專利名稱：順磁性的氧測量裝置以及用于制造和用于操作這種氧測量裝置方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種順磁性的氧測量裝置以及用于制造和用于操作這種氧測量裝置方法，如權利要求1、2、3和21、22及23的前序部分所述。
背景技術：
在現(xiàn)有技術中，已知有兩種主要的測量方法用于測量氣體混合物中的氧含量。在所謂的在氧化鋯表面的基礎上進行工作的固體電解質-傳感器中，化學反應導致產生一種離子流，該離子流與氧含量成正比地給出測量效應。形成另一種方法的是物理傳感器，這類傳感器不以化學反應為前提，而是使用氧分子的順磁性質。氧分子經受到沿著一個磁場向更高場強的場強梯度的偏轉力。其中，發(fā)生一個測量室的一種繞流，磁場經過極靴而被帶入到該繞流中。于是，產生氧的富集，例如在一個磁路的極靴之間。在此又存在兩種不同的固有測量計值的方法。
在本發(fā)明及其發(fā)展方案中所用的結構形式都涉及一種配有測量室的測量裝置，在該測量室中可轉動地安置了一個啞鈴狀的試樣體或一個置換體。于是，試樣體的偏轉是通過空隙中的氣體的密度不同于周圍氣體室中的氣體的密度而實現(xiàn)的。其中，所產生的啞鈴形試樣體的偏轉是對于氧濃度的直接尺度。這時，啞鈴狀試樣體可旋轉地在其重心懸置，其旋轉軸亦延伸通過其重心。
利用安裝在其上的反射鏡和光學元件，該裝置-亦稱之為光秤，可實現(xiàn)高度靈敏的位置探測，這時的試樣體的偏轉亦是對于測量氣體中所存在的氧濃度的一個尺度。一個被安置在啞鈴狀試樣體上的線圈可以在磁場內向啞鈴狀試樣體施加一種復位力。在所獲得的信號和氧濃度之間得出一種線性關聯(lián)，此時作為測量值，對流量加以計值，該流量是為了在沒有氧的情況下將試樣體送回到其原始位置上所需要的。
這種測量方法在DE 230 18 25 A1中公開過。該方法固然能夠實現(xiàn)氧含量的高靈敏測量，但在已知的傳感器中仍有如下缺點采用常規(guī)方法制出的試樣體達不到短的反應時間。因此，該裝置會比較惰性。這種情況在下述條件下尤其如此，即，當啞鈴狀試樣體和氣體室相應地設計為大容積時，如在已知的測量裝置上那樣。
為了能夠制成具有小的氣體體積和小的啞鈴狀試樣體的這種順磁性的氧測量裝置，就不能再使用常規(guī)的方法。為此，該裝置必須配置氣體輸入導管和排出導管以及相應的電氣部件和磁性部件，其中對常規(guī)結構形式上的小型化有很大限制。對于達到短的響應時間的另一個問題是在相應小型化的測量裝置上仍須保證測量氣體的有利繞流。其中，必須滿足既要盡可能快速實現(xiàn)氣體交換同時又要減小氣體流中的變化對試樣體的影響的各項要求。當然，在這種測量裝置小型化的情況下，污染也會起著明顯的不良作用，所以必須加以避免。

發(fā)明內容
從上述狀況出發(fā)，本發(fā)明的目的是，進一步改進所述的那種順磁性的氧測量裝置，以達到一方面，為了取得短的響應時間，可以實現(xiàn)測量裝置的適合的小型化；另一方面，測量裝置的制造能夠高度功能整合地可靠進行，具有可再現(xiàn)的設備參數；能以這樣一種合適的方式實現(xiàn)繞流，即，使得該繞流適配于小型化的測量室，從而獲得一種具有短的反應時間的測量裝置。
按照本發(fā)明，所提出的目的針對按照權利要求1的前序部分所述的順磁性的氧測量裝置，是通過權利要求1中特征部分的特征得以實現(xiàn)的。
在依本發(fā)明的所提出的目的的解決方案中，一個變型方案或一項發(fā)展是由權利要求2中所述特征給定的。
考慮到所提出的目的，在權利要求3中，針對一種更有利的繞流，給出了本發(fā)明的一種結構形式。
順磁性的氧測量裝置的其他有利發(fā)展在從屬權利要求4至20中述及。
考慮到按照權利要求21前序部分所述的一種方法，針對制造方法所提出的目的，依本發(fā)明，是通過權利要求21特征部分的特征得以實現(xiàn)的。
