專利名稱：液晶顯示裝置、缺陷像素檢查方法和檢查程序及存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置、用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法、缺陷像素檢查程序、以及存儲(chǔ)介質(zhì)，更為特別地本發(fā)明涉及像素缺陷的檢查。
背景技術(shù)：
相關(guān)專利申請(qǐng)的交叉引用本發(fā)明包含的主題涉及于2005年6月13日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)JP 2005-172222，該專利申請(qǐng)?jiān)诖吮灰米鳛閰⒖肌?br> 近年來，顯示裝置迅速變薄，例如液晶裝置(LCD)已經(jīng)變得非常流行。由于這種液晶顯示裝置具有低剖面、重量輕、和低功耗的特點(diǎn)，其在諸如特別是移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、以及便攜TV的所謂移動(dòng)終端中的應(yīng)用已經(jīng)得到增加。此外，液晶顯示裝置已經(jīng)開始用于背投影儀、正投影儀等。
在這種液晶顯示裝置中，有源矩陣液晶顯示裝置已經(jīng)占主導(dǎo)。有源矩陣液晶顯示裝置按特定方式構(gòu)造，其中提供其上設(shè)置有透明像素電極和薄膜晶體管(TFT)的襯底以及具有形成于整個(gè)顯示部分上的一個(gè)透明電極的對(duì)置襯底，而且這些襯底置成相互對(duì)立并將液晶密封在其間。通過控制具有開關(guān)功能的TFT，對(duì)各個(gè)像素電極施加和像素分級(jí)相對(duì)應(yīng)的電壓(下文中稱之為“分級(jí)電壓”)，并在各個(gè)像素電極和對(duì)置襯底的電極之間產(chǎn)生電勢(shì)差，由此改變液晶的透射率并允許顯示圖像。
在其上排列了TFT的襯底上，排列了用于向各個(gè)像素電極施加分級(jí)電壓的多個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)線以及用于施加控制信號(hào)以開關(guān)TFT的多個(gè)柵信號(hào)線。通過數(shù)據(jù)信號(hào)線對(duì)各個(gè)像素電極施加分級(jí)電壓，并在圖像顯示的一個(gè)幀周期內(nèi)，對(duì)連接到該數(shù)據(jù)信號(hào)線的所有像素電極施加分級(jí)電壓，由此允許在液晶顯示部分上顯示圖像。由提供于各個(gè)TFT的輸出電極中的電容性元件(電容器)保持以這種方式施加于各個(gè)像素的分級(jí)電壓，直到施加下一個(gè)分級(jí)電壓為止。
這種液晶顯示裝置通常為透射類型，但諸如硅上液晶(LCOS)的反射類型液晶顯示裝置最近已經(jīng)開始被引入到市場(chǎng)中。對(duì)于這種LCOS，由于硅晶片可用作襯底，可以使用性能高于透射類型晶體管(其電路是由玻璃襯底上的多晶硅制成的)的晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
這種液晶顯示裝置是由大量的像素部分形成的。為了檢查這些像素部分，采樣了這樣的方法實(shí)際上驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板，通過圖像處理裝置分析在該顯示面板上顯示的圖像以執(zhí)行缺陷像素檢查，或者通過視覺檢查來檢測(cè)缺陷像素。然而，在這種方法中，實(shí)際上驅(qū)動(dòng)了液晶顯示裝置，并在顯示圖像之后進(jìn)行檢查。因此，這種測(cè)量耗費(fèi)時(shí)間，而且無(wú)法在注入液晶之前執(zhí)行這種檢查。
作為缺陷像素檢查方法，也已經(jīng)采用了使用LSI測(cè)試儀測(cè)量漏電流的方法。這種方法可測(cè)量到μA量級(jí)的漏電流。然而，在LCOS液晶顯示裝置中，上述電容性元件的電容為幾十fF(毫微微法拉)。例如，對(duì)于10V信號(hào)在50fF保持10ms的規(guī)格，需要測(cè)量小于或等于50pA的漏電流，因此無(wú)法通過這種方法進(jìn)行檢查。
因此，在日本未審查專利申請(qǐng)公開號(hào)2004-226551中，已經(jīng)提出了能夠高精度地檢查其缺陷像素并縮短檢查時(shí)間的液晶顯示裝置，以及用于這種液晶顯示裝置的檢查方法。
在該液晶顯示裝置中，在對(duì)一對(duì)像素部分中的每一個(gè)施加不同電壓之后，對(duì)所有數(shù)據(jù)信號(hào)線施加相同電壓作為參考電壓，從而預(yù)充電該數(shù)據(jù)線，之后通過讀取存儲(chǔ)于一對(duì)像素部分中的電壓并比較它們，檢測(cè)缺陷像素。
在日本未審查專利申請(qǐng)公開號(hào)2004-226551中公開的液晶顯示裝置中，當(dāng)參考電壓預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)線時(shí)，需要從輸入端子輸入?yún)⒖茧妷?。因此，需要在輸入端子產(chǎn)生和寫過程電壓相對(duì)應(yīng)的參考電壓。此外，需要用于產(chǎn)生參考電壓的電路和處理。
因此，需要提供能夠容易地預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)線而不產(chǎn)生用于預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)線的參考電壓(下文中還稱為“中間電壓”)的液晶顯示裝置，以及用于該液晶顯示裝置的檢查方法。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到像素晶體管輸出電極的電容性元件、以及基于保持于該電容性元件中的電壓而執(zhí)行灰度顯示(gradation display)的液晶部分；該缺陷像素檢查方法包含步驟對(duì)多個(gè)像素部分中第一像素部分的電容性元件以及第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極與第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并將第一像素晶體管的輸入電極與第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；并基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測(cè)像素部分的缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于電容性元件內(nèi)所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶顯示部分，該缺陷像素檢查方法包含步驟導(dǎo)通連接到該多個(gè)像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一晶體管從而對(duì)該輸入電極施加第一電壓，并導(dǎo)通第一像素部分的像素晶體管從而對(duì)第一像素部分的電容性元件施加第一電壓；導(dǎo)通連接到該多個(gè)像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二晶體管從而對(duì)該輸入電極施加第二電壓，并導(dǎo)通第二像素部分的像素晶體管從而對(duì)第二像素部分的電容性元件施加第二電壓；截止第一晶體管和第二晶體管并截止第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分的像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)并保持預(yù)定時(shí)間段，由此使這些像素晶體管的輸入電極短路；經(jīng)過該預(yù)定時(shí)間段之后，導(dǎo)通第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管，并讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓；以及，比較第一像素部分的電容性元件的讀取電壓和第二像素部分的電容性元件的讀取電壓。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可由讀出放大器執(zhí)行對(duì)第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的比較。