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具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)的制作方法

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專(zhuān)利名稱(chēng):具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)的制作方法
具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái),尤其是一種具可分離電性檢測(cè)系 統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體組件已經(jīng)成為絕大部分電子設(shè)備中不可或缺的核心,遍及社會(huì)大眾 的生活應(yīng)用,例如各種電器、家電用品中的微處理器,照相手機(jī)、數(shù)位相機(jī)內(nèi) 含的CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor,互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo) 體)等,半導(dǎo)體組件的可靠度無(wú)疑成為決定電子設(shè)備可靠度的重要關(guān)鍵。
目前用來(lái)測(cè)試半導(dǎo)體組件的自動(dòng)化測(cè)試機(jī)臺(tái),大致可分為由測(cè)試基座提供 模擬訊號(hào),擷取各輸出腳位輸出訊號(hào)以發(fā)現(xiàn)待測(cè)組件斷路、短路或錯(cuò)接制造誤 失等的模擬測(cè)試(或稱(chēng)電性檢測(cè));以及提供實(shí)際主機(jī)板與周邊,空出待測(cè)半導(dǎo) 體組件位置,將待測(cè)半導(dǎo)體組件置入實(shí)際使用環(huán)境中運(yùn)作的實(shí)境測(cè)試(或稱(chēng)效 能檢測(cè))。
模擬測(cè)試雖可具體獲得完整的電氣特性,但需針對(duì)每-相異待測(cè)組件,個(gè) 別撰寫(xiě)對(duì)應(yīng)的測(cè)試軟件,設(shè)計(jì)提供模擬訊號(hào)的硬件架構(gòu),不僅需耗費(fèi)大量資源
除錯(cuò)才能實(shí)際使用,尤其當(dāng)待測(cè)組件更新設(shè)計(jì)時(shí),更需耐心等候測(cè)試軟件與硬 件匹配臻于完善,所以建立測(cè)試環(huán)境的成本相當(dāng)高,且無(wú)法立即跟隨新產(chǎn)品問(wèn) 世而對(duì)應(yīng)推出測(cè)試設(shè)備,相反地,通常會(huì)產(chǎn)生一段時(shí)間落差。
而實(shí)境測(cè)試并不是以獲得待測(cè)組件的完整電氣特性為H的,因此所獲得的 數(shù)據(jù)并非完備,而是在完全符合使用環(huán)境的測(cè)試環(huán)境中,單獨(dú)留下待測(cè)組件的 空缺,讓受測(cè)組件填補(bǔ)受測(cè)位置,并以實(shí)際機(jī)臺(tái)依照使用狀態(tài)進(jìn)行測(cè)試,雖然每次測(cè)試所需花費(fèi)時(shí)間稍長(zhǎng),但可輕易獲得該待測(cè)組件在實(shí)際使用環(huán)境下的反 應(yīng)狀態(tài),并得知該待測(cè)組件是否可供實(shí)際裝機(jī)。
若所欲量測(cè)的組件為CMOS組件,上述實(shí)境測(cè)試的測(cè)試電路板即為例如 照相手機(jī)的電路板,若所測(cè)組件為顯示卡用的IC,即可以顯示卡作為測(cè)試電 路板,同理,亦可適用于例如網(wǎng)絡(luò)卡、PDA或手機(jī)的母板等;無(wú)論何種卡,多 為市面上常見(jiàn)者,因此實(shí)境測(cè)試的環(huán)境營(yíng)造毫無(wú)困難。
如圖1所示,臺(tái)灣發(fā)明專(zhuān)利第1274029號(hào)中,揭露現(xiàn)有的IC檢測(cè)機(jī),是 以第一置料裝置110容納盛裝待測(cè)IC的料盤(pán),并由移料裝置160將第一置料 裝置110處的待測(cè)IC分別以吸嘴吸取,沿圖示的X-Y平面搬移至第一、二載 送裝置140、 150上,第一、二載送裝置140、 150再將待測(cè)IC左右橫向移載 至對(duì)應(yīng)的測(cè)試裝置130處。
