專利名稱：用于集成電路測(cè)試的內(nèi)部參考電壓產(chǎn)生的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及集成電路測(cè)試。
背景技術(shù)：
圖1示出了晶片100上的現(xiàn)有技術(shù)集成電路101。集成電路101包括帶隙參考(BGR)電壓發(fā)生器110、開關(guān)112、電源和控制電壓發(fā)生器140、存儲(chǔ)器控制電路和一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器陣列150、控制電路130、測(cè)試電路160及調(diào)整電路170。
BGR電壓發(fā)生器110產(chǎn)生基本上不依賴于溫度的BGR電壓，電源和控制電壓發(fā)生器140根據(jù)該電壓為存儲(chǔ)器控制電路和存儲(chǔ)器陣列150產(chǎn)生電源和控制電壓。因?yàn)橛葿GR電壓發(fā)生器110產(chǎn)生的BGR電壓會(huì)因例如制造容差而不同于它期望的目標(biāo)值，因此使用測(cè)試器180利用外部強(qiáng)加BGR電壓來測(cè)試集成電路101。這個(gè)外部強(qiáng)加BGR電壓可在一個(gè)范圍內(nèi)變化，該范圍包括由發(fā)生器110產(chǎn)生的BGR電壓的預(yù)期變化范圍。通過在這個(gè)范圍內(nèi)測(cè)試所述集成電路(例如，通過向(多個(gè))存儲(chǔ)器陣列150寫入和讀取已知的測(cè)試數(shù)據(jù)模式)，可以肯定所述集成電路101將在由發(fā)生器110內(nèi)部產(chǎn)生的電壓的預(yù)期范圍內(nèi)正確工作。
測(cè)試器180根據(jù)圖2所示的流程圖來測(cè)試集成電路101。在方塊202測(cè)試器180通過外部VDD焊盤103來提供電源電壓VDD，并通過外部VSS焊盤104提供地電源電壓VSS來給集成電路101供電。在方塊204測(cè)試器180通過一個(gè)或多個(gè)外部控制焊盤，諸如焊盤106和107來向控制電路130提供控制信號(hào)，以將集成電路101設(shè)置在測(cè)試模式，在這個(gè)模式里，控制電路130激活開關(guān)112來將外部VBGR焊盤109耦合至BGR電壓發(fā)生器110。然后在方塊206測(cè)試器180通過外部VBGR焊盤109來將基本上為預(yù)期目標(biāo)值的BGR電壓強(qiáng)加到集成電路101上，并且在方塊208，使用所述外部強(qiáng)加BGR電壓來測(cè)試集成電路101。
測(cè)試器180控制控制電路130來控制測(cè)試電路160以使用所述外部強(qiáng)加BGR電壓來測(cè)試存儲(chǔ)器控制電路和(多個(gè))存儲(chǔ)器陣列150，例如，將已知的數(shù)據(jù)模式寫入到陣列150并讀取以驗(yàn)證所述集成電路101在強(qiáng)加BGR電壓下的工作。在一些情況下，BGR電壓發(fā)生器110可由調(diào)整電路170來調(diào)整(在附加測(cè)試的過程中或之后)以調(diào)整所述內(nèi)部產(chǎn)生的BGR電壓(例如，通過一個(gè)或多個(gè)熔絲的設(shè)定)。
在晶片上測(cè)試集成電路時(shí)，通常希望具有較高的并行度，即，對(duì)于晶片上多個(gè)集成電路使用相同的測(cè)試器資源。然而必須連接到被測(cè)試的集成電路的測(cè)試器通道的數(shù)量限制了可以獲取的并行度。不幸的是，對(duì)于被測(cè)試的每個(gè)集成電路，提供外部強(qiáng)加BGR電壓的需要要求獨(dú)立的測(cè)試器通道。

發(fā)明內(nèi)容
公開了用于測(cè)試集成電路的一種或多種方法，包括給集成電路提供電源電壓；將所述集成電路設(shè)置為測(cè)試模式，以選擇所述集成電路上的多個(gè)參考電壓發(fā)生器中的一個(gè)來給所述集成電路上的另一個(gè)電壓發(fā)生器提供參考電壓，所述參考電壓至少部分地依賴于所述電源電壓；以及利用提供給所述另一電壓發(fā)生器的參考電壓測(cè)試所述集成電路。
公開了一種或多種集成電路，包括該集成電路上的第一電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生至少部分地依賴于給所述集成電路供電的電源電壓的第一電壓；所述集成電路上的第二電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生第二電壓；所述集成電路上的第三電壓發(fā)生器，用來基于參考電壓產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓；及控制電路，用來選擇第一電壓用作測(cè)試模式中的參考電壓和選擇第二電壓用作非測(cè)試模式中的參考電壓。
公開了一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)，其包括具有集成電路的晶片，其中一個(gè)或多個(gè)集成電路具有用來產(chǎn)生至少部分地依賴于電源電壓的第一電壓的第一電壓發(fā)生器；用來產(chǎn)生第二電壓的第二電壓發(fā)生器；用來基于參考電壓產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓的第三電壓發(fā)生器；及控制電路，用來選擇第一電壓用作測(cè)試模式中的參考電壓和選擇第二電壓用作非測(cè)試模式中的參考電壓。公開的一個(gè)或多個(gè)系統(tǒng)還包括測(cè)試器，用來給一個(gè)或多個(gè)集成電路提供電源電壓，將一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)置為測(cè)試模式，并用作為參考電壓使用的第一電壓來測(cè)試一個(gè)或多個(gè)集成電路。