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分；連接到該多個(gè)像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線；連接到該多個(gè)像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線；能夠向第一數(shù)據(jù)信號(hào)線提供第一測(cè)試信號(hào)的第一晶體管；能夠向第二數(shù)據(jù)信號(hào)線提供第二測(cè)試信號(hào)的第二晶體管；連接于第一像素部分的像素晶體管的控制電極與第二像素部分的像素晶體管的控制電極之間的柵信號(hào)線；設(shè)成連接于第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線之間的開關(guān)；以及用于比較第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓的比較電路，其中該開關(guān)使第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線電學(xué)短路，并可實(shí)現(xiàn)將第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓變?yōu)橹虚g電壓的控制。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，該比較電路可以是讀出放大器，該讀出放大器可將第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓比較，并可放大和輸出其差值。
該液晶顯示裝置可進(jìn)一步包含用于在第一測(cè)試信號(hào)和第二測(cè)試信號(hào)之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，提供了用于檢查液晶顯示裝置的像素部分缺陷的缺陷像素檢查程序，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分，該缺陷像素檢查程序允許計(jì)算機(jī)執(zhí)行對(duì)該多個(gè)像素部分中第一像素部分的電容性元件和第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓的功能；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并使第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極短路的功能；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的功能；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測(cè)像素部分的缺陷的功能。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例，提供了一種記錄介質(zhì)，其中該記錄介質(zhì)上以計(jì)算機(jī)可讀取的格式記錄了該缺陷像素檢查程序。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，通過導(dǎo)通提供于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的諸如晶體管的開關(guān)，第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極被短路。因此，使用該開關(guān)可以容易地將數(shù)據(jù)信號(hào)線預(yù)充電到中間電壓，而不產(chǎn)生作為用于預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)線的參考電壓的中間電壓。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，由讀出放大器執(zhí)行第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的比較。因此，可以精確地檢測(cè)泄漏量，并改善像素部分的缺陷的檢測(cè)精確度。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，在第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間提供諸如晶體管的開關(guān)，該第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線被電學(xué)短路，且可實(shí)現(xiàn)將第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓變?yōu)橹虚g電壓的控制。因此，使用該開關(guān)可以容易地將數(shù)據(jù)信號(hào)線預(yù)充電到中間電壓，而不產(chǎn)生作為用于預(yù)充電數(shù)據(jù)信號(hào)線的參考電壓的中間電壓。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例，提供了用于在第一測(cè)試信號(hào)和第二測(cè)試信號(hào)之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。因此，可以容易地執(zhí)行這些信號(hào)的反轉(zhuǎn)。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素部分的構(gòu)造；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的構(gòu)造；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置與LSI測(cè)試器之間的連接；以及圖4為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的檢查控制的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將在下文中描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的像素部分的構(gòu)造。圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的構(gòu)造。
首先，將參考圖1描述在液晶顯示裝置1中以矩陣形式提供的多個(gè)像素部分的構(gòu)造和工作。
如圖1所示，像素部分A配置成具有像素晶體管T1、電容性元件C1、和液晶部分2。像素晶體管T1的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線，輸出電極連接到電容性元件C1的一端并連接到液晶部分2的像素電極。電容性元件C1的另一端接地。
像素晶體管T1的控制電極連接到柵信號(hào)線，基于該柵信號(hào)線的信號(hào)控制像素晶體管T1的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)。也就是說，當(dāng)對(duì)該柵信號(hào)線施加高電壓時(shí)，像素晶體管T1導(dǎo)通，且數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓被施加到電容性元件C1和液晶部分2。
當(dāng)電壓施加到液晶部分2時(shí)，基于所施加的電壓控制液晶的反射，使得可以實(shí)現(xiàn)灰度顯示控制。此外，由于提供了電容性元件C1，即使在像素晶體管T1截止之后，所施加的電壓仍保持在電容性元件C1中，使得連續(xù)地維持液晶的反射量。
如前所述，像素部分A配置成具有像素晶體管T1、連接到像素晶體管T1的電容性元件C1、以及基于電容性元件C1中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分2。
接著，將參考圖2描述液晶顯示裝置1的配置和工作，其中在該液晶顯示裝置中以二維矩陣的形式排列了多個(gè)這種像素部分。在本實(shí)施例中，為了便于理解，像素部分排列成4×3矩陣。
根據(jù)本實(shí)施例的液晶顯示裝置1包含多個(gè)像素部分2a至21、水平驅(qū)動(dòng)器10、垂直驅(qū)動(dòng)器20、用于檢查目的的邏輯電路30、解碼器40、以及讀出放大器50a和50b。