多組測(cè)試裝置130分別包括第一、二載送裝置140、 150后方設(shè)置的數(shù)組 測(cè)試器131及取放機(jī)構(gòu)132,各取放器133不僅負(fù)責(zé)將測(cè)試器131中既有的完 測(cè)IC取出,置放在第一、二載送裝置140、 150上;并隨即將第一、二載送裝 置140、 150上的待測(cè)IC取出,移至測(cè)試器131中以供下一輪檢測(cè)。第--、二 載送裝置140、 150隨即反向?qū)⑼隃y(cè)IC載出,供給予移料裝置160,而由移料 裝置160將完測(cè)IC移出至第二置料裝置120處收納。
該現(xiàn)有技術(shù)的待測(cè)組件在完整檢測(cè)流程中,先后需經(jīng)過(guò)移料裝置160—載 送裝置140、 150—取放器133—測(cè)試器131—取放器133—載送裝置140、 150 —移料裝置160,不斷被吸取與移動(dòng),不僅運(yùn)送流程復(fù)雜、易發(fā)生機(jī)構(gòu)問(wèn)題而 產(chǎn)生運(yùn)作的困擾;再者,所有組件的進(jìn)料/出料移動(dòng),完全仰賴(lài)單一組移料裝 置160運(yùn)作,測(cè)試速度從而減緩。
何況,對(duì)例如CMOS等具備光滑表面以供感光的IC組件,每多一次移動(dòng), 被吸取的表面就多一次可能破壞的威脅,良率從而明顯降低;尤其,移料裝置160僅有一組雙吸嘴運(yùn)作,相鄰的兩吸嘴一吸一放之間,每次只能搬移一個(gè)待 測(cè)半導(dǎo)體組件,完全無(wú)法符合產(chǎn)業(yè)大量檢測(cè)需求。
當(dāng)然, 一般遭逢此種大量檢測(cè)需求時(shí),立即反應(yīng)就是將吸嘴增多,每次搬 移多個(gè)待測(cè)組件,且在原先每一裝置處并聯(lián)多組相同單元,讓檢測(cè)速度倍增。 然而,此種單純思考邏輯在實(shí)務(wù)操作過(guò)程中,將面臨單個(gè)檢驗(yàn)時(shí)所不需考慮的 新問(wèn)題,例如當(dāng)多個(gè)被批次送入檢驗(yàn)的組件中,有單一個(gè)組件短路,造成該 組測(cè)試裝置電流過(guò)載而當(dāng)機(jī)、并發(fā)出警訊,其它同批組件亦需被同歩退出,改 由人力去除該短路組件,才能重新將同批組件送回正常測(cè)試軌道。
因此,發(fā)明人乃構(gòu)思在進(jìn)行前述效能檢測(cè)前,先進(jìn)行簡(jiǎn)單化的電性檢測(cè), 將短路等具有重大問(wèn)題的半導(dǎo)體組件先行剔除,再進(jìn)入效能檢測(cè)的流程。
由于電性檢測(cè)的機(jī)臺(tái)與效能檢測(cè)的機(jī)臺(tái),在現(xiàn)行狀況下,個(gè)別價(jià)格都不菲, 也因此沒(méi)有廠商蓄意將兩者結(jié)合。尤其此種簡(jiǎn)單化的電性檢測(cè),其實(shí)不需運(yùn)用 電性檢測(cè)機(jī)臺(tái)的全部性能,若將其直接整合進(jìn)入效能檢測(cè)機(jī)臺(tái),實(shí)有大材小用 的委屈。何況, 一旦半導(dǎo)體組件的制程進(jìn)一步改良后,短路的劣質(zhì)組件所占比 例日漸降低,此電性檢測(cè)的需求也同步減低,在效能檢測(cè)機(jī)臺(tái)中整合電性檢測(cè) 電路,也將成為畫(huà)蛇添足之舉。
換言之,如圖2所示依照目前狀況,需分別使用兩套設(shè)備,即電性檢測(cè)機(jī) 臺(tái)與效能檢測(cè)機(jī)臺(tái),在歩驟202中先將多個(gè)待測(cè)組件置在一測(cè)試座;并于步驟
204判斷所有組件是否置放平整且未被迭置,若未置放平整或有迭置狀況則須 進(jìn)行步驟206將其修正;反之,若已置放平整則直接在下一歩驟208進(jìn)行電性 檢測(cè),若依照檢測(cè)結(jié)果不符合標(biāo)準(zhǔn),則判斷該組件為不良品,需在步驟210中 剔退;初步通過(guò)電性檢測(cè)者,需再進(jìn)行效能檢測(cè),并且由于經(jīng)過(guò)不同機(jī)臺(tái)間的 移動(dòng),此時(shí)仍需在步驟212再度確認(rèn)待測(cè)組件是否平整且無(wú)迭置狀況,若不平 整則在步驟214修正,否則在步驟216進(jìn)行效能測(cè)試,若判斷待測(cè)組件未通過(guò)測(cè)試,則在步驟218剔退該不良組件,反之則通過(guò)檢測(cè),進(jìn)入下一制程。
如此,雖能減少機(jī)臺(tái)不必要的當(dāng)機(jī)與耗費(fèi)人力資源處理的成本,但一方面 待測(cè)組件經(jīng)過(guò)兩套測(cè)試設(shè)備中各步驟的多次吸取移動(dòng),與前述現(xiàn)有技術(shù)一樣,