因此，通過參考實(shí)施例，可以詳細(xì)地理解本發(fā)明的上述特征，上面簡(jiǎn)要總結(jié)的本發(fā)明的更多特定描述，在附圖中示出了一些實(shí)施例。然而值得注意的是，附圖僅示出了本發(fā)明的一般實(shí)施例，因此不是意欲限制它的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可以容許其它同等有效的實(shí)施例。
圖1示出了使用外部強(qiáng)加參考電壓來測(cè)試的現(xiàn)有技術(shù)集成電路；圖2示出了使用外部強(qiáng)加電壓來測(cè)試集成電路的現(xiàn)有技術(shù)的流程圖；圖3示出了對(duì)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，具有用于測(cè)試的內(nèi)部參考電壓發(fā)生器的示例性集成電路；圖4示出了對(duì)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，產(chǎn)生用于測(cè)試的參考電壓的內(nèi)部參考電壓發(fā)生器的電路；及圖5示出了對(duì)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，用來測(cè)試具有內(nèi)部參考電壓發(fā)生器的集成電路的流程圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例一般提供了使用內(nèi)部產(chǎn)生的參考電壓測(cè)試集成電路，以有助于避免對(duì)于使用提供外部強(qiáng)加參考電壓的獨(dú)立測(cè)試器通道的需要。在這種方式下，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以提高測(cè)試晶片上的集成電路的并行度?；蛘?，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可為另一目的來使用自由了的測(cè)試通道。
圖3示出了在晶片300上的集成電路301。集成電路301包括工作模式帶隙參考(BGR)電壓發(fā)生器310，用來產(chǎn)生集成電路301在工作模式中使用的BGR電壓；測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320，用來產(chǎn)生集成電路301在測(cè)試模式里使用的BGR電壓；及控制電路330，用來幫助將集成電路301設(shè)置成工作模式或測(cè)試模式。盡管描述為工作模式BGR電壓發(fā)生器310，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，工作模式BGR電壓發(fā)生器310也可用于任何合適的非測(cè)試模式。
在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示的集成電路301也可包括電源和控制電壓發(fā)生器340及存儲(chǔ)器控制電路和(多個(gè))存儲(chǔ)器陣列350。當(dāng)集成電路301處于工作模式時(shí)，可耦合工作模式BGR電壓發(fā)生器310以將BGR電壓提供給電源和控制電壓發(fā)生器340，及當(dāng)集成電路301處于測(cè)試模式時(shí)，可耦合測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320以將BGR電壓提供給電源和控制電壓發(fā)生器340。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，電源和控制電壓發(fā)生器340可基于提供的BGR電壓為存儲(chǔ)器控制電路和(多個(gè))存儲(chǔ)器陣列350產(chǎn)生任何合適的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電源電壓和/或任何適合的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部控制電壓，例如包括一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部參考電壓。盡管描述成包括電源和控制電壓發(fā)生器340來基于BGR電壓為存儲(chǔ)器控制電路和(多個(gè))存儲(chǔ)器陣列350產(chǎn)生內(nèi)部電壓，但是在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，集成電路301可包括任何適合的一個(gè)或多個(gè)電壓發(fā)生器來基于提供的BGR電壓為任何適合的電路產(chǎn)生任何合適的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓。
工作模式BGR電壓發(fā)生器310可包括任何合適的電路來產(chǎn)生BGR電壓。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，工作模式BGR電壓發(fā)生器310可以是基本上不依賴于溫度的。也就是說，工作模式BGR電壓發(fā)生器310可產(chǎn)生與預(yù)期目標(biāo)值偏離相對(duì)最小的基本上恒定的BGR電壓，盡管在溫度操作范圍內(nèi)有波動(dòng)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，工作模式BGR電壓發(fā)生器310可基本上獨(dú)立提供電壓。也就是說，可操作模式BGR電壓發(fā)生器310可產(chǎn)生與預(yù)期目標(biāo)值偏離相對(duì)最小的基本上恒定的的BGR電壓，盡管有提供來為集成電路301供電的電源電壓的操作范圍內(nèi)的波動(dòng)。