像素部分2a、2e和2i內(nèi)的像素晶體管T14a、T15a和T16a的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1。像素部分2b、2f和2j內(nèi)的像素晶體管T14b、T15b和T16b的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2。像素部分2c、2g和2k內(nèi)的像素晶體管T14c、T15c和T16c的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1。像素部分2d、2h和21內(nèi)的像素晶體管T14d、T15d和T16d的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DB2。
像素部分2a至2d內(nèi)的像素晶體管T14a至T14d的控制電極連接到柵信號(hào)線G1。像素部分2e至2h內(nèi)的像素晶體管T15a至T15d的控制電極連接到柵信號(hào)線G2。像素部分2i至21內(nèi)的像素晶體管T16a至T16d的控制電極連接到柵信號(hào)線G3。數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DB1對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)信號(hào)線，數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2和DB2對(duì)應(yīng)于第二數(shù)據(jù)信號(hào)線。為各個(gè)水平線提供柵信號(hào)線。分別在像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、T16a至T16d的輸出電極中提供液晶部分11a至11d、12a至12d、和13a至13d。
水平驅(qū)動(dòng)器10包含移位寄存器電路和測(cè)試邏輯電路，并根據(jù)來自TEST信號(hào)的輸入而執(zhí)行在移位寄存器電路和測(cè)試邏輯電路之間的切換。也就是說，當(dāng)TEST信號(hào)處于低電壓時(shí)，移位寄存器工作，而當(dāng)TEST信號(hào)處于高電壓時(shí)，測(cè)試邏輯電路工作。
垂直驅(qū)動(dòng)器20為用于對(duì)柵信號(hào)線G1至G3中的每一個(gè)施加低電壓或高電壓柵信號(hào)的電路。當(dāng)垂直驅(qū)動(dòng)器20向柵信號(hào)線之一輸出高電壓柵信號(hào)時(shí)，垂直驅(qū)動(dòng)器20向其它柵信號(hào)線輸出低電壓柵信號(hào)。
檢查邏輯電路30為在檢查像素部分2a至21的測(cè)試模式和由像素部分2a至21顯示圖像的正常工作模式之間切換的電路，該電路還用于在檢查像素部分2a至21的測(cè)試模式期間執(zhí)行各種切換操作。
檢查邏輯電路30包含晶體管T11a、T11b、T12a、T12b、T20、T21、T23至T28，以及用于切換待提供到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1、DA2、DB1和DB2的信號(hào)的反相電路26和27(下文中稱為“信號(hào)切換電路”)；具有分別在數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2之間及在數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和DB2進(jìn)行電連接的切換功能的晶體管T13a和T13b(下文中稱為“均衡器部分”)；以及OR電路24、反相電路25、以及用于控制從垂直驅(qū)動(dòng)器20到柵信號(hào)線G1至G3的輸出的AND電路21至23(下文中稱為“柵信號(hào)線控制部分”)。
信號(hào)切換電路是指這樣的電路選擇第一測(cè)試信號(hào)TSIG、第二測(cè)試信號(hào)XTSIG、或圖像顯示信號(hào)SIG中的哪一個(gè)將用于輸入到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1、DA2、DB1和DB2中的每一個(gè)的信號(hào)輸入。下面將描述該電路的配置。
第一測(cè)試信號(hào)TSIG被輸入到晶體管T21和T23的輸入電極，第二測(cè)試信號(hào)XTSIG被輸入到晶體管T20和T24的輸入電極。反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV被輸入到晶體管T21和T24的控制電極，使得反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV反轉(zhuǎn)的信號(hào)經(jīng)由反相電路26被輸入到晶體管T20和T23的控制電極。
晶體管T20和T21的輸出電極連接到晶體管T26的輸入電極，晶體管T23和T24的輸出電極連接到晶體管T28的輸入電極。晶體管T27的輸出電極以及晶體管T28的輸出電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線D1，晶體管T25的輸出電極以及晶體管T26的輸出電極連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線D2。晶體管T25和T27的輸入電極連接到圖像顯示信號(hào)SIG。測(cè)試信號(hào)TEST被輸入到晶體管T26和T28的控制電極，測(cè)試信號(hào)TEST的反轉(zhuǎn)信號(hào)經(jīng)由反相電路27被輸出到晶體管T25和T27的控制電極。
晶體管T11a、T12a、T11b和T12b的控制電極(柵極)分別連接到水平驅(qū)動(dòng)器10的輸出A+、A-、B+和B-，其輸出電極(源極)分別連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1、DA2、DB1和DB2。晶體管T11a和T12a的輸入電極(漏極)分別連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線D1和D2，并分別連接到晶體管T28和T26的輸出電極。晶體管T11b和T12b的輸入電極(漏極)也是這樣連接的。
由于按上述方式配置信號(hào)切換部分，例如，當(dāng)?shù)谝粶y(cè)試信號(hào)TSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線D1且第二測(cè)試信號(hào)XTSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線D2時(shí)，反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV變?yōu)榈碗妷弘娖?，測(cè)試信號(hào)TEST變?yōu)楦唠妷弘娖健Ｏ喾矗?dāng)?shù)诙y(cè)試信號(hào)XTSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線D1且第一測(cè)試信號(hào)TSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線D2時(shí)，反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV變?yōu)楦唠妷弘娖?，測(cè)試信號(hào)TEST變?yōu)楦唠妷弘娖?。通過從水平驅(qū)動(dòng)器10向晶體管T11a、T12a、T11b和T12b的每個(gè)控制電極輸入高電壓，數(shù)據(jù)信號(hào)線D1和D2的信號(hào)可分別提供到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1、DA2、DB1和DB2。
晶體管T20、T21、T23和T24以及反相電路26組成了用于在第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。