可能在待測(cè)組件表面造成刮傷、污損;而對(duì)表面完整度及潔凈度有最高要求的 例如感光組件CMOS等,即意謂提升不良率與成本。
因此,若能提供一種視需要而可選擇將電性檢測(cè)與效能檢測(cè)串聯(lián)運(yùn)作,亦 可將兩者各自獨(dú)立運(yùn)作;且即便串聯(lián)運(yùn)作,仍可大幅減少待測(cè)半導(dǎo)體組件的移
動(dòng)次數(shù),不僅可提升測(cè)試精度與效率、更能降低測(cè)試過(guò)程中損壞待測(cè)組件的機(jī) 率與整體測(cè)試成本,無(wú)疑將有效增加測(cè)試機(jī)臺(tái)的市場(chǎng)接受度,也提升機(jī)臺(tái)使用 者獲得的運(yùn)用彈性與經(jīng)濟(jì)效益。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之一 目的,在提供--種可串聯(lián)電性檢測(cè)系統(tǒng)與效能檢測(cè)系統(tǒng)的具可 分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái),且電性檢測(cè)系統(tǒng)可分離而獨(dú)立作 業(yè),使機(jī)臺(tái)運(yùn)用的彈性有效提升。
本發(fā)明之另一目的,在提供一種雖串聯(lián)電性檢測(cè)系統(tǒng)與效能檢測(cè)系統(tǒng),但 待測(cè)組件無(wú)須實(shí)質(zhì)移動(dòng),大幅減少待測(cè)組件移動(dòng)次數(shù)、縮減測(cè)試時(shí)間的具可分 離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)。
本發(fā)明之再一目的,在提供一種待測(cè)組件實(shí)質(zhì)移動(dòng)次數(shù)減少,避免待測(cè)組 件因位移繁復(fù)而損壞的具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)。
本發(fā)明之又一目的,在提供一種效能檢測(cè)系統(tǒng)可搭配電性檢測(cè)系統(tǒng)運(yùn)作, 購(gòu)置成本有效降低,且可提升檢測(cè)效率的具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件 測(cè)試機(jī)臺(tái)。
為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明目的,提供如下技術(shù)方案
本發(fā)明具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái),是供多個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件的電性與實(shí)境測(cè)試,該機(jī)臺(tái)包括實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)和電性檢測(cè)系統(tǒng),該實(shí)境 測(cè)試系統(tǒng)包括多個(gè)分別形成有多個(gè)容置槽、用以承載多個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件的 測(cè)試座;多個(gè)用以檢測(cè)該等待測(cè)半導(dǎo)體組件位置的位置狀態(tài)感測(cè)裝置;多個(gè)分
別對(duì)應(yīng)各該測(cè)試座的測(cè)試裝置,各該測(cè)試裝置分別具有本體、及相對(duì)該本體沿 一方向移動(dòng)的測(cè)試臂,各該測(cè)試臂分別具有多個(gè)分別對(duì)應(yīng)該等容置槽的下壓
部;多個(gè)將該等測(cè)試座在啟始位置、對(duì)應(yīng)各該感測(cè)裝置、測(cè)試裝置位置、及出 料位置間移動(dòng)的遞送裝置;及多個(gè)分別安裝在各該容置槽或下壓部之一、用以 電性連接各該待測(cè)半導(dǎo)體組件的連接器。該電性檢測(cè)系統(tǒng)包括多個(gè)供檢測(cè)該
等半導(dǎo)體組件電性數(shù)據(jù)的電性檢測(cè)裝置;用以將該實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)的該等連接器