因?yàn)橛晒ぷ髂Ｊ紹GR電壓發(fā)生器310產(chǎn)生的BGR電壓會(huì)因例如制造容差而不同于它的預(yù)期目標(biāo)值，因此，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，集成電路301可使用測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320來在測(cè)試集成電路301時(shí)產(chǎn)生基本上為預(yù)期目標(biāo)值的BGR電壓，以幫助確定如何調(diào)整工作模式BGR電壓發(fā)生器310。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示的集成電路301可包括測(cè)試電路360來測(cè)試集成電路301。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示的集成電路301可包括調(diào)整電路370來調(diào)整工作模式BGR電壓發(fā)生器310。
測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可產(chǎn)生BGR電壓，該BGR電壓至少部分地依賴于提供來為集成電路301供電的電源電壓。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可調(diào)整該電源電壓來幫助設(shè)定由測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320產(chǎn)生的BGR電壓的值。
測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括任何合適的電路。如圖3所示出的，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括耦合在第一電源電壓節(jié)點(diǎn)和第二電源電壓節(jié)點(diǎn)之間的分壓器322，第一電源電壓節(jié)點(diǎn)例如是外部VDD焊盤303，第二電源電壓節(jié)點(diǎn)例如是外部VSS焊盤304。通過控制第一和第二節(jié)點(diǎn)處的電壓以及測(cè)試集成電路301時(shí)的溫度，可使用分壓器322在BGR電壓節(jié)點(diǎn)321產(chǎn)生基本上為預(yù)期目標(biāo)值的BGR電壓。
分壓器322可設(shè)計(jì)為基于第一和第二電源電壓節(jié)點(diǎn)之間的電壓差來產(chǎn)生任何合適的BGR電壓，并可使用任何合適的電路元件來實(shí)現(xiàn)。對(duì)于由工作模式BGR電壓發(fā)生器310產(chǎn)生的BGR電壓比由測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320產(chǎn)生的BGR電壓依賴于更多電路元件的器件參數(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可設(shè)計(jì)成其產(chǎn)生的BGR電壓相對(duì)于工作模式BGR電壓發(fā)生器310產(chǎn)生的電壓具有較小的分布。由于由分壓器322產(chǎn)生的BGR電壓依賴于第一和第二電源電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓，因此，可改變第一和/或第二電源電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓來幫助將該BGR電壓基本上設(shè)定為用于測(cè)試的一個(gè)或多個(gè)預(yù)期目標(biāo)值。
如圖3所示出的，一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例的測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括耦合在BGR電壓節(jié)點(diǎn)311和BGR電壓節(jié)點(diǎn)321之間的開關(guān)324，其中工作模式BGR電壓發(fā)生器310在BGR電壓節(jié)點(diǎn)311產(chǎn)生BGR電壓，并可以包括耦合在第一電源電壓節(jié)點(diǎn)和分壓器322之間的開關(guān)325。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，控制電路330可耦合成在集成電路301被設(shè)置在工作模式時(shí)激勵(lì)開關(guān)324和去激勵(lì)開關(guān)325，以從工作模式BGR電壓發(fā)生器310向電源和控制電壓發(fā)生器340提供BGR電壓。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在集成電路301被設(shè)置為測(cè)試模式時(shí)，控制電路330可耦合成去激勵(lì)開關(guān)324和激勵(lì)開關(guān)325，以從測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320向電源和控制電壓發(fā)生器340提供BGR電壓。開關(guān)324和325可利用任何合適的電路元件來實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)325可構(gòu)成分壓器322的一部分。