考慮到符合所提出的目的的小型化測量室的合適結構，依本發(fā)明，測量室是采用具有權利要求22中所述特征的制造方法得以實現(xiàn)的。
考慮到適合于順磁性的氧測量裝置運行的一種操作方法，依本發(fā)明，該氧測量裝置是通過權利要求23特征部分的特征得以實現(xiàn)的。
本發(fā)明提出的如權利要求1所述的結構形式的核心在于試樣體保持在一彈簧裝置上并安置在一個裝配框架內；試樣體、彈簧裝置和裝配框架是材料接合地彼此相連而呈平面結構(扁平結構)，例如通過腐蝕工藝，或者也可通過沖壓工藝加工出來。
與現(xiàn)有的結構形式有所不同的是，試樣體不是通過一種后配的懸掛裝置而是按一種張力帶形式被保持的。這種保持是通過整體式結合的彈簧實現(xiàn)的。各彈簧是如此安置的，使得它們允許試樣體圍繞一中軸線旋轉或者作另一彈性運動(線性移動)?？傊?，各彈簧在不偏移的狀態(tài)中是平的，也就是說與啞鈴狀試樣體處于一個平面中。
與當前已有的結構形式相比，傳感器的尺寸大大減小了，其中，傳感器的小型化達到了所求的減小氣體體積的目的。從而可以更快速地實現(xiàn)測量氣體的更換，即使這時流速減小，亦能如此。響應時間由此變短，測量誤差減少，流動的氣體對試樣體的作用也減小了。
考慮到該氧測量裝置的細節(jié)構造，本發(fā)明的核心在于該測量裝置，包括一個測量室、極靴和磁體，由呈夾層式的多個平面結構的功能層組成。其中，一層一層地彼此疊置，再利用接合技術彼此連接起來，從而產生一個密致的氣體室，該氣體室可以被事先布置的空隙和通道繞流。通過采用激光切割技術以使各個層結構化，也可使用高溫穩(wěn)定性的材料如陶瓷。這就是從該夾層式結構中獲得的直接優(yōu)點。切割激光的簡單而又極準確的可控制性，可以制造出復雜的幾何構形，具有甚高精密度，而且在制造工藝上還具有很高的可重復性。在采用這種結構化過程中，也可為日后的裝配做出必要的標記。準確的止擋棱邊和裝配孔等也是用得著的。
考慮合適的繞流，本發(fā)明的核心在于測量室具有一種平面結構的啞鈴體，該啞鈴體垂直于平面至少有一個測量氣體輸入口和至少一個測量氣體輸出口，從而使得測量室可以垂直于該平面地繞流。作為對此有利的結構形式，可用一種扁平結構形式的順磁性的氧測量裝置，如上面已就平的測量室和疊層結構形式所設定的那樣。按這樣一種裝置，傳感器單元的尺寸小了很多。其中，測量氣體首先在測量單元外面平行于傳感器平面而分布到整個傳感面上，這一過程很快完成，因為在這一范圍內要實現(xiàn)任意的氣體橫斷面和速度，而不會妨礙傳感器的試樣體。于是，快速的氣體交換就沿著最小的傳感器單元尺寸的方向，即垂直于傳感器平面，也就是垂直于平面地予以實施，因為在這一方向中測量氣體必定越過最短的距離。其中，為了能夠使測量氣體進入到傳感器單元中，在平的結構的平面中的大面積的測量單元壁是如此設計的，使得它們在一些確定的位置處可以讓氣體無阻礙地通過，此外，按另一項有利的發(fā)展，還可截止微粒物和液體，也就是說，它們是可半滲透性的。
于是所獲得的氣體擴散也可用于氣體穩(wěn)定，從而依本發(fā)明所達到的小型化測量室或者說小型化的啞鈴形試樣體不會受到流體壓力的加載。
作為其他的有利發(fā)展，概述如下試樣體的至少一側設計成反射鏡或者加以反射性涂層，或者整體上包含一個反射鏡。在這種情況下也就可以放棄涂層，只是基于試樣體材料的折射率差利用一種反射，并以周圍的氣體進行工作。反射鏡同一個與之相應的光束共同形成一個所謂的光秤，該光秤檢測試樣體的旋轉。
在另一項有利的發(fā)展中，作了如下設定至少將一個補償線匝蒸滲鍍在或添加在試樣體上。這一補償線匝用來補償由于氧所引起的對試樣體的力。