電性連接至各該電性檢測(cè)裝置的連接端口;這樣,該電性檢測(cè)系統(tǒng)以可分離的 電性連結(jié)至該實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)。
通過(guò)本發(fā)明,可靈活運(yùn)用機(jī)臺(tái)資源,各類(lèi)型的半導(dǎo)體組件在同一測(cè)試座中, 進(jìn)行外加的電性檢測(cè)后,可在原測(cè)試位置繼續(xù)進(jìn)行效能檢測(cè),不必承受無(wú)謂的 搬移,減少損壞機(jī)率;且電性檢測(cè)機(jī)臺(tái)可獨(dú)立運(yùn)作,效能檢測(cè)機(jī)臺(tái)造價(jià)從而無(wú) 須提高;檢測(cè)機(jī)臺(tái)的操作彈性從而增加;尤其檢測(cè)流程簡(jiǎn)便,批次檢測(cè)的速度 提升,且能確實(shí)檢測(cè)每一待測(cè)半導(dǎo)體組件,充分發(fā)揮測(cè)試機(jī)臺(tái)功能,有效提升 檢測(cè)效率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)臺(tái)灣發(fā)明專(zhuān)利1274029各裝置架構(gòu)示意圖; 圖2是現(xiàn)有半導(dǎo)體檢測(cè)的電性檢測(cè)與效能檢測(cè)流程圖; 圖3是本發(fā)明檢測(cè)機(jī)臺(tái)的外觀立體示意圖; 圖4是本發(fā)明具體實(shí)施例的俯視示意圖; 圖5是本發(fā)明具體實(shí)施例的操作流程圖。110...第一置料裝置
130…測(cè)試裝置
132...取放機(jī)構(gòu)
140...第一載送裝置
150...第二載送裝置
160...移料裝置
3...機(jī)臺(tái)
40...電性檢測(cè)系統(tǒng) 404...連接端口 422...測(cè)試座 46...測(cè)試裝置 462…測(cè)試臂 466...連接器 48...遞送裝置 502~526...步驟
120…第二置料裝置
Bl...測(cè)試器
133...取放器
202~218...步驟
4...實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)
402...電性檢測(cè)裝置
420...容置槽
44…感測(cè)裝置
460…本體
464...下壓部
47...控制裝置
49…光源
具體實(shí)施方式
有關(guān)本發(fā)明的前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效,在以下配合參考附圖的 較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中,將可清楚的呈現(xiàn)。
本發(fā)明具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái)較佳實(shí)施例,圖3為 機(jī)臺(tái)3的外觀立體示意;圖4則為其俯視示意圖,是供多個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件如 CMOS等的電性測(cè)試與實(shí)境測(cè)試,本實(shí)施例中,是以具有四組測(cè)試區(qū)的檢測(cè)機(jī) 臺(tái)為例,且例釋每測(cè)試區(qū)單次可測(cè)試4個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件,故每批次可施測(cè) 4x4=16個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件,從而具有高度測(cè)試效率。
機(jī)臺(tái)3包含實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)4、電性檢測(cè)系統(tǒng)40、及控制裝置47。本例中,實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)4包括多組成套對(duì)應(yīng)配置的測(cè)試座422、位置狀態(tài)感測(cè)裝
置44、測(cè)試裝置46、及遞送裝置48。
為便于理解,以下一并參照?qǐng)D5的運(yùn)作流程,并以單一測(cè)試區(qū)作為說(shuō)明
每一上述測(cè)試座422上,分別形成有多個(gè)用以承載待測(cè)半導(dǎo)體組件(圖未示)的 容置槽420,當(dāng)步驟502時(shí),遞送裝置48會(huì)將測(cè)試座422保持在啟始位置, 并將待測(cè)組件移放至測(cè)試座422的容置槽420以開(kāi)始檢測(cè)。