在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括任何合適的電路，以幫助基于提供給集成電路301供電的給定電源電壓提供可變BGR電壓。以這種方式，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可使用測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320利用不同的BGR電壓來測(cè)試集成電路301，以預(yù)測(cè)工作模式BGR電壓發(fā)生器310在其被調(diào)整之后產(chǎn)生的BGR電壓的變化，和/或幫助預(yù)測(cè)極限BGR電壓條件。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括可變分壓器。
如圖4示出的一個(gè)實(shí)例，測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括多個(gè)可選擇性耦合在諸如外部VDD焊盤303的第一電源電壓節(jié)點(diǎn)和諸如外部VSS焊盤304的第二電源電壓節(jié)點(diǎn)之間的分壓器427、428和429。所述多個(gè)分壓器427、428、429具有不同的輸出電壓。通過控制第一和第二電源電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓和測(cè)試集成電路301時(shí)的溫度，并選擇該多個(gè)分壓器427、428或429中的一個(gè)，測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可用來在BGR電壓節(jié)點(diǎn)421產(chǎn)生基本上為多個(gè)目標(biāo)值中所需的一個(gè)的BGR電壓。分壓器427、428和429可設(shè)計(jì)為基于第一和第二電源電壓節(jié)點(diǎn)之間的電壓差來產(chǎn)生任何合適的BGR電壓，并可以利用任何合適的電路元件來實(shí)現(xiàn)。由于由所選擇的分壓器427、428和429產(chǎn)生的BGR電壓依賴于第一和第二電源電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓，因此可改變第一和/或第二電源電壓節(jié)點(diǎn)處的電壓來幫助將BGR電壓設(shè)定為基本上是用于測(cè)試的一個(gè)或多個(gè)預(yù)期目標(biāo)值。
測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括任何適合的電路來選擇分壓器427、428和429中的一個(gè)。如圖4所示出的，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320可包括耦合在BGR電壓節(jié)點(diǎn)311和BGR電壓節(jié)點(diǎn)421之間的開關(guān)424，耦合在第一電源電壓節(jié)點(diǎn)和每個(gè)分壓器427、428和429之間的開關(guān)425，及耦合在第二電源電壓節(jié)點(diǎn)和每個(gè)分壓器427、428和429之間的開關(guān)426。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，控制電路330可耦合成在集成電路301被設(shè)置為工作模式時(shí)激勵(lì)開關(guān)424和去激勵(lì)開關(guān)425和426，以從工作模式BGR電壓發(fā)生器310向電源和控制電壓發(fā)生器340提供BGR電壓。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，控制電路330可耦合成在集成電路310被設(shè)置為測(cè)試模式時(shí)去激勵(lì)開關(guān)424和激勵(lì)開關(guān)425和426，以選擇所述分壓器427、428和429中的一個(gè)，來從測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320向電源和控制電壓發(fā)生器340提供BGR電壓。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，控制電路330可包括一個(gè)或多個(gè)可設(shè)定成控制開關(guān)424、425和/或426的可編程寄存器432。開關(guān)424、425和426可利用任何合適的電路元件來實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)425和/或426可構(gòu)成為分壓器427、428和/或429的一部分。
利用測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器的IC測(cè)試可使用由測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320產(chǎn)生的BGR電壓，以任何合適的方式來測(cè)試集成電路301，以幫助確定如何調(diào)整工作模式BGR電壓發(fā)生器310。對(duì)于一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，可根據(jù)圖5的流程圖500，使用如圖3所示出的測(cè)試器380來測(cè)試集成電路301。