均衡器部分是由用作開關(guān)的晶體管T13a和T13b形成的。晶體管T13a連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2之間。通過低阻抗將這些數(shù)據(jù)信號(hào)線之間短路，數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2的電壓變?yōu)榻橛诙搪非斑@些電壓之間的中間電壓。例如，在向數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1施加4V并向數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2施加5V時(shí)晶體管T13a導(dǎo)通預(yù)定時(shí)間段時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2的電壓變?yōu)?.5V，該電壓為介于這些電壓之間的中間電壓。類似地，晶體管T13b連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和數(shù)據(jù)信號(hào)線DB2之間。通過低阻抗將這些數(shù)據(jù)信號(hào)線之間短路，數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和DB2的電壓變?yōu)榻橛诙搪非斑@些電壓之間的中間電壓。
當(dāng)晶體管T11a和T12a截止(即，為高阻抗?fàn)顟B(tài))且當(dāng)像素晶體管T14a、T14b、T15a、T15b、T16a和T16b截止時(shí)，晶體管T13a導(dǎo)通。類似地，當(dāng)晶體管T11b和T12b截止(即，為高阻抗?fàn)顟B(tài))且當(dāng)像素晶體管T14c、T14d、T15c、T15d、T16c和T16d截止時(shí)，晶體管T13b導(dǎo)通。
柵信號(hào)控制部分控制來自垂直驅(qū)動(dòng)器20的信號(hào)在測(cè)試模式期間是否應(yīng)該被提供到柵信號(hào)線G1至G3。測(cè)試信號(hào)TEST經(jīng)由反相電路25輸入到OR電路24的輸入之一，垂直信號(hào)控制信號(hào)TVON輸入到OR電路24的另一輸入。OR電路24的輸出輸入到AND電路21至23每個(gè)的輸入之一，來自垂直驅(qū)動(dòng)器20的柵信號(hào)輸入到AND電路21至23每個(gè)的另一個(gè)輸入。AND電路21至23的輸出分別連接到柵信號(hào)線G1、G2和G3。
由于按前述方式配置柵信號(hào)控制部分，當(dāng)測(cè)試信號(hào)TEST為高且垂直信號(hào)控制信號(hào)TVON為低時(shí)，來自垂直驅(qū)動(dòng)器20的信號(hào)不提供到柵信號(hào)線G1、G2和G3。只有當(dāng)垂直信號(hào)控制信號(hào)TVON為高時(shí)，來自垂直驅(qū)動(dòng)器20的信號(hào)才被提供到柵信號(hào)線G1、G2和G3。
解碼器40是用于從讀出放大器50a和50b輸出差分放大信號(hào)輸出作為TOUT信號(hào)的電路。按這個(gè)方式輸出的TOUT信號(hào)由LSI測(cè)試器70(將在下文中描述)讀取，并對(duì)像素部分2a至21執(zhí)行缺陷檢查。
數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2分別連接到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入和非反轉(zhuǎn)輸入。讀出放大器50a將這些數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2相互比較以檢測(cè)它們之間的電壓差，放大該電壓差，隨后將其輸出到解碼器40。類似地，讀出放大器50b的反轉(zhuǎn)輸入和非反轉(zhuǎn)輸入分別連接到數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和DB2。讀出放大器50b將這些數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和DB2相互比較以檢測(cè)它們之間的電壓差，放大該電壓差，隨后將其輸出到解碼器40。讀出放大器50a和50b對(duì)應(yīng)于比較電路。
使能信號(hào)SE輸入到讀出放大器50a和50b。當(dāng)使能信號(hào)SE變?yōu)楦邥r(shí)，讀出放大器50a和50b工作，使得輸出信號(hào)被放大到最大幅度。
將特別描述檢測(cè)按照前述方式配置的液晶顯示裝置1的像素部分2a至21的缺陷的方法。圖3示出了液晶顯示裝置1和LSI測(cè)試器70之間的連接。在本實(shí)施例中，從LSI測(cè)試器70向液晶顯示裝置1輸入各種的控制信號(hào)，并基于從液晶顯示裝置1輸出的輸出信號(hào)TOUT，檢測(cè)像素部分2a至21的缺陷。圖4為在液晶顯示裝置1的測(cè)試模式期間的時(shí)序圖。LSI測(cè)試器70對(duì)應(yīng)于用于檢查像素部分的缺陷的計(jì)算機(jī)。
LSI測(cè)試器70具有存儲(chǔ)部分72，其中存儲(chǔ)了CPU 71和程序。CPU 71通過讀取和執(zhí)行存儲(chǔ)于存儲(chǔ)部分72等中的程序(包含根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的缺陷像素檢查程序)執(zhí)行下面將描述的功能。該缺陷像素檢查程序可記錄在諸如CD-ROM的存儲(chǔ)介質(zhì)上，可通過LSI測(cè)試器70的存儲(chǔ)介質(zhì)驅(qū)動(dòng)(未示出)將該存儲(chǔ)介質(zhì)上的程序讀取到該存儲(chǔ)部分72中。
LSI測(cè)試器70進(jìn)行的測(cè)試大致由四個(gè)過程組成(a)向像素部分的電容性元件寫入電壓的操作、(b)使一對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2或DB1和DB2的電壓變?yōu)橹虚g電壓的操作、(c)讀取像素部分的電容性元件的電壓的操作、以及(d)比較讀取電壓以及檢測(cè)缺陷像素的操作。在根據(jù)本實(shí)施例的液晶顯示裝置1中，可以檢測(cè)像素部分2a至21的缺陷。然而，在這里只描述檢測(cè)一對(duì)像素部分2a和2b的缺陷的操作；由于其它像素部分的缺陷檢測(cè)和像素部分2a及2b的相同，因此可以忽略對(duì)其的描述。像素部分2a對(duì)應(yīng)于第一像素部分，像素部分2b對(duì)應(yīng)于第二像素部分。
最初，LSI測(cè)試器70使TEST信號(hào)為高電壓電平，并提供第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG。此外，LSI測(cè)試器70向反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV提供低電壓，并向垂直信號(hào)控制信號(hào)TVON提供低電壓。因此，第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG分別被提供給數(shù)據(jù)信號(hào)線D1和D2(見圖4中的計(jì)時(shí)Ta1)。在本實(shí)施例中，第一測(cè)試信號(hào)TSIG的電壓電平設(shè)為4V，第二測(cè)試信號(hào)XTSIG的電壓電平設(shè)為5V，但電壓電平不限于這些示例。測(cè)試信號(hào)為直流電壓的模擬信號(hào)。
接著，LSI測(cè)試器70控制水平驅(qū)動(dòng)器10以便向晶體管T11a和T12a輸出高電壓，使得晶體管T11a和T12a同時(shí)導(dǎo)通。此外，LSI測(cè)試器70通過使該信號(hào)為高電壓電平并通過控制垂直驅(qū)動(dòng)器20而將AND電路21的輸入設(shè)為高電壓電平，使柵信號(hào)線G1為高電壓電平。如前所述，當(dāng)柵信號(hào)線G1為高電壓電平時(shí)，像素晶體管T14a至T14d導(dǎo)通(見圖4中的計(jì)時(shí)Ta2)。因此，第一測(cè)試信號(hào)TSIG的電壓從數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1被施加到像素部分2a的電容性元件C1a，且該電壓得到保持。類似地，第二測(cè)試信號(hào)XTSIG的電壓從數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2施加到像素部分2a的電容性元件C1b，且該電壓得到保持。按照前述方式，第一測(cè)試信號(hào)TSIG的電壓被寫入像素部分2a，第二測(cè)試信號(hào)XTSIG的電壓被寫入像素部分2b。