通過傳感器高度的減小，便可減小磁路的極靴的間距。這一情況又會引起較大的磁場強度，從而達到氧的更大富集，并從而提高傳感器或者說測量裝置自身的靈敏度。
按另一項有利的發(fā)展，試樣體可以設計成內空的。試樣體這種空心的設計形式可導致進一步減少響應時間，但其制造工藝就復雜得多了。因此也可以選擇另外的設計，即，也可將試樣體設計成實心的。
其結構可以如此選擇，使得它不要日后裝配，可借助微型化技術的結構性設計方法進行加工處理。按另一項有利的發(fā)展，也可將電氣元件集成到氧測量裝置的例如用硅做成的支承框架上。
此外，可進行硅涂層，使用氧化硅、碳化硅，或使用氮化硅，借以使表面對于在腐蝕性氣體條件下進行的測量也具有抵抗能力。
按測量裝置的層結構或疊層結構的設計形式，作為原始材料也可使用半成品，這類半成品，市售的有不同材料厚度和規(guī)格。為此，所用材料規(guī)格例如為4″×4″，或材料厚度為幾分之一個毫米的(例如0.25mm)至幾個毫米。由于使用平面的原始材料，所以部件的膨脹系數可以符合目的地相適配，并達到對某些介質的抗腐蝕穩(wěn)定性。
此外，采用層結構設計方式，可以精密地構造氧測量裝置，使得在制造該氧測量裝置時只須注意到外棱邊符合一致就行了。采用激光加工方法和腐蝕技術，便可在各個層內實現(xiàn)具有甚高精密度的輪廓。
各個層可以用陶瓷或半導體材料制成。其中，可以有選擇地規(guī)定采用內涂層，借以形成對侵蝕性氣體的相應抵抗力。
其中，根據另一項發(fā)展、各個層也可采用粘接彼此接合起來。在此可使用已知的粘接劑，也可用環(huán)氧樹脂粘接劑。根據另一項發(fā)展，也可做如下設定使用所謂的填充有固體微粒物的粘接劑。通過確定用以填充粘接劑的相應固體微粒物的尺寸，便可以能再現(xiàn)地定出接縫的尺寸。
其他可選擇的接合技術可以是釬焊、熔焊，或采用所謂的玻璃焊接。根據另一項有利的發(fā)展，還可結合一些通道和孔口，它們可以通過腐蝕法或機械處理方法而被加設到相應的各個層中，在各個層的疊置過程中就被封閉起來了。
通過相應的內輪廓成形，在相應的層中加設用于極靴的配合孔，這些極靴此后可作為相應的同樣是扁平的金屬部件嵌置進去，必要時可加以粘合。此外，利用這種層結構構成形式，可以將氧測量裝置的結構高度也就是測量室的結構高度減小到如此程度，使得磁路的極靴的間距可以彼此緊密地相靠，從而獲得一個較大的磁場強度，以充分利用測量效應，使測量裝置整體上更為靈敏。
針對于順磁性的氧測量裝置的繞流的特定結構，形成測量單元的壁部都可設計成可半滲透性的。這就是說，在固有的測量室的外面，測量氣體可以平行于啞鈴形試樣體的平面加以引導，這時測量氣體便垂直于啞鈴形試樣體的平面地流入到可半滲透的測量單元的壁部中。
在此情況下基本上有兩個設計方案。第一個方案涉及到一個氣體輸入口和一個氣體輸出口，其中，它們都位于啞鈴形試樣體的同一側上，這就是說，氣體垂直于平面地流入，圍繞啞鈴形試樣體流動，然后被側向偏導，再從氣體輸出口被導引出去。
第二個設計方案是至少一個氣體輸入口被安置在啞鈴形試樣體的一側上，氣體輸出口或者說至少一個氣體輸出口被安置在試樣體的另一側上。在述及的第二種情況下，可以順利地流過測量室，結果在每個區(qū)段都是垂直于試樣體的平面地流通。
根據一個實施例，采用各自最大為0.5mm厚的陶瓷基片，配備一個可活動的其厚度小于0.5mm的試樣體，其中，測量單元的容積約為20×15×0.5mm3。
可半滲透的氣體輸入口、必要時還有氣體輸出口被安置到相應的作為測量室的封蓋設定的層的壁部中。這些可半滲透的區(qū)域是如此加以打孔的，即，使得一方面可以獲得所述的半透性亦即可半滲透性，具體地說，是沿著氣體輸入口或氣體輸出口的所確定的相關方向如此滲透，使得凝結的液體或微粒物被按要求地過濾出來。這種過濾是機械性地實施的，在相應選擇的打孔(孔隙)情況下過濾是充分的。
但原則上提出了這樣的要求，即，特別是在測量室選擇得如此小的情況下，微粒物或微滴必須要被濾出。