隨后,步驟504時(shí),每一位置狀態(tài)感測(cè)裝置44將以例如光纖,投射一光 束至測(cè)試座422并以光學(xué)傳感器接收而計(jì)算待測(cè)組件的反射狀態(tài),以確認(rèn)待測(cè) 組件是被放置在容置槽420中的一個(gè)平面上,不會(huì)在后續(xù)測(cè)試過(guò)程中被意外壓 毀,更不致?lián)p及機(jī)臺(tái)本身。若發(fā)現(xiàn)待測(cè)組件位置不正確或可能有重迭放置的風(fēng) 險(xiǎn),則須在步驟506將測(cè)試座422退出修正,以避免檢測(cè)結(jié)果不正確、或損壞
待測(cè)組件甚至檢測(cè)設(shè)備的情況發(fā)生。
位置檢核無(wú)誤的待測(cè)組件將隨測(cè)試座422,在步驟508中,由遞送裝置48 移動(dòng)至對(duì)應(yīng)各該感測(cè)裝置44的位置,進(jìn)行電性及效能檢測(cè)。多個(gè)分別對(duì)應(yīng)測(cè) 試座422的測(cè)試裝置46分別具有本體460、及相對(duì)該本體460沿一方向移動(dòng) 的測(cè)試臂462;各測(cè)試臂462則分別具有對(duì)應(yīng)在容置槽420的下壓部464。本 例中,多個(gè)連接器466分別被安裝在各容置槽420中,藉此,當(dāng)下壓部464下 降,抵壓至待測(cè)組件時(shí),將使得待測(cè)組件底部的接腳分別電性連接至連接器 466,以讀出待測(cè)組件受測(cè)結(jié)果。
當(dāng)然,本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所能輕易理解,此處的連接器亦可反向設(shè)置在 下壓部底側(cè),而在下壓部下降時(shí),直接電連接至待測(cè)組件的頂面接腳。
步驟510中,控制裝置47將確認(rèn)電性檢測(cè)系統(tǒng)40中的連接端口 404是否 已電連接至實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)4中的連接器466,由此判斷是否需在進(jìn)行效能檢測(cè) 前,先進(jìn)行電性檢測(cè)。本例中電性檢測(cè)系統(tǒng)40包括多個(gè)供檢測(cè)該等半導(dǎo)體組件電性數(shù)據(jù)的電性檢測(cè)裝置402;及上述連接端口 404。
若步驟512中判斷為連接狀態(tài),即表示須先進(jìn)行電性檢測(cè),并以測(cè)試裝置 46的測(cè)試臂462下壓,對(duì)待測(cè)組件開(kāi)始進(jìn)行電性檢測(cè)。否則,即判斷為無(wú)需 進(jìn)行電性檢測(cè),直接跳至步驟518進(jìn)行效能檢測(cè)。若步驟514時(shí)未通過(guò)電性檢 測(cè),意即該待測(cè)組件為不良品,須在步驟516中將不良品剔退。
無(wú)論是否進(jìn)行電性檢測(cè),在步驟518中待測(cè)組件在通過(guò)步驟504平整測(cè)試 后,都將被移置于測(cè)試位置,以進(jìn)行效能檢測(cè);本例中,由于待測(cè)組件系以 CMOS組件為例,故在實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)4的各測(cè)試裝置46中,分別包括供對(duì)應(yīng) 各該測(cè)試座422的光源49,以提供適當(dāng)?shù)臋z測(cè)光束至容置槽中的CMOS組件 感測(cè)部。
由于本案所揭露的機(jī)臺(tái)搬移待測(cè)組件次數(shù)減少,也無(wú)須接受多重檢測(cè),節(jié) 省許多時(shí)間、避免無(wú)辜不良品產(chǎn)生。若待測(cè)組件通過(guò)步驟520中的測(cè)試,遞送 裝置48將在次一步驟522將待測(cè)組件移至出料位置,完成連續(xù)性的檢測(cè)。若 步驟520中未通過(guò)效能檢測(cè),即判斷為不良品,在步驟524將不良品剔退。