當(dāng)完成對(duì)像素部分2a和2b的寫入時(shí)，LSI測(cè)試器70控制水平驅(qū)動(dòng)器10以便向晶體管T11a和T12a的控制電極輸出低電平信號(hào)，使得晶體管T11a和T12a截止。此外，通過使垂直信號(hào)控制信號(hào)TVON為低電壓電平或者通過控制垂直驅(qū)動(dòng)器20而使AND電路21的輸入為低電壓電平，LSI測(cè)試器70使柵信號(hào)線G1為低電壓電平。因此，像素部分2a和2b截止，且由于所述像素部分的像素晶體管T14a和T14b的輸入電極與第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG斷開，所述像素部分變?yōu)楦咦杩範(fàn)顟B(tài)。
這里，由于在數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2中存在電容性元件，第一測(cè)試信號(hào)的電壓電平和第二測(cè)試信號(hào)的電壓電平分別得到保持。也就是說，在數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1中保持4V，在數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2中保持5V。在本實(shí)施例中，假設(shè)數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1的電容性元件和數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2的電容性元件相同。
接著，在完成了對(duì)像素部分2a和2b的寫入后，LSI測(cè)試器70等待預(yù)定的時(shí)間段。之后，LSI測(cè)試器70通過使平均信號(hào)EQ為高電壓電平而導(dǎo)通晶體管T13a和T13b。當(dāng)按照這個(gè)方式導(dǎo)通晶體管T13a時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2短路，電流從數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2流到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1。因此，數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2的電壓變?yōu)槠骄妷?，在本?shí)施例中該平均電壓為4.5V(見圖4中的計(jì)時(shí)Ta3)。LSI測(cè)試器70保持平均信號(hào)EQ的高電平狀態(tài)預(yù)定的時(shí)間段，之后使平均信號(hào)EQ返回到低電壓電平。
接著，LSI測(cè)試器70使垂直信號(hào)控制信號(hào)TVON為高電壓電平并通過AND電路21使柵信號(hào)線G1為來自垂直驅(qū)動(dòng)器20的高電壓電平，使得像素晶體管T14a和T14b導(dǎo)通(見圖4中的計(jì)時(shí)Ta4)。當(dāng)按照這個(gè)方式導(dǎo)通像素晶體管T14a時(shí)，由電容性元件C1a保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1被輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端。此外，由于像素晶體管T14b導(dǎo)通，電容性元件C1b保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2被輸入到讀出放大器50a的非反轉(zhuǎn)輸入端。
如前所述，當(dāng)將讀取電容性元件C1a和C1b保持的電壓時(shí)，在數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2的電容性元件中保持4.5V，且所述電容性元件的電容成分小于數(shù)據(jù)信號(hào)線的電容成分。因此，當(dāng)像素部分2a和2b沒有缺陷時(shí)，略高于前述中間電壓的電壓被輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端，且略低于前述中間電壓的電壓被輸入到讀出放大器50a的非反轉(zhuǎn)輸入端。這種電壓改變對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2的電容成分與電容性元件C1a和C1b的電容成分之比。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1的電容成分為電容性元件C1a的電容成分的49倍時(shí)，4.51V的電壓輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端，4.49V的電壓輸入到其非反轉(zhuǎn)輸入端。
接著，讀出放大器50a將電容性元件C1a保持的電壓與電容性元件C1b保持的電壓進(jìn)行比較，將電壓差放大到最大幅度，并將其輸出到解碼器40(見圖4中的計(jì)時(shí)Ta5)。圖4的時(shí)序圖中DA1和DA2的信號(hào)表示被讀出放大器放大之后的的電壓。
按照這種方式從讀出放大器50a輸出的差值信號(hào)作為被解碼器40編碼的輸出信號(hào)TOUT被輸入到LSI測(cè)試器70。LSI測(cè)試器70基于在寫入到像素部分2a和2b的過程中電勢(shì)的相對(duì)水平是否反轉(zhuǎn)，檢測(cè)像素部分2a和2b的缺陷。這里，由于對(duì)像素部分2a施加4V并對(duì)像素部分2b施加5V，當(dāng)從像素部分2a的電容性元件C1a讀取的電壓小于從像素部分2b的電容性元件C1b讀取的電壓時(shí)，這些像素并不被確定為是有缺陷的；但是當(dāng)從像素部分2a的電容性元件C1a讀取的電壓較高時(shí)，這些像素被確定是有缺陷的。即使在這種情況下，當(dāng)電壓差非常小時(shí)，由于可以確定泄漏量小，這些像素不被確定為有缺陷的也是可能的。通過按前述方式將讀出放大器50a用作比較電路，可以檢測(cè)泄漏量，并可能更加精確地區(qū)分良品和劣品。
之后，輸入電壓被反轉(zhuǎn)，并重復(fù)上述測(cè)試操作(a)至(d)。更為特別地，為了將第二測(cè)試信號(hào)施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1上并將第一測(cè)試信號(hào)施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2上，LSI測(cè)試器70使反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV為高電壓電平(見圖4的計(jì)時(shí)Ta6)，并重復(fù)前述的測(cè)試操作(a)至(d)。如前所述，由于反轉(zhuǎn)了輸入電壓，可以成對(duì)地檢測(cè)像素部分2a和2b二者的缺陷。此外，由于可通過僅切換反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV來反轉(zhuǎn)第一測(cè)試信號(hào)和第二測(cè)試信號(hào)，這導(dǎo)致測(cè)試時(shí)間縮短。
通過對(duì)每對(duì)像素部分(相同水平線的兩個(gè)像素部分)重復(fù)上述測(cè)試操作，可以檢測(cè)像素部分2a至21的缺陷像素。
如前所述，通過測(cè)試操作(a)至(d)可以容易地檢測(cè)像素部分2a和2b的缺陷。此外，可以不產(chǎn)生參考信號(hào)而對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線求平均，因此對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)線求平均變得相當(dāng)容易。
在本實(shí)施例中，針對(duì)一對(duì)像素部分連續(xù)地執(zhí)行過程(a)至(d)。可供選擇地，可如下縮短檢查時(shí)間。
