場(chǎng)；傾斜磁場(chǎng)線圈組件，產(chǎn)生用來與上述靜磁場(chǎng)重疊的傾斜磁場(chǎng)；發(fā) 送線圈，發(fā)送高頻脈沖；熱屏蔽部件，設(shè)置于上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件 和上述發(fā)送線圈之間，屏蔽來自上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的輻射熱，并 且屏蔽上述高頻脈沖。本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將在下面的詳細(xì)說明部分中列出，并 且，它們根據(jù)說明部分也將是顯而易見的，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明 來獲悉。本發(fā)明的目的和優(yōu)點(diǎn)可以借助于下面具體給出的手段和組合 方式來實(shí)現(xiàn)和獲得。


附圖是說明書的一部分，它們示出了本發(fā)明當(dāng)前的優(yōu)選實(shí)施例， 并且，與上面給出的概要說明和下面給出的優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)說明一 起，闡明本發(fā)明的原理。圖1是表示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式所涉及的磁共振成像裝置(MRI 裝置)結(jié)構(gòu)的附圖。圖2是詳細(xì)表示從圖1中的Z方向看上去時(shí)的傾斜磁場(chǎng)線圈組件 2外圍結(jié)構(gòu)的平面圖。圖3是圖2中的A-A向剖面圖。圖4是表示熱屏蔽部件12、 13結(jié)構(gòu)例的附圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖，對(duì)于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式進(jìn)行說明。圖1是表示本實(shí)施方式所涉及的磁共振成像裝置(MRI裝置)IOO 結(jié)構(gòu)的附圖。MRI裝置100具備靜磁場(chǎng)磁鐵1、傾斜磁場(chǎng)線圈組件2、 傾斜磁場(chǎng)電源3、臥鋪4、臥鋪控制部5、體線圈6、發(fā)送部7、接收 線圈8、接收部9及計(jì)算機(jī)系統(tǒng)10。靜磁場(chǎng)磁鐵1形成中空的圓筒形，在內(nèi)部的空間里產(chǎn)生同樣的靜 磁場(chǎng)。作為該靜磁場(chǎng)磁鐵l，例如使用永久磁鐵或者超導(dǎo)磁鐵等。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2形成中空的圓筒形，配置于靜磁場(chǎng)磁鐵1的 內(nèi)側(cè)。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2組合有與相互正交的X、 Y、 Z各軸對(duì)應(yīng) 的3種線圈。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2其上述的3種線圈從傾斜磁場(chǎng)電源 3分別接受電流供應(yīng)，產(chǎn)生磁場(chǎng)強(qiáng)度沿X、 Y、 Z各軸產(chǎn)生傾斜的傾 斜磁場(chǎng)。還有，Z軸方向例如設(shè)為和靜磁場(chǎng)方向相同的方向。X、 Y、 Z各軸的傾斜磁場(chǎng)例如分別對(duì)應(yīng)于切片選擇用傾斜磁場(chǎng)Gs、相位編 碼用傾斜磁場(chǎng)Ge及讀出用傾斜磁場(chǎng)Gr。切片(Slice)選擇用傾斜磁 場(chǎng)Gs用于任意決定拍攝斷面。相位編碼用傾斜磁場(chǎng)Ge用于按照空 間位置對(duì)磁共振信號(hào)的相位進(jìn)行編碼。讀出用傾斜磁場(chǎng)Gr用于按照 空間位置對(duì)磁共振信號(hào)的頻率進(jìn)行編碼。被檢測(cè)體200在搭載到臥鋪4的平板41上的狀態(tài)下，被送入傾 斜磁場(chǎng)線圈組件2的空洞(拍攝口)內(nèi)。臥鋪4由臥鋪控制部5進(jìn)行 驅(qū)動(dòng)，使臥鋪4按其長(zhǎng)度方向及上下方向進(jìn)行移動(dòng)。通常，設(shè)置臥鋪 4以使該長(zhǎng)度方向和靜磁場(chǎng)磁鐵1的中心軸平行。體線圈(發(fā)送RF線圈)6配置于傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的內(nèi)側(cè)。 