專利名稱：內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置，尤指一種將測試接點(diǎn)直接設(shè)計(jì)于集成電路晶片表面上，使晶片組成檢測裝置并選定排列布設(shè)后，可輕易架構(gòu)成一高密度測試接點(diǎn)的檢測面，以供對(duì)應(yīng)任一具有電路結(jié)構(gòu)的被測物進(jìn)行內(nèi)電路測點(diǎn)的檢測方法及其裝置。
背景技術(shù)：
一般各式具有電路結(jié)構(gòu)的被測物其內(nèi)電路檢測方式(如圖6所示)，多數(shù)是利用機(jī)械式的結(jié)構(gòu)組成，以細(xì)微的探針10末端接設(shè)信號(hào)導(dǎo)線20，并依照被測物30上的電路接點(diǎn)位置而對(duì)應(yīng)架構(gòu)成一專屬的彈簧針盤座10A，并使信號(hào)導(dǎo)線20配線導(dǎo)接至計(jì)算機(jī)設(shè)備，若此，當(dāng)運(yùn)用二相對(duì)應(yīng)的針盤座10A夾測被測物30時(shí)，即可透過程序控制，以信號(hào)導(dǎo)線20傳送偵測信號(hào)至二針盤座10A上特定的探針10，由此以達(dá)檢測內(nèi)電路的作用。
利用上述采用探針10作為觸控偵測點(diǎn)的檢測平臺(tái)(諸如專用針盤、萬用針盤或飛針測試臺(tái)等)，因各偵測點(diǎn)彼此間之間隔距離，受限于探針10的結(jié)構(gòu)尺寸影響而無法予以精密化，使檢測平臺(tái)上所具有的偵測點(diǎn)密度無法降低，故對(duì)于日益精密的被測物30而言，不足以對(duì)應(yīng)檢測。又，以探針10組成的檢測平臺(tái)于制作時(shí)，必須以人工作業(yè)的方式，將探針10一一植入檢測臺(tái)座，并使信號(hào)導(dǎo)線20逐一接連配線，實(shí)為費(fèi)工、費(fèi)時(shí)而極不符經(jīng)濟(jì)效益。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置，主要令檢測平臺(tái)以選定排列的方式，將檢測裝置架構(gòu)成一具有高密度測試接點(diǎn)的檢測面，使被測物料與檢測平臺(tái)相觸接檢測內(nèi)電路時(shí)，被測物料上的任一電路接點(diǎn)皆有與其對(duì)應(yīng)觸接的若干測試接點(diǎn)，令檢測平臺(tái)可涵蓋適用任一被測物料檢測內(nèi)電路。
本發(fā)明的次要目的，在于提供一種內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置，該檢測裝置主要以集成封裝電路技術(shù)，將解碼器電路、電路開關(guān)與金屬測試接點(diǎn)整合連結(jié)于一晶片上，且使金屬測試接點(diǎn)直接設(shè)計(jì)種晶片表面上，令晶片的表面具有高密度分布的檢測點(diǎn)。
本發(fā)明的另一目的，是在于提供一種內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置，令選定排列晶片的檢測面上鋪設(shè)具有一導(dǎo)電薄膜，使該導(dǎo)電薄膜可消抵被測物上電路接點(diǎn)的高低落差程度，令被測物測點(diǎn)與晶片檢測面更形服貼，提高測試的精淮度。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種內(nèi)電路檢測方法，其主要是令檢測平臺(tái)將多個(gè)具有高密度測試接點(diǎn)的檢測裝置選定排列成一檢測面，使被測物與檢測平臺(tái)觸接檢測內(nèi)電路時(shí)，被測物上的任一電路接點(diǎn)皆有與其對(duì)應(yīng)觸接的若干金屬測試接點(diǎn)，令每一電路接點(diǎn)由計(jì)算機(jī)設(shè)備控制檢測裝置上的金屬測試接點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)導(dǎo)通而逐一檢測。