(a′)LSI測(cè)試器70控制水平驅(qū)動(dòng)器10以導(dǎo)通晶體管T11a和T12a，使反轉(zhuǎn)信號(hào)TINV為低電壓電平，并使測(cè)試信號(hào)為高電壓電平，從而使得第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG分別被提供到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2。
此外，LSI測(cè)試器70使TVON信號(hào)為高電壓電平并控制垂直驅(qū)動(dòng)器20，以導(dǎo)通柵信號(hào)線G1并保持預(yù)定的時(shí)間段。這導(dǎo)致像素晶體管T14a和T14b導(dǎo)通并保持預(yù)定時(shí)間段，且測(cè)試信號(hào)被寫入像素部分2a和2b。
當(dāng)完成該寫入時(shí)，LSI測(cè)試器70控制器水平驅(qū)動(dòng)器10，以便截止晶體管T11a和T12a并導(dǎo)通晶體管T11b和T12b。因此，第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG分別被提供到數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和DB2。另外，LSI測(cè)試器70使TVON信號(hào)為高電壓電平并控制垂直驅(qū)動(dòng)器20，以便導(dǎo)通柵信號(hào)線G1并保持預(yù)定時(shí)間段。因此，晶體管T14c和T14d導(dǎo)通，且測(cè)試信號(hào)被寫入像素部分2c和2d。
接著，LSI測(cè)試器70控制水平驅(qū)動(dòng)器10，以便截止晶體管T11b和T12b并導(dǎo)通晶體管T11a和T12a。因此，第一測(cè)試信號(hào)TSIG和第二測(cè)試信號(hào)XTSIG被分別提供到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DA2。另外，LSI測(cè)試器70使TVON信號(hào)為高電壓電平并控制垂直驅(qū)動(dòng)器20，以便導(dǎo)通柵信號(hào)線G2并保持預(yù)定時(shí)間段。因此，晶體管T15a和T15b導(dǎo)通并保持預(yù)定的時(shí)間段，且測(cè)試信號(hào)被寫入像素部分2e和2f。
類似地，之后，假設(shè)像素部分2g和2h、像素部分2i和2j、以及像素部分2k和21成對(duì)，按照上述過程執(zhí)行測(cè)試信號(hào)的寫入。
(b′)接著，LS I測(cè)試器70導(dǎo)通晶體管T11a、T12a、T11b和T12b，使得第一測(cè)試信號(hào)TSIG被施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和DB1且第二測(cè)試信號(hào)XTSIG被施加到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2和DB2，并保持預(yù)定時(shí)間段。之后，LSI測(cè)試器70截止晶體管T11a、T12a、T11b和T12b并使平均信號(hào)EQ為高電壓電平，從而使得晶體管T13a和T13b導(dǎo)通并保持預(yù)定時(shí)間段。當(dāng)按照這個(gè)方式導(dǎo)通晶體管T13a時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1和數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2短路，且電流從數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2流到數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1。當(dāng)晶體管T13b導(dǎo)通時(shí)，數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1和數(shù)據(jù)信號(hào)線DB2短路，且電流從數(shù)據(jù)信號(hào)線DB2流到數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1。
(c′)接著，LSI測(cè)試器70使TVON信號(hào)為高電壓電平，控制垂直驅(qū)動(dòng)20以便只導(dǎo)通柵信號(hào)線G1，并控制水平驅(qū)動(dòng)器10以導(dǎo)通一個(gè)水平線上的所有像素T14a、T14b、T14c和T14d。當(dāng)按照這個(gè)方式導(dǎo)通像素晶體管T14a時(shí)，電容性元件C1a所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端。當(dāng)像素晶體管T14b導(dǎo)通時(shí)，電容性元件C1b所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2被輸入到讀出放大器50a的非反轉(zhuǎn)輸入端。當(dāng)像素晶體管T14c導(dǎo)通時(shí)，電容性元件C1c所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號(hào)線DB1被輸入到讀出放大器50b的反轉(zhuǎn)輸入端。當(dāng)像素晶體管T14d導(dǎo)通時(shí)，電容性元件C1d所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號(hào)線DB2被輸入到讀出放大器50b的非反轉(zhuǎn)輸入端。
(d′)接著，LSI測(cè)試器70將使能信號(hào)SE設(shè)為高電壓電平。因此，讀出放大器50a和50b將電容性元件C1a和C1c保持的電壓分別與電容性元件C1b和C1d保持的電壓比較，將電壓差放大到最大幅度，并將其輸出到解碼器40。
之后，對(duì)由柵信號(hào)線G2和G3控制的其余兩個(gè)水平線中的每一個(gè)執(zhí)行操作(b′)至(d′)，可以對(duì)所有像素部分2a至21執(zhí)行缺陷檢查，且和上述過程(a)至(d)相比可以縮短檢查時(shí)間。
由于第一測(cè)試信號(hào)和第二測(cè)試信號(hào)可以以模擬方式變化，可以檢測(cè)到與像素部分的電壓有關(guān)的線性特性的泄漏以及與像素部分的電壓有關(guān)的非線性特性的泄漏。
由于可以寫入任何期望測(cè)試信號(hào)圖形(signal pattern)，還可以檢測(cè)到相鄰像素之間的泄漏。此外，由于寫入圖形還可以是視覺可見的，還可以應(yīng)用于視覺檢查。
通過控制從寫入像素部分到讀取像素部分的時(shí)間，即保持時(shí)間，可以改善像素部分的泄漏缺陷的檢測(cè)精確度。
由于可以寫入任何期望的測(cè)試信號(hào)電壓，還可以檢測(cè)泄漏與電勢(shì)的依賴關(guān)系。此外，通過改變溫度執(zhí)行上述測(cè)試，可以進(jìn)行線性特性泄漏和結(jié)泄漏之間差別的預(yù)測(cè)性確定。
由于可以檢測(cè)缺陷像素部分的位置，可以創(chuàng)建缺陷像素部分的地圖。
該測(cè)試可以在注入液晶之前或之后進(jìn)行，并可通過縮短測(cè)試信號(hào)寫入時(shí)間和測(cè)試信號(hào)讀取時(shí)間而用作響應(yīng)速度測(cè)試。
在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的液晶顯示裝置中，由于將具有簡(jiǎn)單數(shù)字輸出的比較器用作比較電路，無(wú)法檢測(cè)泄漏量。如果可以檢測(cè)泄漏量，則可以更精確地執(zhí)行像素部分的缺陷檢測(cè)。在本實(shí)施例中，由于使用了讀出放大器，可以檢測(cè)在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中無(wú)法檢測(cè)到的泄漏量。因此，可以更加精確地進(jìn)行像素部分的缺陷檢測(cè)。
在本實(shí)施例中，使用LSI測(cè)試器70執(zhí)行像素部分的缺陷測(cè)試?；蛘?，可在液晶顯示裝置1中提供用于測(cè)試的控制部分，該控制部分可接受各種類型控制信號(hào)的輸入，且該控制部分可基于輸出信號(hào)TOUT檢測(cè)該像素部分的缺陷。
根據(jù)本發(fā)明各實(shí)施例，實(shí)現(xiàn)了用于下述液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法、具有下述元件的液晶顯示裝置、用于執(zhí)行下述功能的缺陷像素檢查程序、以及記錄介質(zhì)。