體線圈6從發(fā)送部7接受高頻脈沖的供應(yīng)，產(chǎn)生高頻磁場(chǎng)。發(fā)送部7將與拉莫爾頻率對(duì)應(yīng)的高頻脈沖發(fā)送給體線圈6。接收線圈8配置于傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的內(nèi)側(cè)。接收線圈8接收因上述高頻磁場(chǎng)的影響而從被檢測(cè)體放射的磁共振信號(hào)。來自接收線圈8的輸出信號(hào)被輸入接收部9。接收部9根據(jù)來自接收線圈8的輸出信號(hào)，生成磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)10具有接口部101、數(shù)據(jù)采集部102、重新構(gòu)成部 103、存儲(chǔ)部104、顯示部105、輸入部106及控制部107。在接口部101上，連接傾斜磁場(chǎng)電源3、臥鋪控制部5、發(fā)送部 7、接收線圈8及接收部9等。接口部101用來輸入輸出在這些連接 的各單元和計(jì)算機(jī)系統(tǒng)10之間收發(fā)的信號(hào)。數(shù)據(jù)采集部102通過接口部101采集從接收部9輸出的數(shù)字信 號(hào)。數(shù)據(jù)采集部102將所采集的數(shù)字信號(hào)，也就是磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)存 儲(chǔ)于存儲(chǔ)部104中。重新構(gòu)成部103對(duì)存儲(chǔ)部104中所存儲(chǔ)的磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)，執(zhí)行 后處理，也就是傅里葉變換等的重新構(gòu)成，并求取被檢測(cè)體200內(nèi)期 望核自旋的頻譜數(shù)據(jù)或圖像數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)部104按每名患者存儲(chǔ)磁共振信號(hào)數(shù)據(jù)和頻譜數(shù)據(jù)或圖像 數(shù)據(jù)。顯示部105在控制部107的控制之下顯示頻譜數(shù)據(jù)或圖像數(shù)據(jù)等 的各種信息。作為顯示部105，可以利用液晶顯示器等的顯示設(shè)備。輸入部106接受來自操作員的各種指令和信息輸入。作為輸入部 106，可以適當(dāng)利用鼠標(biāo)或跟蹤球等的指示設(shè)備、模式切換開關(guān)等的 選擇設(shè)備或者鍵盤等的輸入設(shè)備?？刂撇?07具有未圖示的CPU或存儲(chǔ)器等，為了實(shí)現(xiàn)眾所周知 的MRI裝置具備的眾所周知的功能，總體控制MRI裝置100的各單 元。圖2及圖3是詳細(xì)表示傾斜磁場(chǎng)線圈組件2外圍結(jié)構(gòu)的附圖，圖 2是從Z方向看到的平面圖，圖3是圖2中的A-A向剖面圖。還有， 在圖3中，各單元內(nèi)部結(jié)構(gòu)的圖示予以省略，只表示出截面的輪廓。另外，圖2及圖3所示的要件一部分在圖1中省略了圖示。再者，在圖2及圖3中，夸大表示出一部分要件的厚度，并且各要件的厚度比 例和實(shí)際有所差異。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2是所謂的主動(dòng)屏蔽式傾斜磁場(chǎng)線圈(activdy shielded gradient coil: ASGC)。如圖3所示，傾斜磁場(chǎng)線圈組件2具 有從內(nèi)圓方按順序疊層了主線圈層21、墊片層22、屏蔽層23及冷卻 層24的結(jié)構(gòu)。主線圈層21將與X、 Y、 Z各軸對(duì)應(yīng)的上述3種線圈(X-主線圈、 Y-主線圈、Z-主線圈)用樹脂模制成圓筒狀，來形成。在墊片層22上，在沿Z軸排列的狀態(tài)下，用樹脂來模制為圓筒 狀以形成圖2所示的多個(gè)墊片空穴22a及多個(gè)冷卻管22b。墊片空穴 22a是沿X軸的細(xì)長(zhǎng)空間，在其內(nèi)部適當(dāng)配置未圖示的鐵墊片。在冷 卻管22b內(nèi)，流動(dòng)用來冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的冷卻液。屏蔽層23接受來自傾斜磁場(chǎng)電源3的電流供應(yīng)，并且用樹脂來 模制為圓筒狀以形成產(chǎn)生下述磁場(chǎng)的3種屏蔽線圈(X-屏蔽線圈、Y-屏蔽線圈、Z-屏蔽線圈)，該磁場(chǎng)用來屏蔽來自主線圈層21的泄漏磁 場(chǎng)。冷卻層24在沿Z軸排列的狀態(tài)下，用樹脂來模制為圓筒狀以形 成圖2所示的多個(gè)冷卻管24a。