在圖5的方塊502，測(cè)試器380提供電源電壓來給集成電路301供電。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可通過至少外部VDD焊盤303來提供電源電壓VDD，及通過至少外部VSS焊盤304來提供參考電源電壓VSS(例如地電源電壓)，以給集成電路301供電。
在方塊504，測(cè)試器380將集成電路301設(shè)置在測(cè)試模式，以選擇測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320來產(chǎn)生用于集成電路301的BGR電壓。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可通過一個(gè)或多個(gè)外部控制焊盤(諸如焊盤306和307)來將控制信號(hào)提供到控制電路330，以將集成電路301設(shè)置在測(cè)試模式，從而選擇測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320來將BGR電壓提供給電源和控制電壓發(fā)生器340，所述BGR電壓至少部分地依賴于電源電壓VDD和/或電源電壓VSS。測(cè)試器380可通過任何合適的一個(gè)或多個(gè)外部控制焊盤來提供任何合適的控制信號(hào)、以任何合適的方式將集成電路301設(shè)置在測(cè)試模式。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可隨意地調(diào)整電源電壓VDD和/或電源電壓VSS來幫助將BGR電壓基本上設(shè)定在預(yù)期的目標(biāo)值。
在方塊506，測(cè)試器380可隨意地設(shè)定測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器來幫助設(shè)定BGR電壓。當(dāng)測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320如圖4所示出的包括多個(gè)分壓器427、428和429時(shí)，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可選擇分壓器427、428和429中的一個(gè)來產(chǎn)生基本上是預(yù)期目標(biāo)值的BGR電壓。
在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可設(shè)定測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320來粗略地將BGR電壓設(shè)定在預(yù)期的目標(biāo)值附近，并調(diào)整電源電壓VDD和/或電源電壓VSS以更精細(xì)地將BGR電壓調(diào)整到基本上為預(yù)期目標(biāo)值。
在方塊508，測(cè)試器380使用由測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320產(chǎn)生的BGR電壓來測(cè)試集成電路301。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可控制控制電路330來控制測(cè)試電路360以使用測(cè)試模式BGR電壓發(fā)生器320產(chǎn)生的BGR電壓來測(cè)試存儲(chǔ)器控制電路和(多個(gè))存儲(chǔ)器陣列350。在這個(gè)測(cè)試的過程中，數(shù)據(jù)模式可寫入(多個(gè))陣列350和從其中讀取。從(多個(gè))陣列350中讀取的數(shù)據(jù)模式可與寫入(多個(gè))陣列350中的數(shù)據(jù)模式進(jìn)行比較，以驗(yàn)證集成電路301在內(nèi)部產(chǎn)生BGR電壓的整個(gè)預(yù)期范圍內(nèi)正確地工作。
在一些情況下(在附加測(cè)試的過程中或之后)，工作模式BGR電壓發(fā)生器310可由調(diào)整電路370來調(diào)整。例如，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可控制控制電路330來控制調(diào)整電路370以調(diào)整工作模式BGR電壓發(fā)生器310。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試電路360可耦合成控制調(diào)整電路370以調(diào)整工作模式BGR電壓發(fā)生器310(例如，通過一個(gè)或多個(gè)熔絲的設(shè)定)。
在任何情況下，測(cè)試之后，然后可將集成電路301設(shè)置為工作模式以選擇工作模式BGR電壓發(fā)生器310來將BGR電壓提供給電源和控制電壓發(fā)生器340。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可通過一個(gè)或多個(gè)外部控制焊盤，諸如焊盤306和307，將控制信號(hào)提供給控制電路330以將集成電路301設(shè)置為工作模式。在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，集成電路301也可以包括任何合適的電路來在上電和/或復(fù)位之后自動(dòng)地將集成電路301設(shè)置為工作模式。