用于液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置1)的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分(例如像素部分2a至21)，每個(gè)像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)、連接到像素晶體管輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d、C2a至C2d、以及C3a至C3d)、以及基于保持于電容性元件中的電壓執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)，該缺陷像素檢查方法包含步驟對(duì)多個(gè)像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的電容性元件(例如電容性元件C1a)以及第二像素部分(例如像素部分2b)的電容性元件(例如電容性元件C1b)施加不同的電壓；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管(例如T14a)的輸入電極與第二像素部分中的像素晶體管(例如T14b)的輸入電極之間的開關(guān)(例如T13a)，并將該第一像素晶體管的輸入電極與該第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；并基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果檢測(cè)像素部分的缺陷。
用于包含多個(gè)像素部分(例如像素部分2a至21)的液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置1)的缺陷像素檢查方法，其中每個(gè)像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)、連接到像素晶體管輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d)、以及基于電容性元件內(nèi)所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)，該缺陷像素檢查方法包含步驟導(dǎo)通連接到該多個(gè)像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的輸入電極的第一晶體管(例如晶體管T11a)以便對(duì)該輸入電極施加第一電壓，并導(dǎo)通該第一像素部分的像素晶體管(例如T14a)以便對(duì)該第一像素部分的電容性元件(例如電容性元件C1a)施加第一電壓；導(dǎo)通連接到該多個(gè)像素部分中第二像素部分(例如像素部分2b)的輸入電極的第二晶體管以便對(duì)該輸入電極施加第二電壓，并導(dǎo)通該第二像素部分的像素晶體管(例如T14b)以便對(duì)第二像素部分的電容性元件(例如電容性元件C1b)施加第二電壓；截止第一晶體管和第二晶體管并截止第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分中像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)(例如T13a)并保持預(yù)定時(shí)間段，由此使這些像素晶體管的輸入電極短路；經(jīng)過該預(yù)定時(shí)間段之后，導(dǎo)通第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管，并讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓；并比較第一像素部分的電容性元件的讀取電壓和第二像素部分的電容性元件的讀取電壓。
在該缺陷像素檢查方法中，可由讀出放大器(例如，讀出放大器50a)執(zhí)行對(duì)第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的比較。
該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分(例如像素部分2a至21)，其中每個(gè)像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)；連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d、C2a至C2d、以及C 3a至C3d)；以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)；連接到該多個(gè)像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的輸入電極的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線(例如數(shù)據(jù)信號(hào)線DA1)；連接到該多個(gè)像素部分中第二像素部分(例如像素部分2b)的輸入電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線(例如數(shù)據(jù)信號(hào)線DA2)；能夠向第一數(shù)據(jù)信號(hào)線提供第一測(cè)試信號(hào)(例如第一測(cè)試信號(hào)TSIG)的第一晶體管(例如晶體管T11a)；能夠向第二數(shù)據(jù)信號(hào)線提供第二測(cè)試信號(hào)(例如第二測(cè)試信號(hào)XTSIG)的第二晶體管(例如晶體管T11b)；連接于第一像素部分的像素晶體管(例如T14a)的控制電極與第二像素部分的像素晶體管(例如T14b)的控制電極之間的柵信號(hào)線(例如柵信號(hào)線G1)；設(shè)成連接于第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線之間的開關(guān)(例如晶體管T13a)；以及用于比較第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓的比較電路(例如讀出放大器50a)，其中該開關(guān)使第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線電學(xué)短路，并使得能夠進(jìn)行將第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓用作中間電壓的控制。
在該液晶顯示裝置中，該比較電路是讀出放大器，該讀出放大器可將第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓進(jìn)行比較，并能夠放大和輸出差值。
該液晶顯示裝置可進(jìn)一步包含用于在第一測(cè)試信號(hào)和第二測(cè)試信號(hào)之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路(例如晶體管T20、T21、T23或T24，或者反相電路26)。
記錄介質(zhì)包括在其上以計(jì)算機(jī)可讀取的格式記錄的用于檢查包含多個(gè)像素部分(例如像素部分2a至21)的液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置1)的像素部分的缺陷的缺陷像素檢查程序，每個(gè)像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d、C2a至C2d、以及C3a至C3d)、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)，該缺陷像素檢查程序使得計(jì)算機(jī)(例如LSI測(cè)試器70)能夠執(zhí)行以下功能對(duì)該多個(gè)像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的電容性元件(例如電容性元件C1a)和第二像素部分(例如像素部分2b)的電容性元件(例如電容性元件C1b)施加不同電壓的功能；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管(例如T14a)的輸入電極和第二像素部分中的像素晶體管(例如T14b)的輸入電極之間的開關(guān)(例如T13a)，并使第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極短路的功能；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的功能；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間比較的結(jié)果而檢測(cè)像素部分的缺陷的功能。