下面將參照附圖對本發(fā)明作詳細說明。
附圖表示；圖1平面的整體式傳感器室的設計圖，不帶蓋圖2疊層式結構圖3第一種繞流方案圖4第二種繞流方案具體實施方式
圖1表示順磁性的氧測量裝置的一個俯視圖，或者說，是傳感器單元或測量室內部的一個俯視圖，不帶有側蓋，也就是說是敞開的。試樣體的典型長度為2至15毫米，寬度為0.5至3毫米，高度為0.1至2毫米，由兩個分室構成，這兩個分室經過一橋接件而彼此連接起來?；蛘?，試樣體可以設計成空心的或實心的。試樣體上的空室和實心部位的比例選擇是通過對所要求的慣性矩的調節(jié)而加以確定的。按這里所介紹的情況，橋接件的壁厚為0.1mm，寬度為0.2mm。試樣體、彈簧件和裝配框架或保持框架在此都是整體地用硅制成的，為此，各個部件在其結構成形上是采用蝕刻法例如各向異性濕刻技術或各向異性反應性離子蝕刻，由硅片制造出來的。
在試樣體本身上，采用薄層工藝成形出一個線匝，經由該線匝可以引入一補償電流，利用此補償電流即可旋轉處于外磁場中的啞鈴形試樣體。其中，補償電流做了如此確定，使得它能夠再次恢復由于測量效應如上所述地引起的偏移。然后，補償電流間接地就是測量效應，從該測量效應可求得氧濃度。線匝可以采用汽相蒸鍍法、濺射法或電鍍法加以生產?？紤]摻雜添加？其中，作為材料可使用Au、Ag、Cu、Pt或Al。有意地放棄提及Ta(鉭)？此外，在某種條件下仍當考慮到Ta。試樣體，如果它是按空心結構形式設計的，也可由一個上側和一個下側利用一個其厚度典型地為0.05至0.2mm的蓋板氣密地封閉加以成形。作為用于蓋板的材料也可使用硅或玻璃。
試樣體是經過支承彈簧如此地懸置的，使得它可以對稱于中軸線進行旋轉運動。所指的保持彈簧就是疊合的板簧或回紋式彈簧，其寬度典型地為0.01至0.05mm，其高度為0.1至2mm。彈簧的間距為0.1至0.5mm。在回紋式彈簧上按薄層工藝設計了饋電引線4，該饋電引線可以向試樣體上的線匝供給補償電流。這些彈簧被固定在一個外面的支承框或裝配框架上，其中，這種連接也同樣是整體式的即材料接合的。支承框架帶有接觸點，這些接觸點與彈簧上的饋電引線實現(xiàn)導電連接。這一點也可用簡單的工藝予以實現(xiàn)，如由芯片設計所知曉的那樣。
為了讀出試樣體的偏移，在試樣體的一外表面上涂敷一個反射層。這種涂層在所示的情況下可以在試樣體的縱側上實施。另一方面也可以考慮在試樣體的橫側上涂敷反射層。還有一個可能性，就是通過凹的或凸的表面建立一個具有反射性能的反射鏡。經由支持框架上的一個凹穴可以輸入一個光束，并利用反射的光束來檢測出啞鈴形試樣體的位置。反射層是采用蒸鍍或濺射的方法制成的，最好由Au或Pt形成?；蛘撸脺p小的反射層反射率，也可進行工作，為此，可充分利用試樣體材料和外圍的氣體之間基于折射率躍遷的試樣體表面上的反射。減小的反射率與折射率躍遷有什么關系呢？為了不受腐蝕性氣體侵害以達到保護的目的，測量單元可以涂敷保護層，如氮化硅層、碳化硅或氧化硅層。其中，不僅是有待封閉測量室的內壁可加以涂層，各個組件如彈簧和/或試樣體也可涂敷保護層。
圖2表示一種實例，是實現(xiàn)了所述疊層或夾層結構形式的一個實施例的分解圖。側向最大的層大致位于示意圖的中心處，它就是圖1中所繪示的內部的氧測量裝置。為方便起見，該氧測量裝置姑且稱之為傳感器芯片。在此可以最清楚地看出整個裝置就是由一個大的對常規(guī)尺寸而言很薄的結構形成的，以傳感器單元為核心部件。向右延伸出去的，是電的接口，必要時可在此電接口上設置意味著厚層的電氣元件，或者利用結合法直接安置到硅片中。向對置的一側延伸出去的，是所形成的一個內空穴，該內空穴與在其上加以涂層過的其余的板相配合而形成一個梯形內孔，爾后可將上述光秤的光電子元件插入到該內孔中。在這里不再詳細加以繪示的啞鈴形試樣體的窄邊一側，可以看到反光鏡，光電子元件與之相匹配。