盡管結(jié)合測(cè)試集成電路301進(jìn)行了描述，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試器380可根據(jù)圖5的流程圖500來測(cè)試晶片300上的多個(gè)集成電路。由于測(cè)試器380可測(cè)試晶片300上的集成電路，而不需要使用提供外部強(qiáng)加參考電壓的測(cè)試通道，所以在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，測(cè)試晶片300上的集成電路的并行度將增加?；蛘?，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該自由了的測(cè)試通道也可以用于另一種目的。
總結(jié)已經(jīng)描述了使用內(nèi)部產(chǎn)生的參考電壓提供集成電路的測(cè)試，來幫助避免使用提供外部強(qiáng)加參考電壓的測(cè)試通道的本發(fā)明的一般實(shí)施例。雖然前述針對(duì)這些實(shí)施例，但是本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的實(shí)施例可不背離本發(fā)明的基本范圍而得到，本發(fā)明的范圍由下述的權(quán)利要求來確定。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)試集成電路的方法，包括給集成電路提供電源電壓；將集成電路設(shè)置為測(cè)試模式以選擇集成電路上的多個(gè)參考電壓發(fā)生器中的一個(gè)，來給集成電路上的另一個(gè)電壓發(fā)生器提供參考電壓，該參考電壓至少部分地依賴于所述電源電壓；及用提供給該另一電壓發(fā)生器的參考電壓來測(cè)試所述集成電路。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括調(diào)整所述電源電壓來幫助設(shè)定所述參考電壓。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括設(shè)定所選的參考電壓發(fā)生器來幫助設(shè)定所述參考電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括響應(yīng)所述測(cè)試，調(diào)整所述參考電壓發(fā)生器中未選擇的一個(gè)。
5.權(quán)利要求1所述的方法，還包括將所述集成電路設(shè)置為工作模式以選擇所述集成電路上的所述多個(gè)參考電壓發(fā)生器中基本上不依賴于溫度的一個(gè)來提供參考電壓到所述集成電路上的所述另一個(gè)電壓發(fā)生器。
6.一種測(cè)試集成電路的方法，包括給集成電路提供電源電壓；將集成電路設(shè)置為測(cè)試模式以選擇集成電路上的多個(gè)參考電壓發(fā)生器中的一個(gè)，來給集成電路上的另一個(gè)電壓發(fā)生器提供參考電壓，該參考電壓至少部分地依賴于所述電源電壓，其中所選擇的參考電壓發(fā)生器包括耦合到所述電源電壓的一個(gè)或多個(gè)分壓器；及用提供給所述另一個(gè)電壓發(fā)生器的參考電壓來測(cè)試所述集成電路。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括調(diào)整所述電源電壓來幫助設(shè)定所述參考電壓。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括選擇多個(gè)分壓器中的一個(gè)來產(chǎn)生所述參考電壓。
9.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括響應(yīng)所述測(cè)試，調(diào)整所述參考電壓發(fā)生器中未選擇的一個(gè)。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，還包括將所述集成電路設(shè)置為工作模式以選擇集成電路上的該多個(gè)參考電壓發(fā)生器中的基本上不依賴于溫度的一個(gè)，來提供參考電壓到集成電路上的所述另一個(gè)電壓發(fā)生器。
11.一種集成電路，包括集成電路上的第一電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生至少部分地依賴于給所述集成電路供電的電源電壓的第一電壓；集成電路上的第二電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生第二電壓；集成電路上的第三電壓發(fā)生器，用來基于參考電壓產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓；及控制電路，用來選擇第一電壓用作測(cè)試模式中的參考電壓，和選擇第二電壓用作非測(cè)試模式中的參考電壓。
12.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述第二電壓發(fā)生器用來產(chǎn)生基本上不依賴于溫度的第二電壓。
13.如權(quán)利要求11所述的集成電路，其中所述第二電壓發(fā)生器用來產(chǎn)生在電源電壓的操作范圍內(nèi)基本上不變的第二電壓。
14.如權(quán)利要求11所述的集成電路，還包括存儲(chǔ)器電路；其中所述第三電壓發(fā)生器用來基于參考電壓為該存儲(chǔ)器電路產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓。
15.如權(quán)利要求11所述的集成電路，還包括用來調(diào)整所述第二電壓發(fā)生器的調(diào)整電路。