所述的檢測平臺(tái)的各檢測裝置均配線導(dǎo)接至計(jì)算機(jī)設(shè)備以程序控制。
一種檢測內(nèi)電路的檢測裝置，主要由晶片與一具有彈簧機(jī)構(gòu)的基座所組成，晶片表面的選定處封裝排列有多個(gè)金屬測試接點(diǎn)，使各金屬測試接點(diǎn)透過封裝晶片的制程而與晶片內(nèi)的集成電路接連導(dǎo)通，晶片適當(dāng)?shù)亟Y(jié)設(shè)于該基座的頂端面，架構(gòu)成一檢測裝置。
該金屬測試接點(diǎn)以高密度的選定排列方式設(shè)置于晶片表面。
該檢測裝置為配線導(dǎo)接至計(jì)算機(jī)設(shè)備而以程序控制。
被測物與兩檢測平臺(tái)之檢測面盤間各增設(shè)有一導(dǎo)電薄膜。
該基座可選定排列布設(shè)放檢測平臺(tái)上，使之架構(gòu)成一大型高密度測試接點(diǎn)的檢測面盤。


圖1所示為本發(fā)明中晶片的放大立體示意圖。
圖2所示為本發(fā)明中以檢測裝置構(gòu)成檢測面盤的布設(shè)示意圖。
圖3所示為本發(fā)明的檢測設(shè)備配置圖。
圖4所示為本發(fā)明配合導(dǎo)電薄膜的實(shí)施狀態(tài)示意圖。
圖5所示為本發(fā)明中導(dǎo)電薄膜的實(shí)施態(tài)狀剖面示意圖。
圖6所示為現(xiàn)有的以探針實(shí)施檢測的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
圖號(hào)說明10 探針 10A 彈簧針盤座20 信號(hào)導(dǎo)線 30 被測物1 檢測平臺(tái) 2 檢測裝置21 晶片 22 金屬測試接點(diǎn)23 集成電路 24 基座3 被測物31 電路接點(diǎn)4 計(jì)算機(jī)設(shè)備5 導(dǎo)電薄膜具體實(shí)施方式
如圖1～圖3所示，本發(fā)明內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置設(shè)計(jì)，主要技術(shù)是令檢測平臺(tái)1以多個(gè)檢測裝置2架構(gòu)成一具有高密度測試接點(diǎn)的檢測面，使被測物3與檢測平臺(tái)1相觸接檢測內(nèi)電路時(shí)，被測物3上的任一電路接點(diǎn)31皆有與其對(duì)應(yīng)觸接的若干金屬測試接點(diǎn)22。
為達(dá)此一技術(shù)特征，須突破既有集成電路開關(guān)的運(yùn)用手段，使集成電路開關(guān)不需透過封裝晶片、組成電路板的應(yīng)用型態(tài)使用，而將金屬測試接點(diǎn)22直接透過封裝晶片21的動(dòng)作，這自接連導(dǎo)至集成電路23(如圖1所示)，使金屬測試接點(diǎn)22以高密度的排列方式布設(shè)于晶片21的表面，而集成電路23則打散布設(shè)成型于各金屬測試接點(diǎn)22之間，如此即可克服金屬測試接點(diǎn)22于高密度排列下與集成電路23的互通性。
如圖2所示，本發(fā)明將封裝有金屬測試接點(diǎn)22及集成電路23的晶片21組結(jié)于是一具有彈簧機(jī)構(gòu)的基座24上，令其架構(gòu)成一檢測裝置2，且選定排列布設(shè)數(shù)檢測裝置2于檢測平臺(tái)1之后，乃可令檢測平臺(tái)1架構(gòu)成一大型高密度測試接點(diǎn)的檢測面盤。
如圖3所示，本發(fā)明在實(shí)際檢測應(yīng)用時(shí)，是取兩檢測平臺(tái)1以具有多個(gè)檢測裝置2的檢測面呈相互對(duì)應(yīng)的方式架設(shè)，令各檢測平臺(tái)1的晶片21的配線導(dǎo)接至一計(jì)算機(jī)設(shè)備4，使被測物3夾置于兩檢測面盤后，該被測物3的任一電路接點(diǎn)31皆可受一個(gè)或一個(gè)以上的金屬測試接點(diǎn)22對(duì)應(yīng)觸接，令計(jì)算機(jī)設(shè)備4可完全地針對(duì)每一電路接點(diǎn)31進(jìn)行信號(hào)導(dǎo)通而逐一檢測。