其上涂層的單個層還含有形成測量室的那些空穴。形成測量室的各薄層包含有氣體供給部分，根據一個實施例，這些氣體供給部分可以設計成半滲透性的，因而也可以用作為過濾元件。
上面和下面是較厚一些的層，這些層設計成磁體載體，可將極靴直接放入到其中。同樣地，可將相應的氣體輸入口安置在這些較厚的層中，氣體輸入口將測量氣體分配到傳感器單元上。在兩個外側則安置磁體，這些磁體經由極靴將磁場帶入到測量室中。
利用這種設計結構就可明確各個層是簡單地疊置的，并形成可自由配置的測量單元的內部輪廓，因此，制造和操作方法可以簡單地實施，而且具有高的可再現(xiàn)性。
圖3表示順磁性的氧測量裝置的繞流的第一個變型方案。在圖3中示出，從一側設置有氣體導管，在同一側還有氣體輸出口。這就是說測量氣體是從外面?zhèn)认虻匾^來的，直至它在壓力P1的條件下到達氣體輸入口，并垂直于試樣體的平面地通過測量單元蓋的可半滲透的層流入。氣體輸出口處于同一側，在此，測量氣體在壓力P2條件下又被排出。
圖4表示第二個變型方案，其中，在一側，測量氣體在壓力P1條件下通過兩個測量氣體輸入口垂直于試樣體的平面地被引入，而后在相對置的一側，即在試樣體的另一側，在壓力P2的條件下才又從兩個平行的開口被輸出。
權利要求
1.順磁性的氧測量裝置，配有一個啞鈴形的、可活動地或彈性地保持的試樣體，該試樣體在一測量室中的一個不均勻磁場內被測量氣體所繞流，其特征在于試樣體保持在一個彈簧裝置上，并安置在一個裝配框架內；試樣體、彈簧裝置和裝配框架材料接合地彼此相連，按平面結構方式構造而成。
2.順磁性的氧測量裝置，配有一個啞鈴形的、可活動地或彈性地保持的試樣體，該試樣體在一測量室中的一個不均勻磁場內被測量氣體所繞流，特別按權利要求1所述，其特征在于所述測量裝置連同一個測量室以及極靴和磁體是由多個平面結構的功能層按層結構形式組成的。
3.順磁性的氧測量裝置，配有一個啞鈴形的、可活動地或彈性地保持的試樣體，該試樣體在一測量室中的一個不均勻磁場內被測量氣體所繞流，特別按權利要求1和/或權利要求2所述，其特征在于測量室垂直于平面地具有至少一個測量氣體輸入口和至少一個測量氣體輸出口，使得測量室可以垂直于平面地被繞流。
4.按以上權利要求中至少一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于啞鈴形試樣體的至少一個外側設計為反射鏡，或者是加以反射性涂層的。
5.按以上權利要求中的任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于在試樣體上蒸鍍上補償線匝。
6.按以上權利要求中的任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于試樣體設計為空心的。
7.按以上權利要求中的任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于試樣體設計為實心的。
8.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于試樣體以及裝配框架和彈簧都是整體地用硅制成的。
9.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于硅至少在與測量氣體相接觸的部位中用氧化硅、碳化硅或氮化硅加以涂層。
10.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于在硅載體上集成有電氣元件。
11.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于測量裝置的層結構的各個層是用常規(guī)的半成品制成的。