依照上述的方法,可通過(guò)本發(fā)明在同一測(cè)試位置連續(xù)進(jìn)行電性檢測(cè)與效 能檢測(cè),雖連續(xù)進(jìn)行兩項(xiàng)檢測(cè),卻不必大費(fèi)周章搬移待測(cè)組件,除縮短測(cè)試 時(shí)間,更可保護(hù)待測(cè)組件的安全,可大幅減少可能疏失及降低檢測(cè)成本,更 進(jìn)而能提升測(cè)試的精度與效率,因此通過(guò)本發(fā)明確實(shí)可以有效達(dá)成本案的所 有上述目的。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此, 本領(lǐng)域中的技術(shù)人員任何基于本發(fā)明技術(shù)方案上非實(shí)質(zhì)性變更均包括在本 發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
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權(quán)利要求
1.一種具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件檢測(cè)機(jī)臺(tái),供多個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件的電性與實(shí)境測(cè)試,其特征在于,該機(jī)臺(tái)包含實(shí)境測(cè)試系統(tǒng),該實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)包括多個(gè)分別形成有多個(gè)容置槽、用以承載多個(gè)待測(cè)半導(dǎo)體組件的測(cè)試座;多個(gè)用以檢測(cè)該等待測(cè)半導(dǎo)體組件位置的位置狀態(tài)感測(cè)裝置;多個(gè)分別對(duì)應(yīng)各該測(cè)試座的測(cè)試裝置,各該測(cè)試裝置分別具有本體、及相對(duì)該本體沿一方向移動(dòng)的測(cè)試臂,各該測(cè)試臂分別具有多個(gè)分別對(duì)應(yīng)該等容置槽的下壓部;多個(gè)將該等測(cè)試座在啟始位置、對(duì)應(yīng)各該感測(cè)裝置、測(cè)試裝置位置、及出料位置間移動(dòng)的遞送裝置;及多個(gè)分別安裝在各該容置槽或下壓部之一、用以電性連接各該待測(cè)半導(dǎo)體組件的連接器;及電性檢測(cè)系統(tǒng),該電性檢測(cè)系統(tǒng)包括多個(gè)供檢測(cè)該等半導(dǎo)體組件電性數(shù)據(jù)的電性檢測(cè)裝置;用以將該實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)的該等連接器電性連接至各該電性檢測(cè)裝置的連接端口,這樣,該電性檢測(cè)系統(tǒng)是以可分離的電性連結(jié)至該實(shí)境測(cè)試系統(tǒng)。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體組件檢測(cè)機(jī)臺(tái),其特征在于,其進(jìn)一步包 含用以將該等連接器電性連接至各該對(duì)應(yīng)電性檢測(cè)裝置,或該實(shí)境測(cè)試系統(tǒng) 的各該對(duì)應(yīng)測(cè)試裝置的控制裝置。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái),其特征在于,該實(shí)境測(cè)試 系統(tǒng)的各該測(cè)試裝置分別包括供對(duì)應(yīng)各該測(cè)試座的光源。
全文摘要
一種具可分離電性檢測(cè)系統(tǒng)的半導(dǎo)體組件測(cè)試機(jī)臺(tái),在檢視待測(cè)半導(dǎo)體組件是否被正確置放后,將待測(cè)半導(dǎo)體組件移至待測(cè)位置,通過(guò)連接器的切換,先電連接至電性檢測(cè)系統(tǒng)而進(jìn)行電性檢測(cè)后,在原測(cè)試位置切換進(jìn)行效能檢測(cè)的連續(xù)性檢測(cè)程序;連貫測(cè)試程序、降低吸取移動(dòng)待測(cè)組件次數(shù),降低待測(cè)組件因此損壞的機(jī)率,同步提升檢測(cè)的效能與組件受檢測(cè)后的妥善率。并可因應(yīng)需求而將上述兩系統(tǒng)分離,單獨(dú)對(duì)待測(cè)半導(dǎo)體組件進(jìn)行效能檢測(cè)程序,從而避免機(jī)臺(tái)成本無(wú)謂增加,提升使用彈性。
文檔編號(hào)G01R1/02GK101315405SQ20071010986
公開(kāi)日2008年12月3日 申請(qǐng)日期2007年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月1日
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