在冷卻管24a內(nèi)，流動(dòng)用來冷卻傾斜 磁場(chǎng)線圈組件2的冷卻液。還有，傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的各層既可以分別形成，也可以用樹脂進(jìn)行整體模制來形成。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2由在靜磁場(chǎng)磁鐵1的兩側(cè)端部分別安裝了 2 個(gè)的支承組件15來支承。而且，傾斜磁場(chǎng)線圈組件2利用支承組件 15和在傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的兩側(cè)端部分別安裝了 4個(gè)的調(diào)節(jié)組件 16，在和靜磁場(chǎng)磁鐵1之間形成空間。在該空間內(nèi)，鐵墊片14安裝 于靜磁場(chǎng)磁鐵l中，進(jìn)行適當(dāng)配置。在傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的內(nèi)側(cè)，在和傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的內(nèi)面 之間形成空間的狀態(tài)下配置圓筒形的繞線管11。繞線管11例如采用玻璃環(huán)氧樹脂來形成。體線圈6安裝到繞線管11的內(nèi)面上。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2配置于靜磁場(chǎng)磁鐵1的內(nèi)側(cè)表面和繞線管11的外側(cè)表面之間形成的空間內(nèi)。該空間為真空。在傾斜磁場(chǎng)線圈組件2上，分別安裝熱屏蔽部件12、 13，使之 覆蓋其內(nèi)面及外面的整個(gè)面。還有，熱屏蔽部件12、 13不需要一定 覆蓋傾斜磁場(chǎng)線圈組件2內(nèi)面及外面的整個(gè)面，例如也可以構(gòu)成為， 在端部等的一部分上不覆蓋傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的表面。在熱屏蔽部件12、 13中，為了屏蔽傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的輻射 熱，使用反射遠(yuǎn)紅外線的材料。因此，在熱屏蔽部件12、 13中，例 如可以使用金屬性的材料。但是，優(yōu)選的是，熱屏蔽部件12、 13對(duì) 傾斜磁場(chǎng)脈沖是透明的，以使由傾斜磁場(chǎng)線圈組件2產(chǎn)生的脈沖磁場(chǎng) 而產(chǎn)生的渦電流不流過。在作為熱屏蔽部件12、 13使用金屬性的材 料時(shí)，通過充分增大其電阻，就可以對(duì)小于等于傾斜磁場(chǎng)脈沖頻率的 頻率成為透明。具體而言，可以使熱屏蔽部件12、 13的厚度，小于 等于與傾斜磁場(chǎng)脈沖的最大頻率對(duì)應(yīng)的集膚深度。眾所周知，傾斜磁 場(chǎng)脈沖的頻率例如最高是200KHz左右，并且與該頻率對(duì)應(yīng)的集膚深 度是約250;/m。從而，可以使用厚度小于等于250wm的金屬片， 來作為熱屏蔽部件12、 13。另一方面，熱屏蔽部件12、 13如果使其 厚度大于等于與磁共振頻率對(duì)應(yīng)的集膚深度，則還能夠作為高頻屏蔽 部件(RF屏蔽部件)來共同使用。例如，靜磁場(chǎng)的強(qiáng)度為1.5T時(shí)的 磁共振頻率是64MHz。眾所周知，與該磁共振頻率對(duì)應(yīng)的集膚深度 是約8wm。從而，在上述條件的情況下，通過使用厚度大于等于8 wm的金屬片，熱屏蔽部件12、 13還能夠作為RF屏蔽部件來發(fā)揮 作用。但是，雖然用來作為RF屏蔽部件使之發(fā)揮作用的金屬片厚度 在理論上可以設(shè)為集膚深度，但是實(shí)際上為了可靠實(shí)現(xiàn)作為RF屏蔽部件的功能，優(yōu)選的是，設(shè)為集膚深度的3倍厚度。從而，在上述條件的情況下，優(yōu)選的是，使用厚度大于等于24wm的金屬片。再者， 如果確保余量，使用了厚度為30 50//m左右的金屬片，則熱屏蔽 部件12、 13作為RF屏蔽部件良好地發(fā)揮作用。還有，應(yīng)由熱屏蔽部件12、 13屏蔽的RF脈沖例如在體線圈6 上產(chǎn)生。因此，只要熱屏蔽部件12作為RF屏蔽部件良好地發(fā)揮作 用，就不需要將熱屏蔽部件13作為RF屏蔽部件使之發(fā)揮作用。因 此，在MRI裝置100中，熱屏蔽部件12的厚度是作為RF屏蔽部件 良好地發(fā)揮作用的厚度，熱屏蔽部件13與熱屏蔽部件12相比進(jìn)一步 減小了厚度。