此外，如圖4及圖5所示，為確保被測物3在進(jìn)行檢測時(shí)，其各電路接點(diǎn)31與所對(duì)應(yīng)的金屬測試接點(diǎn)22皆呈完整的導(dǎo)觸無礙，使得于被測物3與兩檢測平臺(tái)1的檢測面盤間增設(shè)一導(dǎo)電薄膜5，利用該導(dǎo)電薄膜5具有彈性及電性導(dǎo)通的特性，使導(dǎo)電薄膜5可達(dá)消抵被測物3上電路接點(diǎn)31高低落差的作用，令被測物3的電路接點(diǎn)3與金屬測試接點(diǎn)22的觸接狀態(tài)更形穩(wěn)固服貼，可提高測試的精確度。
權(quán)利要求
1.一種內(nèi)電路檢測方法，其特征在于，其主要是令檢測平臺(tái)將多個(gè)具有高密度測試接點(diǎn)的檢測裝置選定排列成一檢測面，使被測物與檢測平臺(tái)觸接檢測內(nèi)電路時(shí)，被測物上的任一電路接點(diǎn)皆有與其對(duì)應(yīng)觸接的若干金屬測試接點(diǎn)，令每一電路接點(diǎn)由計(jì)算機(jī)設(shè)備控制檢測裝置上的金屬測試接點(diǎn)進(jìn)行信號(hào)導(dǎo)通而逐一檢測。
2.如權(quán)利要求1所述的內(nèi)電路檢測方法，其特征在于，所述的檢測平臺(tái)的各檢測裝置均配線導(dǎo)接至計(jì)算機(jī)設(shè)備以程序控制。
3.一種檢測內(nèi)電路的檢測裝置，其特征在于，主要由晶片與一具有彈簧機(jī)構(gòu)的基座所組成，晶片表面的選定處封裝排列有多個(gè)金屬測試接點(diǎn)，使各金屬測試接點(diǎn)透過封裝晶片的制程而與晶片內(nèi)的集成電路接連導(dǎo)通，晶片適當(dāng)?shù)亟Y(jié)設(shè)于該基座的頂端面，架構(gòu)成一檢測裝置。
4.如權(quán)利要求3所述檢測內(nèi)電路的檢測裝置，其特征在于，該金屬測試接點(diǎn)以高密度的選定排列方式設(shè)置于晶片表面。
5.如權(quán)利要求3所述檢測內(nèi)電路的檢測裝置，其特征在于，該檢測裝置為配線導(dǎo)接至計(jì)算機(jī)設(shè)備而以程序控制。
6.如權(quán)利要求3所述檢測內(nèi)電路的檢測裝置，其特征在于，被測物與兩檢測平臺(tái)之檢測面盤間各增設(shè)有一導(dǎo)電薄膜。
7.如權(quán)利要求3所述檢測內(nèi)電路的檢測裝置，其特征在于，該基座可選定排列布設(shè)放檢測平臺(tái)上，使之架構(gòu)成一大型高密度測試接點(diǎn)的檢測面盤。
全文摘要
本發(fā)明為一種內(nèi)電路檢測方法及其運(yùn)用的檢測裝置，主要是令檢測平臺(tái)以選定排列的方式將檢測裝置架構(gòu)成一檢測面，該檢測裝置是將晶片以集成封裝技術(shù)整合連結(jié)有解碼器電路、電路開關(guān)與金屬測試接點(diǎn)，使金屬測試接點(diǎn)采用高密度的排設(shè)方式布設(shè)于晶片頂端，若此，使被測物與檢測平臺(tái)相觸接檢測內(nèi)電路時(shí)，被測物上的任一電路接點(diǎn)皆有與其對(duì)應(yīng)觸接的若干測試接點(diǎn)，令本發(fā)明可涵蓋適用任一具有電路結(jié)構(gòu)的被測物檢測內(nèi)電路。
文檔編號(hào)G01R31/28GK1704762SQ200410042818
公開日2005年12月7日 申請(qǐng)日期2004年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月26日
發(fā)明者張銘元 申請(qǐng)人:名威科技實(shí)業(yè)有限公司