12.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于用以按層結構形式組成該傳感器單元的其他各層由陶瓷或玻璃制成。
13.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于各個層通過粘接而彼此接合。
14.按權利要求13所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于所述粘接是采用一種填充有固體/微粒的粘接劑實施的，其中，固體/微粒的粒度根據一定的接縫形成要求來確定。
15.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于至少一種接合工藝是釬焊或熔焊，或者是玻璃焊接。
16.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于在各層中加設有通道和溝槽，它們按層結構形成相應的線路。
17.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于在至少是靠外的層中，分別設置有用于容納極靴的配合口。
18.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于在鄰接測量室的層中，設置有可半滲透的壁區(qū)，其用作為氣體輸入口。
19.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于氣體輸入口和氣體輸出口彼此并列設置在一側上。
20.按以上權利要求中任一項所述的順磁性的氧測量裝置，其特征在于氣體輸入口相對試樣體而言設置在一側上，而氣體輸出口則設置在試樣體的另一側上。
21.用于制造順磁性的氧測量裝置的方法，在該氧測量裝置中配有一個啞鈴形的、可旋轉地保持的試樣體，該試樣體在一測量室中的一個不均勻磁場內被測量氣體所繞流，其特征在于所有各組成部分包括試樣體、彈簧裝置和裝配框架都是整體地由一種載體材料特別是硅用腐蝕法制成的。
22.用于制造順磁性的氧測量裝置的方法，在該氧測量裝置中配有一個啞鈴形的、可旋轉地保持的試樣體，該試樣體在一測量室中的一個不均勻磁場內被測量氣體所繞流，按照權利要求2至20中任一項所述的設置方式，其特征在于在一種疊層結構形式的情況下，設置啞鈴形的試樣體、彈簧裝置和裝配框架，以傳感器層作為中心層，從而用中心層上面和下面的其他的層形成測量室及磁體容納層。
23.用于操作順磁性的氧測量裝置的方法，在該氧測量裝置中配有一個啞鈴形的、可旋轉地保持的試樣體，該試樣體在一測量室中的一個不均勻的磁場內被測量氣體所繞流，按照權利要求1至20中任一項所述的設置方式，其特征在于測量室垂直于試樣體平面地用測量氣體繞流。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種順磁性的氧測量裝置以及用于制造和用于操作這種氧測量裝置方法。這里，為了能夠達到實現(xiàn)短的反應時間的目的，可使測量裝置適當小型化；另外，測量裝置具有高度的功能整合，可依具有可再現(xiàn)性的設備參數加以制造。另一個目的是，能以一種合適的方式實現(xiàn)繞流，使之能適配小型化的測量室，從而獲得具有短的反應時間的一種測量裝置，本發(fā)明提出如下設計試樣體保持在一個彈簧裝置上，并安置在一個裝配框架內；試樣體、彈簧裝置和裝配框架材料接合地彼此相連，按平面結構方式構造而成。
文檔編號G01N24/10GK101059458SQ200710085680
公開日2007年10月24日 申請日期2007年3月6日 優(yōu)先權日2006年4月20日
發(fā)明者B·安德列斯, H·齊格施米特, J·格布哈特, P·克里普納, T·鮑爾, M·韋茨科, P·薩茨 申請人:Abb專利有限公司