還有，有時(shí)只采用厚度滿足上述條件的金屬片，無法充分屏蔽傾 斜磁場(chǎng)線圈組件2的輻射熱。這種情況下，如圖4所示，通過將滿足 上述條件的多片金屬片12a、 13a，隔著利用絕緣薄膜等的絕緣層12b、 13b進(jìn)行疊層，來構(gòu)成熱屏蔽部件12、 13。這樣一來，因?yàn)榭梢杂啥?片金屬片12a、 13b分別屏蔽傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的輻射熱，所以熱 屏蔽的效果得到提高，而且因?yàn)楦鱾€(gè)金屬片12a、 13b之間已被電絕 緣，所以對(duì)傾斜磁場(chǎng)脈沖或RF脈沖呈現(xiàn)上述性質(zhì)。如此，根據(jù)本實(shí)施方式，因?yàn)閮A斜磁場(chǎng)線圈組件2的周圍為真空， 所以在來自傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的發(fā)熱之中，輻射熱是決定使繞線管 11或鐵墊片14的溫度上升的主要原因。但是，傾斜磁場(chǎng)線圈組件2 的輻射熱通過熱屏蔽部件12被屏蔽，到繞線管11的到達(dá)量得以減低。 其結(jié)果為，因傾斜磁場(chǎng)線圈組件22的輻射熱導(dǎo)致的繞線管11溫度上 升得到抑制。另外，傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的輻射熱通過熱屏蔽部件 13被屏蔽，到鐵墊片14的到達(dá)量得以減低。其結(jié)果為，因傾斜磁場(chǎng) 線圈組件2的輻射熱導(dǎo)致的鐵墊片14溫度變動(dòng)得到抑制，并且可以 抑制伴隨鐵墊片14溫度變動(dòng)的靜磁場(chǎng)變動(dòng)。傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的輻射熱不向傾斜磁場(chǎng)線圈組件2外排放，而駐留于內(nèi)部。但是，通過下述冷卻液的冷卻作用，來防止傾斜磁場(chǎng) 線圈組件2的溫度上升，該冷卻液在傾斜磁場(chǎng)線圈組件2內(nèi)部所配置的冷卻管22b、 24a內(nèi)流動(dòng)。而且，因?yàn)闊崞帘尾考?2、 13設(shè)定了厚度，以便全都對(duì)傾斜磁 場(chǎng)脈沖成為透明，所以不對(duì)傾斜磁場(chǎng)的形成帶來影響。再者，因?yàn)闊?屏蔽部件12設(shè)定了厚度，以便對(duì)RF脈沖成為不透明，所以能夠屏 蔽在體線圈6等上產(chǎn)生的RF脈沖。因此，盡管不另行設(shè)置RF屏蔽 部件，仍能夠?qū)F脈沖有效照射于被檢測(cè)體200上。本實(shí)施方式可以實(shí)現(xiàn)如下的各種變通實(shí)施。也可以只設(shè)置熱屏蔽部件12、 13的某一個(gè)。作為勻磁組件，既可以取代配置鐵墊片14的結(jié)構(gòu)，而使用由勻 磁線圈來產(chǎn)生修正磁場(chǎng)的結(jié)構(gòu)，或者還可以使用共同利用它們的結(jié) 構(gòu)。冷卻傾斜磁場(chǎng)線圈組件2的機(jī)構(gòu)也可以不內(nèi)置于傾斜磁場(chǎng)線圈 組件2內(nèi)。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，其他優(yōu)點(diǎn)和變通是很容易聯(lián)想得到 的。因此，本發(fā)明就其較寬方面而言，并不限于本申請(qǐng)給出和描述的 具體細(xì)節(jié)和說明性實(shí)施例。因此，在不偏離所附權(quán)利要求及其等同物 定義的總發(fā)明構(gòu)思精神或保護(hù)范圍的前提下，可以做出各種修改。
權(quán)利要求
1.一種磁共振成像裝置，其特征為，具備靜磁場(chǎng)磁鐵，產(chǎn)生靜磁場(chǎng)；傾斜磁場(chǎng)線圈組件，產(chǎn)生用來與上述靜磁場(chǎng)重疊的傾斜磁場(chǎng)；勻磁組件，為了調(diào)整上述靜磁場(chǎng)，配置于上述靜磁場(chǎng)磁鐵和上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件之間；熱屏蔽部件，設(shè)置于上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件和上述勻磁組件之間，屏蔽來自上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的輻射熱。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述勻磁組件至少配置1個(gè)磁性墊片。