16.一種存儲(chǔ)裝置，包括存儲(chǔ)器電路；集成電路上的第一電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生至少部分地依賴于給所述集成電路供電的電源電壓的第一電壓，其中所述第一電壓發(fā)生器包括一個(gè)或多個(gè)分壓器；集成電路上的第二電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生第二電壓；集成電路上的第三電壓發(fā)生器，用來基于待提供給所述存儲(chǔ)器電路的參考電壓來產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓；及控制電路，用來選擇第一電壓用作測(cè)試模式中的參考電壓，和選擇第二電壓用作非測(cè)試模式中的參考電壓。
17.如權(quán)利要求16所述的集成電路，其中所述第一電壓發(fā)生器包括具有不同輸出電壓的多個(gè)分壓器。
18.如權(quán)利要求16所述的集成電路，其中所述控制電路包括一個(gè)或多個(gè)寄存器，用來選擇多個(gè)分壓器中的一個(gè)以產(chǎn)生所述第一電壓。
19.如權(quán)利要求16所述的集成電路，其中所述第二電壓發(fā)生器用來產(chǎn)生基本上不依賴于溫度的第二電壓。
20.如權(quán)利要求16所述的集成電路，其中所述第二電壓發(fā)生器用來產(chǎn)生在所述電源電壓的操作范圍內(nèi)基本不變的第二電壓。
21.一種集成電路，包括用來基于參考電壓產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓的裝置；用來產(chǎn)生第一電壓的裝置，該第一電壓至少部分地依賴于給所述集成電路供電的電源電壓，且當(dāng)所述集成電路處于測(cè)試模式時(shí)用作參考電壓；及用來產(chǎn)生第二電壓的裝置，該第二電壓在所述集成電路處于非測(cè)試模式時(shí)用作參考電壓。
22.如權(quán)利要求21所述的集成電路，還包括用來調(diào)整所述第二電壓的裝置。
23.一種系統(tǒng)，包括具有集成電路的晶片，所述集成電路中的一個(gè)或多個(gè)具有用來產(chǎn)生至少部分地依賴于電源電壓的第一電壓的第一電壓發(fā)生器、用來產(chǎn)生第二電壓的第二電壓發(fā)生器、用來基于參考電壓產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓的第三電壓發(fā)生器及控制電路，所述控制電路選擇第一電壓用作測(cè)試模式中的參考電壓和選擇第二電壓用作非測(cè)試模式中的參考電壓；及測(cè)試器，用來給一個(gè)或多個(gè)集成電路提供電源電壓，將一個(gè)或多個(gè)集成電路設(shè)置成測(cè)試模式，及使用用作參考電壓的第一電壓來測(cè)試一個(gè)或多個(gè)集成電路。
24.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述測(cè)試器用來調(diào)整所述電源電壓以幫助設(shè)定所述第一電壓。
25.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述測(cè)試器用來設(shè)定所述第一電壓發(fā)生器以幫助設(shè)定所述第一電壓。
26.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述第一電壓發(fā)生器包括一個(gè)或多個(gè)分壓器。
27.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中一個(gè)或多個(gè)集成電路具有存儲(chǔ)器電路，且其中所述第三電壓發(fā)生器用來基于所述參考電壓為所述存儲(chǔ)器電路產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓。
28.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中一個(gè)或多個(gè)集成電路具有用來調(diào)整所述第二電壓發(fā)生器的調(diào)整電路。
全文摘要
公開了一種或多種方法，提供電源電壓給集成電路，將所述集成電路設(shè)置成測(cè)試模式以選擇集成電路上的多個(gè)參考電壓發(fā)生器中的一個(gè)來給集成電路上的另一個(gè)電壓發(fā)生器提供參考電壓，該參考電壓至少部分地依賴于所述電源電壓，并利用提供給該另一個(gè)電壓發(fā)生器的參考電壓來測(cè)試所述集成電路。公開了一種或多種集成電路，包括集成電路上的第一電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生至少部分地依賴于給所述集成電路供電的電源電壓的第一電壓；集成電路上的第二電壓發(fā)生器，用來產(chǎn)生第二電壓；集成電路上的第三電壓發(fā)生器，用來基于參考電壓產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)內(nèi)部電壓；及控制電路，用來選擇第一電壓用作測(cè)試模式中的參考電壓和選擇第二電壓用作非測(cè)試模式中的參考電壓。
文檔編號(hào)G01R31/28GK1808131SQ200610004028
公開日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2006年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月20日
發(fā)明者J·黑蒂 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)股份公司