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該了解到，只要落在本發(fā)明所附權(quán)利要求或其等效描述的范圍之內(nèi)，可根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素進(jìn)行各種調(diào)整、組合、子組合、或者變更。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于保持于電容性元件中的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分；該缺陷像素檢查方法包含步驟對(duì)該多個(gè)像素部分中第一像素部分的電容性元件以及第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管的輸入電極與第二像素部分中的像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并將第一像素晶體管的輸入電極與第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果檢測(cè)像素部分的缺陷。
2.一種用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于電容性元件內(nèi)所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分，該缺陷像素檢查方法包含步驟導(dǎo)通連接到該多個(gè)像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一晶體管以便對(duì)該輸入電極施加第一電壓，并導(dǎo)通第一像素部分的像素晶體管以便對(duì)第一像素部分的電容性元件施加第一電壓；導(dǎo)通連接到該多個(gè)像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二晶體管以便對(duì)該輸入電極施加第二電壓，并導(dǎo)通第二像素部分的像素晶體管以便對(duì)第二像素部分的電容性元件施加第二電壓；截止該第一晶體管和該第二晶體管并截止第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分中的像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)并保持預(yù)定時(shí)間段，由此使這些像素晶體管的輸入電極短路；經(jīng)過該預(yù)定時(shí)間段之后，導(dǎo)通第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管，并讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓；以及比較第一像素部分的電容性元件的讀取電壓和第二像素部分的電容性元件的讀取電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2之一的缺陷像素檢查方法，其中使用讀出放大器比較第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓。
4.一種液晶顯示裝置，包含多個(gè)像素部分，其中每個(gè)像素部分包含像素晶體管，連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件，以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分；連接到該多個(gè)像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一數(shù)據(jù)信號(hào)線；連接到該多個(gè)像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二數(shù)據(jù)信號(hào)線；能夠向第一數(shù)據(jù)信號(hào)線提供第一測(cè)試信號(hào)的第一晶體管；能夠向第二數(shù)據(jù)信號(hào)線提供第二測(cè)試信號(hào)的第二晶體管；連接于第一像素部分的像素晶體管的控制電極與第二像素部分的像素晶體管的控制電極之間的柵信號(hào)線；設(shè)成連接于第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線之間的開關(guān)；以及用于比較第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓的比較電路，其中該開關(guān)使第一數(shù)據(jù)信號(hào)線和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線電學(xué)短路，并使得能夠進(jìn)行其中將第一數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號(hào)線的電壓用作中間電壓的控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的液晶顯示裝置，其中該比較電路為讀出放大器，該讀出放大器可將第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓進(jìn)行比較，并可放大和輸出差值。
6.根據(jù)權(quán)利要求4和5之一的液晶顯示裝置，進(jìn)一步包含用于在第一測(cè)試信號(hào)和第二測(cè)試信號(hào)之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。
7.一種用于檢查液晶顯示裝置的像素部分的缺陷的缺陷像素檢查程序，該液晶顯示裝置包含多個(gè)像素部分，每個(gè)像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分，該缺陷像素檢查程序使得計(jì)算機(jī)能夠執(zhí)行對(duì)該多個(gè)像素部分中第一像素部分的電容性元件和第二像素部分的電容性元件施加不同電壓的功能；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并使第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極短路的功能；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的功能；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測(cè)像素部分的缺陷的功能。
8.一種記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)上以計(jì)算機(jī)可讀格式記錄了根據(jù)權(quán)利要求7的缺陷像素檢查程序。
全文摘要
一種缺陷像素檢查方法，包含步驟對(duì)多個(gè)像素部分中第一像素部分的電容性元件以及第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓；導(dǎo)通設(shè)于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極與第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并將第一像素晶體管的輸入電極與第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測(cè)像素部分的缺陷。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1881389SQ200610093699
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2006年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月13日
發(fā)明者清水目和年, 宮澤一幸, 古賀慎一 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社