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述熱屏蔽部件包含下述厚度的金屬片，該厚度小于等于供應(yīng)給上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的傾斜磁場(chǎng)的脈沖頻率上的集膚深度。 4根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述熱屏蔽部件分別隔著絕緣膜將多個(gè)上述金屬片疊層，來構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁共振成像裝置，其特征為上述熱屏蔽部件分別隔著絕緣膜將多個(gè)上述金屬片層疊，來構(gòu)成。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征為 還具備冷卻組件，冷卻上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件內(nèi)置有上述冷卻組件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件配置于真空中。
8. —種磁共振成像裝置，其特征為， 具備靜磁場(chǎng)磁鐵，產(chǎn)生靜磁場(chǎng)；傾斜磁場(chǎng)線圈組件，產(chǎn)生用來與上述靜磁場(chǎng)重疊的傾斜磁場(chǎng)； 發(fā)送線圈，發(fā)送高頻脈沖；熱屏蔽部件，設(shè)置于上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件和上述發(fā)送線圈之 間，屏蔽來自上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的輻射熱，并且屏蔽上述高頻脈 沖。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁共振成像裝置，其特征為上述熱屏蔽部件包含下述厚度的金屬片，該厚度小于等于供應(yīng)給 上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的傾斜磁場(chǎng)脈沖頻率上的集膚深度，且小于等 于上述高頻脈沖頻率上的集膚深度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述熱屏蔽部件是分別隔著絕緣膜將多個(gè)上述金屬片疊層構(gòu)成的。
11. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁共振成像裝置，其特征為 還具備冷卻組件，冷卻上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件內(nèi)置有上述冷卻組件。
13. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁共振成像裝置，其特征為 上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件配置于真空中。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種磁共振成像裝置，用于防止傾斜磁場(chǎng)線圈的輻射熱向受到影響的部位進(jìn)行傳導(dǎo)，為此，本發(fā)明的磁共振成像裝置具備靜磁場(chǎng)磁鐵，產(chǎn)生靜磁場(chǎng)；傾斜磁場(chǎng)線圈組件，產(chǎn)生用來與上述靜磁場(chǎng)重疊的傾斜磁場(chǎng)；勻磁組件，為了調(diào)整上述靜磁場(chǎng)，配置于上述靜磁場(chǎng)磁鐵和上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件之間；熱屏蔽部件，設(shè)置于上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件和上述勻磁組件之間，屏蔽來自上述傾斜磁場(chǎng)線圈組件的輻射熱。
文檔編號(hào)G01R33/20GK101216540SQ200810004080
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2008年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月5日
發(fā)明者坂倉良知, 塙政利 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝;東芝醫(yī)療系統(tǒng)株式會(huì)社